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光刻机的原理与操作流程详解光刻技术作为半导体工业中至关重要的工艺，在集成电路制造中扮演着至关重要的角色。
光刻机作为实现光刻技术的关键设备，被广泛应用于芯片的制造过程中。
本文将详细介绍光刻机的原理与操作流程，以帮助读者更好地理解和了解光刻机的工作原理。
一、光刻机的原理光刻机是一种利用光能进行图案转移的装置。
它通过使用光敏感的光刻胶将图案投射到硅片或光刻板上，实现超高精度的图案复制。
光刻机的主要原理包括光源、掩模、透镜系统和光刻胶。
1. 光源：光刻机所使用的光源通常为紫外光源，如汞灯或氙灯。
它们产生的紫外光能够提供高能量的辐射，以便更好地曝光光刻胶。
2. 掩模：掩模是光刻机中的关键元件，它是一种具有微细图案的透明光学元件。
掩模上的图案会通过光学系统和光刻胶传递到硅片上。
掩模的制作过程需要通过电子束、激光或机械刻蚀等技术实现。
3. 透镜系统：透镜系统主要用于控制光束的聚焦和对准，确保图案的精确转移。
光刻机中常用的透镜系统包括凸透镜和反射式透镜。
4. 光刻胶：光刻胶是光刻机中的光敏材料，它的主要作用是在曝光后进行图案的传递。
光刻胶的选择需要根据不同的曝光要求和工艺步骤来确定。
光刻机利用以上原理，通过精确的光学系统和光敏材料，将图案高度精细地转移到硅片上，实现芯片制造中的微细加工。
二、光刻机的操作流程光刻机的操作流程主要包括准备工作、图案布置、曝光和清洗等步骤。
下面将详细介绍这些步骤。
1. 准备工作：首先，操作人员需要检查光刻机的状态，确保所有设备和系统正常运行。
接着，将要制作的掩模和硅片进行清洁处理，确保表面干净并去除尘埃。
2. 图案布置：在光刻机中，需要将掩模和硅片进行对准，并确定需要曝光的区域。
通过对准仪器和软件的辅助，操作人员可以调整和校准掩模和硅片的位置，以确保图案的精确转移。
3. 曝光：一旦图案布置完成，操作人员可以启动光刻机进行曝光。
曝光过程中，光源会照射在掩模上，通过透镜系统聚焦后，将图案传递到光刻胶上。
光刻机参数1. 什么是光刻机？光刻机（Photolithography）是一种重要的微电子制造工艺，用于制造集成电路（IC）和其他微纳米器件。
它是将光敏材料（通常是光刻胶）涂覆在硅片上，并使用光刻机将图案投影到光敏材料上的过程。
通过光刻机的精确控制，可以在硅片上制造出微小而精确的结构，如晶体管、电容器和电阻器等。
2. 光刻机的工作原理光刻机主要由以下几个部分组成：•掩模（Mask）：用于制造所需图案的光刻掩膜。
•光源（Light Source）：产生紫外光或深紫外光。
•投影系统（Projection System）：将掩模上的图案投影到光敏材料上。
•光刻胶（Photoresist）：涂覆在硅片上的光敏材料。
•曝光台（Exposure Stage）：用于控制硅片和掩模的相对位置。
•控制系统（Control System）：用于精确控制光刻机的运行。
光刻机的工作流程如下：1.准备：将硅片清洗干净，并涂覆一层光刻胶。
2.对准：将掩模放置在光刻机上，并使用对准系统确保硅片和掩模的对准。
3.曝光：通过控制光源和投影系统，将掩模上的图案投影到光刻胶上。
4.显影：将硅片浸入显影液中，使未曝光的光刻胶被去除，形成所需图案。
5.检查：使用显微镜或其他检测设备检查硅片上的图案是否符合要求。
6.后处理：根据需要进行清洗、刻蚀或其他后处理步骤。
3. 光刻机参数光刻机的性能和参数对于制造高质量的微电子器件非常重要。
以下是一些常见的光刻机参数：3.1 分辨率（Resolution）分辨率是光刻机能够实现的最小特征尺寸。
它通常以“线宽”（Line Width）来表示，即最小线条的宽度。
分辨率越高，光刻机能够制造出更小、更精确的结构。
3.2 曝光剂量（Exposure Dose）曝光剂量是指在曝光过程中每单位面积所接受的光能量。
它对于控制光刻胶的曝光程度非常重要。
曝光剂量过高或过低都会导致图案的失真或模糊。
