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270第10章综合测试题及参考答案10.1 综合测试题一1、（30分，每空2分）（1）硅半导体三极管三个电极相对于“地”的电压如图10.1.1所示，由此可判断该管的工作状态为 。
（2）图10.1.2所示为某MOSFET 的转移特性，试判断该管属于何种导电沟道？ 是 增强型管还是耗尽型管？ 并确定开启电压V T 或夹断电压V P 的值 。
（3）某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2kΩ负载电阻后，输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为 。
（4）设图10.1.3所示电路中硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V 和8V ，正向压降均为0.7V ，则电路的输出电压V O = 。
T －6.2V－9V－6V 图 10.1.1图 10.1.2 －4 －2 －4 －2i /mAv GS /V+12V－+V O －D Z1D Z21kΩ图 10.1.4+ V O－+V I－R 1 5kΩ7805 2 32 1271（5）由三端集成稳压器W7805组成的电路如图10.1.4所示，当R 2=5kΩ时，电路的输出电压V O = 。
（6）设计一个输出功率为20W 的扩音机电路，若用乙类OCL 互补对称功放电路，则应选P CM 至少为 W 的功率管两个。
（2分） （7）当电路的闭环增益为40dB 时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开环增益为 dB 。
（8）图10.1.5所示电路中，T 1、T 2、T 3管特性相同，V BE1=V BE2=V BE3=0.7V ，β1=β2=β3且很大，试确定I REF = ，I C2= ，V 1－V 2= 。
（9）放大电路如图10.1.6所示，若将一个6800pF 的电容错接在b 、c 极之间，则其中频电压增益的绝对值│A vm │将 ，f L 将 ，f H 将 。
2、（12分）放大电路如图10.1.7所示。
设各电容均足够大，三极管的参数β1，β2，r be1，r be2，r ce2已知，并且V BE = 0.7V 。
习题题10-1 在图P10-1所示的单相桥式整流电路中，已知变压器副边电压U2＝10V(有效值)：图P10-1②工作时，直流输出电压U O(A V)=?②如果二极管VD1虚焊，将会出现什么现象？③如果VD1极性接反，又可能出现什么问题？④如果四个二极管全部接反，则直流输出电压U O(A V)=?解：①正常时工作时，直流输出电压U O(A V)=0.9 U2=9V②如果二极管VD1虚焊，将成为半波整流U O(A V)=0.45 U2=4.5V③如果VD1极性接反，U2负半周VD1、VD3导通，负载短路，产生极大的电流，造成二极管和变压器烧毁。
③如果四只二极管全部接反，则直流输出电压U O(A V)=－9V。
题10-2图P10-2是能输出两种整流电压的桥式整流电路。
（1）试分析各个二极管的导电情况，在图上标出直流输出电压U O(A V)1和U O(A V)2对地的极性，并计算当U21=U22=20V(有效值)时，U O(A V)1和U O(A V)2各为多少？（2）如果U21=22V，U22=18V，则U O(A V)1和U O(A V)2各为多少？（3）在后一种情况下，画出u o1和u o2的波形并估算各个二极管的最大反向峰值电压将各为多少？图P10-2解：（1）均为上“+”、下“-”。
即U O(A V)1对地为正，U O(A V)2对地为负。
均为全波整流。
U O(A V)1和U O(A V)2为：U O(A V)1=-U O(A V)2≈0.9U 21=0.9*20=18V（2）如果U 21=22V ，U 22=18V ，则U O(A V)1和U O(A V)2为U O(A V)1= -U O(A V)2≈0.45U 21+0.45 U 22=18V 。
（3）波形图如下：题 10-3 试分析在下列几种情况下，应该选用哪一种滤波电路比较合适。
① 负载电阻为1Ω，电流为10A ，要求S ＝10%；② 负载电阻为1k Ω，电流为10mA,要求S =0.1%；③ 负载电阻从20Ω变到100Ω，要求S =1%，输出电压U O(A V)变化不超过20%； ④ 负载电阻100Ω可调，电流从零变到1A ，要求S =1%，希望U 2尽可能低。
第一章测试1.P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A:对B:错答案:B2.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
A:错B:对答案:B3.由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
A:错B:对答案:A4.PN结外加反向电压，当电压绝对值增大时，空间电荷区变窄。
A:对B:错答案:B5.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。
A:对B:错答案:A第二章测试1.二极管的伏安特性曲线既描述了二极管正向特性和反向特性，又描述了二极管的反向击穿特性。
A:对B:错答案:A2.稳压二级管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态A:错B:对答案:B3.稳压二极管不允许工作在正向导通状态A:对B:错答案:B4.二极管的在交流等效为一个小电阻。
A:对B:错答案:A5.所有的二极管正向导通后压降都为0.7V。
A:对B:错答案:B第三章测试1.三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。
