存储器章节
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存储器章节
一、填空题
1、对存储器的要求是容量大、速度快、成本低,为了解决这三方面的矛盾,计算机采用多级存储体系结构,即()、()、()。
2、一个存储器的容量假设为M*N位,若使用A*B的芯片,(A<M,B<N),需要在字和位同时扩展,此时共需要()个存储芯片。
2、双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构,其中前者采用()并行技术,后者采用()并行技术。
3、反映主存速度指标的三个术语是存取时间、()和()。
4、CPU访问主存是数据存取的单位是(),访问cache的单位(),cache和内存交换数据的单位是()。
二、选择题
1、下列器件中存取速度最快的是()。
A、高速缓存
B、主存
C、寄存器
D、辅存
2、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是()。
A 解决CPU和主存之间的速度匹配问题
B 扩大主存贮器容量
C 扩大CPU中通用寄存器的数量
D 既扩大主存贮器容量,又扩大CPU中通用寄存器的数量
3、存储单元是指()。
A 存放1个二进制信息位的存储元
B 存放1个机器字的所有存储元集合
C 存放1个字节的所有存储元集合
D 存放2个字节的所有存储元集合
4、存取周期是指()。
A、存储器的写入时间
B、存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间
C、存储器连续读或者写操作所允许的最短间隔时间
5、某SRAM芯片,其容量为1M×8位,除电源和接地端外,控制端有OE和R/W,该芯片的管脚引出线数目是()。
A、20
B、28 C 、30 D、32
6、某机字长32位,存储容量64MB,若按字编址,它的寻址范围是()。
A 8M
B 16MB
C 16M
D 8MB
7、 EEPROM是指()。
A 读写存储器
B 只读存储器
C 闪速存储器
D 电擦除可编程只读存储器
8、下列说法正确的是()
Ⅰ半导体RAM信息可读可写,且掉电后仍能保持记忆
Ⅱ动态RAM是易失性RAM,且静态RAM的存储信息是不易失的
Ⅲ半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不掉电,所存信息是不丢失的
Ⅳ半导体RAM是非易失性的RAM
A、Ⅰ和Ⅱ
B、只有Ⅲ
C、Ⅱ和Ⅳ
D、全错
9、半导体静态(SRAM)的存储原理是()
A、依靠双稳态电路
B、依靠定时刷新
C、依靠读后再生
D、信息不再变化
10、下列叙述错误的是()
A、随机存储器可随时存取信息,掉电后信息丢失
B、在访问随机存储器时,访问时间与物理位置无关
C、主存储器中存储的信息是不可改变的
D、随机存储器和只读存储器可以统一编址
11、在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时,为维持原信息不变,必须辅以的操作
()
A、刷新
B、再生
C、写保护
D、主存校验
12、某机器的主存储器共32KB,由16片16K*1(内部采用128*128存储阵列)的DRAM
芯片字和位同时扩展构成。
若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有的存储单元刷新一遍需要(A)存储周期。
A、128
B、256
C、1024
D、16384
(提示,存储器刷新按行进行,其刷新一行所用时间为1个存储周期,且每个芯片都是同时刷新的,128*128存储阵列由128行128列构成,所以答案为A)
113、双端口存储器能高速进行读/写,是因为采用了()
A、新型器件
B、流水技术
C、两套相互独立的读写电路
D、高速芯片
14、交叉存储器实质上是一种多模块存储器,它用()方式执行多个独立的读写操作。
A 流水
B 资源重复
C 顺序
D 资源共享
15、双端口存储器所以能进行高速读/写操作,是因为采用()。
A 高速芯片
B 新型器件
C 流水技术
D 两套相互独立的读写电路
16、如果一个存储单元被访问,则这个存储单元将会很快的再次被访问,这称为()
A、时间局部性
B、空间局部性
C、程序局部性
D、数据局部性
17、为了解决CPU与主存速度不匹配的问题,通常采用的方法是()
A、采用速成更快的主存
B、在CPU和主存之间插入少量的高速缓冲存储器
C、在CPU周期中插入等待周期
D、扩大主存的容量
18、下列关于cache 的论述中,错误的是()
A、cache是介于主存和辅存之间的存储器,用于主存和辅存之间的缓冲存储
B、如果cache不命中,则需要访问主存,从主存取字,并将字所在的数据块调入cache
C、cache的命中率很高,一般达到90%以上
D、cache的数据必须和主存的数据时刻保持一致
19、在CPU执行一段程序的过程中,cache的存取次数为4600次,由主存完成的存取
次数为400次。
若cache 的存取时间为5ns,主存的存取时间为25ns,则CPU的平均访问时间为( )ns。
A、5.4
B、6.6
C、8.8
D、9.2
20、关于cache的3种映射方式,下列叙述错误的是(B)
A、cache由全相连、直接和组相连3种基本的映射方式
B、全相连映射方式,即主存单元与cache单元随意对应,线路复杂,成本高
C、组相连映射方式是直接映射和全相连映射的折中方案,有利于提高命中率
D、直接映射方式是组相连映射和全相连映射的折中方案,有利于提高命中率
21、cache采用组相连映射,一块大小为128B,cache共有64块,4块分成一组,主存
由4096块,主存地址需要()位。
A、19
B、18
C、17
D、16
22、容量为64块的cache采用组相连映射方式,字块大小为128字,每4块一组。
如
果主存为4K块,且按字编址,那么主存地址和主存标记的位数为()
A、16,6
B、17,6
C、18,8
D、19,8
23、关于LRU算法,以下论述正确的是()
A、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最长且未被引用的块
B、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最短且未被引用的块
C、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最长且仍在引用的块
D、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最短且仍在引用的块
Cache的替换算法包括先进先出、随机、LRU算法
24、访问相连存储器时,()
A、根据内容不需要地址
B、不根据内容,需要地址
C、既要内容也要地址
D、不要内容也不要地址
25、相连存储器与传统存储器的主要区别是前者按()寻址的存储器。
A、地址
B、内容
C、堆栈
D、地址和内容
26、常用的虚拟存储系统由()两级存储器组成,其中辅存是大容量的磁表面存储器。
A cache-主存
B 主存-辅存
C cache-辅存
D 通用寄存器
27、下列关于虚拟存储器的论述中,正确的是()
A、对应用程序员透明,对系统程序员不透明
B、对应用程序员不透明,对系统程序员透明
C、对应用程序员、系统程序员都不透明
D、对应用程序员、系统程序员都透明
28、29、30硬盘
三、简答题
1、简述ROM的分类?
2、什么是刷新?DRAM为什么要刷新?刷新的几种方法?
3、一个组相联映射的Cache,有128块,每组4块,主存共有16384块,每块64个字,则主存地址共几位,其中主存字块标记应为几位,组地址应为几位,Cache地址共几位。
4、什么是高速缓冲存储器?它和主存的关系是?
四、计算题
1、设存储器容量为64M字,字长为64位,模块数m=8,分别用顺序和交叉方式进行组织。
存储周期T=100ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期 =50ns。
求:顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?
2、CPU执行一段程序时,cache完成存取的次数为2400次,主存完成的次数为100次,已知cache存储周期为40ns,主存存储周期为200ns,求cache的命中率,cache/主存系统的效率和平均访问时间。