SOI光波导器件研究进展及应用
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摘要通过光纤把外部光源引入soI集成光路时,为减少偶然因素对耦合效率的影响.需解决光纤定位问题,以及为提高多通道波导型器件、半导体激光器阵列、光开关阵列等与圯纤的耦合效率问题,作者利用单晶硅材料,设计并制作出具有高精度光纤定位功能的硅V型槽及其阵列。
本文围绕硅V型槽的设计和制作.从理论上详细分析了单模光纤与脊形波导的模式特点,得出最佳的耦合条件,在此基础上设计出最合适的硅V型槽结构。
在实践上.对制作工艺积极探索,提出新的制备硅掩蔽膜的工艺方案,对影响光刻质量的因素深入分析,试验摸索出适用于V型槽的各向异性湿法腐蚀的腐蚀液配方,独立优化设计了制作硅V型槽的相关3-艺,制作出高质量的硅V型槽。
并展示了它广阔的应用前景和科研产。
%的开发价值。
关键词:光纤定位,V型槽,掩蔽膜,各向是。
缈蚀ABSTRACTInthispaper,anemphasisisputollihedesignandfabricationof~一groovearrays.Thematerialweuseismonocrystallim·silicon.SiliconV—groovestlucturecanprovidefiberwithhighprecisionorientation.SotheproblemsabouthowtomakelightintoS01efficientlyandcouplingbetweenmultichannelwaveguidedevicesandfiberscanbesolved.Thecoupledmodetheoryofsingle—modefiberandridgewaveguidehasbeendescribedandanalyzed,andthebestcouplingconditioniSobtained.Basedonthecondition,theauthormakesareasonableprogram.Inordertomakeintegrationoftheorywithpractice,alotofexperimentshavebeendone.Mask—makingtechnology,photoetchinfiandwet—etchingprocesseshavebeenoptimized.TheauthoralsopresentstheapplicationandcommercialvalueofsiliconV—groovearrays.Keywords:Fiberorientation,Vgroove,Mask,Anisotropicetching.第一章绪论§1.1引言在人类进入信息社会的重要历史时期,发展信息产业已成为各发达国家着眼于21世纪综合国力竞争的焦点,信息产业将是下世纪衡量和表现一个民族创造与发展能力、生存能力的重要领域。
光波导的一些基本概念平面光波导,英文缩写plc是英文planarlightwavecircuit的缩写,翻译成中文为:平面光波导(技术)。
所谓平面光波导,也就是说光波导位于一个平面内。
正如大家所熟悉的单层电路板,所有电路都位于基板的一个平面内一样。
因此,plc是一种技术,它不是泛指某类产品,更不是分路器!我们最常见的plc分路器是用二氧化硅(sio2)做的,其实plc技术所涉及的材料非常广泛,如玻璃/二氧化硅(quartz/silica/sio2)、铌酸锂(linbo3)、iii-v族半导体化合物(如inp,gaas等)、绝缘体上的硅(silicon-on-insulator,soi/simox)、氮氧化硅(sion)、高分子聚合物(polymer)等。
基于平面光波导技术解决方案的器件包括分路器、星形耦合器、可变光衰减器(VOA)、光开关、交织器和阵列波导光栅(AWG)。
根据不同应用(如响应时间、环境温度等)的要求,这些设备可以由不同的材料系统和加工技术制成。
值得一提的是,这些器件都是光无源器件和独立器件。
它们可以相互组合或与其他有源设备组合,形成具有不同功能的高端设备,如vmux=VOA+AWG、WSS=switch+AWG等(图2)。
这种结合是PLC技术——光子集成电路(PIC)未来的发展方向随着ftth的蓬勃发展,plc(planarlightwavecircuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一,而plc的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和awg,其材料、工艺和应用多种多样,本文略作介绍。
1.平面光波导材料plc光器件一般在六种材料上制作,它们是:铌酸锂(linbo3)、ⅲ-ⅴ族半导体化合物、二氧化硅(sio2)、soi(silicon-on-insulator,绝缘体上硅)、聚合物(polymer)和玻璃,各种材料上制作的波导结构如图1所示,其波导特性如表1所示。
1.平面光波导材料
PLC光器件一般在六种材料上制作,它们是:铌酸锂(LiNbO3)、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅(SiO2)、SOI(Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅)、聚合物(Polymer)和玻璃,各种材料上制作的波导结构如图1所示,其波导特性如表1所示。
图1. PLC光波导常用材料
表1. PLC光波导常用材料特性
铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导,波导结构为扩散型。
InP波导以InP为称底和下包层,以InGaAsP为芯层,以InP或者InP/空气为上包层,波导结构为掩埋脊形或者脊形。
二氧化硅波导以硅片为称底,以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层,波导结构为掩埋矩形。
