南京航空航天大学 2003年电路 考研真题及答案
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南京航空航天大学-电工电子考研复习题(整理)(DOC)————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:第十四章半导体器件3007在PN 结中形成空间电荷区的正、负离子都带电,所以空间电荷区的电阻率( A )。
(a)很高(b) 很低(c)等于N 型或P 型半导体的电阻率11023型号为2CP10 的正向硅二极管导通后的正向压降约为( C )。
(a) 1V (b) 0.2 V (c) 0.6 V15039电路如图1 所示,已知U = 6V,u =18sintV,波形如图2,二极管正向导通时的压降可忽略不计,则二极管两端电压uD 的波形为图3 中()。
22061温度稳定性最好的稳压管是(A )。
(a) 稳定电压UZ = 6 V 的管子(b) 稳定电压UZ > 6 V 的管子(c) 稳定电压U < 6 V 的管子23064稳压管的动态电阻rZ 是指( B )。
(a) 稳定电压与相应电流IZ 之比(b) 稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值(c) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值24065动态电阻rZ 是表示稳压管的一个重要参数,它的大小对稳压性能的影响是(B )。
(a) rZ 小则稳压性能差(b) rZ 小则稳压性能好(c) rZ 的大小不影响稳压性能34084晶体管的主要特点是具有( B )。
(a) 单向导电性(b) 电流放大作用(c) 稳压作用35086如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( B )。
(a) 反向(b) 近似等于零(c) 不变(d) 增大36088 晶体管处于截止状态时,集电结和发射结的偏置情况为( B )。
(a)发射结反偏集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏,集电结反偏38091 晶体管的穿透电流ICEO 是表明( A )。