COMSOL软件特点
• 求解多场问题 = 求解方程组，用户只需选择或者自定义不同专业的偏微分方程进行任意组合便可轻松实现多物理场的直接耦合分析。
•
完全开放的架构，用户可在图形界面中轻松自由定义所需的专业偏微分方程。
• 任意独立函数控制的求解参数，材料属性、边界条件、载荷均支持参数控制。
• 专业的计算模型库，内置各种常用的物理模型，用户可轻松选择并进行必要的修改。
• 内嵌丰富的CAD建模工具，用户可直接在软件中进行二维和三维建模。
• 全面的第三方CAD导入功能，支持当前主流CAD软件格式文件的导入。
• 强大的网格剖分能力，支持多种网格剖份，支持移动网格功能。
• 大规模计算能力，具备Linux、Unix和Windows系统下64位处理能力和并行计算功能。
• 丰富的后处理功能，可根据用户的需要进行各种数据、曲线、图片及动画的输出与分析。
• 专业的在线帮助文档，用户可通过软件自带的操作手册轻松掌握软件的操作与应用。
• 多国语言操作界面，易学易用，方便快捷的载荷条件，边界条件、求解参数设置界面。
能够独立于MATLAB运算的COMSOL Multiphysics软件系统为进一步改进软件提供了一个很好的基础和平台。COMSOL
Multiphysics提供了与市场上主流的CAD软件进行接口的直接界面。在已有的三角形、四面体网格划分模型基础上，又新增加
了四边形、六面体和棱柱体网格模型。为了更好地进行自动求解运算，COMSOL Multiphysics还提供了强大的运算求解能力。
COMSOL Multiphysics软件系统具备了在Linux、Solaris和HP-UX等系统下的64位处理能力，尤其是可以在AMD64/Linux
平台上进行64位计算。在一个系统上加入64位处理能力意味着COMSOL Multiphysics所能处理问题的规模比原来提高了至少10
到100倍。
• 通过COMSOL Multiphysics的多物理场功能，您可以选择不同的模块，同时模拟任意物理场组合进行耦合分析；
中仿科技公司
CnTech Co.,Ltd
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- 1 - 晶圆制程的多尺度和多物理场仿真
中仿科技公司（简称CnTech）是多物理场耦合分析软件COMSOL Multiphysics中国地区的独家代理商。本文基于东京电子股份有限公司（TEL）研发中心模拟晶圆制造工艺的成功故事，向大家介绍COMSOL
Multiphysics强大的多物理场耦合计算功能。
半导体晶圆的制造牵涉到大量的工艺，涵盖从米到纳米量级的多尺度和多物理场，经过对能够综合各种模拟环境的工具的寻找，最终定位于COMSOL Multiphysics。
- by Jozef Brcka of the TEL Technology Center (Albany, NY)
简介
对半导体制造过程的最优化设计，是一项艰巨的任务，因为需考虑很多因数对整体的影响。首先，在复杂的等离子环境下处理并加工材料和薄膜；其次，在制造工艺过程中，必须处理好流场和反应气体混合物，这对于静态或高频电磁场，以及中间态介质的耦合而言，都必须得到全面的考虑。以晶圆加工为例，放置晶圆的反应器的特征尺度通常是大于一米，同时还必须考虑到发生于纳米级的分子运动。更进一步地，工艺工程师和设计者感兴趣的时间尺度可从千分之一秒至数个小时。
在过去，由于对基础物理与化学现象未得到彻底的了解，晶圆的制造和工艺设备的设计大部分需依赖经验公式。纵使在各种研究机构中开发出专门的方程来执行模拟，但通常需要使用者精通这些工具，才能顺利地操作，况且这些方程通常也是通过简化几何或经验公式推导出来的。在建模不当的情况，要处理复杂的化学环境、热或电磁场问题，并预测出对工艺过程实际出现的情况，只能不断从错误中尝试，这样不仅耗费了大量的金钱，即使得到原理性的结果也需要相当长的时间。如果能够在数值模拟软件中建立正确的模型，则仅仅需要几天时间即可测试几十个案例，以最快的速度让新工艺上线。
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基于COMSOL的GEO航天器表面充电仿真模型
作者：武明志 朱基聪
来源：《科技创新导报》2017年第32期
摘 要：空间等离子体会对航天器产生严重的表面充电效应，对航天器的运行产生影响。本文采用有限元法，并根据粒子输运方程，借助COMSOL仿真软件对航天器表面充电现象进行三维仿真，建立与传统表面带电软件不同的全新模型。采用该模型对GEO等离子体环境下的航天器表面充电进行仿真，并与SPIS和NASCAP-2K软件的仿真结果进行对比分析，验证了本文提出模型的可行性与准确性，为表面充电模拟提供新的思路。
关键词：GEO 充电仿真 COMSOL
中图分类号：V41 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2017）11（b）-0007-05
空间环境效应是影响航天器在轨安全运行的一个重要因素，其中，航天器表面充电效应是典型的空间环境效应之一。航天器表面充电是指航天器与空间等离子体环境相互作用，各种电荷在航天器表面累积的结果。当航天器相邻结构或部件、不同材料之间、结构表面与背面之间的电位差达到或超过击穿阈值时，将发生静电放电。静电放电能够降低表面材料的性能，对航天器电子设备造成逻辑干扰与破坏等，严重时能导致整个航天器的瘫痪[1]，造成不可估量的损失。
仿真与研究航天器表面充电的方法基本都围绕着表面电荷平衡方程展开，并衍生出了若干表面充电三维仿真分析软件，其中以NASCAP-2K、SPIS以及MUSCAT较为出名[2]。NASCAP-2K为NASA所开发，通过综合计算航天器表面各种电流分布以模拟航天器表面充电，并只对美国境内的科研院所开放。SPIS为欧空局所开发，基于粒子分室算法（PIC，particle-in-cell）对航天器表面各种粒子的综合作用进行迭代计算，尽管SPIS对外开源，但是由于其所用物理参数较多而使用介绍又比较简单，使用者往往需要经过专门培训才能达到很好的使用掌握。MUSCAT是日本宇航局自研自用的一个充电仿真软件。
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