电子科技大学2014年《818固体物理》考研专业课真题试卷
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电子科技大学2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:818 固体物理注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。
电子科技大学2009 年硕士研究生入学 818 固体物理试题答案一、简答题1、同 2007、二、12、同 2006、三、13、晶体:排列长程有序,具有周期性和平移对称性;准晶体:排列短程有序,具有周期性和平移对称性非晶体:排列短程有序,长程无序;单晶体:整块晶体材料中原子都是规则的周期性重复排列,一种结构贯穿整体;多晶体:大量微小单晶(晶粒)随机堆砌而成的整块材料4、同 2005、二、45、倒格子的一个点代表了晶格中的一族晶面;正格子单位为 m,表示位置空间,倒格子单位 m-1,表示状态空间。
6、同 2007、二、47、同 2004、一、48、同 2006、三、49、同 2005、二、310、物理意义:概括了晶体内部势场的作用,是外力与加速度的一个比例系数,是状态波矢k 的函数;用处:使电子加速度和外力满足非常简单的关系,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及到半导体内部势场的作用,为分析电子在外力唱中的运动带来方便。
二、同 2005、三三、解:(1)由定义得:bb1���⃗=2ππΩΩ(aa2����⃗∗aa3����⃗)=2ππaa ii⃗+2ππ√3aa jj⃗bb2����⃗=2ππΩΩ(aa3����⃗∗aa1����⃗)=−2ππaa ii⃗+2ππ√3aa jj⃗bb3����⃗=2ππΩΩ(aa1����⃗∗aa2����⃗)=2ππcc kk�⃗其中Ω=aa1�����⃗·(aa2����⃗ⅹaa3����⃗)=√3ccaa22(2)第一布里渊区体积即为倒格子体积ΩΩ∗·Ω=8π3于是得到ΩΩ∗=16π3√3ccaa2四、同2005、六五、六、同2004、五七、同2008、五八、类似2008、六电场强度为E,设电量为e,则eE即为电子受力F,则周期T=2ππℏFFaa。
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:832 微电子器件注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题(共48分,每空1.5分)1、PN结二极管用途广泛,在作为变容二极管使用时,主要利用其()向偏置的()电容;在作为温度传感器使用时,主要利用其正向导通压降会随温度的升高而()。
2、一个P+N型的二极管,电子和空穴的寿命分别为τn和τp,在外加正向直流电压V1时电流为I1,当外加电压反向为-V2时,器件会经历一段反向恢复过程,这主要是由正向导通时存储在()型中性区中的非平衡少子造成的,该非平衡少子的总量为()。
3、防止PN结发生热击穿,最有效的措施是降低器件的()。
同时,禁带宽带越()的半导体材料,其热稳定性越好。
(第二个空填“大”或“小”)4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重,其厄尔利电压越(),共发射极增量输出电阻越()。
(填“大”或“小”)5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB,则1/τB表示的物理意义为(),因此τb/τB可以表示()。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中()的控制能力。
栅氧化层越厚,则S越(),该控制能力越()。
(第二个空填“大”或“小”,第三个空填“强”或“弱”)7、当金属和P型半导体形成金-半接触时,如果金属的功函数大于半导体的功函数,半导体表面将形成(),该结构()单向导电性。
(从以下选项中选择)A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页,第1页8、MOSFET的跨导是()特性曲线的斜率,而漏源电导是()特性曲线的斜率。
在模拟电路中,MOSFET一般工作在()区,此时理想情况下漏源电导应为零,但实际上由于()和(),漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构,是为了降低漏端附近的电场强度,从而抑制()效应,防止器件电学特性退化。
电子科技大学硕士研究生入学考试818固体物理历年真题及参考答案汇编2汇编1包含年份:1997、2001、2002、2003、2004、2005、2006、2007、2008 汇编2包含年份:2009、2010、2011、2012、2013、2014、2015、2016*2016年以后官方不再公布真题*真题和答案均无缺失,全部收录电子科技大学2009年硕士研究生入学818固体物理试题答案一、简答题1、同2007、二、12、同2006、三、13、晶体:排列长程有序,具有周期性和平移对称性;准晶体:排列短程有序,具有周期性和平移对称性非晶体:排列短程有序,长程无序;单晶体:整块晶体材料中原子都是规则的周期性重复排列,一种结构贯穿整体;多晶体:大量微小单晶(晶粒)随机堆砌而成的整块材料4、同2005、二、45、倒格子的一个点代表了晶格中的一族晶面;正格子单位为m,表示位置空间,倒格子单位m-1,表示状态空间。
6、同2007、二、47、同2004、一、48、同2006、三、49、同2005、二、310、物理意义:概括了晶体内部势场的作用,是外力与加速度的一个比例系数,是状态波矢k的函数;用处:使电子加速度和外力满足非常简单的关系,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及到半导体内部势场的作用,为分析电子在外力唱中的运动带来方便。
二、同2005、三三、五、共 3 页 第 1 页电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:818 固体物理注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题 (共30分,每空1分)1、立方ZnS 晶体为闪锌矿结构,它属于 ① 晶系的 ② 晶胞,立方ZnS 的结晶学原胞包含 ③ 个Zn 原子和 ④ 个S 原子,立方ZnS 的固体物理学原胞包含 ⑤ 个Zn 原子和 ⑥ 个S 原子。
2、若某晶面在三个基矢上的截距分别为3,2,-1,则该晶面的晶面指数为 ① ,晶向32132a a a R r r r r +−=的晶向指数为 ② 。