模电基础例题(精选)

二极管1?.本征半导体热激发时的两种载流子分别是__________ 、 _____________________ 。

2.?N型半导体多数载流子是______________ ，少数载流子是___________ 。

3.P型半导体多数载流子是_____________ ，少数载流子是____________ 。

4.在常温下硅二极管的开启电压约为________________________ V,导通后的正向压降为____________ ,5.在常温下锗二极管的开启电压约为________________________ V,导通后的正向压降为____________ ,6.当PN结外加正向电压时，扩散电流_______________ 漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流，耗尽层；A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变7、PN结的空间电荷区有哪些称谓？为何这样称谓？二极管有哪些特性？其中最重要的特性是________________ 。

1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为B、P型半导体2、N型半导体中少数载流子为B、空穴3、P型半导体是C、中性4、PN结加正向电压时，其正向电流是A、多数载流子扩散形成的8、稳压二极管是利用PN结的B、反向击穿特性9、PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压）C、其反向电流不变1.15试判断图1.40中的二极管是否导通，还是截止，并求岀两端电压U AOU D =-6+l2=6VU D=-15+12=^3V D不迪U M=-12VV 0l --12vM4.7二极管电路如图题3.4.7a 所示，设输人电压引(t)波形如图b 所 示’在0<r<5ms 的时间间隔内，试绘岀呢(0的波形,设二极管是理想的。

解：v,(t)<6V 时，D 截止，^(i) =6 V ； v T (t)^6 V Rj t D 导通，IT ［⑷「S V1⑷=(200+200)nx200n+6y^'(c) +3V*V T (5) = 10V 时，v 0(5) = 8 V o %波形如图解父4+7所示。

u0 =1VV…= -15+12=^V忠軽 v D1X)V 3j- -12^6--6vD1 , D2®it L^=」2V0.76.5电路如图P6.5 （a）所示，其输入电压w 和v i2的波形如图（b）所示，二极管导通电压VD = 0.7V。

试画出输出电压v o的波形，并标出幅值。

V ii/VtWV」106//s6■__ l5tAns0§i^ns 3. 4. 9电路如图题3. 4.9所示，D- 匕为硅二极管*当叫=幺尬施（¥）时，试用恒压降模型分折电路*绘出输出电压 %的波形。

解；图题3*4*9电路的恒压降等效电路如图解3. 4.9a所示心V 时、D,导通,g 截止，％=17 V；片W -17 V时，03导通号弘截止，%二-3,7 V； -3.7 V<叽<3.7 V 时，D.利02均载止，s 二叫。

弘波形如图解3.4.9b所示口0VVI+(a图题3.4J图解347r-ITQ+--(b)图 P6.5解：u o 的波形如解图P1.2所示。

30.3CJ-rJ 0 31a1127 \3.7i1f6.8二极管电路如图6.8所示，试判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出压V AB ，设二极管是理想的。

D 6V12______B(b)图 P6.8解：图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为一6 V ，阴极电位为一12 V ，故D 处于正向偏置而导通，V AO =- 6 V 。

图b:对D i 有阳极电位为 0V,阴极电位为一12 V ，故D i 导通，此后使D 2的阴极电位为 0V , 而其阳极为一 15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。

图C ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 ―6V •故D 2更易导通，此后使 V A = - 6V ; D 1反偏而截止，故 V AO = - 6V 。

V i1+V cc ( 5V )R D iH 3J0.3D 2V i2/V*0.3AB 两端电V o(cA T ■+ R 5kQTV AB晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______ 区、_____ 区和_________________________________________________ 区。

当三极管工作在______ 区时，关系式IC=B IB才成立；当三极管工作在________ 区时，IC=0;当三极管工作在______ 区时，UCE^ 0。

2、 NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是 _______ ， _____ 极电位最低。

3、晶体三极管有两个 PN结，即 _______ 和_________ 在放大电路中_________必须正偏，________ 偏。

4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而__________ 穿透电流ICEO随温度升高而_________ B值随温度升高而 ________ 。

