4-电力电子器件
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电力电子技术期末考试第一章电力电子技术(概念):就是应用于电力领域的电子技术。
电力变换器通常分为四大类:1、交流变直流;2、交流变交流;3;直流变直流;4、直流变交流。
电力电子学的倒三角:电力电子学包含了电力电子技术。
电力电子技术的应用:1、一般工业;2、交通运输;3、电力系统;4、电子装置用电源;5、家用电器;6、其他(航空等)第二章电力电子器件的概念:主电路:在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。
电力电子器件:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
电力电子器件用于主电路与处理信息的电子器件相比,电力电子器件的特征:(1)电力电子器件所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电路的能力,是其最重要的参数;(2)因为处理的电功率较大,为了减小本身的损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态;(3)在实际应用当中,电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制;(4)尽管工作在开关状态,但是电力电子器件自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,因而为了保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏,不仅在器件封装上比较讲究散热设计,而且在其工作时一般都还需要安装散热器。
电力电子器件在实际应用中的系统组成说明:电力电子器件在实际应用中,一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类:(1)通过控制信号可以控制其导通而不能控制其通断的电力电子器件称为半控型器件;(2)通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件(3)也有不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件,这就是电力二极管(不可控器件)。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件(电力二极管除外)分为电压驱动型和电流驱动型两类。
电导调制效应:低掺杂N区由于掺杂浓度低而具有的高电阻率对于电力二极管的正向导通是不利的。
第4章直流-交流变换器习题及答案第1部分:填空题1.把直流电变成交流电的电路称为_逆变电路_,当交流侧有电源时称为_有源逆变__,当交流侧无电源时称为_无源逆变__。
2.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,换流可以分为两类,即外部换流和_内部换流__,进一步划分,前者又包括_电网换流__和_负载换流___两种换流方式,后者包括_器件换流_和_强迫换流_两种换流方式。
适用于全控型器件的换流方式是_器件换流_。
3.逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为_电压型逆变电路_,当直流侧为电流源时,称此电路为_电流型逆变电路_。
4.半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为__1/2___Ud ,全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为___1.0___Ud 。
5.单相全桥方波型逆变电路,180度导电角的控制方式下,改变输出交流电压的有效值只能通过改变直流电压U d来实现,改变开关切换频率可改变输出交流电频率。
为防止同一桥臂的上下两个开关器件同时导通而引起直流侧电源短路,在开关控制上应采取先断后通的措施。
6.三相电压型逆变电路中,180度导电角的控制方式下,每个桥臂的导电角度为__180O______,各相开始导电的角度依次相差_120O__,在任一时刻,有___3___个桥臂导通。
7.电压型逆变电路一般采用_全控型_器件,换流方式为_器件换流____;电流型逆变电路中,较多采用__半控型__器件,换流方式有的采用 _强迫换流_,有的采用_负载换流__。
8.三相电流型逆变电路的基本工作方式是120度导电方式,按VT1到VT6的顺序每隔__60O_______依次导通,各桥臂之间换流采用 __横向_____换流方式,在任一时刻,有___3_____个桥臂导通。
电力电子技术试题(第四章)一、填空题1、GTO的全称是,图形符号为;GTR的全称是,图形符号为;P-MOSFET的全称是,图形符号为;IGBT 的全称是,图形符号为。
33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。
2、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的。
33、负信号、反向电流。
3、大功率晶体管简称,通常指耗散功率以上的晶体管。
34、GTR、1W。
4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件,缺点是和。
35、电流不够大、耐压不够高。
二、判断题对的用√表示、错的用×表示(每小题1分、共10分)1、大功率晶体管的放大倍数β都比较低。
(√)2、工作温度升高,会导致GTR的寿命减短。
(√)3、使用大功率晶体管时,必须要注意“二次击穿”问题。
(√)4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。
(×)5、电力晶体管的外部电极也是:集电极、基极和发射极。
(√)6、实际使用电力晶体管时,必须要有电压电流缓冲保护措施。
(√)7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。
(×)8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。
(×)9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
(√)三、单项选择题把正确答案的番号填在括号内(每小题1分,共10分)1、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()。
A、GTRB、 MOSFETC、、IGBT2、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最小的是()。
