电力电子技术试卷

电力电子技术试卷（含答案）一．填空（共15分，1分/空）1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。

2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。

3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U2，忽略主电路各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。

4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。

5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。

6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。

7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。

二．单选（共10分，2分/题）1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2．晶闸管属于（）。

A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。

A．180OB.90OC.120O4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。

A.60B. 180C. 1205．把交流电变成直流电的是（）。

A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题）1．电力电子器件一般具有的特征有。

A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。

A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3．使晶闸管关断的方法有。

A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4．逆变失败的原因有。

A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5．变压器漏抗对整流电路的影响有。

电力电子技术考试试卷一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分。

每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填入题后的括号内。

）1. 电力电子器件中，能够实现快速开关动作的器件是（）。

A. 晶闸管B. 晶体管C. 场效应管D. 双向可控硅2. 在PWM控制方式中，占空比是指（）。

A. 脉冲宽度与周期的比值B. 脉冲宽度与基波周期的比值C. 脉冲宽度与基频周期的比值D. 脉冲宽度与调制周期的比值3. 电力电子变换器的输出电压和输入电压的比值称为（）。

A. 电压比B. 电流比C. 功率比D. 转换比4. 以下哪种控制方式不属于电力电子变换器的控制方式（）。

A. 脉冲宽度调制（PWM）B. 脉冲频率调制（PFM）C. 线性调制D. 相位调制5. 电力电子技术中，用于实现交流到直流转换的电路是（）。

A. 逆变器B. 整流器C. 变频器D. 斩波器6. 下列哪种器件不属于电力电子器件（）。

A. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）B. 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）C. 双极型晶体管（BJT）D. 光电二极管7. 在电力电子技术中，用于实现直流到交流转换的电路是（）。

A. 整流器B. 逆变器C. 变频器D. 斩波器8. 电力电子变换器的输入电流和输出电流的比值称为（）。

A. 电流比B. 功率比C. 转换比D. 电压比9. 电力电子技术中，用于实现直流电压升降的电路是（）。

A. 整流器B. 逆变器C. 斩波器D. 变频器10. 电力电子变换器的输入功率和输出功率的比值称为（）。

A. 功率比B. 电压比C. 电流比D. 转换比二、填空题（本大题共5小题，每小题2分，共10分。

请在横线上填写正确答案。

）1. 电力电子器件的开关动作速度通常比______器件快。

2. PWM控制方式中，占空比的变化可以影响输出电压的______。

3. 电力电子变换器的转换比是指输出电压与输入电压的______。

4. 电力电子技术中，用于实现交流到交流转换的电路是______。

《电力电子技术》期末考试试卷一、选择题（每小题1分，共20分）1．下列哪种情况下不能使导通的晶闸管关断：（ ）A.加反向阳极电压B. 加反向门极电压C ．减少正向阳极电压值，使其阳极电压小于维持电流2.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理（ ）。

A.30º-35º，B.10º-15º，C.0º-10º，D.0º。

3．选择晶闸管额定电压时考虑安全裕量（ ）A. 1~2倍B.2~3倍C.1.5~2倍D.1.5~3倍4．单相全控桥式整流电路，纯阻性负载，其输出电压平均值为（ ）A.2cos 145.02α+UB.αcos 45.02UC.2cos 19.02α+UD.αcos 9.02U5. 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。

A ． GTR B. MOSFET C. IGBT D. GTO6．三相全控桥式整流电路，VT1和VT4的脉冲应间隔（ ）A.60°B.120°C.180°D.240°7. α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

A.0度，B.60度，C.30度，D.120度，8．电压型逆变电路直流侧接有（），相当于（）源。

A．电流 B．电压 C．大电感 D．大电容9.下面哪种功能不属于变流的功能（）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波10．为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于( )。

A 5°B 15°C 20°D 30°11.门极可关断晶闸管属于（）A.单极型电压驱动型B.单极型电流驱动型C.双极型电压驱动型D.双极型电流驱动型12.下列能使导通的晶闸管关断的是（）A.加正向阳极电压B.加反向阳极电压C.加正向门极电压D.加反向门极电压13. 变压器漏抗对整流电路的影响体现在：换相不能瞬时完成，其所对应的时间用电角度表示，叫（）。

电⼒电⼦技术试题20套及答案考试试卷( 1 )卷⼀、填空题（本题共8⼩题，每空1分，共20分）1、电⼦技术包括______________和电⼒电⼦技术两⼤分⽀，通常所说的模拟电⼦技术和数字电⼦技术就属于前者。

2、为减少⾃⾝损耗，提⾼效率，电⼒电⼦器件⼀般都⼯作在_________状态。

当器件的⼯作频率较⾼时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之⽐称为_____________，当它为常数时的调制⽅式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若⼲频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之⽐为桓定的调制⽅式称为___分段同步_________调制。

4、⾯积等效原理指的是，___冲量______相等⽽__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最⼤的是__GTO_，应⽤最为⼴泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最⼤反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最⼤正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路⼯作过程中各时间段电流流经的通路(⽤V1,VD1,V2,VD2表⽰)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；⼆、选择题（本题共10⼩题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制⼯作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下⾯说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发⾓⼤于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓⼩于180度B、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常⼯作C、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓正常⼯作并达到稳态时，晶闸管的导通⾓为180度D、晶闸管的触发⾓等于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所⽰，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。