高速PCB设计指南2
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高速PCB设计指南2
高速pcbo指南
高速pcbo指南II
第一篇高密度(hd)路的o
本文介绍了B和s中的许多人认为晶圆模具的BGA密封B受到Y型sub-B产品所需的空g的限制
一可行的解q方案,它同rm足@些b品更高功能c性能的要求。y型b品的高密度路ob配工著想。
今天的R值正在推动霓虹草鱼子产品B、产品R、性能C、可靠性是第一个测试]。在@City_L中进行凿毛的用户必须注意B配置的效率,因为@喘振控制成本高。sub-b产品的技术GM步骤和}s性别的正b增长ω对高密度道路u施工方法的需求。O需要表面Nb、密集g距离和矢量密封B的EW路径ICR可能需要具有^和^密集g间距的高密度路面板。然而,展望未来,一些已经提供微旁路孔和序列MB板的公司正在投入大量的容量@
高密度子b品的_l者越碓绞艿因素的挑穑何锢恚}s元件上更密的引_g隔、力nb必很精密、和h境s多塑z封b吸潮,造成b配理期g的破裂。物理因素也包括安b工的}s性c最kb品的可靠性。m一步的政q定必考]b品⑷绾窝u造和b配o湫率。^脆弱的引_元件,如0〃50c0〃40mm0〃020″c0〃016″引_g距的sqfpshrinkquadflatpack,可能在so一持m的b配工合格率方面向b配<姨岢鲆挑稹w畛晒φ拈_l是那些已行工jc的路板o指引和工jc的焊p缀涡睢
在H环境中,焊接P基于所用sub-b零件的焊接类型。在可能的情况下,将P形与nκ焊接,使用Mei Mo为B感到羞耻,并以透明的方式工作。无论零件是安装在板的一侧,还是进行波峰、回流焊或其他焊接,PC零件的焊接尺寸应确保焊接CCZ为CM。然而,焊接局部放电外壳的尺寸为x,K受B的生存能力水平以及C、G、B或其他l零件的公差限制。就生物学特性而言,G在CWD病例中的R位置为P。
1、焊p的要求
H技术小组委员会tiecinternational ELETROTECH mission的61188收到Jr关于在新H腐蚀下焊接拐角或P凸l零件的不同术语。焊接P形钐以产生“Y”的基本方法:1)“基于I元素晶格的蚀刻,电路板的u制造和元素NB精度能力Y材料@一些焊接P形部件冲压特定部件,包括常规r焊接P形木材。
2)〃一些方程式可用砀淖o定的y,以_到一更健的焊接b接,@是用於一些特殊的情r,在@些情r中用於nb或安bo浔仍q定焊pr所假o的精度有或多或少的差e。 用于NB n-引用uuu或元件端子的焊接P确定最大、中等和最小材料R。除非另有规定,@⑺ 有三个“希望项目”和一个、两个或三个。
一:最大-用於低密度b品用,“最大”焊pl件用於波峰或流雍附o引_的片钤件和有引_的翅形元件。@些元件以及向鹊摹澹省逍鸵_元件配置的缀涡羁梢
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手工焊接和回流焊提供了一个工作窗口。
二:中等-具有中等水平元件密度的b品可以考]裼眠@“中等”的焊p缀涡睢ecipc-sm-782屎副p缀涡罘浅o嗨疲所有元件型配置的中等焊p回流焊接工提供一健的焊接l件,k且o引_元件和翅形引_元件的波峰或流雍附犹峁┻m的l件。
三:最小值——元素密度高的产品B通常为Y型产品B。它可用于检查“最小”焊接P形涡流故障w钚“辅助P形涡流x检查”m适用于所有产品B。在钚的辅助P形钪之前,根据表中所示的L形钪的m行,使用产品B的限制。
在ipc-sm-782中所提供的以及在iec61188中所配置的焊p缀涡接{元件公差和工怠km然在ipc手械暮副p已使用者的多笛b配用提供一健的介面,但是一些公司已表示了裼米钚『副p缀涡畹男枰,以用於y型子b品和其他特的高密度用。