A、GTRB、MOSFETC、IGBT3、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的是()。
A、GTRB、 MOSFETC、、IGBT4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是()。
A、GTOB、GTRC、IGBT。
5、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()、最慢的是()。
A、GTOB、GTRC、MOSFET6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为____电压型____和_____电流型___两类。
2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时,__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______,当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是,_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是___MOSFET______,单管输出功率最大的是____GTO_________,应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。
电力电子元器件选型技术手册随着现代电力电子技术的不断发展,电力电子元器件在各个领域中得到了广泛应用。
在电力电子元器件的选型过程中,正确选型是保证电子设备性能和可靠性的关键。
本技术手册将为您提供电力电子元器件选型的基本知识和技巧,并指导您如何正确选择合适的电力电子元器件。
一、电力电子元器件选型的基本知识电力电子元器件是指各种用于变换和控制电力的电子元器件。
在电力电子元器件的选型中,需要掌握以下基本知识:1.1 元器件的类型和性能电力电子元器件主要包括晶闸管、二极管、三极管、场效应管、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅型双极晶体管(IGBT)等。
不同类型的电力电子元器件具有不同的性能指标,包括额定电压、额定电流、导通压降、开关速度等。
在选型时需要根据实际应用场合选择合适的元器件类型和性能。
1.2 应用条件的分析电力电子元器件的选型需要考虑应用条件的影响,包括工作电压、工作电流、环境温度、湿度等因素。
根据实际工作条件进行分析,选择符合要求的元器件。
1.3 元器件的封装和散热不同类型的电力电子元器件可以有不同的封装形式和散热方式。
选择合适的封装和散热方式有助于提高元器件的可靠性和使用寿命。
二、电力电子元器件选型技巧在电力电子元器件选型过程中,需要掌握以下技巧:2.1 单个元器件的选择在选型时需要根据实际应用场合需求选择元器件,首先要确定元器件的性能指标是否符合要求,其次需要考虑元器件的价格和可靠性,最后根据封装和散热方式来确定选型。
2.2 器件组合的选择在实际应用中,可能需要选择多个元器件进行组合以满足系统的要求。
在进行器件组合选择时,需要注意元器件之间的匹配性和互补性。
2.3 参考资料的选择在进行电力电子元器件选型时,可以参考一些电子元器件选型手册、数据手册、型录和参考设计等资料,以便更好地进行选型分析。
三、电力电子元器件选型案例分析例如,在选择一个AC/DC桥式整流电路的转换器中,需要选择合适的整流二极管和滤波电容。
第四章课后题:1、无源逆变和有源逆变电路有什么不同?答:与整流相对应,把直流电变成交流电称为逆变。
当交流侧接在电网上,即交流侧接有电源时,称为有缘逆变。
当交流侧直接和负载连接时,称为无源逆变。
2、换流方式有哪几种?各有什么特点?答:器件换流:利用全控型器件的自关断能力进行换流称为器件换流。
电网换流:由电网提供换流电压称为电网换流。
负载换流:由负载提供换流电压称为负载换流。
凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合,都可以实现负载换流.当负载为电容性负载时,就可实现负载换流。
3、什么是电压型逆变电路?什么是电流型逆变电路?二者各有什么特点?电压型逆变电路:直流侧是电压源或直流侧并联一个大电容。
特点:①直流侧为电压源,或并联有大电容,相当于电压源。
直流侧电压基本无脉动,直流回路呈现低阻抗。
②由于直流电压源的钳位作用,交流侧输出电压波形为矩形波,并且与负载阻抗角无关。
而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
电流型逆变电路:直流侧是电流源或直流侧串联一个大电感。
特点:①直流侧串联大电感,相当于电流源。
直流侧电流基本无脉动,直流回路呈现高阻抗。
②电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径,因此交流侧输出电流为矩形波,并且与负载阻抗角无关。
而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻抗负载时需要提供无功功率,直流侧电感起缓冲无功能量的作用。
因为反馈无功能量时直流电流并不方向,因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。
4、电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么?为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管?答:1)在电压型逆变电路中,当交流侧为阻感负载时,需要提供无功功率。
直流侧电容起缓冲无功能量的作用。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管,当输出交流电压和电流的极性相同时,电流经电路中可控开关器件流通,而当输出电压电流极性相反时,由反馈二极管提供电流通道。
第1章电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。
或:uAK>0且uGK>0。
2. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。
第2章整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L=20mH,U2=100V,求当α=0和60时的负载电流Id,并画出ud与id波形。
解:α=0时,在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。