A:对B:错答案:A2.测出某三极管的共基电流放大系数A:错B:对答案:A3.a小于1，表明该管子没有放大能力。
A:错B:对答案:A4.由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
A:对B:错答案:A5.只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压vBE都为0.7V左右。
A:错B:对答案:A第四章测试1.三小信号模型是交流下用线性电路代替非线性伏安特性的过程A:错B:对答案:B2.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关A:对B:错答案:B3.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降A:对B:错答案:A4.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，输出电阻也减小A:错B:对答案:A5.共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大A:对B:错答案:B6.共集放大电路的电压放大倍数接近于1，与负载RL是否接通关系不大A:对B:错答案:A7.常用的稳定静态工作点的方法有直流负反馈法和温度补偿法A:对B:错答案:A8.共基极放大电路不具备电流放大能力A:错B:对答案:B第五章测试1.场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区A:错B:对答案:B2.N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正A:对B:错答案:A3.场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大A:错B:对答案:B4.场效应管是电压控制器件，iD=gmvGS这是个线性方程，所以它是线性器件A:错B:对答案:A5.结型场效应管和增强型绝缘栅型场效应管的转移特性中都有饱和漏极电流IDSSA:错B:对答案:A第六章测试1.场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大A:对B:错答案:A2.共漏放大电路电压放大倍数总是小于1A:对B:错答案:A3.场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQA:错B:对答案:A4.增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路A:对B:错答案:B5.共源放大电路不具备电压放大能力A:错B:对答案:A第七章测试1.如果要求各级静态工作点互不影响，可选用阻容耦合方式A:错B:对答案:B2.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式A:对B:错答案:B3.在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB、25dB、35dB，则三级放大电路总增益为80dB，折合为104倍A:错B:对答案:B4.单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半A:错B:对答案:B5.差分放大电路的输出信号电压值等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积。
习 题 1010.1 振荡电路与放大电路有何异同点。
振荡电路和放大电路都是能量转换装置。
振荡电路是在无外输入信号作用时，电路自动地将直流能量转换为交流能量；放大电路是在有外输入信号控制下，实现能量的转换。
10.2 正弦波振荡器振荡条件是什么？负反馈放大电路产生自激的条件是什么？两者有何不同，为什么？。
正弦波振荡电路的振荡条件为1=∙∙F A ，电路为正反馈时，产生自激的条件。
负反馈放大电路的自激条件为1-=∙∙F A ，电路为负反馈时，产生自激的条件。
10.3 根据选频网络的不同，正弦波振荡器可分为哪几类？ 各有什么特点？正弦波振荡电路可分为RC 正弦波振荡器，LC 正弦波振荡器和石英晶体振荡器。
RC 正弦波振荡器通常产生低频正弦信号，LC 正弦波振荡器常用来产生高频正弦信号，石英晶体振荡器产生的正弦波频率稳定性很高。
10.4 正弦波信号产生电路一般由几个部分组成，各部分作用是什么？正弦波振荡电路通常由四个部分组成，分别为：放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅网络。
放大电路实现能量转换的控制，选频网络决定电路的振荡频率，正反馈网络引入正反馈，使反馈信号等于输入信号，稳幅网络使电路输出信号幅度稳定。
10.5 当产生20Hz ～20KHz 的正弦波时,应选用什么类型的振荡器。
当产生100MHz 的正弦波时,应选用什么类型的振荡器。
当要求产生频率稳定度很高的正弦波时，应选用什么类型的振荡器。
产生20Hz~20KHz 的正弦波时,应选用RC 正弦波振荡器。
产生100MHz 的正弦波时,应选用LC 正弦波振荡器。
当要求产生频率稳定度很高的正弦波时，应选用石英晶体振荡器。
10.6 电路如图10.1所示，试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡，哪个不能振荡，并简述理由。
(a) 不能振荡，不满足正反馈条件；(b) 可能振荡，满足振荡条件。
图10.1 习题10.6电路图10.7 电路如图10.2所示：（1）保证电路振荡，求p R 的最小值；（2）求振荡频率的0f 的调节范围。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
