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目录Ⅰ历年考研真题试卷 (2)山东大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (2)山东大学2016年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (5)山东大学2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 (9)Ⅱ历年考研真题试卷答案解析 (12)山东大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (12)山东大学2016年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (21)山东大学2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 (29)Ⅰ历年考研真题试卷山东大学2015年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题科目代码：850科目名称：材料力学（专）（答案必须写在答卷纸上，写在试卷上无效）一、（15分）作图示梁的剪力图和弯矩图。
二、（15分）设圆截面钢杆受轴向拉力F=100kN,E=200GPa 。
若杆内的应力不得超过120MPa ，应变不得超过20001，试求圆杆的最小直径。
三、（15分）图示阶梯型圆轴，已知122d d =，若使梁端内单位长度的扭转角’ϕ相等，则12e e M M 的比值为多少？四、（15分）图示槽型截面悬臂梁，已知。
481002.1,70,10mm I m kN M kN F z e ⨯=⋅==试求梁的最大拉应力)(max max 为截面形心）和最大压应力（）（C c t σσ。
五、（18分）图示水平只教折杆受铅垂力F 作用。
已知AB 段的直径mm a mm d 400,100==,材料的GPa E 200=,25.0=υ，K 点轴向线应变401075.2-⨯= ε。
试按第三强度理论求该折杆危险点的相当应力3r σ六、（18分）空心圆轴的外径。
内径mm d mm D 160,200==在端部有集中力F ，作用点为切于圆周的A 点。
已知[]。
MPa m l kN F 80,5.0,60===σ试：（1）绘出危险点的应力状态；（2）按第三强度理论校核轴的强度。
物理学院《半导体物理》试卷一、名词解释（3’Ｘ10）1空穴：价带顶电子激发到导带底后带顶附近出现的空的量子态称为空穴。
波矢k态未被电子占据时，其它所有价带电子的导电行为，等效于一个带正电荷e，具有正有效质量m p 的准粒子的导电行为。
2间接带隙半导体：导带底与价带顶在不同k方向。
或间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中不同位置。
3. 施主杂质、施主能级：解：施主杂质：Ⅴ族原子向晶体提供多余不配对电子（电子可动），并同时成为带正电离子（不可动正电中心）的杂质。
或是在硅中掺入V族元素杂质（如磷P，砷As，锑Sb等）后，这些V族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的外层有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电子，这样一个V族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，把这种杂质称为施主杂质；若在硅中掺入III族元素杂质，（如硼B，铝Al，镓Ga，铟In等），这些III族杂质原子在晶体中替代了一部分硅原子的位置，由于它们的最外层只有3个价电子，在与硅原子形成共价键时产生一个空穴，这样一个III族杂质原子可以向半导体硅提供一个空穴，而本身接受一个电子成为带负电的离子，把这种杂质称为受主杂质。
4缺陷能级杂质能级解：实际半导体材料晶格中，存在着偏离理想情况的各种现象。
(1) 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动；(2)半导体材料并不是纯净的，而且含有若干杂质，即在半导体晶格存在着与组成半导体材料的元素不同的其它化学元素的原子；(3)实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷。
（a）点缺陷，如空位，间隙原子；（b）线缺陷，如位错；（c）面缺陷，如层错，多晶体中的晶粒间界等。
由于杂质和缺陷的存在，会使严格按周期性排列的原于所产生的周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级）--------杂质能级、缺陷能级。
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。
电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。
6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。
7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。
双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。
（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。
（填“>”、“<”或“=”）11、增加双极型晶体管的基区宽度将（）厄尔利电压，（）基极电阻，（）基区输运系数。
12、NMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。
当|V BS|增加时，其阈值电压将（）。
（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（）散射及电离杂质散射作用外，还会受到（）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（）体内载流子迁移率。
830-半导体物理
一、考试目的
《半导体物理》是微电子学与固体电子学硕士研究生入学考试的科目之一。
《半导体物理》考试要力求反映微电子硕士学位的特点，科学、公平、准确、规范地测评考生的基本素质和综合能力，以利于选拔具有发展潜力的优秀人才入学，为我国现代化建设事业与微电子产业的发展培养适应我国现代化建设的实际需求，德智体全面发展，掌握微电子学专业所必需的知识、理论和实验技能，能在微电子学及相关专业从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理及行政管理等工作的专门人才。
二、考试要求
测试考生对半导体物理的基本概念、基础知识的掌握情况和运用能力。
三、考试内容
1．半导体中的电子状态
1）半导体的晶格结构和结合性质
2）半导体中的电子状态和能带
3）半导体中电子的运动有效质量
4）半导体的导电结构空穴
5）回旋共振
6）硅和锗的能带结构
7）III-V族化合物半导体的能带结构
8）II-VI族化合物半导体的能带结构
2．半导体中杂质和缺陷能级
1）硅、锗晶体中的杂质能级
2）III-V族化合物中的杂质能级
3）缺陷、位错能级
3．半导体中载流子的统计分布
1）状态密度
2）费米能级和载流子的统计分布
3）本征半导体的载流子浓度
1。