SOI波导是在SOI基片上制作,称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气,波导结构为脊形。
聚合物波导以硅片为称底,以不同掺杂浓度的Polymer 材料为芯层,波导结构为掩埋矩形。
玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导,波导结构为扩散型。
光学微环谐振腔的研究与应用摘要:随着光纤通信技术的发展,光通信网络需要不断地提高工作性能和降低运营成本,其核心技术在于光波导器件的微型化、集成化和规模化,与此同时未来全光网络迫切需要能够实现多种功能的新型光波导器件。
微环谐振器(简称微环)满足了上述两个要求,其微纳米量级的尺寸非常适于大规模单片紧密集成。
本文首先说明了光的全反射理论和波导的基本结构。
然后介绍了光学微环谐振腔器件原理和他们的光学传输特性。
基于绝缘体上硅波导(Silicon-On-Insulator SOI)的微纳米环形谐振腔,由于其尺度为微纳米范围,具有超高的集成度并且其加工技术可以和互补型金属氧化物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor COMS)工艺相兼容,使其正在成为光器件加工的诱人方案。
我们在这里提出一种耦合的集成光波导结构,这样的结构可以使集成化的光波导陀螺的灵敏度得到加强。
关键词: 微谐振腔, 光波导,SOI,陀螺RESEARCH&APPLICATIONS OF OPTICAL MICRORINGRESONATORSAbstractWith the development of fiber-optic communication technologies, high-performance and low-cost are both desirable for optical communication networks.The core technology includes small-size optical waveguide devices with the potentials for integrations.In addition, optical waveguide devices with various functions for all optical signal processing are becoming more important for the realization of future all-optical networks.The microring resonator is a suitable candidate to meet these two requirements.Moreover, its small size is very suitable for integration with large dimension.In this thesis, we first introduce the light of total reflection theory and the basic structure of waveguide. Then we introduce the principle of mcroring resonator,analysis their transmission property. Micro-ring resonators based on silicon- on-insulator (SOI) structure are promising building-blocks for ultra-compact and highly integrated photonic circuits. The fabrication technology is mostly CMOS-compatible.We propose a configuration of integrated waveguide structure consisting of resonators coupled to an arc-shape waveguide. Such proposed configuration can be used to realize highly compact optical gyroscope for rotation sensing.Key words: microresonators ,waveguide ,SOI ,Gyroscope1. 引言光通信,顾名思义,即用光作为信息的载体来传递信号,在通信不发达的古代,人们就已经懂得利用光来传递信息。
第50卷第4期2021年4月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.50㊀No.4April,2021铌酸锂单晶薄膜材料李青云1,朱厚彬1,张洪湖1,张秀全2,胡㊀卉1(1.山东大学物理学院,济南㊀250100;2.山东大学,激光与红外系统集成技术教育部重点实验室,青岛㊀266000)摘要:铌酸锂晶体集电光㊁声光和非线性光学等物理特性于一身,且透光范围宽,作为一种重要的光学材料被广泛应用于通信㊁传感等领域㊂通过离子注入与直接键合的方式制备出的铌酸锂单晶薄膜材料,保留了铌酸锂体材料的优秀物理特性,并且具有高折射率对比度的优点,使光子器件在集成度和性能上都得到了很大程度的提升㊂本文介绍了铌酸锂薄膜的制备及应用,展示了直径6英寸(1英寸=2.54cm)的铌酸锂单晶薄膜㊂将硅单晶薄膜覆盖在铌酸锂单晶薄膜上面,形成一种新型的复合薄膜材料,结合了铌酸锂出色的光学性能和硅出色的电学性能,本文报道了直径3英寸的复合薄膜材料,X 射线证明硅薄膜是单晶结构,这种复合薄膜在未来的集成光电芯片中具有应用潜力㊂关键词:铌酸锂;薄膜;离子注入;直接键合;化学机械抛光中图分类号:O734㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2021)04-0716-08Single-Crystal Lithium Niobate Thin