半导体存储器

半导体存储器分类介绍§ 1. 1 微纳电子技术的发展与现状§1.1.1 微电子技术的发展与现状上个世纪50年代晶体管的发明正式揭开了电子时代的序幕。

此后为了提高电子元器件的性能，降低成本，微电子器件的特征尺寸不断缩小，加工精度不断提高。

1962年，由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）组装成的集成电路（IC）成为微电子技术发展的核心。

自从集成电路被发明以来[1,2]，集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Intel 公司创始人之一的Gordon Moore在1965年预言的摩尔定律[3]：半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。

按照这一规律集成电路从最初的小规模、中规模到发展到后来的大规模、超大规模（VLSI），再到现在的甚大规模集成电路（ULSI）的发展阶段。

随着集成电路制造业的快速发展，新的工艺技术不断涌现，例如超微细线条光刻技术与多层布线技术等等，这些新的技术被迅速推广和应用，使器件的特征尺寸不断的减小。

其特征尺寸从最初的0.5微米、0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米一直缩短到目前最新的32纳米，甚至是亚30纳米。

器件特征尺寸的急剧缩小极大地提升了集成度，同时又使运算速度和可靠性大大提高，价格大幅下降。

随着微电子技术的高速发展，人们还沉浸在胜利的喜悦之中的时候，新的挑战已经悄然到来。

微电子器件等比例缩小的趋势还能维持多久？摩尔定律还能支配集成电路制造业多久？进入亚微米领域后，器件性能又会有哪些变化？这一系列的问题使人们不得不去认真思考。

20世纪末期，一门新兴的学科应运而生并很快得到应用，这就是纳电子技术。

§1.1.2 纳电子技术的应用与前景2010年底，一篇报道英特尔和美光联合研发成果的文章《近距离接触25nm NAND闪存制造技术》[4]，让人们清楚意识到经过近十年全球范围内的纳米科技热潮，纳电子技术已逐渐走向成熟。

半导体存储器工作原理和最新技术随着现代社会的快速发展，信息技术技术的发展也日新月异。

作为信息技术中不可或缺的部分，存储器技术一直在不断地更新发展。

其中，半导体存储器作为一种重要的存储器类型，其工作原理和最新技术备受人们关注。

一、半导体存储器工作原理半导体存储器是一种将位于半导体芯片上的电荷量代表数据的存储器。

半导体存储器主要分为两大类：随机访问存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。

1.1 随机访问存储器(RAM)RAM分为动态随机访问存储器(DRAM)和静态随机访问存储器(SRAM)两种。

DRAM的存储单元为电容器，单元大小为1位。

SRAM的存储单元为双稳态触发器，单元大小为1至4位。

DRAM的电容器存储单元会因电容器内部漏载而持续降低，因此需要周期性地重新刷新。

此外，DRAM单元还需要进行复杂的读写时间控制。

SRAM则不需要刷新电容器和时间控制，但存储单元占用面积较大，并需要额外的电源驱动。

1.2 只读存储器(ROM)ROM是一种只可读取而不能修改的存储器。

ROM中存储单元的电荷量是由制成时设置的金属焊点决定，即“掩膜”制造技术，这种存储器能够非常方便地实现电路的控制功能。

二、半导体存储器最新技术半导体存储器技术也在不断更新发展中。

这里将介绍三种最新的半导体存储器技术。

2.1 革命性大规模存储器技术革命性大规模存储器技术是一种新的存储器类型，它能够实现超过TB级别的数据存储。

这种存储器采用叠层非易失存储器和InP HEMT收发器，能够实现一次读取数百Gbits的数据，传输速度极快。

2.2 基于电容器的晶体管门极控制技术基于电容器的晶体管门极控制技术是实现高密度存储的一种方法。

目前的主流半导体存储器采用平面电容器单元，但其占用面积较大。

所以，一种新的基于电容器的晶体管门极控制技术被提出。

这种新技术利用了电容器单元与相邻晶体管的栅极之间的短距离联系，降低了存储单元面积，同时提升了数据存取速度。

2.3 基于氧化硅和二氧化硅的存储器技术基于氧化硅和二氧化硅的存储器技术被广泛应用于普通高密度存储器。

第七章 半导体存储器数字信息在运算或处理过程中，需要使用专门的存储器进行较长时间的存储，正是因为有了存储器，计算机才有了对信息的记忆功能。

存储器的种类很多，本章主要讨论半导体存储器。

半导体存储器以其品种多、容量大、速度快、耗电省、体积小、操作方便、维护容易等优点，在数字设备中得到广泛应用。

目前，微型计算机的内存普遍采用了大容量的半导体存储器。

存储器——用以存储一系列二进制数码的器件。

半导体存储器的分类根据使用功能的不同，半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM —Random Access Memory ）和只读存储器（ROM —Read-Only memory ）。

