单相半控桥式晶闸管整流电路设计

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单相半控桥式晶闸管整流电路设计

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2012年11月23日

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1 / 14 目 录

一、设计的根本要求2

1.1 设计的主要参数与要求：2

1.2 设计的主要功能2

二、总体系统的设计2

2.1 主电路方案论证2

2.2 主电路结构与其工作原理3

2.3 参数计算3

三、硬件电路4

3.1 系统总体原理框图4

3.2 驱动电路4

3.2.1 驱动电路方案4

3.2.2 驱动电路的设计5

四、电路元件的选择7

4.1 整流元件的选择8

4.1.1 晶闸管结构8

4.1.2 晶闸管的工作原理9

4.1.3 晶闸管的根本特性10

五、仿真模型与波形12

六、结语：13

七、参考文献：13 word

2 / 14 一、设计的根本要求

1.1设计的主要参数与要求：

设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz

2、输出功率：500W

3、移相X围0º~180º

1.2 设计的主要功能

单相桥式半控整流电路的工作特点是晶闸管触发导通，而整流二极管在阳极电压高于阴极电压时自然导通。单相桥式整流电路在感性负载电流连续时，当相控角α<90°时，可实现将交流电功率变为直流电功率的相控整流；在α>90°时，可实现将直流电返送至交流电网的有源逆变。在有源逆变状态工作时，相控角不应过大，以确保不发生换相〔换流〕失败事故。

二、总体系统的设计

2.1 主电路方案论证

方案一：单相半控桥式整流电路〔含续流二极管〕

单相桥式半控整流电路虽然具有电路简单、调整方便、使用元件少等优点，而且不会导致失控显现，续流期间导电回路中只有一个管压降，少了一个管压降，有利于降低损耗。

方案二：单相半控桥式整流二极管〔不含续流二极管〕

不含续流二极管的电路具有自续流能力，但一旦出现异常，会导致：一只晶闸管与两只二极管之间轮流导电，其输出电压失去控制，这种情况称之为“失控〞。失控时的的输出电压相当于单相半波不可控整流时的电压波形。在失控情况下工作的晶闸管由于连续导通很容易因过载而损坏。因为半导体本身具有续流作用，半控电路只能将交流电能转变为直流电能，而直流电能不能返回到交流电能中去，即能量只能单方向传递。

经过比拟本设计选择方案一含续流二极管的单相半控桥式整流电路能更好的达到设计要求。

word 3 / 14 2.2 主电路结构与其工作原理

单相桥式半控整流电路虽然具有电路简单、调整方便、使用元件少等优点，但却有整流电压脉动大、输出整流电流小的缺点。其使用的电路图如如下图2.1所示。

图2.1 主体电路结构原理图

在交流输入电压u2的正半周〔a端为正〕时，VT1和VD4承受正向电压。这时如对晶闸管VT引入触发信号，如此VT1和D1导通电流的通路为U2+→VT1→R→VD4→U2-。

这时VT1和VD4都因承受反向电压而截至。同样，在电压U2的负半周时，VD3和VT2承受正向电压。这时，如对晶闸管VT2引入触发信号，如此VT2和VD3导通，电流的通路为：U2-→VT2→R→VD3→U2+。

这时VT1和VD4处于截至状态。显然，与单相半波整流相比拟，桥式整流电路的输出电压的平均值要大一倍，即

2.3 参数计算

输出电压平均值：

Ud22cos1

输出电流平均值：

dI= Ud/R

流过晶闸管电流有效值：

IVT= dI/2

波形系数：

Kf= IVT/dI=2/2

word 4 / 14 三、硬件电路

3.1 系统总体原理框图

图 3.1 系统原理框图

图 3.2 波形原理图

3.2 驱动电路

3.2.1 驱动电路方案

方案一：采用专用集成芯片产生驱动信号。专用集成芯片对于整个系统来说非常好：集成度高，不易产生各种干扰；产生的驱动信号准确度高，更便于系统的准确度：简单、省事，易于实现。但是，专用集成芯片的价格比拟昂贵且不易word