3.3 曝光能量均匀性（Exposure Energy Uniformity）曝光能量均匀性是指在曝光过程中光能量的分布均匀性。
光刻机介绍1000字光刻机（Lithography Machine）是一种用于制造集成电路（IC）和平板显示器（LCD）等微电子设备的关键工具。
它通过将光照射到光刻胶上，并通过光刻胶上的图案转移到芯片表面或显示器基板上来制造微细图案。
以下是对光刻机的详细介绍。
一、光刻机的工作原理光刻机主要由光源、光刻胶、掩膜、光刻机床和光刻机控制系统等组成。
其工作原理主要包括以下几个步骤：1. 准备工作：选择合适的光源，准备好光刻胶和掩膜。
2. 掩膜对准：将掩膜与基板对准，确保光刻胶上的图案与所需制造的图案一致。
3. 光照曝光：通过光源发出的光照射到光刻胶上，使光刻胶发生化学或物理性质的变化。
4. 显影：将光刻胶表面暴露出的图案通过显影液进行处理，使其形成所需的图案。
5. 转移图案：将光刻胶上的图案转移到芯片表面或显示器基板上。
6. 清洗：清洗光刻胶及废液等，准备进行下一次的光刻过程。
二、光刻机的分类根据光源的不同，光刻机可以分为紫外光刻机、深紫外光刻机和电子束光刻机等。
其中，紫外光刻机是目前最常用的光刻机。
1. 紫外光刻机：紫外光刻机主要使用紫外线作为光源，其波长通常为365nm或248nm，可以制造较大尺寸的芯片或显示器。
它具有成本低、速度快、生产效率高的优点，广泛应用于集成电路、LCD、MEMS等领域。
2. 深紫外光刻机：深紫外光刻机采用更短波长的紫外线光源，通常为193nm或157nm，可以制造更小尺寸、更高精度的芯片或显示器。
它具有更高的分辨率和更好的图案传输能力，适用于制造高密度集成电路和高分辨率液晶显示器等。
3. 电子束光刻机：电子束光刻机使用电子束作为光源，具有非常高的分辨率和图案传输能力，可以制造纳米级的微细图案。
然而，电子束光刻机的制造成本较高且速度较慢，主要应用于研究和开发领域。
三、光刻机的应用领域光刻机是集成电路和平板显示器制造过程中的关键工具，广泛应用于以下领域：1. 集成电路制造：光刻机用于制造集成电路的芯片，其中包括处理器、存储器、传感器等。
光刻机专题研究光刻机专题研究一、光刻机：芯片制造的支柱设备光刻定义：将掩膜板上的图形曝光至预涂了光刻胶的晶圆表面上。
光刻胶受到照射的部分，将发生化学变化，从而易溶于显影液。
光刻机是芯片制造的支柱设备，一般分为准直透镜系统、掩膜板对准系统、曝光系统等。
光刻机设备的核心零部件包括光源、镜头以及精密结构等。
光刻行业的关键定理——瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)。
CD为关键尺寸，为了降低CD，有三种方式：（1）降低波长λ；（2）提高镜头的数值孔径NA；（3）降低综合因素k1。
生产参数：（1）分辨率：可达的最小光刻图形尺寸；（2）套准精度：图形尺寸在亚微米数量级上，套刻误差在特征尺寸10%；（3）产率：对给定掩膜板，每小时能曝光的晶片数量。
光刻机演变史，目前以步进式为主，EUV应用于先进制程。
光刻机在1985年之前，以g线（436nm）为主；1985年以后，出现少量i线（365nm）光刻机；1990年开始出现DUV光刻机；踏入21世纪，193nm的深紫外线开始使用。
13.5nm的EUV在近十年兴起，应用于先进制程。
光刻机从分类方式的演变，从接触式向接近式，最后演变成步进式为主。
EUV的高分辨率大幅降低重复曝光所需要的沉积、刻蚀等工艺步骤。
利用ArF的193nm光源从1990年出现，然而在进一步推进更短波长的157nm受到技术阻碍，镜片和光刻胶都需要重新研制，因此当时成本更低的浸入式193nm技术通过改良的方案成为了主流。
在水中193nm的光波长这射程134nm，通过不断提升NA的方法，并重复曝光，一直用到了7m。
直到13.5nm 波长的EUV成功商用，大幅提升了光刻机分辨率。
同样的7nm 工艺，使用EUV技术后，晶体管密度和性能都更好。
TSMC7nmEUV （N7+）工艺比7nm工艺提升20%的密度、10%的性能或降低15%的功耗。