在电源电压u2的负半周期,负载电感L 释放能量,晶闸管继续导通。
因此,在电源电压u2的一个周期里,以下方程均成立:考虑到初始条件:当ωt=0时id=0可解方程得:==22.51(A)ud与id的波形如下图:当α=60°时,在u2正半周期60~180期间晶闸管导通使电感L储能,电感L储藏的能量在u2负半周期180~300期间释放,因此在u2一个周期中60~300期间以下微分方程成立:考虑初始条件:当ωt=60时id=0可解方程得:其平均值为==11.25(A)此时ud与id的波形如下图:2.图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:①晶闸管承受的最大反向电压为2;②当负载是电阻或电感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答:具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器没有直流磁化的问题。
因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中,正负半周内上下绕组内电流的方向相反,波形对称,其一个周期内的平均电流为零,故不会有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
□ 附录:习 题 集一、填空1、晶闸管的问世,使 电子技术 进入了强电领域,形成了 电力电子 学科。
2、电力电子变流技术的应用主要有以下几方面: 整流 、 直流斩波 、 逆变 、 交流电力控制 、 变频 和 变相 。
3、在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为____通态损耗____,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为___开关损耗_____。
4、电力电子器件在实际工作中应用中,一般是由 控制电路 、 驱动电路 和以电力电子器件为核心的 主电路 组成的一个系统。
由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加___保护_____。
5、普通晶闸管内部四个区形成 三个 PN 结,外部有三个电极,分别是 阳极A 极、 阴极K 极和 门极G 极。
6、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 正向 电压的同时,门极上加上 触发 电压,晶闸管就导通。
7、只有当阳极电流小于 维持电流 电流时,晶闸管才通转为截止。
8、正弦半波电流的波形系数dI I K 为: 1.57 9、晶闸管的工作状态有正向 阻断 状态,正向 导通 状态和反向 阻断 状态三种。
10、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP 表示该器件的名称为 普通晶闸管 ,50表示 额定电流50A ,7表示 额定电压700V 。
11、逆导晶闸管是将____二极管____与晶闸管__反向并联______(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止 关断过电压 损坏晶闸管的。
13、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 快速熔断器 。
14、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R 是___静态均压_____措施,给每只管子并联RC 支路是___动态均压_____措施,当需同时串联和并联晶闸管时,应采用___先串后并_____的方法。
15、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为 不可控 型器件、 半控 型器件和 全控型 器件。
《电力电子技术》机械工业出版社命题人马宏松第一章功率二极管和晶闸管知识点:●功率二极管的符号,特性,参数●晶闸管的符号、特性、参数、工作原理●双向晶闸管的符号、特性、参数、工作原理●可关断晶闸管的符号、特性、参数、工作原理一、填空题1、自从_1956__ __ 年美国研制出第一只晶闸管。
2、晶闸管具有体积小、重量轻、损耗小、控制特性好等特点。
3、晶闸管的三个极分别为阳极、阴极、门极。
4、晶闸管导通的条件:在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压,同时在它的阴极和门极间也加正向电压,两者缺一不可。
5、晶闸管一旦导通,门极即失去控制作用。
6、晶闸管的关断条件:使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。
7、双向晶闸管的四种触发方式:I+ 触发方式 I-触发方式Ⅲ+触发方式Ⅲ-触发方式。
8、GTO的开通时间由延迟时间和上升时间组成。
9、GTO的关断时间由存储时间、下降时间、和尾部时间。
10、功率二极管的导通条件:加正向电压导通,加反向电压截止。
11、对同一晶闸管,维持电流I H 与擎住电流I L在数值大小上有I L___>_____I H。
12、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM__<______U BO13、普通晶闸管内部有两个PN结,,外部有三个电极,分别是阳极A极阴极K 极和门极G极。
14、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时,门极上加上触发电压,晶闸管就导通。
15、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态,正向导通状态和反向阻断状态。
16、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管,50表示额定电流50A,7表示额定电压700V。
17、只有当阳极电流小于维持电流电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
18、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会减小。
二、判断题1、第一只晶闸管是1960年诞生的。
(错)2、1957年至1980年称为现代电力电子技术阶段。
电力电子技术习题及参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=()A、3msB、2msC、4msD、1ms正确答案:A2.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案:B3.可实现有源逆变的电路为()。