FilmsLI Qingyun 1,ZHU Houbin 1,ZHANG Honghu 1,ZHANG Xiuquan 2,HU Hui 1(1.School of Physics,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Key Laboratory of Laser &Infrared System,Ministry of Education,Shandong University,Qingdao 266000,China)Abstract :Lithium niobate crystals have excellent electro-optic,acousto-optic and nonlinear optical properties,and have broad transmission window.As an important optical material,it is widely used in the fields of communication and sensing.Single-crystal lithium niobate thin film (lithium niobate on insulator,LNOI)prepared by ion implantation and direct bonding retains the excellent physical properties of lithium niobate bulk material,and it has large refractive index contrast.Photonic devices based on this material have been greatly improved in terms of integration and device performance.The preparation process and applications of LNOI is introduced in this paper,and a 6-inch LNOI is demonstrated.A hybrid thin film can be formed by covering a single-crystal silicon thin film on the top of a LNOI.This hybrid thin film combines the excellent optical properties of LN and excellent electronic properties of silicon.3-inch hybrid thin film is reported in this paper.X-ray diffraction showsthat the silicon thin film is single-crystal.This hybrid material will have potential applications in the future integrated optoelectronic chips.Key words :lithium niobate;thin film;ion implantation;direct bonding;chemical mechanical polishing ㊀㊀收稿日期:2021-03-09㊀㊀基金项目:国家重点研发计划(2018YFB2201700,2019YFA0705000)㊀㊀作者简介:李青云(1994 ),男,山西省人,博士研究生㊂E-mail:liqingyun@ ㊀㊀通信作者:胡㊀卉,博士,教授㊂E-mail:hhu@ 0㊀引㊀㊀言铌酸锂是一种性能优良的人工晶体,具有优秀的电光㊁声光和非线性光学等物理性能,被广泛应用于集成光学及声学器件中㊂光波导是集成光学的基础器件,铌酸锂作为光波导的传输介质已经在光电器件领域被广泛应用㊂早在20世纪70年代,Schmidt 和Kaminow 利用将三种不同的过渡金属(钛㊁钒㊁镍)离子扩散到铌酸锂晶体,制备了低损耗的光波导[1],并将光场限制在晶体表面约10μm 的范围内㊂但扩散的方法通常需要在高温下进行,因而限制了该方法的适用范围㊂质子交换是另外一种广泛应用的波导制作方法,可以获得与钛扩散波导类似的结构和性能[2-3]㊂此外,通过改变铌酸锂晶体与周围环境的折射对比,比如离子注㊀第4期李青云等:铌酸锂单晶薄膜材料717㊀入等也可以形成光波导结构[4]㊂虽然采用这些铌酸锂波导制备的光学器件已经得到了重要应用,但由于此类波导普遍具有较低的折射率对比度,导致其波导弯曲时半径较大,极大地限制了铌酸锂波导器件的小型化和在集成光电器件中的应用㊂为了减小器件尺寸和提高集成度,在低折射率的绝缘介质材料上制备高折射率对比度的铌酸锂薄膜材料是理想和可行的方法㊂目前制备铌酸锂薄膜的方法主要有脉冲激光沉积㊁溶胶凝胶法㊁射频磁控溅射和化学气相沉积法㊂采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上沉积的铌酸锂薄膜,通过相位匹配可以实现二次谐波的产生[5];采用溶胶凝胶法,在具有50nm厚氧化镁缓冲层的硅衬底上可以生长出具有c轴取向的铌酸锂薄膜[6];在相对较低的衬底温度(490ħ)下,射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长的铌酸锂薄膜不但具有单一取向也表现出了低损耗的特性(约1dB/cm)[7];而采用化学气相沉积在钽酸锂衬底上外延生长的铌酸锂薄膜,甚至可以控制材料组分中的铌锂比[8]㊂虽然上述的薄膜生长方法均可以用来制备铌酸锂薄膜,但这些方法获得的铌酸锂薄膜都呈现出了多晶结构的性质㊂而光在多晶结构的薄膜中传输时,晶粒间界对传输光的散射会导致光传输损耗的明显增高㊂不仅如此,与单晶的体材料相比多晶薄膜的物理性质和指标存在明显的差距,这些由多晶结构造成的问题无疑会对制成的器件性能产生负面的影响㊂因此,能够得到物理性能接近体材料的单晶薄膜并实现与其他衬底材料之间的灵活组合就成为新铌酸锂薄膜制备技术的要求和目标㊂1㊀铌酸锂单晶薄膜制备技术发展Smart