《晶体管放大电路》练习题及答案

第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。

主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。

（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。

PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。

2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为：B C E I I I +=② 工作于放大状态时B C I βI ≈B E )1(I βI +≈其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。

对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。

对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。

(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。

此时，各电极电位之间的关系：NPN管U C＞U B＞U EPNP管U C＜U B＜U E硅管的BEU约为0.2~0.4V。

U约为0.6~0.8V，锗管的BE3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。

(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。

(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。

当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0;当三极管工作在______区时，UCE≈0。

2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。

3、晶体三极管有两个PN结，即________和________，在放大电路中________必须正偏，________反偏.4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________,β值随温度升高而________。

5、硅三极管发射结的死区电压约为________V，锗三极管发射结的死区电压约为________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________V，锗三极管发射结的导通电压约为________V。

6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________.7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。

8当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。

9、（2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为, , 三种.10、(2-1,低）三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

11、(2—1，中）三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。

12、（2—1，低)为了使放大电路输出波形不失真，除需设置外,还需输入信号。

13、（2—1，中）为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真,应调R B,使其，则I B，这样可克服失真。

14、（2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

放大电路考试题及答案一、填空题（每题2分，共20分）1. 放大电路中，信号源的内阻与输入电阻不匹配时，将导致输入信号的______。

2. 共发射极放大电路的放大倍数Av与集电极电流Ic和晶体管的电流放大倍数β之间的关系是Av=β*Ic/______。

3. 在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压相位______。

4. 为了提高放大电路的稳定性，通常会在晶体管的基极和发射极之间加入一个______。

5. 放大电路中的负反馈可以减小非线性失真，提高电路的______。

6. 差分放大电路的主要作用是放大两个输入信号之间的______。

7. 运算放大器的开环增益通常非常大，这意味着其差模输入阻抗很高，共模抑制比很高，且输出阻抗______。

8. 为了减少放大电路的噪声，可以采用______技术。

9. 放大电路的带宽是指电路能够放大信号的频率范围，通常用______来表示。

10. 放大电路的静态工作点可以通过调整偏置电阻来设置，以确保晶体管工作在______区。

二、选择题（每题3分，共30分）1. 下列哪个不是放大电路的组成部分？A. 电源B. 信号源C. 负载D. 滤波器2. 在共基极放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系是？A. 同相B. 反相C. 无关系D. 以上都不是3. 负反馈对放大电路的影响不包括以下哪一项？A. 降低增益B. 提高稳定性C. 增加非线性失真D. 扩展带宽4. 差分放大电路不能放大的信号类型是？A. 差模信号B. 共模信号C. 交流信号D. 直流信号5. 运算放大器的理想特性不包括以下哪一项？A. 无限输入阻抗B. 零输出阻抗C. 有限开环增益D. 无限带宽6. 为了提高放大电路的输入阻抗，可以采用哪种配置？A. 共发射极B. 共集电极C. 共基极D. 以上都不是7. 放大电路的输出阻抗主要取决于哪个部分？A. 输入级B. 输出级C. 电源D. 负载8. 放大电路的带宽与以下哪个参数无关？A. 晶体管的截止频率B. 电路的增益C. 电源电压D. 负载电阻9. 放大电路的静态工作点设置不正确可能导致以下哪种情况？A. 截止失真B. 饱和失真C. 线性放大D. 以上都不是10. 放大电路中的负反馈通常采用哪种类型？A. 串联反馈B. 并联反馈C. 串联-并联反馈D. 以上都不是三、简答题（每题10分，共50分）1. 简述放大电路中负反馈的作用及其对电路性能的影响。

第七章晶体管放大电路习题一、填空题1、放大器在__________的状态称为静态，放大器在_________状态成为动态。

2、放大器根据输入回路和输出回路的所公用三极管电极不同，有__________、__________和__________三种基本接。

3、多级放大器各级之间采用的耦合方式有______________、______________、______________三种。

4、射极输出器就是共__________电路，它的主要特点是电压放大倍数约等于_____，且输出电压与输入电压________相。

5、画放大电路的直流通路时，把电容看成____________，画放大电路的交流通路时，把电容和内阻小的电源看成______________。

6、某多级放大器，第一级的电压放大倍数为50，第二级的电压放大倍数为40，第三级的电压放大倍数为50，则总的电压放大倍数为_________。

7、三极管的输出特性分为三个区域，当三极管工作于__________时，IC≈0；当三极管工作于_________区时，关系式IC =βIB 才成立；当三极管工作在_________区时，VCE≈08、运算放大器是一种_____放大倍数的__________放大器。