在光刻机曝光下，光刻胶（未）被曝光的部分将溶于显影液，从而实现将图形从掩膜板转移至光刻胶，并在后续的刻蚀环节将图形进一步转移至薄膜。
光刻机的高精度原理
光刻机是芯片制造过程中最为关键的设备之一，它的高精度原理主要涉及以下几个方面：
1. 光学原理：光刻机利用光学原理将芯片的电路图投影到硅片上。
通过一系列的透镜和反射镜，将光源发出的光束聚焦到硅片上，形成细微的电路图案。
2. 光刻技术：光刻技术是光刻机实现高精度的核心。
它包括光刻胶涂布、光刻曝光、光刻显影等一系列工艺步骤。
光刻胶是一种光敏材料，在受到光照后会发生化学变化。
通过控制光刻胶的曝光时间和强度，可以在硅片上形成不同形状和尺寸的电路图案。
3. 纳米技术：光刻机的高精度还得益于纳米技术的应用。
纳米技术是指在纳米尺度上进行材料、器件和系统的设计、制造和应用的技术。
在光刻机中，通过控制光束的波长和强度，可以实现对电路图案的纳米级精度控制。
4. 自动控制技术：光刻机的高精度要求设备具备极高的稳定性和重复性。
因此，光刻机采用了一系列的自动控制技术，如自动对焦、自动对准、自动曝光等，以确保设备的稳定性和加工精度。
5. 先进的光学系统：光刻机通常采用先进的光学系统，如反射式光学系统或折射式光学系统，以提高光的利用效率和成像质量。
这些光学系统经过精心设计和优化，能够实现高精度的光刻。
综上所述，光刻机的高精度原理涉及光学原理、光刻技术、纳米技术、自动控制技术和先进的光学系统等多个方面的综合应用。
这些技术的协同作用使得光刻机能够在芯片制造过程中实现极高的精度和分辨率，从而推动了半导体产业的发展。
光刻机基础知识
嘿，朋友们！今天咱就来聊聊光刻机基础知识！你可别小瞧这光刻机，它就像是一位超级魔法师，能在小小的晶片上变出无比复杂的图案。
光刻机啊，简单来说，就是能把我们设计的电路图案精确地“印”到晶片上，就像我们小时候盖印章一样，只不过这个印章超级精细！比如说，你手机里那些厉害的芯片，就是靠光刻机制造出来的。
你想想，没有光刻机，那可就完蛋了！我们的手机怎么能这么智能？电脑怎么能运行得这么快？这影响可太大了，不是吗？
光刻机的工作原理其实也不难理解。
就好比你要在一张纸上画一幅超级精细的画，你得有个超级厉害的工具才行。
光刻机里有光源，通过透镜等一系列复杂的操作，把光线精确地投射到晶片上，是不是很神奇？
而且啊，光刻机的技术那可是不断进步的！一代比一代厉害，越来越精细。
就像我们的手机，从以前的大块头到现在这么轻薄又强大，不就是靠这些技术进步嘛！
我曾经和一个搞科技的朋友聊过，他就特别强调光刻机的重要性，他说：“没有光刻机，科技发展就像少了条腿似的！”我觉得他说得太对了！
咱再说说光刻机的种类，有各种不同的类型，适应不同的需求。
这就跟
我们穿衣服一样，不同场合穿不同的衣服。
总之，光刻机就是科技领域的大功臣，没有它，我们的生活可就不一样啦！它绝对值得我们好好去了解和研究！现在你是不是对光刻机特别感兴趣了呢？。
光刻机概念板块
光刻机是一种用于半导体工艺制造的设备，主要用于将芯片电路图案转移到硅片上的过程。
下面是光刻机的概念板块的一些介绍：
1. 光源系统：光刻机的光源系统产生了用于光刻曝光的光线，通常是使用紫外线光源。
光源的稳定性和功率是确保曝光质量的关键因素。
2. 掩模系统：掩模是用于传递芯片电路图案到硅片上的光刻引导器。
掩模系统包括掩模盘、对位系统和掩模检查系统等部件，以确保掩模的准确位置和质量。
3. 对位系统：对位系统用于确保掩模与硅片的准确对位。
它通常使用激光干涉仪或其他精密测量设备进行对位校正，以保证曝光的准确性。
4. 曝光系统：曝光系统是将光源发出的光线通过掩模传递到硅片上的部分。
光刻机中常用的曝光方式包括步进式和连续式曝光。
步进式曝光逐步将掩模图案移动到不同的位置上，然后进行曝光；连续式曝光则是在整个硅片上进行连续的曝光。
5. 底片系统：底片系统用于支撑和固定硅片，以确保硅片在曝光过程中的稳定性和平整度。
6. 清洗系统：清洗系统用于清洗硅片和掩模，以去除曝光过程中产生的残留物，以确保曝光质量。