H焊接P(IEC 61188)t解决了对更高零件密度的要求,K为特殊类型B@提供了焊接P涡流。这些y的目的是提供M表面上Nb焊接P的尺寸、形状和凸度差,以确保CM焊接角a的足够面积,并允许s@一些Z检查,焊接的y和返工C.D I.表I和表I中描述的典型三个焊缝P:最大焊缝P(I)、中等焊缝P(II)和最小焊缝P(III)。
d一、端子的、矩形容c阻元件的iec士梢圆煌以m足特殊b品用
焊接P特性:最大一个中等两个最小三趾焊接P突出0.60.40.2_uuuuuuu跟焊P突出0.00.00.0 let-焊接P突出0.10.00.0_uuuuuuuu井n体积:0.50.250.05
a整因素最近0.5最近0.05最近0.05
表I.矩形C方形端部组件(陶瓷电容C电阻)(I:mm)
焊接c的_趾、_跟和让a角必υ件、路板和nb精度偏差的公差平方和。如d二所示,最小的焊接c或焊p突出是s著公差刀增加的(表二)。
二、元件的IEC确定了三种可能的充分应用
焊p特性最大一中等二最小三_趾-焊p突出0.80.50.2_跟-焊p突出0.50.350.2让-焊p突出0.050.050.03_井n量0.50.250.05 最近的0.5,最近的0.05,最近的0.05
表二、平l形c翅形引_
(g)距离大于0.625mm(I:mm)
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高速pcbo导轨
如果@些焊p的用粝mnb和焊接o溆幸更健的工l件,那麽分析中的e元素可以改到新的所希望的尺寸l件。@包括元件、板或nb精度的u散,以及最小的焊接c或焊p突出的期望(表3,4,5和6)。
焊接P所用的外形公差方法与部件C类似。所有焊接P公差均为γ。焊接P在最大尺寸下提供a的焊接PD形状。蜗壳和蛤蜊的区别在于减小了焊接P的尺寸,从而获得了焊接C形成的小区域。孔的尺寸很容易从11到y。焊接P是交叉韧性o极限的最大C和最小尺寸。当手动校准尺寸时,允许修整和进给差动表面清洁对P的o极限尺寸和最大C和最小尺寸。焊缝P的最大尺寸R和y可以是最小可接受焊缝P的G间距G;相反,在其最小尺寸R和y下,焊缝P可能是最小的可接受焊缝P,需要确保可靠的焊接C@这些o限制允许s判断P的L件通过/失败。
假o焊p缀涡钍钦_的,k且路y的最k都m足所有定剩焊接缺陷可以p少;管如此,焊接缺陷可能由於材料c工刀l生。密g距finepitch_l焊p的o者必建立一可靠的焊接b接所要求的最小_尖c_跟,以及在元件封b特徵上允s最大c最小或至少的材料l件。
表三J形导轨(mm)
焊p特性最大一中等二最小三_趾-焊p突出0.20.20.2_跟-焊p突出0.80.60.4让-焊p突出0.10.050.0_井n量1.50.80.2
最近的0.5,最近的0.05,最近的0.05
表四、a柱形端子(melf)(挝:mm)
焊接P特性:最大一个中等两个最小三趾焊接P突出1.00.40.2_uuuuuu跟焊P突出0.20.10.0 let-焊接P突出0.20.10.0_uuuuuuuu井n体积:0.20.250.25
a整因素最近0.5最近0.05最近0.05
表v.仅底部表面的端子(I:mm)
焊p特性最大一中等二最小三_趾-焊p突出0.20.10_跟-焊p突出0.20.10让-焊p突出0.20.10_井n量0.250.10.05 最近的0.5,最近的0.05,最近的0.05
表六、认l形钜_(挝:mm)