5 / 14 购置；对于锻炼个人能力用专用芯片业很难达到效果。

方案二：采用LM339、ICL8083等构成的驱动电路虽然效果不是很好，但是它完全是硬件驱动，能更好的锻炼人的知识运用和能力的开发。

两个方案相比拟而言我选择方案二。

3.2.2 驱动电路的设计

晶闸管门极触发信号由触发电路提供，由于晶闸管电路种类很多，如整流、逆变、交流调压、变频等；所带负载的性质也不一样，如电阻性负载、电阻—电感性负载、反电势负载等。尽管不同情况对触发电路的要求也不同，但是其根本的要求却是一样的，具体如下

〔a〕触发信号应有足够的功率

这些指标在产品样本中均已标明，由于晶闸管元件门极参数分散性大，且触发电压、电流手温度影响会发生变化。例如元件温度为1000C时触发电流、电压值比在室温时低2—3倍；元件温度为-400C时触发电流、电压值比在室温时高2—3倍；为了使元件在各种工作条件下都能可靠的触发，可参考元件出厂的实验数据或产品目录，设计触发电路的输出电压、电流值，并留有一定的裕量。一般可取两倍左右的触发电流裕量，而触发电压按触发电流的大小来决定，但是应注意不要超过晶闸管门极允许的峰值功率和平均功率极限值。

〔b〕触发脉冲信号应有一定的宽度

—1ms，否如此在脉冲终止时主电路电流还未上升到晶闸管的擎住电流时，此时将使晶闸管无法导通而重新恢复关断状态。

单结晶体管原理单结晶体管〔简称UJT〕又称基极二极管，它是一种只有PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其符号和等效电如如下图3.3所示。 word 6 / 14

图 3.3 单结晶体管的符号和等效电路图

结晶体管的特性

从图一可以看出，两基极b1和b2之间的电阻称为基极电阻。

Rbb=rb1+rb2

式中：Rb1——第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。

假如在两面三刀基极b2，b1间加上正电压Vbb，如此A点电压为：

VA=[rb1/〔rb1+rb2〕]vbb=〔rb1/rbb〕vbb=ηVbb

式中：η——称为分压比，其值一般在0.3—0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图

图 3.4 单结晶体管的伏安特性

〔1〕当Ve〈ηVbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。

〔2〕当Ve≥ηVbb+VD VD为二极管正向压降〔约为0.7V〕，PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对应的word 7 / 14 发射极电压和电流，分别称为峰点电压Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb。

〔3〕随着发射极电流Ie的不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不再下降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压Vv和谷点电流Iv。

〔4〕过了V后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢的上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve〈Vv，管子重新截止。

单结晶体管的主要参数

〔1〕基极间电阻Rbb发射极开路时，基极b1，b2之间的电阻，一般为2-10千欧，其数值随温度的上升而增大。

〔2〕分压比η由管子内部结构决定的参数，一般为0.3--0.85。

〔3〕eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

〔4〕反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。

〔5〕发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。

〔6〕峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。

图 3.5 单结晶体管触发电路图 word 8 / 14 四、电路元件的选择

4.1 整流元件的选择

由于单相桥式半控反电动势、电阻负载电路主要器件是晶闸管，所以选取元件是主要考虑晶闸管的参数与其选取原如此。

4.1.1 晶闸管结构

晶闸管是大功率的半导体器件，从中体结构上看，可区分为管芯与散热器两大局部，分别如如下图4.1 (a)、(b)、(c)所示

(a)螺栓型 (b)平板型 (c)符号

图 4.1 晶闸管管芯与符号表示图

管芯是晶闸管的本体局部，由半导体材料构成，具有上个与外电路可以连接的电极：阳极A，阴极K和门极〔或控制极〕G。晶闸管管芯的内部结构如图4.2所示，是一个四层〔P1—N1—P2—N2〕三端〔A、K、G〕的功率半导体器件。它是在N型的硅基片〔N1〕的两边扩散P型半导体杂质层〔P1、P2〕，形成两个PN结J1、J2 。再在P2层内扩散N型半导体杂质层N2又形成另一个PN结J3。然后在相应的位置放置钼片作电极，引出阳极A，阴极K和门极G，形成了一个四层三段的大功率电子元件。这个四层半导体器件由于三个PN结的存在，决定了它的可控导通特性。

图 4.2 晶闸管内部结构图