中的特别记忆体

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Register 暫存器

處理器(CPU) 中的特別記憶體(MEMORY), 用來存放運算及指令(INSTRUCTION) 的資料.一個處理器內通常有好幾個暫存器, 有些有特定的功用, 有些則為通用暫存器, 可以用來放資料或記憶體位址, 暫存器的資料寬度就是處理器的位元數, 例如32 位元處理器的暫存器寬度是32 個位元.

DRAM Dynamic Random Access Memory動態隨機存取記憶體

動態隨機存取記憶體, 一種隨機存取記憶體(RAM), 價格較靜態記憶體(SRAM) 便宜, 但存取速度較慢, 耗電量較大.動態的意思是, 記憶體不會一直保存記憶內容, 會隨著時間而將內容流失, 技術上來說就是, 記憶體必須不斷的重新的加強(REFRESHED) 電位差量, 否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處於何種狀態.

SRAM Static RAM

一種隨機存取記憶體(RAM), 存取速度比DRAM 快, 不像DRAM 需要不停的REFRESH, 但製造成本較高, 通常用來作為快取(CACHE) 記憶體使用.

SDRAM Synchronous DRAM

同步動態唯機存取記憶體(Synchronous DRAM),是DRAM的新型,比傳統記憶體的時脈速度要快上許多。因為它能和CPU的匯流排同步,並能夠同時開啟兩個記憶體頁(PAGE),運算速度高達133 MHz。英特爾出產的Pentium系列使用的是100及133MHz的CPU bus,所以SDRAM還能支援,但未來的個人電腦可能將使用高達200 MHz的bus,SDRAM就不足以支援了,這就是為什麼業界不斷開發更高速的記憶體,如RDRAM。

DDR-SDRAM Double-Data-Rate SDRAM

一種雙倍速的SDRAM, 在每一個時鐘循環(CLOCK CYCLE) 的兩個觸發邊緣(EDGE) 都能傳輸資料.

PROM Programmable Read Only Memory可程式唯讀記憶體

一種唯讀記憶體(ROM), 出廠後可使用燒錄器(BURNER) 寫入資料, 一但寫入就無法再更

EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory )

一種EPROM,可經由加強電流將內容資料抹去後重新寫入。EEPROM 功能與快閃記憶體(MEMORYMEMORY.htmlMEMORY.htmlFLASH-MEMORY.htmlMEMORY.htmlFLASH-MEMORY)類似,但快閃記憶體燒錄是一次寫入一整個區塊(BLOCK),比EEPROM 一次寫入一個位元組(BYTE)快。

RDRAM Rambus Dynamic Random Access Memory

是由美國的Rambus設計生產的高頻DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取記憶體)。RDRAM通常用於影像加速器或是電動遊戲機裏。一般DRAM 100Mbps的傳輸速率,RDRAM則具有1000 Mbps。它並不能被用於取代現行的記憶體,不過卻可能取代DRAM和SDRAM,成為個人電腦中的主要記憶系統,因為電腦產品的資料匯流排(BUS)速率需求日愈提升,SDRAM約為100 MHz,而RDRAM卻高達600 MHz。英特爾(INTEL) 並與RAMBUS 合作發展運作時脈達1600 MHZ 的RDRAM。

Flash RAM 快閃唯讀記憶體

Flash RAM是大多數手持設備用來儲存作業系統的一種記憶體。快閃記憶體也用於行動電話、數位相機、LAN轉換器、PC卡、機上盒(Set-top-box)、內嵌式控制器等設備。

一種EEPROM,燒錄時一次寫入一整個區塊,速度比一次寫入一個位元組(BYTE) 的EEPROM 快。新式的電腦使用FLASH MEMORY 作為儲存BIOS 的元件,使BIOS 可由一般使用者作更新(UPDATE),而不必使用特殊的燒錄器(BURNER)。

CACHE Memory 快取記憶體

CACHE是一種加速記憶體或磁碟存取的裝置,可將慢速磁碟上的資料拷貝至快速的磁碟進行讀寫動作,以提昇系統回應的速度。

其運作原理在於使用較快速的儲存裝置保留一份從慢速儲存裝置中所讀取資料且進行拷貝,當有需要再從較慢的儲存體中讀寫資料時,CACHE能夠使得讀寫的動作先在快速的裝置上完成,如此會使系統的回應較為快速。

舉例來說,存取記憶體(RAM) 的速度較磁碟機快非常多,所以我們可以將一部份的主記憶體保留當成磁碟CACHE,每當有磁碟讀取的需求時就把剛讀取的資料拷貝一份放在CACHE記憶體中,如果系統繼續要求讀取或寫入同一份資料或同一磁區(sector) 時,系統可以直接從記憶體中的CACHE部分作讀寫的動作,這樣系統對磁碟的存取速度感覺上會快許多。

同樣的,靜態記憶體(SRAM) 比動態記憶體(DRAM) 的讀寫速度快,使用些靜態記憶體作為動態記憶體的CACHE,也可以提昇讀寫的效率。

記憶體不全部使用SRAM取代DRAM 的原因,是因為SRAM的成本較DRAM高出許多。

使用CACHE的問題是寫入CACHE中的資料如果不立即寫回真正的儲存體,一但電源中斷或其他意外會導致資料流失;但若因而每次都將資料寫寫回真正的儲存體,又將會使得CACHE只能發揮加速讀取的功能,而不能加速寫入的速度,這樣的狀況使得CACHE寫入的方式分為兩類:

1. Write-Through: 每次遇到寫入時就將資料寫入真正的儲存體。

2. Write-Back: 遇到寫入時不一定回寫,只紀錄在CACHE內,並將該份資料標示為已更改(dirty),等系統有空或等到一定的時間後再將資料寫回真正的儲存體,這種做法是承擔一點風險來換取效率。

由於很多時候系統不只有重複讀寫同一塊區域,使用兩組各自獨立的CACHE效能通常比只使用一組較佳,這稱為2-Ways Associate,同樣的,使用四組CACHE則稱為4ways Associate,但更多組的CACHE會使得演算法相對的複雜許多。

CACHE的效能依演算法的使用而有好壞之分,估量的單位通常使用命中率(hits),命中率較高者較佳。

新式的CPU上也有內建的CACHE,稱為LEVEL 1 (L1) 快取,由於與CPU 同時脈運作,能比在主機板上的LEVEL 2 (L2) CACHE提供更快速的存取效能。

Pipeline Burst Cache RAM

一種減少讀取記憶體(RAM) 等待時間的技術.BURST 模式下每次遇到讀取記憶體的需求時, 會將該記憶體區段之後的記憶體預先取出(FETCH), PIPELINING 將預先取出的資料送往CACHE.

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