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焊接P特性:最大一个中等两个最小三趾焊接P突出0.10.10.0_uuuuuu跟焊P突出1.00.50.2 let-焊接P突出0.10.10.1_uuuuuu井n体积:0.50.250.05
a整因素最近0.5最近0.05最近0.05
2、 bgaccap
bga封b已l展到m足f在的焊接安b技g。塑zc陶瓷bga元件具有相v泛的接|g距(1〃50,1〃27和1〃00mm),而相χ言,晶片模的bga鸥耖g距0〃50,0〃60和0〃80mm。bgac密g距bga元件烧呦於密g距引_框架封b的ic都不容易p模k且bga试试sx裥缘p少接|c,以m足特殊的入/出(i/o)要求。bga元件建立接|c丫趾鸵排列r,封b_l者必考]晶片o以及晶片k的尺寸和形睢t诩夹g引排列r的另一要面φ}是晶片的方向晶片模m的焊p向上或向下。晶片模m“面朝上”的y通常是供商正在使用cob(chip-on-board)(炔迤鳎┘夹gr才裼玫摹
@engineering I-C指南中未规定部件制造及其u制造中使用的材料y。每个美国制造商都有(2)d(2)X的使用。例如,消费者MB产品可能有一个阶段α,因此有必要在坟墓中使用玫瑰或鳗鱼。从u型BGA的X射线系统中取Q,我们可能需要使用反向B芯片或引线键合技术G。因为芯片安全性by是一种材料,芯片m和B座通常以W为中心,字母芯片m焊接P进入球的排列力矩。
在文件中述的鸥耜列封b外形在jedec的95出版物中提供。方形bga,jedecms-028定x一n^小的矩形塑zbga元件e,接|cg隔1〃27mm。矩元件的的外形格允s很大的`活性,如引_g隔、接|c矩丫峙c造。jedecmo-151定x各n塑z封b的bga。方形廓覆w的尺寸模贰ǎ埃50〃0,三n接|cg隔-1〃50,1〃27和1〃00mm。
球头| C可以是我的坏人问胡椒头晕排C。C列中有p祈祷,但必须保持φ密封B形ψq的排列。然而,每个组件u的制造商允许s在特定域p中连接小于|C的连接。
3、晶片模的bga
最近的jedecbga指南提出,许多物理Nuo Yu K Feng B供应商提供“延迟死亡和减少驱逐”的活动。jedecjc-11γ批准的第一个距离元件E的文件是一系列y形方形密封件B,带有基本的0〃50mmg距离连接C排列。 封b尺寸模础ǎ埃21〃0mm,的高度(定x“薄的廓”)限制到馁nb表面最大1〃20mm。下面的例子代表淼士]的一些其他怠
球g距离C球大小14阴影路径效率。许多公司都有x低I/O型号,这很危险ǎ消除切割g距离ǎ大球g距离可能是ω}S的印刷电路板(PCB)技术g需要的最有用的k距离。
0〃50mm的接|c排列g隔是jedec推]最小的。接|c直揭定0〃30mm,公差最小0〃25、最大0〃35mm。可是大多裼茫啊ǎ担埃恚黹g距
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BGA使用14来抓取路面下表面。直接付款≈ 晶粒ǎP对的G的G间隔只有B与0〃08mm(0〃003〃)的路径相连。(16) S和N | C子培训周的来源和接地,@supportεLimited B paxinding的磁导率@这些高I/O齿轮使用焊盘上的通孔技术g,该技术更可能被q固定在多重打印的焊接P上。
4、考]封b技g
构件的H-C阳台和桥梁的C-seal B的尺寸为}。高密度和高I/O的密封技术首先必须满足环境的需要。例如,那些使用陶瓷或C衬底u制成的插入层y不能与硅片的形状紧密匹配。元件周围引线接头底座g的相互b必须流向h形滑轨,该滑轨允许盒和材料拉动*密封,该滑轨可以以硅片模具Mα的形状清楚地标记