总的来说，光刻机的概念板块包括光源系统、掩模系统、对位系统、曝光系统、底片系统和清洗系统。
这些板块共同作用，确保光刻机能够准确地将芯片电路图案转移到硅片上，以实现半导体芯片的制造。
光刻机波长1. 什么是光刻机？光刻机是一种用于制造集成电路的关键设备，主要用于将电子设计图案转移到硅片上。
它利用紫外光（UV）照射光刻胶，然后通过化学处理来形成微细图案。
2. 光刻机的工作原理光刻机的工作原理可以简单地描述为以下几个步骤：2.1 掩膜制备在进行光刻之前，需要制备一个掩膜（mask），它类似于一个模板，上面有所需的芯片图案。
掩膜通常由玻璃或石英材料制成，上面涂有一层金属或氧化物。
2.2 光源和波长选择在进行曝光之前，需要选择适当的波长和光源。
波长决定了曝光时能够透过掩膜的最小特征尺寸。
通常使用紫外线（UV）作为曝光源，其波长通常在300-400纳米之间。
2.3 曝光和对位将掩膜放置在硅片上，并使用精确的对位系统确保图案的准确位置。
然后，使用光刻机的曝光系统将紫外光照射到掩膜上。
2.4 光刻胶的化学反应光刻胶是一种敏感于紫外线的材料，当受到紫外线照射时，它会发生化学反应。
这种化学反应可以使光刻胶变得更加溶解或更加固定。
2.5 显影和清洗在完成曝光之后，需要进行显影和清洗步骤。
显影是指将未曝光的部分胶层去除，只保留所需图案。
然后，通过清洗过程去除剩余的显影剂和溶解了的胶层。
2.6 检查和修复最后一步是对芯片进行检查并修复任何可能的缺陷。
这通常涉及使用电子束或激光来修改掩膜或硅片上的图案。
3. 波长对光刻机性能的影响波长是决定光刻机性能的重要因素之一。
以下是波长对光刻机性能的几个方面影响：3.1 分辨率波长越短，分辨率越高。
这是因为波长越短，光的衍射效应越小，可以实现更小的特征尺寸。
3.2 深紫外光刻随着技术的发展，深紫外光刻（DUV）已经成为一种重要的光刻技术。
DUV使用波长在200-300纳米之间的紫外线。
相比传统的紫外线光刻，DUV具有更高的分辨率和更好的图案转移能力。
3.3 曝光时间波长对曝光时间也有影响。
波长越短，曝光时间越短。
这是因为短波长的光能量更高，可以更快地引发化学反应。
光刻机的种类、特点光刻技术是半导体工艺中的一项重要技术，它通过光刻机将芯片设计图案转移到硅片上，实现微米级、亚微米级的精确图案制作。
光刻机是半导体制造中的核心设备之一，也是半导体工艺发展的重要推动力量。
根据不同的工艺要求和应用领域，光刻机可以分为接触式光刻机、间接式光刻机和投影式光刻机三大类。
1. 接触式光刻机接触式光刻机是最早出现的光刻机种类之一。
它的工作原理是将掩膜与硅片直接接触，然后通过紫外光源照射，将掩膜上的图案转移到硅片上。
接触式光刻机的特点是操作简单，适用于制作较大尺寸的芯片。
然而，由于其接触方式容易引起掩膜与硅片之间的污染和损伤，限制了其在微纳加工中的应用。
2. 间接式光刻机间接式光刻机是在接触式光刻机的基础上进行改进的一种光刻机。
它通过在掩膜和硅片之间加入一层间隙气体，使得掩膜与硅片不直接接触，从而避免了接触式光刻机的缺点。
间接式光刻机的特点是精度高、适用于制作小尺寸的芯片，且对硅片的平整度要求相对较低。
然而，间接式光刻机的缺点是工艺复杂，需要控制好间隙气体的厚度和均匀性。
3. 投影式光刻机投影式光刻机是目前半导体工艺中最常用的光刻机种类。
它通过使用透镜或反射镜将掩膜上的图案投影到硅片上，实现高分辨率的图案制作。
投影式光刻机的特点是分辨率高、制作精度高，适用于制作微米级、亚微米级的芯片。
投影式光刻机可以进一步分为步进式光刻机和连续式光刻机两种。
- 步进式光刻机步进式光刻机是投影式光刻机中的一种常见类型。
它采用逐步移动硅片的方式进行曝光，将整个芯片的图案制作完成。
步进式光刻机的特点是制作速度较慢，但是可以实现较高的分辨率和较大的制作面积。
步进式光刻机适用于制作高性能的芯片，如微处理器、存储器等。
- 连续式光刻机连续式光刻机是投影式光刻机中的另一种类型。
它采用连续运动的硅片和掩膜，在曝光过程中实现连续的图案制作。
连续式光刻机的特点是制作速度快，适用于制作大量芯片的中低端产品。