5、硅三极管发射结的死区电压约为_______ V锗三极管发射结的死区电压约为V晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为V锗三极管发射结的导通电压约为7。

6输入电压为20mV输出电压为2V,放大电路的电压增益为______________ 。

7、多级放大电路的级数愈多则上限频率 fH越 ___________ 。

8当半导体三极管的 ________ 正向偏置，_________ 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即_____ 极电流能控制 ____ 极电流。

9、（2-1，低）根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为________ ，__________ ，_________ 三种。

10、（2-1,低）三极管的特性曲线主要有________ 曲线和 __________ 曲线两种。

11、（2-1，中）三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE—定时，________ 与 _______ 之间的关系。

12、（2-1，低）为了使放大电路输出波形不失真，除需设置___________________外,还需输入信号___________ 。

13、（2-1，中）为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对 NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生_________ 失真，应调R B，使其 _________ ，则I B________ ，这样可克服失真。

14、（2-1,低）共发射极放大电路电压放大倍数是______ 与__________ 的比值。

15、（2-1,低）三极管的电流放大原理是____ 电流的微小变化控制________ 电流的较大变化。

16、（2-1，低）共射组态既有____放大作用，又有 _________ 放大作用。

17、（2-1，中）共基组态中，三极管的基极为公共端，______ 极为输入端，—极为输出端。

18、（2-1,难）某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于___________ 区的________ 型的三极管。

19、（2-1，难）已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为① 3.5V，②2.8 V，③5V,试判断：a.____________ ①脚是_________ ，②脚是_____ ，③脚是（e, b, c）；b._________________ 管型是（NPN，PNP）;c._______________ 材料是（硅，锗）。

20、（2-1，中）晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是_______________________ ，电流分配关系是 ________________ 。

21、（2-1，低）温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C_______ ，静态工作点________ 。

22、（2-1，低）一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而________________________________________________________________________ ，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而_________ 。

23、（2-1，低）画放大器交流通路时，_____ 和________ 应作短路处理。

24、（2-2，低）在多级放大器里。

前级是后级的_________ ，后级是前级的_______ 。

25、（2-2，低）多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。

常用的耦合方式有：________ ，_______ ，________ 。

26、（2-2，中）在多级放大电路的耦合方式中，只能放大交流信号，不能放大直流信号的是_________ 放大电路，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是放大电路，________ 放大电路各级静态工作点是互不影响的。

4.L2某敝大电路中BJT三C电极A. C的电流如图题4. 1.2所示，用万用表直流电流捋测得人--2mA,/B = - 0. 04 mA * -十2. 0斗mA ,试分析A.趴C中哪个是基扱叭发射扱叭集电极-井说明此管是NPN还是PNP管，它的/? = ?解：由1,= -2 mA, /B= -0.04 mA 可知，图题*1.2中电流人、人的方向与苴实际方向相反，即人、人流人管子为正，而入流出管子为正，故此BJT 图题斗.1.2*NPN管。

由BJT的电流分配关系知，电极A是集电扱* B是基极* (2是发4,2.1试分析图题4.2. 1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用、井简述理由(设各电容的容抗可怨略几图题4, 2. I解：图题4. 2. U无放大作用。

-方面％「使发射结所加反偏电压太高，管子易击穿；另一方面因Rg,使输人信号叫被短路。

图题4.£lb电路偏匱正常，且交流信号能够传输，有交流放大作用。

图题4.2,"无交流放大作用，因电容£肌隔断了基极的直流通路。

图题＜2, Id无交流赦人作用，因电源卩氏的扱性接反口A4一 2, 3测量某硅BJT 各电扱对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域「 ( a) % -6 V 叫=0+7 V % 二0 ¥ (b) V c =6 V 1Z B =2 V 7E = L3 V(c) V c = 6 V F B = 6 V V t =5.4 V (d) / =6 V-4 V % =3.6 V(e) V c =3. 6 V % =4 ¥ V E =3.4 V解：(叮放大区，因发射结正偏，集电结反偏。