(完整版)电子技术基础习题答案
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1 第1章 检测题 （共100分，120分钟）
一、填空题：（每空0.5分，共25分）
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。
2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的
扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的
扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN结 形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 R×1K 档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳
极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为 场效应（MOS） 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。
8、MOS管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （错）
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）
3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （错）
4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致 ）
（错）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错） 2 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对）
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错）
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。 （错）
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错）
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错）
三、选择题：（每小题2分，共20分）
1、单极型半导体器件是（ C ）。
A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。
A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ C ）。
A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。
A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。
A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。
A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。
A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。
9、三极管超过（
C ）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM； B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；
C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）
A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏；
C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 3 四、简述题：（每小题4分，共28分）
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图1-29所示电路中，已知E=5V，tusin10iV，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=∞），试画出u0的波形。
答：分析：根据电路可知，当ui>E时，二极管导通u0=ui，当ui
4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？
答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。
5、图1-34所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。
答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U0=14V；
（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V；
（c）图：两稳压管反向串联，U0=8.7V；
（d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U0=0.7V。 图1-29
u/V
ωt 0
ui u0 10
5 4 6、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？
答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。
五、计算分析题：（共17分）
1、图1-31所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（8分）
（1）UCE=3V，IB=60μA，IC=？
（2）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？
（3）UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？ 图1-30 5 解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是截止区。
（1）观察图6-25，对应IB=60μA、UCE=3V处，集电极电流IC约为3.5mA；
（2）观察图6-25，对应IC=4mA、UCE=4V处，IB约小于80μA和大于70μA；
（3）对应ΔIB=20μA、UCE=3V处，ΔIC≈1mA，所以β≈1000/20≈50。
2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如图1-32所示，当
（1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？
（2）IB=50μA，UCE=5V，IC=？
（3）UCE=6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的？（9分）
解：（1）由（a）曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30μA，由(b)曲线查得IC≈3.6mA；
（2）由（b）曲线可查得此时IC≈5mA；
（3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中，ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知，ΔIC≈2.4mA，所以β≈2400/30≈80。
图1-32 IC (mA)
UCE (V) 10
8
6
4
2 100μA
80μA
60μA
40μA
20μA
IB＝0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
（b）输出特性曲线 （a）输入特性曲线 IB (μA)
120
80
60
40
20
UBE (V) 0 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 IC (mA)
UCE (V) 5
4
3
2
1 100μA
80μA
60μA
40μA
20μA
IB＝0
图1-31 0 1 2 3 4 5 6 7 8 A
B
C