9、理想集成运放电路中，开环电压放大倍数为__________，输入阻抗为__________，输出阻抗为__________。

（填∞或0）10、运算放大器的反相输入端（标记“-”端），指当信号从该端输入时，经放大后的输出电压与输入信号_____相。

11、理想运放的两个重要结论是一是“虚短”，即两输入端的电位__________，二是“虚断”，即两输入断的电流_____________。

12、在放大电路中，从__________取出部分或全部已被放大的信号再回送到__________叫做反馈。

13、当反馈信号使净输入信号增强时成为__________反馈，使净输入信号减弱时称为__________反馈。

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

一、单选题1、晶体管能够放大的外部条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏正确答案：B2、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。

则该管的 为（）。

A.60B.100C.50D.40正确答案：A3、温度升高，晶体管输入特性曲线（）。

A.左移B.右移C.不变D.无法判断正确答案：A4、当晶体管的集电极电流I C>I CM时，下列说法正确的是（）。

A.晶体管一定处于饱和状态B.晶体管一定被烧毁C.晶体管的 一定减小D.晶体管的P C>P CM正确答案：C5、测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管（）。

A.已损坏B.处于饱和状态C.截止状态D.放大状态正确答案：A6、对于电压放大器来说，（）越小，电路带负载的能力越强。

A.输入电压B.输入电阻C.电压放大倍数D.输出电阻正确答案：D7、一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压u i的幅度时，输出电压u o的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应（）。

A.减小R BB.减小V CCC.增大R CD.减小R C正确答案：D8、晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β=50。

试分析电路中晶体管的工作状态。

（）A.截止B.饱和C.放大D.倒置正确答案：C9、在放大电路中，直流负反馈可以（）。

A.稳定电路的静态工作点B.提高放大电路的输入电阻C.提高晶体管电流放大倍数的稳定性D.提高放大电路的放大倍数正确答案：A10、已知图示放大电路中的R B=100kΩ，R C=1.5kΩ，V CC=12V,晶体管的β=80，V BE=0.6V。

那么，该晶体管处于何种状态？（）A.饱和状态B.放大状态C.无法判断D.截止状态正确答案：A11、已知图示放大电路中的R B=100kΩ，R C=1.5kΩ，V CC=12V,晶体管的V BE=0.6V。

放大电路试题及答案一、选择题1. 放大电路的基本功能是什么？A. 信号的放大B. 信号的滤波C. 信号的调制D. 信号的解调答案：A2. 以下哪种放大电路不是基本的放大电路类型？A. 共射放大电路B. 共集放大电路C. 共基放大电路D. 共阻放大电路答案：D二、填空题1. 放大电路的增益是指输出信号与______的比值。

答案：输入信号2. 理想运算放大器的输入电阻是______。

答案：无穷大三、简答题1. 简述共射放大电路的工作原理。

答案：共射放大电路是一种使用NPN或PNP晶体管的放大电路，其中发射极与输入信号相连，集电极与输出信号相连，基极用于控制晶体管的导电状态。

当基极电压增加时，晶体管导电能力增强，从而放大输入信号。

四、计算题1. 假设有一个共射放大电路，其晶体管的β值为100，输入信号电压为10mV，求输出信号电压。

答案：由于晶体管的β值为100，即电流增益为100，输入信号电流为10mV / V_BE（V_BE是晶体管的基极-发射极电压，通常为0.7V），则输出信号电流为100 * (10mV / 0.7V)。

假设集电极电阻为R_C，则输出信号电压为I_C * R_C，其中I_C是输出信号电流。

五、分析题1. 分析共集放大电路与共射放大电路在信号放大方面的主要差异。

答案：共集放大电路和共射放大电路的主要差异在于信号的放大方式和应用场景。

共集放大电路通常用于电压跟随器，其电压增益接近1，但电流增益较高，适用于电流放大。

而共射放大电路则具有较高的电压增益和较低的电流增益，适用于电压放大。

此外，共射放大电路的输入阻抗较高，输出阻抗较低，适合作为信号源或驱动后续电路。