按照存储机理的不同，RAM 又可分为静态RAM 和动态RAM 。

存储器的容量存储器的容量=字长（n ）×字数（m ）7.1随机存取存储器（RAM ）随机存取存储器简称RAM ，也叫做读/写存储器，既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。

RAM 的缺点是数据的易失性，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。

一． RAM 的基本结构由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。

存储矩阵读/写控制器地址译码器地址码输片选读/写控制输入/输出入图7.1—1 RAM 的结构示意框图1. 存储矩阵RAM 的核心部分是一个寄存器矩阵，用来存储信息，称为存储矩阵。

图7.1—5所示是1024×1位的存储矩阵和地址译码器。

属多字1位结构，1024个字排列成32×32的矩阵，中间的每一个小方块代表一个存储单元。

为了存取方便，给它们编上号，32行编号为X 0、X 1、…、X 31，32列编号为Y 0、Y 1、…、Y 31。

这样每一个存储单元都有了一个固定的编号（X i 行、Y j 列），称为地址。

11113131131********列 译 码 器行译码器...........位线位线位线位线位线位线.......X X X Y Y Y 0131131A A A A A A A A A A 地 址 输 入地址输入0123456789D D数据线....图7.1－5 1024×1位RAM 的存储矩阵2． 址译码器址译码器的作用，是将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。

dram原理DRAM原理。

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种常见的半导体存储器，广泛应用于计算机系统中。

它以其高密度、低成本和快速访问速度而闻名。

本文将介绍DRAM的工作原理及其在计算机系统中的应用。

首先，我们来了解一下DRAM的基本结构。

DRAM由存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个晶体管构成。

电容用于存储数据，而晶体管则用于控制数据的读写操作。

由于电容会逐渐失去电荷，因此DRAM需要不断地进行刷新操作，以保持数据的稳定性。

这也是为什么它被称为“动态”存储器的原因。

接下来，我们来看一下DRAM的工作原理。

当计算机需要读取或写入数据时，控制器会发送相应的地址和控制信号给DRAM芯片，以选择特定的存储单元进行操作。

读取数据时，电荷状态会被转换为电压信号，然后传输到控制器；写入数据时，控制器会将电压信号转换为电荷状态，并存储到相应的存储单元中。

由于DRAM是一种易失性存储器，因此在断电后数据会丢失，这也是为什么需要不断刷新的原因。

在计算机系统中，DRAM扮演着重要的角色。

它被用作主存储器，用于存储运行中的程序和数据。

由于其高速的读写速度，使得CPU能够快速地访问数据，从而提高了系统的整体性能。

此外，由于DRAM的高密度和低成本，使得它成为了存储大容量数据的理想选择。

然而，DRAM也存在一些缺点。

首先，由于其动态存储的特性，需要不断进行刷新操作，这会消耗一定的能量。

其次，由于存储单元之间的电容会相互影响，导致了读取数据时的干扰，因此需要额外的电路来进行数据的校正和修正。

最后，由于DRAM是一种易失性存储器，断电后数据会丢失，因此需要配合其他存储介质进行数据的备份和恢复。

总的来说，DRAM作为一种常见的半导体存储器，在计算机系统中扮演着重要的角色。

通过了解其工作原理和特点，我们能够更好地理解其在计算机系统中的应用，以及如何更好地利用它来提高系统的性能和稳定性。

半导体存储器一．存储器简介存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。

在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。

计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。

存储器件是计算机系统的重要组成部分，现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。

存储器（Memory）计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。

计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。

它根据控制器指定的位置存入和取出信息。

自世界上第一台计算机问世以来，计算机的存储器件也在不断的发展更新，从一开始的汞延迟线，磁带，磁鼓，磁芯，到现在的半导体存储器，磁盘，光盘，纳米存储等，无不体现着科学技术的快速发展。

存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。

存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。

这些器件也称为记忆元件。

在计算机中采用只有两个数码“0”和“1”的二进制来表示数据。

记忆元件的两种稳定状态分别表示为“0”和“1”。

日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。

计算机中处理的各种字符，例如英文字母、运算符号等，也要转换成二进制代码才能存储和操作。

储器的存储介质，存储元，它可存储一个二进制代码。

由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。

一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。

每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。

一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。

假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示2的20次方，即1M个存储单元地址。

dram原理DRAM原理。

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种常见的半导体存储器，被广泛应用于计算机系统和其他电子设备中。

