各种电容的优缺点
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极性 名称 制作 优点 缺点
无 无感CBB电容 2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。 无感，高频特性好，体积较小 不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。
无 CBB电容 2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。 有感，其他同上。
无 瓷片电容 薄瓷片两面渡金属膜银而成。 体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）
易碎！容量低
无 云母电容 云母片上镀两层金属薄膜 容易生产，技术含量低。 体积大，容量小，（几乎没有用了）
无 独石电容 体积比CBB更小，其他同CBB，有感
有 电解电容 两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸泡在电解液（含酸性的合成溶液）中。 容量大。 高频特性不好。
有 钽电容 用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。 稳定性好，容量大，高频特性好。
造价高。（一般用于关键地方）
1）名称：聚酯（涤纶）电容（CL）
符号：
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
2）名称：聚苯乙烯电容（CB）
符号：
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大 文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.
2文档收集于互联网，如有不妥请联系删除. 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
3）名称：聚丙烯电容（CBB）
符号：
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
4）名称：云母电容（CY）
符号：
电容量：10p--0。1u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
5）名称：高频瓷介电容（CC）
符号：
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
6）名称：低频瓷介电容（CT）
符号：
电容量：10p--4。7u
额定电压：50V--100V 文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.
3文档收集于互联网，如有不妥请联系删除. 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
7）名称：玻璃釉电容（CI）
符号：
电容量：10p--0。1u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
8）名称：铝电解电容 （CD）
符号：
电容量：0。47--10000u
额定电压：6。3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
9）名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）
符号：
电容量：0。1--1000u
额定电压：6。3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
10）名称：空气介质可变电容器
符号：
可变电容量：100--1500p 文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.
4文档收集于互联网，如有不妥请联系删除. 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
11）名称：薄膜介质可变电容器
符号：
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
12）名称：薄膜介质微调电容器
符号：
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
13）名称：陶瓷介质微调电容器
符号：
可变电容量：0。3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
14）名称：独石电容
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压。
独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫
II型，容量大，但性能一般。独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.
5文档收集于互联网，如有不妥请联系删除. 做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.
就温漂而言:
独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.
就价格而言:
钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.
① 铝电解电容与钽电解电容
铝电解电容的容体比较大，串联电阻较大，感抗较大，对温度敏感。它适用于温度变化不大、工作频率不高（不高于25kHz）的场合，可用于低频滤波。铝电解电容具有极性，安装时必须保证正确的极性，否则有爆炸的危险。
与铝电解电容相比，钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优势。但是，它的工作电压较低。
② 纸介电容和聚酯薄膜电容
其容体比较小，串联电阻小，感抗值较大。它适用于电容量不大、工作频率不高（如1MHz以下）的场合，可用于低频滤波和旁路。使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时，可把其外壳与参考地相连，以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响。
③ 云母和陶瓷电容
其容体比很小，串联电阻小，电感值小，频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频率高（频率可达500MHz）的场合，用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱，因此不能将它随便跨接在低阻电源线上，除非是特殊设计的。
④ 聚苯乙烯电容器
其串联电阻小，电感值小，电容量相对时间、温度、电压很稳定。它适用于要求频率稳定性高的场合，可用于高频滤波、旁路、去耦。
独石电容器技术参数
容量温度特性是选用电介质种类的一个重要依据
CC4（1CG)：1类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而改变，属超稳定型、低损耗电容材料型，适用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频电路。
特性：-55~120℃ 0±30PPM/℃ 容量偏差 B:±0.1PF,C:±0.25PF, D:±0.5PF F:±1PF , J:±5% ,
K:±10% 文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.
6文档收集于互联网，如有不妥请联系删除. CT4（2B1，2C1）：2类电介质、电气性能较稳定，随温度、电压、时间的改变性能略有改变，属稳定型电容材料，适用于隔直、耦合、旁路、滤波电路及可靠性要求较高的中鉴频电路。
CT4D（2F2，2F4）：2类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产电容较大的电容器，属低频通用型电容材料，广泛用于对容量、损耗要求不高的电路。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。 这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。大家知道， 陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。其性能往往决定于其成份和结构。当配方确定之后， 能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）； ②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用， 其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大，介质损耗小，温度系数和范围广，一般在（+120～-5600）ppm/℃之间可调。高频热补偿电容瓷常用来制造的负温产品，其用途最广的地方就是振荡回路， 像彩电高频头。大家知道，振荡回路都是由电感和电容构成， 回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。因此，为了保持振荡回路中频率(F=1/2π√ LC )不随温度变化而发生漂移， 就必须先用具有适当的负温度系数的电容器来进行补偿。
低频高介电容器是指强介铁电陶瓷， 一般用作Ⅱ类瓷介电容器的介质。具有自发极化性质的非线性陶瓷材料，一般以钛酸钡（BaTiO3）为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，一般数千，甚至上万； 介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场有非线性关系。
二、瓷介代号
陶瓷介质的代号是按其陶瓷粉料的温度特性来命名的。 常用的几种陶瓷粉料的含义如下：
Y5V：温度特性Y代表 －25℃； 5代表＋85℃；
温度系数V代表 －80％ ～ ＋30％
Z5U：温度特性Z代表 ＋10℃； 5代表＋85℃；
温度系数U代表 －56％ ～ ＋22％
X7R：温度特性X代表 －55℃； 7代表＋125℃
温度系数R代表 ± 15％