Cut 技术最初被用于制备单晶硅薄膜[9],后被广泛应用于制备各种薄膜材料㊂与沉积或外延生长法不同,该方法通过离子注入㊁直接键合和热退火等一系列工艺,用物理手段将薄膜从体材料上剥离下来,并转移到支撑基底上㊂1998年,Levy等[10]利用这种离子注入剥离技术获得了单晶铌酸锂薄膜,并研究了其物理性能㊂2004年,Rabiei等[11]制备了厚度为680nm的铌酸锂薄膜,研究了薄膜的晶体和光学性质,与铌酸锂体材料表现几乎一致㊂2007年,Djukic等[12]成功制备了周期极化铌酸锂薄膜,与体材料相比,它具有更小的电光调谐电压㊂在此基础上,将单晶铌酸锂薄膜与其他衬底材料组成异质结构也是另一重要研究内容㊂Guarino等[13]利用苯并环丁烯(BCB)作为中间隔离层,制备基于亚微米厚度铌酸锂薄膜的光学微环谐振器,实现了电光调谐㊂虽然利用BCB作为黏合剂,放宽了对表面平整度㊁粗糙度和清洁度的要求,可以制备较大面积的铌酸锂薄膜,但制备过程对较低温度的要求使得利用退火来修复离子注入引起的晶格损伤的努力难以实现㊂而改用二氧化硅作为键合层,则可以避免这一难题㊂采用较高的退火温度来修复离子注入带来的晶格损伤,使得薄膜的非线性光学和电光性能在最大程度上得到了恢复[14-15]㊂图1㊀铌酸锂薄膜的制备过程Fig.1㊀Fabrication process of LNOI以绝缘体作为衬底的铌酸锂单晶薄膜被称为绝缘体上的铌酸锂(lithium niobate on insulator,LNOI)[16]㊂高质量的铌酸锂单晶薄膜[17]可以通过离子注入和直接键合相结合的方法制备㊂其过程如图1所示㊂步骤如下:718㊀综合评述人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷(1)向铌酸锂晶体内注入He离子,其注入能量决定了注入深度㊂(2)用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)方法在另一块铌酸锂晶体表面沉积一层二氧化硅薄膜,其间通过控制PECVD的参数来调整二氧化硅与铌酸锂晶体之间的应力㊂然后经过化学机械抛光将薄膜减薄到目标厚度(例如2μm)㊂图2(a)为原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)测量的经抛光后的二氧化硅表面,其粗糙度小于1nm㊂(3)将两块体材料在室温下直接键合,然后对键合体进行退火㊂退火的过程中He离子聚集成氦气,在注入层中形成气泡㊂不断增多的气泡聚合并互相联系在一起,导致注入层发生剥离,在二氧化硅上留下了剥离后的铌酸锂薄膜㊂进一步退火用来修复离子注入引起的铌酸锂薄膜晶格损伤㊂(4)经过化学机械抛光去除铌酸锂薄膜表面损伤层,减小铌酸锂薄膜表面的粗糙度㊂抛光后的铌酸锂薄膜表面如图2(b)所示,粗糙度小于0.5nm㊂从制备的过程看,薄膜是从体材料上直接剥离下来的,所以晶格结构和物理性能与体材料相似[18]㊂图3(a)为LNOI退火后的高分辨透射电镜图(high resolution transmission electronic micrograph,HRTEM),显示了清晰的薄膜界面㊂图3(b)为X切铌酸锂薄膜(110)晶面的高分辨X射线衍射图像(high resolution X-ray diffraction,HRXRD),薄膜峰的半高宽非常小,只有0.0392ʎ,表明LNOI具有较好的晶格排列㊂利用离子注入与直接键合结合的方式制备出了4英寸(1英寸=2.54cm)的铌酸锂薄膜,中间隔离层为以热氧化方式制备的二氧化硅,衬底为单晶硅㊂铌酸锂单晶薄膜厚度控制精度优于20nm,薄膜厚度不均匀性小于5%㊂图2㊀AFM观察到抛光后的二氧化硅表面(a)和铌酸锂表面(b)Fig.2㊀Polished SiO2surface(a)and lithium niobate surface(b)observed by AFM图3㊀HRTEM观察的LNOI键合界面的截面图(a)和LNOI(110)晶面的HRXRD图谱(b) Fig.3㊀Cross section of LNOI observed by HRTEM(a)and HRXRD pattern of(110)plane of LNOI(b)2㊀铌酸锂单晶薄膜材料的研究进展器件的发展对铌酸锂薄膜提出了更高的要求㊂首先,随着器件结构越来越精细,对光刻精度的要求也越来越高㊂一般来说,大尺寸的光刻机具有较高的精度,这就要求铌酸锂薄膜材料也要大尺寸,例如6英寸(相对于4英寸而言)㊂并且利用大尺寸基底,可以降低器件制备的平均成本㊂因而制备大尺寸的薄膜材料㊀第4期李青云等:铌酸锂单晶薄膜材料719㊀不仅是新技术的要求也是商业化生产和应用的需要㊂图4是本课题组研制的直径6英寸的X 切铌酸锂单晶薄膜,厚度600nm 左右,二氧化硅隔离层的厚度是2μm,衬底是硅片,X 射线衍射图谱与图3(b)类似㊂然而制备铌酸锂薄膜器件不仅取决于铌酸锂材料本身的性质也对与其匹配的其他材料有特殊的要求,因为铌酸锂材料本身化学惰性较强,不易刻蚀,进行微加工比较困难,因此对其进行微纳结构制备比较困难㊂此外,铌酸锂是一种绝缘体,电学特性不突出,电泵浦光源和探测器等功能比较难以实现,这些都影响了铌酸锂在集成光学中的应用㊂图4㊀6英寸的铌酸锂单晶薄膜Fig.4㊀6inch LNOI硅是应用最为广泛的半导体材料,具有重要的电子学和微加工优势㊂硅的电导率对杂质和外界热㊁力㊁磁等作用非常敏感,通过掺杂就可形成P /N 结,广泛应用于集成电路㊁晶体管和电力电子器件等㊂基于单晶硅薄膜(silicon on insulator,SOI)材料平台的集成光学器件的工艺已非常成熟㊂其中具备波导功能的SOI 结构由于具有高折射率差,对光有强烈的限制能力,其弯曲波导曲率可以非常小(微米量级),目前在SOI 上已经成功制备了微环谐振器㊁分支器和光栅等多种集成光学器件[19-21]㊂虽然SOI 材料能够满足集成光学对加工技术成熟㊁损耗低和集成度高的要求,但硅作为中心对称的晶体,很难具有二阶非线性光学㊁电光和铁电等物理特性,并且它在可见光波段不透明,这使得SOI 