A、单相半控桥整流电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案:C4.在单相桥式全控整流电路中,大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()。
A、90°~180°B、0°~180°C、0°~90°正确答案:C5.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为()。
A、减小输出功率B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、增大输出幅值正确答案:B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中,控制角的最大移相范围是()A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案:A7.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案:B8.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()。
A、0°~120°B、0°~150°C、30°~150°D、15°~125°正确答案:B9.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是()A、150°B、90°C、120°D、180°正确答案:D10.单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()A、90度-180度B、0度-90度C、0度D、180度-360度正确答案:B11.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发,应使干扰信号的幅值限制在()A、可靠触发区B、不触发区C、安全工作区D、不可靠触发区正确答案:B12.IGBT属于()控制型元件。
可控硅四象限的简介1. 引言可控硅四象限是一种电力电子器件,可以被广泛应用于交流电的控制和转换。
它是由苏联科学家C. V. 泽兹实验室所发明的,实质上是一种可控整流器。
可控硅四象限由于其高效能、低成本和可靠性,在电力电子领域得到了广泛应用。
本文将对可控硅四象限的原理和应用进行简要介绍。
2. 可控硅四象限的工作原理可控硅四象限是一种双向可控整流器,它可以控制电流的流向和大小。
在交流电压的作用下,可控硅四象限的工作原理如下:第一象限:当交流电压的正半周加于可控硅四象限的P端,负半周加于N端时,可控硅四象限将导通,并使电流向负载流动。
这种情况下,可控硅四象限处于第一象限,被称为正导通。
第二象限:当交流电压的正半周加于可控硅四象限的N端,负半周加于P端时,可控硅四象限将导通,并使电流向负载流动。
这种情况下,可控硅四象限处于第二象限,被称为反导通。
第三象限:当交流电压的正半周短路可控硅四象限的P端和N端时,可控硅四象限将截止,电流不会流动。
这种情况下,可控硅四象限处于第三象限,被称为正截止。
第四象限:当交流电压的负半周短路可控硅四象限的P端和N端时,可控硅四象限将截止,电流不会流动。
这种情况下,可控硅四象限处于第四象限,被称为反截止。
3. 可控硅四象限的应用可控硅四象限具有许多优点和广泛的应用领域。
以下是几个典型的应用示例:3.1 交流电转直流电可控硅四象限可以用来将交流电转换为直流电。
通过控制可控硅四象限的导通和截止,可以实现对交流电的整流和滤波,从而获得平稳的直流输出。
这种应用尤其适用于电力变换和电动机驱动系统。
3.2 调节交流电压可控硅四象限还可以用来调节交流电压。
通过改变可控硅四象限的导通角度和导通时间,可以控制交流电压的大小和相位,从而实现对电力系统的稳压和调频。
这对于电力调节和能源可持续发展具有重要意义。
3.3 电能传输和分配可控硅四象限在电能传输和分配中也有广泛的应用。
通过控制可控硅四象限的导通和截止,可以实现对电能的传输和分配,从而满足不同负载的电力需求。
实验报告课程名称:现代电力电子技术实验项目:SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 特性实验实验时间:实验班级:1总份数:指导教师:朱鹰屏自动化学院电力电子实验室二〇〇年月日广东技术师范学院实验报告学院:自动化学院专业:电气工程及其自动化班级:成绩:姓名:学号:组别:组员:实验地点:电力电子实验室实验日期:指导教师签名:实验(二)项目名称:SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 特性实验1.实验目的和要求(1)掌握各种电力电子器件的工作特性。
(2)掌握各器件对触发信号的要求。
2.实验原理将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载电阻R串联后接至直流电源的两端,由DJK06上的给定为新器件提供触发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A特性;图中的电阻R用DJK09 上的可调电阻负载,将两个90Ω的电阻接成串联形式,最大可通过电流为1.3A;直流电压和电流表可从DJK01电源控制屏上获得,五种电力电子器件均在DJK07挂箱上;直流电源从电源控制屏的输出接DJK09上的单相调压器,然后调压器输出接DJK09上整流及滤波电路,从而得到一个输出可以由调压器调节的直流电压源。
实验线路的具体接线如下图所示:图3-26 新器件特性实验原理图3.主要仪器设备4.实验内容及步骤实验内容:(1)晶闸管(SCR)特性实验。
(2)可关断晶闸管(GTO)特性实验。
(3)功率场效应管(MOSFET)特性实验。
(4)大功率晶体管(GTR)特性实验。
(5)绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。
实验步骤:(1)按图3-26接线,首先将晶闸管(SCR)接入主电路,在实验开始时,将DJK06上的给定电位器RP1沿逆时针旋到底,S1拨到“正给定”侧,S2拨到“给定”侧,单相调压器逆时针调到底,DJK09上的可调电阻调到阻值为最大的位置;打开DJK06的电源开关,按下控制屏上的“启动”按钮,然后缓慢调节调压器,同时监视电压表的读数,当直流电压升到40V时,停止调节单相调压器(在以后的其他实验中,均不用调节);调节给定电位器RP1,逐步增加给定电压,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,记录给定电压U g调节过程中回路电流I d以及器件的管压降U v。