连续式光刻机在大规模集成电路制造中具有重要地位，能够满足高产量的需求。
光刻机的若干知识点
光刻机（英语：Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。
可以分为两种，分别是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；以及利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机（英语：stepper）或扫描式光刻机（英语：scanner），获得比模板更小的曝光图样。
指甲盖大小的芯片，密布千万电线，纹丝不乱，需要极端精准的照相机——光刻机。
光刻机精度，决定了芯片的上限。
高精度光刻机产自ASML、尼康和佳能三家；顶级光刻机由ASML 垄断。
生产集成电路的简要步骤：
利用模版去除晶圆表面的保护膜。
将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。
用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。
其中曝光机就是利用紫外线波长的准分子激光通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。
一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种：
模版和晶圆大小一样，模版不动。
模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。
其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。
成为目前的主流。
主要厂商
曝光机是生产大规模集成电路的核心设备，其制造和维护均需要先进和强大的光学及电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握这种基础。
因此曝光机价格昂贵，通常在3 千万至5 亿美元。
ASML
尼康
佳能
SUSS
ABM, Inc.
上海微电子装备
厂家介绍：
1）艾司摩尔（ASML）
艾司摩尔（ASML Holding N.V.）是在荷兰费尔德霍芬的半导体设备制造商。
公司同时在欧洲和美国NASDAQ上市。
有从业员工28,000多名。
在世界16个国家和地区有提供服务。
艾司摩尔公司的主要产品是用于生产大规模集成电路的核心设备曝光机。
在世界同类产品中有90％的市占率，在14奈米制程以下有100％的市占率。
概要
1984年从荷兰著名电子制造商飞利浦独立，当时办公室尙在母公司的空地一旁的木屋内，
仅有百余人陆续加入，此后致力于当时正在发展的大规模集成电路设备的研究和制造市场。
阿斯麦公司为半导体生产商提供曝光机及相关服务，根据摩尔定律不断为提高单位面积集成度作贡献。
2007年已经能够提供制造37nm线宽集成电路的曝光机。
制造大规模集成电路时要对半导体晶圆曝光3、40次。
为在不降低质量的情况下减少曝光次数，阿斯麦公司在曝光机上使用德国蔡斯公司的光路系统，镜头使用萤石和石英制造。
曝光机是高附加值产品，一台当时龙头尼康的新的曝光机动辄上亿美元。
而研发周期长，投入资金也相当巨大，使得单一家公司独立研发开始出现困难。
艾司摩尔的成功转变在于整合，当年眼前有这样级别的业界对手，因此没有走上完全自主研发的传统路线，面对这样的条件，选择了以委托专业厂商制造、外包采购先进设备的方法，同时在DUV节点上除了投资干式显影法，运用自己规模较小的优势，转向了林本坚在2002年提出，还在业界推广的浸润式显影技术，并与台积电形成同盟，渐渐击败Nikon自家的技术，以全球多元分工的模式取得一席之地，其中比如极紫外光刻（EUV），也是透过产业联盟进行合作，EUV技术由美国科技公司率先倡导，然而此时美国自己的光刻机产业已被日商击垮，艾司摩尔此时出现，伙同多家美国研究机构、供应商联合近20年潜心研发未知的新技术，才终于让实用级别的EUV设备诞生，使得虽然总部和生产都在欧洲，但艾司摩尔却像研究单位，只负责专业整合、设计和机台操作等自有强项，大部分极紫外光的技术和供应皆为美国[1]。