在集成光学上的应用受到了限制㊂如果能将SOI 和LNOI 结合在一起,如图5所示,就有望实现一种新型的㊁多功能的集成光学平台材料,可称之为Si-LNOI㊂在这种材料中,电光和非线性光学等效应可以有选择地作用在不同的媒介中,其综合性能被高效地结合在一起,使器件最终呈现出单一材料无法实现的功能,比如光可以在铌酸锂单晶薄膜中传输并处理㊂当需要进行光路弯曲㊁反射㊁线性滤波和耦合等操作时,则将光引导在硅单晶薄膜中传输㊂这样将LNOI 和SOI 各自的特点结合在一起的组合,能实现多功能㊁高效率和光电集成的新型光电集成器件,无疑具有重要的应用前景㊂图5㊀SOI 与LNOI 结合成Si-LNOI 复合单晶薄膜材料Fig.5㊀SOI and LNOI are combined to form Si-LNOI这种复合硅和铌酸锂的思路引起了国内外研究人员的兴趣㊂例如:2011年,科研人员将1μm 厚的单晶铌酸锂薄膜键合到硅基调制器上,获得了品质因子为1.68ˑ104的微环谐振腔[22];2015年,铌酸锂薄膜被键合到硅微环谐振腔上,实现了超小型的电光调制器[23];2016年,科研人员将铌酸锂薄膜键合到SOI 光路上,实现了光在两种材料中的切换[24]㊂2017年,本课题组将非晶硅薄膜沉积到铌酸锂单晶薄膜上制备了硅加载条型光波导[25]㊂对于Si-LNOI 材料,有两个关键要求,首先要求薄膜是单晶结构,这样薄膜的损耗(光散射㊁光吸收㊁介电损耗等)比较小,有利于高性能器件的制备㊂其次,希望从材料的上表面开始,各层薄膜的折射率从大到小依次排列,这样由上到下的每层薄膜都可以单独成为波导㊂例如,将硅薄膜键合在铌酸锂薄膜上,使得硅薄膜可以形成光波导,如果把硅薄膜剥离后,露出铌酸锂薄膜依然可以是光波导,这样将非常有利于器件的设计和制备㊂本课题组利用离子注入与直接键合的方法,将硅薄膜键合在LNOI 上,制备出硅与铌酸锂的复合薄膜(Si-LNOI),材料直径是3英寸,铌酸锂单晶薄膜为X 切向,厚度800nm 左右,硅单晶薄膜为<100>切向,厚度570nm 左右,图6(a)为HRTEM 观察到的复合薄膜横截面,可以清晰地看到各层薄膜及界面㊂图6(b)是硅薄膜的HRXRD 结果,半高宽只有0.045ʎ,没有多余的衍射峰出现,表明硅薄膜是单晶结构㊂720㊀综合评述人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷图6㊀HRTEM观察的复合薄膜的截面图(a)和硅薄膜(400)晶面的HRXRD图谱(b) Fig.6㊀Cross section of Si-LNOI observed by HRTEM(a)and HRXRD pattern of(400)plane of Si thin film(b)3㊀铌酸锂单晶薄膜材料应用的进展随着铌酸锂单晶薄膜的产业化和微加工技术的突破,使得制备一系列高性能的集成光学元件成为可能㊂波导是集成光学器件中的基础器件之一,在LNOI上制备波导的方法有多种㊂质子交换是一种传统的波导制备方法,利用苯甲酸作为质子源可以制备LNOI低损耗波导[26-27]㊂加载条型波导也是波导的一个重要类型,通常选择容易沉积和刻蚀的材料作为加载条材料,如:TiO2[28-29]㊁SiO2[30]㊁Si3N4[31-33]㊁Ta2O5[34]㊁硫属化合物玻璃[35]和Si[23-25,36]等㊂利用等离子刻蚀的方法制备的LNOI波导,传输损耗低至0.027dB/cm[37]㊂利用化学机械抛光方法制备的LNOI光波导[38],表面粗糙度仅为0.45nm㊁传播损耗可以低至0.027dB/cm㊂LNOI波导由于很强的光学限制特性,减小了器件体积并增强了非线性光学相互作用,然而与单模光纤模式不匹配导致耦合损耗较高,影响了LNOI的应用㊂因此,实现LNOI上光的高效耦合非常重要㊂光栅耦合和端面耦合是实现光纤与LNOI波导器件耦合最常用的方式㊂在LNOI上制备的具有金属反射层的啁啾光栅耦合器,TE模和TM模耦合效率分别高达72.0%和61.6%[39]㊂光栅耦合器有利于实现晶圆上的器件评测,但是对偏振比较敏感㊂利用端面耦合可以实现光纤与芯片的直接耦合,通常通过展宽波导模式尺寸并且缩小光纤中光斑模式尺寸来提高耦合效率[40]㊂铌酸锂具有优良的电光性能(λ=1550nm时,r33=28.6pm/V[41]),基于铌酸锂的电光效应,可以制备各种电光器件,其中电光调制器是应用最广泛的一种,可以实现超高速调制㊂集成电光调制器主要有波导相位调制器㊁M-Z调制器和微环/微盘调制器[42-48]㊂由于LNOI波导模式小㊁电极间距窄,使调制电压大大降低㊂光学微腔是集成光子学的另一种基本元件,它们可以实现滤波,并能增强非线性㊁电光和声光相互作用,可以应用于光学传感㊁光通信㊁非线性光学和量子光学等领域[49-51],其中,微环和微盘谐振腔最为常见㊂在LNOI上制备的微环/微盘谐振腔其品质因子可达105~107[52-54]㊂铌酸锂具有较高的二阶非线性光学系数,是实现光学非线性的理想材料[55-57]㊂利用准相位匹配理论,在LNOI上实现光学超晶格,可以大大提高非线性转换的效率㊂利用静电场可以反转LNOI中铁电畴的取向[58-59]㊂在周期极化的单晶铌酸锂微环上实现了二次谐波产生,产生效率高达250000%/W[60]㊂铌酸锂具有声光效应,声波作用于铌酸锂晶体时会导致晶体的折射率发生相应变化㊂基于LNOI制备的声光M-Z调制器[61],铌酸锂层为悬浮结构,利用铌酸锂的声光效应进行微波-光信号转换,提高了微波-光信号的转换效率,器件的半波电压仅为4.6V㊂将绝缘层衬底换为具有高声速的蓝宝石衬底,声光调制器无需悬浮结构,同时减小了声波能量的泄露,使得功能层支持具有大机电耦合系数的横向剪切模式[62]㊂基于LNOI的集成声光移频器的移频效率优于基于氮化铝薄膜的声光移频器[63]㊂4㊀结语与展望铌酸锂单晶薄膜作为一个集成光学的材料平台,可以制备许多新颖和高性能的光子器件,并推动器件的㊀第4期李青云等:铌酸锂单晶薄膜材料721㊀研发向高性能和更高集成度的方向发展㊂LNOI正在向大尺寸㊁高均匀性和复合薄膜的方向推进,其中, LNOI与硅材料复合是一个重要的研究方向,期待这些多功能的新型集成光学平台材料在将来能有更多的应用㊂参考文献[1]㊀SCHMIDT R V,KAMINOW I P.Metal-diffused optical waveguides in LiNbO3[J].Applied Physics Letters,1974,25(8):458-460.