它具有高密度、低成本和易于集成的特点，因此在现代电子设备中扮演着重要的角色。

本文将介绍DRAM的工作原理及其相关知识。

DRAM的基本结构由存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。

电容用于存储数据位，晶体管用于读取和写入数据。

DRAM的存储单元按行和列排列成矩阵，每个存储单元都有一个唯一的地址，通过地址线来选择特定的存储单元进行读写操作。

在DRAM中，数据的存储是以电荷的形式存在于电容中的。

由于电容会逐渐失去电荷，因此需要不断地刷新数据以保持存储的稳定。

这就是为什么称之为“动态”的原因。

在读取数据时，控制电路会将选定的存储单元中的电荷读取出来，然后根据需要进行相应的操作。

DRAM的工作原理可以简单概括为，存储数据、刷新数据、读取数据和写入数据。

存储数据是通过输入电荷到电容中来实现的，刷新数据是通过周期性地刷新存储单元中的电荷来防止数据丢失，读取数据是通过选择特定的存储单元并读取其中的电荷来实现的，写入数据是通过改变电容中的电荷来实现的。

除了基本的工作原理外，DRAM还有一些特殊的工作模式，例如自刷新、异步刷新和同步刷新等。

自刷新是指DRAM芯片内部集成了一个特殊的计数器和逻辑电路，可以在不需要外部控制信号的情况下周期性地刷新存储单元。

异步刷新是指需要外部控制信号来触发刷新操作，而同步刷新是指需要与系统时钟同步来触发刷新操作。

在实际应用中，由于DRAM的存储单元非常多，因此需要复杂的地址线和控制电路来管理。

此外，由于DRAM是一种易失性存储器，因此在设计中需要考虑如何有效地刷新数据以防止数据丢失。

因此，对于系统设计者来说，需要充分理解DRAM的工作原理和特性，以便设计出高效、稳定的系统。

总之，DRAM作为一种重要的半导体存储器，在现代电子设备中发挥着重要的作用。

第七章半导体存储器7.1 概述半导体存储器是一种能存储大量二值信息(或称为二值的数据)的半导体器件。

在电子计算机以及其他一些数字系统的工作过程中，都需要对大量的数据进行存储。

因此，存储器也就成了这些数字系统不可少的组成部分。

由于计算机处理的数据量越来越大，运算速度越来越快，这就要求存储器具有更大的容量和更快的存取速度。

通常都把存储量和存取速度作为评价存储器性能的重要指标。

目前动态存储器的容量已达到109位每片，一些高速随机存储器的存取时间为10ns左右。

因为半导体存储器的存储单元数目极其庞大而器件的引脚数目有限，所以在电路结构上就不可能像寄存器那样把每个存储单元的输入和输出直接引出。

为了解决这个问题，在存储器中给每个存储单元编了一个地址，只有被输入地址代码指定的那些存储单元才能与公共的输入/输出引脚接通，进行数据的读出或写入。

半导体存储器的种类很多，从功能上可以分为只读存储器和随机存储器两大类。

只读存储器在正常工作状态上只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。

ROM的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失，它的缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。

只读存储器中又有掩模ROM、可编程ROM和可擦除的可编程ROM几种不同类型。

掩模ROM 中的数据在制作时已经确定，无法更改。

PROM中的数据可以由用户根据自己的需要写入，但一经写入以后就不能再修改了。

EPROM里的数据则不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，所以具有更大的使用灵活性。

随机存储器与只读存储器的根本区别在于，正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读出数据。

根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将随机存储器分为静态存储器和动态存储器。

由于动态存储器存储单元的结构非常简单，所以它能达到的集成度远高于静态存储器。

但是动态存储器的存取速度不如静态存储器快。

7.2 只读存储器(ROM)7.2.1掩模只读存储器ROM根据用户要求专门设计的掩模板把数据：“固化”在ROM中电路结构ROM的电路结构框图地址译码器：将输出的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选出，其数据送输出缓冲器输出缓冲器❖提高存储器带负载的能力❖实现输出状态三态控制，与系统总线连接地址译码器存储矩阵输出缓冲器WW1W2－1nAA1An－1三态控制信息单元(字)存储单元……………存储矩阵是存放信息的主体，它由许多存储单元排列组成。