存储器章节

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存储器章节
一、填空题
1、对存储器的要求是容量大、速度快、成本低,为了解决这三方面的矛盾,计算机采用多级存储体系结构,即()、()、()。

2、一个存储器的容量假设为M*N位,若使用A*B的芯片,(A<M,B<N),需要在字和位同时扩展,此时共需要()个存储芯片。

2、双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构,其中前者采用()并行技术,后者采用()并行技术。

3、反映主存速度指标的三个术语是存取时间、()和()。

4、CPU访问主存是数据存取的单位是(),访问cache的单位(),cache和内存交换数据的单位是()。

二、选择题
1、下列器件中存取速度最快的是()。

A、高速缓存
B、主存
C、寄存器
D、辅存
2、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是()。

A 解决CPU和主存之间的速度匹配问题
B 扩大主存贮器容量
C 扩大CPU中通用寄存器的数量
D 既扩大主存贮器容量,又扩大CPU中通用寄存器的数量
3、存储单元是指()。

A 存放1个二进制信息位的存储元
B 存放1个机器字的所有存储元集合
C 存放1个字节的所有存储元集合
D 存放2个字节的所有存储元集合
4、存取周期是指()。

A、存储器的写入时间
B、存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间
C、存储器连续读或者写操作所允许的最短间隔时间
5、某SRAM芯片,其容量为1M×8位,除电源和接地端外,控制端有OE和R/W,该芯片的管脚引出线数目是()。

A、20
B、28 C 、30 D、32
6、某机字长32位,存储容量64MB,若按字编址,它的寻址范围是()。

A 8M
B 16MB
C 16M
D 8MB
7、 EEPROM是指()。

A 读写存储器
B 只读存储器
C 闪速存储器
D 电擦除可编程只读存储器
8、下列说法正确的是()
Ⅰ半导体RAM信息可读可写,且掉电后仍能保持记忆
Ⅱ动态RAM是易失性RAM,且静态RAM的存储信息是不易失的
Ⅲ半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不掉电,所存信息是不丢失的
Ⅳ半导体RAM是非易失性的RAM
A、Ⅰ和Ⅱ
B、只有Ⅲ
C、Ⅱ和Ⅳ
D、全错
9、半导体静态(SRAM)的存储原理是()
A、依靠双稳态电路
B、依靠定时刷新
C、依靠读后再生
D、信息不再变化
10、下列叙述错误的是()
A、随机存储器可随时存取信息,掉电后信息丢失
B、在访问随机存储器时,访问时间与物理位置无关
C、主存储器中存储的信息是不可改变的
D、随机存储器和只读存储器可以统一编址
11、在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时,为维持原信息不变,必须辅以的操作
()
A、刷新
B、再生
C、写保护
D、主存校验
12、某机器的主存储器共32KB,由16片16K*1(内部采用128*128存储阵列)的DRAM
芯片字和位同时扩展构成。

若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有的存储单元刷新一遍需要(A)存储周期。

A、128
B、256
C、1024
D、16384
(提示,存储器刷新按行进行,其刷新一行所用时间为1个存储周期,且每个芯片都是同时刷新的,128*128存储阵列由128行128列构成,所以答案为A)
113、双端口存储器能高速进行读/写,是因为采用了()
A、新型器件
B、流水技术
C、两套相互独立的读写电路
D、高速芯片
14、交叉存储器实质上是一种多模块存储器,它用()方式执行多个独立的读写操作。

A 流水
B 资源重复
C 顺序
D 资源共享
15、双端口存储器所以能进行高速读/写操作,是因为采用()。

A 高速芯片
B 新型器件
C 流水技术
D 两套相互独立的读写电路
16、如果一个存储单元被访问,则这个存储单元将会很快的再次被访问,这称为()
A、时间局部性
B、空间局部性
C、程序局部性
D、数据局部性
17、为了解决CPU与主存速度不匹配的问题,通常采用的方法是()
A、采用速成更快的主存
B、在CPU和主存之间插入少量的高速缓冲存储器
C、在CPU周期中插入等待周期
D、扩大主存的容量
18、下列关于cache 的论述中,错误的是()
A、cache是介于主存和辅存之间的存储器,用于主存和辅存之间的缓冲存储
B、如果cache不命中,则需要访问主存,从主存取字,并将字所在的数据块调入cache
C、cache的命中率很高,一般达到90%以上
D、cache的数据必须和主存的数据时刻保持一致
19、在CPU执行一段程序的过程中,cache的存取次数为4600次,由主存完成的存取
次数为400次。

若cache 的存取时间为5ns,主存的存取时间为25ns,则CPU的平均访问时间为( )ns。

A、5.4
B、6.6
C、8.8
D、9.2
20、关于cache的3种映射方式,下列叙述错误的是(B)
A、cache由全相连、直接和组相连3种基本的映射方式
B、全相连映射方式,即主存单元与cache单元随意对应,线路复杂,成本高
C、组相连映射方式是直接映射和全相连映射的折中方案,有利于提高命中率
D、直接映射方式是组相连映射和全相连映射的折中方案,有利于提高命中率
21、cache采用组相连映射,一块大小为128B,cache共有64块,4块分成一组,主存
由4096块,主存地址需要()位。

A、19
B、18
C、17
D、16
22、容量为64块的cache采用组相连映射方式,字块大小为128字,每4块一组。


果主存为4K块,且按字编址,那么主存地址和主存标记的位数为()
A、16,6
B、17,6
C、18,8
D、19,8
23、关于LRU算法,以下论述正确的是()
A、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最长且未被引用的块
B、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最短且未被引用的块
C、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最长且仍在引用的块
D、LRU算法替换哪些在cache中驻留时间最短且仍在引用的块
Cache的替换算法包括先进先出、随机、LRU算法
24、访问相连存储器时,()
A、根据内容不需要地址
B、不根据内容,需要地址
C、既要内容也要地址
D、不要内容也不要地址
25、相连存储器与传统存储器的主要区别是前者按()寻址的存储器。

A、地址
B、内容
C、堆栈
D、地址和内容
26、常用的虚拟存储系统由()两级存储器组成,其中辅存是大容量的磁表面存储器。

A cache-主存
B 主存-辅存
C cache-辅存
D 通用寄存器
27、下列关于虚拟存储器的论述中,正确的是()
A、对应用程序员透明,对系统程序员不透明
B、对应用程序员不透明,对系统程序员透明
C、对应用程序员、系统程序员都不透明
D、对应用程序员、系统程序员都透明
28、29、30硬盘
三、简答题
1、简述ROM的分类?
2、什么是刷新?DRAM为什么要刷新?刷新的几种方法?
3、一个组相联映射的Cache,有128块,每组4块,主存共有16384块,每块64个字,则主存地址共几位,其中主存字块标记应为几位,组地址应为几位,Cache地址共几位。

4、什么是高速缓冲存储器?它和主存的关系是?
四、计算题
1、设存储器容量为64M字,字长为64位,模块数m=8,分别用顺序和交叉方式进行组织。

存储周期T=100ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期 =50ns。

求:顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?
2、CPU执行一段程序时,cache完成存取的次数为2400次,主存完成的次数为100次,已知cache存储周期为40ns,主存存储周期为200ns,求cache的命中率,cache/主存系统的效率和平均访问时间。