[2]㊀BORTZ M L,FEJER M M.Annealed proton-exchanged LiNbO3waveguides[J].Optics Letters,1991,16(23):1844-1846.[3]㊀JACKEL J L,RICE C E,VESELKA J J.Proton exchange for high-index waveguides in LiNbO3[J].Applied Physics Letters,1982,41(7):607-608.[4]㊀CHEN F.Photonic guiding structures in lithium niobate crystals produced by energetic ion beams[J].Journal of Applied Physics,2009,106(8):081101.[5]㊀NAKATA Y,GUNJI S,OKADA T,et al.Fabrication of LiNbO3thin films by pulsed laser deposition and investigation of nonlinear properties[J].Applied Physics A,2004,79(4/5/6):1279-1282.[6]㊀YOON J G,KIM K.Growth of highly textured LiNbO3thin film on Si with MgO buffer layer through the sol-gel process[J].Applied PhysicsLetters,1996,68(18):2523-2525.[7]㊀LANSIAUX X,DOGHECHE E,REMIENS D,et al.LiNbO3thick films grown on sapphire by using a 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光学微环谐振腔的研究与应用摘要:随着光纤通信技术的发展,光通信网络需要不断地提高工作性能和降低运营成本,其核心技术在于光波导器件的微型化、集成化和规模化,与此同时未来全光网络迫切需要能够实现多种功能的新型光波导器件。
微环谐振器(简称微环)满足了上述两个要求,其微纳米量级的尺寸非常适于大规模单片紧密集成。
本文首先说明了光的全反射理论和波导的基本结构。
然后介绍了光学微环谐振腔器件原理和他们的光学传输特性。
基于绝缘体上硅波导(Silicon-On-Insulator SOI)的微纳米环形谐振腔,由于其尺度为微纳米范围,具有超高的集成度并且其加工技术可以和互补型金属氧化物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor COMS)工艺相兼容,使其正在成为光器件加工的诱人方案。
我们在这里提出一种耦合的集成光波导结构,这样的结构可以使集成化的光波导陀螺的灵敏度得到加强。
关键词: 微谐振腔, 光波导,SOI,陀螺RESEARCH&APPLICATIONS OF OPTICAL MICRORINGRESONATORSAbstractWith the development of fiber-optic communication technologies, high-performance and low-cost are both desirable for optical communication networks.The core technology includes small-size optical waveguide devices with the potentials for integrations.In addition, optical waveguide devices with various functions for all optical signal processing are becoming more important for the realization of future all-optical networks.The microring resonator is a suitable candidate to meet these two requirements.Moreover, its small size is very suitable for integration with large dimension.In this thesis, we first introduce the light of total internal reflection (TIR) theory and the basic structure of waveguide. Then we introduce the principle of mcroringresonator, analysis their transmission property. Micro-ring resonators based on silicon- on-insulator (SOI) structure are promising building-blocks for ultra-compact and highly integrated photonic circuits. The fabrication technology is mostly CMOS-compatible.We propose a configuration of integrated waveguide structure consisting of resonators coupled to an arc-shape waveguide. Such proposed configuration can be used to realize highly compact optical gyroscope for rotation sensing.Key words: microresonators ,waveguide ,SOI ,Gyroscope1. 引言光通信,顾名思义,即用光作为信息的载体来传递信号,在通信不发达的古代,人们就已经懂得利用光来传递信息。
