DP-VO V1 的区别

1.5习题解答1-1 一块本征锗半导体，掺入三价受主杂质硼，浓度为1.5×1015cm -3,试分别求出T=300K （27℃）、400K （127℃）时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

解：T=300K 时，n i =1.5×1010cm -3<<N a ，因此，p 0≈N a =1.5×1015cm -3 ，n 0=n 2i /p 0≈3.84×1011cm -3。

由于p 0>>n o ，故为P 型半导体。

T=400K 时，n i =AT e =1.62×1015cm -3由于n i >N a ，因此，必须利用p 0=N a +n 0及n 0p 0=n 2i 两方程联立求解，经分析计算得知：p 0=2.5×1015cm -3、n 0=1.03×1015cm -3，由于p 0与n 0近似相等，故为本征半导体。

1-2 一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为1014cm -3，试分别求出T=300K 、500K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

解：T=300K 时，n i =1.5×1010cm -3<<N d ，则n 0≈N d =1014cm -3因此p 0=n 2i /n 0≈2.25×106cm -3。

由于p 0<<N 0，故为N 型半导体。

T=500K 时n i = AT e = 3.49×1014cm -3，由于n i 与掺杂浓度N d 近似相等，故为本征半导体。

1-3 在本征硅半导体中，掺入浓度为5×1015cm -3的受主杂质，试指出T=300K 时所形成的杂质半导体类型。

若再掺入浓度为1016cm-3的施主杂质，则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K 、600K ，试分析为何种类型半导体。

dB相关整理理解
dB是一个比例数值为10为底的对数log x，（及指数函数的指数，再乘以20或10）。

用dB表述的好处：方便电气计算值用小的指数就可以表述（由于dB为取Log对数函数，可以把很大的数变得很小指数值来表示）
知识回顾：指数函数：y=a x （a一般为参数）
对数函数：y=log a x（指数函数和对数函数互为反函数）
幂函数：y=x a
dB：表相对值。

电压类：dB=20 log（V2/V1）功率类：dB=10 log（P2/P1）
dBV： V1为1V,表示以1V为基准的相对电压V2，如：0 dBV=20 log（1V/1V）,20dBV=20 log （10V/1V）
dBuV: V1为1uV，表示以1uV为基准的相对电压V2
dBmV ：V1为1mV，表示以1mV为基准的相对电压V2
dBm: P1为1mW，表示以1mW为基准的相对功率P2 (特别注意：该表示功率毫瓦) dBW: P1为1mW，表示以1W为基准的相对功率P2
整理：陈理奎 20200229。

电源VCC、VSS、VDD、VEE、VPP、Vddf标号的区别VCC、VSS、VDD、VEE、VPP、Vddf 是什么？他们有什么区别？一、解释VCC：C=circuit 表示电路的意思，即接入电路的电压；VDD：D=device表示器件的意思，即器件内部的工作电压；VEE：发射极电源电压，Emitter Voltage，一般用于ECL，电路的负电源电压.VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常是指电路公共接地端电压。

VPP：不同芯片对Vpp的定义稍有不同,比如电压峰峰值,单片机中Vpp多数定义为编程电压Vddf：Vddf为Flash(闪存)供电的外部电压二、说明1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。

2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。

3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。

4、一般来说VCC=模拟电源，VDD=数字电源，VSS=数字地，VEE=负电源另外一种解释：Vcc和Vee出现在双极型晶体管电路中，和集电极(collector)发射极(emitter)有关，所以一正一负。

Vdd，Vss在MOS电路中出现，和漏级(Drain)，源极(Source)有关，也是一正一负。

Vcc和Vdd是器件的电源端。

Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。

下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOSorNMOS场效应管的漏极D。

同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。

因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。

如果用PNP结构Vcc就为负了。

荐义选用芯片时一定要看清电气参数。

Vcc来源于集电极电源电压，CollectorVoltage，一般用于双极型晶体管，PNP管时为负电源电压，有时也标成-Vcc，NPN管时为正电压。

PCB、PWB、FPC的定义和区别PCB是英文Printedcircuitboard的缩写，正式译文是印制电路板或印制线路板，或印刷线路板；包括印制线路图形和印制元件；PWB是英文Printedwireboard的缩写，正式译文是印刷线路板，是英国人早期的叫法，因为当时线路板上只有线路图，而没有印制元件等，所以属于较为原始的板子；由于传统好多英国人和部分香港人还称线路板为PWB；FPC是柔性线路板简称，又称软板，英文是Flexibleprintedboard的缩写。

FPC常用术语中英文对照AAccelerate Aging ——加速老化，使用人工的方法，加速正常的老化过程。

Acceptance Quality Level (AQL) ——一批产品中最大可以接受的缺陷数目，通常用于抽样计划。

Acceptance Test ——用来测定产品可以接受的试验，由客户与供应商之间决定。

Access Hole ——在多层线路板连续层上的一系列孔，这些孔的中心在同一个位置，而且通到线路板的一个表面。

Annular Ring ——是指保围孔周围的导体部分。

Artwork ——用于生产“Artwork Master”“production Master”,有精确比例的菲林。

Artwork Master ——通常是有精确比例的菲林，其按1：1的图案用于生产“Production Master”。

BBack Light ——背光法，是一种检查通孔铜壁完好与否得放大目检方法，其做法是将孔壁外的基材自某一方向上小心的予以磨薄，再利用树脂半透明的原理，从背后射入光线。

假如化学铜孔壁品质完好而无任何破洞或针孔时，则该铜层必能阻绝光线而在显微中呈现黑暗，一旦铜壁有破洞时，则必有光点出现而被观察到，并可放大摄影存证，称为背光法，但只能看到半个孔。

Base Material ——绝缘材料，线路在上面形成。

（可以是刚性或柔性，或两者综合。