SOI光波导器件前沿研究 光电信息学院 赵正松 2011059050025 摘要:SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI 基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC 单片集成等优点,近年来随着SOI 晶片制备技术的成熟,SOI 基波导光波导器件的研究日益受到人们的重视. 介绍了弯曲波导、光耦合器、可调谐光衰减器、光调制器和光开关等常见的SOI 基光波导器件的一些研究进展。 引言:光纤通讯网络中, 波分复用(WDM)是提高传输速率和扩大通讯容量的理想途径: 通过在单根光纤中多个波长的复用,可以充分利用光纤巨大的带宽资源,实现不同数据格式信息的大容量并行传输,同时又可降低对器件的超高速要求。在WDM 网络中,网际间交叉互联(OXC),光信号上下载路(OADM),以及波长变换等关键技术的实现使得WDM 网络具有高度的组网灵活性、经济性和可靠性。 在 WDM 光网络中, 网际OXC 和节点OADM 功能是最核心的技术, 光滤波器、光耦合器、光开关、可变光衰减器、波长变换器、复用与解复用器等是最关键的器件[1]. 在基于各种材料的光波导器件中, 硅基光波导器件格外引人注目。硅基光波导材料有SOI (绝缘体上的硅)、SiO2/Si 和SiGe/Si 等多种. 硅基光波导的优势在于: 硅片尺寸大、质量高、价格低; 硅基光波导材料具有较大的折射率差, 便于缩小器件尺寸和实现平面光波回路(PLC)单片集成; 电学性能好,易于控制, 具备光电混合集成的潜力; 机械性能好, 加工方便, 可以光刻腐蚀成各种三维光波导结构; 硅的热导性和热稳定性好, 可以直接用作集成芯片的热沉,器件封装结构简单. 最重要的是硅的加工工艺与传统微电子工艺兼容, 适合低成本制作硅基光电子集成(OEIC)芯片。 本文主要研究的SOI硅基光波导材料全名为Silicon On Insulator,是指硅晶体管结构在绝缘体之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升时脉,并减少电流漏电成为省电的IC。原本应通过交换器的电子,有些会钻入硅中造成浪费。SOI可防止电子流失。摩托罗拉宣称中央处理器可因此提升时脉20%,并减低耗电30%。除此之外,还可以减少一些有害的电气效应。还有一点,可以说是很多超频玩家所感兴趣的,那就是它的工作温度可高达300°C,减少过热的问题。 SOI一开始是由美商IBM公司的芯片部门投入开发,最早用于MAC电脑的PowerPC G4处理器,除了IBM外,还有Motorola、德州仪器、NEC等公司投入SOI技术的开发工作。但是Intel公司拒绝在其处理器产品中使用SOI技术,因为其认为SOI技术容易影响晶圆品质与减低晶体管交换速度,并且SOI上接合点也会减少,也就是一般制程中“漏电”的缺点所烦恼。接下来本文将主要介绍几种常见的SOI 基光波导器件包括弯曲波导、光耦合器、光衰减器、光调制器和光开关等近年来在国际国内的研究进展。 弯曲波导:在光学器件中,为了改变光束的传播方向经常需要使用弯曲波导. 对于SOI 脊形波导来说,虽然导波层硅和限制层二氧化硅之间的折射率差很大(硅为315 ,二氧化硅为1145) ,波导在垂直方向上对光的限制很强,但是波导在水平方向上对光的限制是通过脊形结构实现的,这种限制较弱. 因而当SOI 波导发生弯曲时,弯曲损耗将会不可避免,甚至会成为器件的主要损耗来源. 因此,采取措施减小弯曲损耗很有必要. 减小弯曲损耗主要有两类方法: 1) 选取合适的波导宽度、刻蚀比、弯曲半径参数值;2) 采用特殊的弯曲结构,如在弯曲波导外侧刻槽,在波导连接处引入偏移等. 波导的弯曲损耗随着弯曲半径、刻蚀比、波导宽度的增大而减小. 减小弯曲半径将使有效折射率分布的斜率增大,光场中心向弯曲外侧偏移,使光场泄漏增大;对脊形弯曲波导进行深刻蚀,脊区与两侧平板区有效折射率的差异会增大,能减小弯曲损耗;波导宽度越大,波导边界处光场分量就越小,也能减小弯曲处光场泄漏。 光耦合器:耦合器是光纤通信中实现光信号分路\ 合路的功能器件,是光学中最基本也最常见的一种器件,在光网络中有着广泛的应用. 它可以构成分束器、光衰减器、马赫曾德干涉仪、光开关和环形激光器等各种光波导器件,是其他器件的基础. 有研究人员制作了1 ³2 单模T 分支耦合器,其SOI 脊型波导宽度为6μm ,波导内脊高为815μm ,刻蚀深度为3μm ,器件的两个分支的损耗分别为510 dB 和512 dB ,分光比为52∶48. 多模干涉耦合器是近年来出现的一种新型耦合器,它的基本原理是基于多模波导中光场的自映像效应,具有带宽宽、对偏振不敏感,器件制作容差大等优点,非常适合DWDM 光网络的应用。而研究人员制作的4 ³4 普通双曲锥形多模干涉耦合器输出通道的功率不均衡性小于0136 dB ,器件长度比普通矩形多模干涉耦合器缩短了46 %. 随着工艺技术的改进,2005 年CMOS 工艺生产线的线宽已经达到90 nm ,其制作精度也达到了1~10 nm. 为了进一步缩小器件长度,人们开始采用纳米线波导代替传统大尺寸波导来制作波导器件。 Yamada H , Chu T首次报道了一种基于纳米线波导的定向耦合器,两个耦合波导的横截面尺寸为013μm ³013μm ,间距仅为013μm ,如下图所示, 由于两个波导之间很强的耦合作用,定向耦合器的耦合长度仅为10μm ,当耦合波导之间的间距减少时,波导长度还可以进一步缩短. 由此可以制作出结构非常紧凑的3 dB 耦合器.
光衰减器:可调谐光学衰减器(VOA) 作为光纤通信系统中的重要器件,广泛用于WDM 系统中信道的功率均衡、某些器件的过功率保护、构成其它光电功能模块以及有线电视网络节点处的功率均衡. Lin Yang , Yuliang Liu等人采用传统的半导体工艺制作了多模干涉型光衰减器,输入输出波导采用多模波导,且在输入输出波导、多模干涉区和调制区的节点处采用大张角的锥形波导来进行连接,在不影响其衰减范围和响应速度的前提下显著降低了插入损耗. 其在1 525~1 565 nm 波长范围内的插入损耗为113~319 dB ,最大衰减量为26 dB ,最大电功耗为369mW ,响应时间为100μs. 基本上能够满足系统对光学衰减器低插入损耗、大衰减范围、快响应速度和宽光谱带宽的要求。Bookham 公司的I. Day 等人在2003 年的OFC 上报道了基于Si的等离子色散效应的可变光衰减器. 在器件的输入输出端采用了选择外延形成的模斑变换器,使输入输出端面和标准光纤的耦合损耗小于015 dB. 整个器件在1 530~1 590 nm 的波段内的插入损耗在1dB 左右,偏振相关损耗小于011 dB. 器件响应时间小于300 ns. 光调制器:光调制器是一种重要的有源器件,它在光通信、光计算等领域都有广泛的应用. 硅是中心对称晶体,一阶电光效应极其微弱. 虽然硅的热光系数较大,但受自身导热性质的限制,热光调制器的调制频率无法超过1 MHz ,要实现高速调制只能通过等离子色散效应. Intel 公司在2004 年初利用成熟的微电子工艺在SOI 上实现了调制速率达到1 GHz 的光调制器。 器件采用MZI 结构,调制区和CMOS二极管相似,如下图所示, 由于电容两侧的载流子注入是在偏压作用下做漂移运动,而不像p - i - n 结中载流子注入是扩散过程,因此它的调制速率大大提高.器件的插入损耗为1513 dB. 其后他们进一步优化设计,通过缩小脊形波导的尺寸,将波导截面尺寸从215μm ³213 μm 降低到116 μm ³116 μm; 并用ELO (epitaxial lateral overgrowth) 技术生长出的单晶硅代替脊区的多晶硅,将调制频率提高到了10GHz ,插入损耗为19 dB。
光开关:Si 是一种很好的热光开关材料,具有大的热光系数和高的热导率,在波长为1155μm 时,分别为1186 ³10 - 4/ K和156 W/ m²K. 因此SOI 热光开关的响应速度比其它材料如SiO2 和聚合物的要快,可以达到μs 量级甚至更小. 热光开关通常采用MZI结构. 它们都是在介质材料上先做上波导结构,然后在波导上蒸镀金属膜加热器,当金属膜通电发热时,其下面的波导折射率就会发生变化,从而实现对光的调制. 美国Columbia 大学的Osgood 小组2003 年制作的1 ³1 MZI 热光开关,采用了016μm ³0126μm 的矩形截面的单模波导. 在波长1155μm时,开关功耗50 mW , 开关时间小于315 μs. 由于波导截面尺寸太小,由边界粗糙造成的散射损耗很大,且和光纤的耦合损耗很大. 传输损耗和耦合损耗使得整个开关的插入损耗高达32 dB。Bookham 公司的A. House 等人在OFC2003 上报道了2 ³2 的MMI2MZI 热光开关,单模波导采用大截面脊型波导结构. 开关性能如下:开关功耗400mW ,响应时间10 ±2μs ,消光比2315 dB ,附加损耗110 dB. 芬兰Helsinki 大学和VTT 研究所在2004年共同报道了2 ³2 的MZI 热光开关[16 ] ,开关是基于10μm ³9μm 的大截面脊型SOI 单模波导. 开关由数字信号处理器和简单的电子回路驱动,采用差分控制技术获得快速响应,响应时间小于1μs. 在大规模开关阵列研究方面,中科院半导体所[17 ]报道了16 ³16 光开关阵列,器件的消光比为1318 dB~2412 dB ,开关单元采用MMI2MZI 结构的2 ³2 开 关,开关单元的功耗为210 mW~230 mW ,响应时间小于3μs. 将SOI 纳米线引入到热光开关中,有助于器件尺寸和功耗的减小。 SOI应用:SOI 材料是应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料,在光电子学领域有很多具体的应用,如在热光器件、电光器件、亚微米波导器件与光纤的耦合器等方面的应用。
热光器件:热光器件指的是利用材料的热光效应所制成的光波导器件。所谓热光效应是指光介质的光学性质( 如折射率) 随温度变化而发生变化的物理效应。典型的硅基热光开关材料有SiO2、Si 等。硅基热光波导器件相对于其他类型的光开关调制器件有明显的优点,如制作简单、成品率高、成本低、易于集成等。然而缺点也很突出,如开关时间长( 毫秒,微秒 量级) ,但是这些缺点在一定程度上可以通过结构上的精心设计加以改进。比如适当增加调制区长度缩短开关时间、采用紧凑的结构减小器件尺寸和功耗等。这些改进也使得热光开关成为光网络,尤其是大容量光网络看好的光开关,尤以SiO2和SOI 热光开关阵列的发展让人瞩目。 Si 是一种很好的热光开关材料,具有大的热光系数和高的热导率,在波长为1. 55 μm 时,分别为1. 86 ³ 10 - 4 /K 和156 W/m²K。因此SOI 热光开关的响应速度比其他材料如SiO2和聚合物的要快,可以达到微秒量级甚至更小。目前国际上SOI 热光开关的研究成果主要有: 芬兰Helsinki 大学和VTT研究所在2004 年共同报道了2 ³ 2 的马赫- 曾德干涉仪( Mach-Zehnder interferometer,MZI ) 热光开关,开关是基于10 μm ³ 9 μm 的大截面脊型