现在市场上提供量产商用的曝光机厂商依照排名，首位艾司摩尔、第二名尼康（Nikon）、以及佳能（Canon）共三家，根据2007年的统计数据，在中高阶曝光机市场，艾司摩尔公司约有60%的市场占有率。
而最高阶市场（immersion），艾司摩尔公司目前约有90%的市场占有率，在14奈米节点以下更取得100%市占率，同业竞争对手已无力追赶。
2010年代以后，阿斯麦公司继续坚持制造与生产方共同来联合研制的思路，已经向客户递交若干台EUV原型机型，用于研发和实验。
同时，基于传统TWINSCAN平台研发的双重曝光技术也对光刻技术做出了大量的贡献。
早在07年末，三星宣布成功生产的36nm NAND Flash，基于的便是双重图形技术（double patten）。
TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生产效率最高，应用最为广泛的高端曝光机型。
目前全球绝大多数半导体生产厂商，都向ASML采购TWINSCAN机型，例如英特尔、三星、海力士、台积电、联电、格罗方德及其它台湾十二吋半导体厂。
除了目前致力于开发的TWINSCAN平台外，阿斯麦公司还在积极与IBM等半导体公司合作，继续研发光刻技术，用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。
目前已经商用的最先进机型是Twinscan NXE:3400C，每小时单位产出为136片（WPH）12英寸芯片，属于极紫外线曝光（EUV）机型，用来生产关键尺度低于7纳米的集成电路。
据Bloomberg数据，2018年全球五大半导体设备制造商分别为应用材料（AMAT）、艾司摩尔（ASML）、东京威力科创（TEL）、科林研发（Lam Research）、科磊（KLA），这五大半导体制造商在2018年以其领先的技术、强大的资金支持占据着全球半导体设备制造业超过70%的份额。
历史发展
2008年，艾司摩尔公司已超过日商东京威力科创成为世界第二大半导体设备商。
2010年，以销售额计算艾司摩尔公司高阶曝光机市占率已达到将近90%。
2011年，艾司摩尔公司已超过美商应用材料公司(Applied Materials, Inc)成为世界第一大半导体设备商。
2012年7月10日英特尔斥资41亿美元收购荷兰芯片设备制造商阿斯麦公司的15%股权，另出资10亿美元，支持阿斯麦公司加快开发成本高昂的芯片制造科技。
先以21亿美元，收购阿斯麦公司10%股权，待股东批准后，再以10亿美元收购5%股权，投注金额将以发展450mm机台以及EUV研发制造10nm技术为两大主轴。
2012年8月5日台积电宣布加入荷兰艾司摩尔公司所提出的「客户联合投资项目」（Customer Co-Investment Program），根据协议，台积电将投资ASML达8.38亿欧元，取得阿斯麦公司约5%股权，未来5年并将投入2.76亿欧元，支持阿斯麦公司的研发计划。
2012年8月27日三星宣布斥资5.03亿欧元入股以荷兰为基地的芯片商阿斯麦公司3%股权，并额外注资2.75亿欧元合作研发新技术。
2012年10月17日ASML Holding NV（ASML）与Cymer (CYMI)宣布签订合并协议，阿斯麦公司将以19.5亿欧元收购Cymer所有在外流通股票，收购Cymer目的在于加速开发Extreme Ultraviolet半导体蚀微影技术，两家公司董事会一致通过这件交易，Cymer股东将以每股收取20万美元现金和1.1502股ASML普通股，收购价比Cymer过去30日均价高出61%。
2016年6月16日ASML宣布将以每股1410元新台币现金，斥资约27.5亿欧元（1千亿元新台币）收购台湾上柜公司电子束检测设备商汉民微测科技股份有限公司（汉微科）（台证所：3658-TW）[2]全部流通在外股份，将以其在台湾100%持股子公司艾普思隆进行股份转换，此作业在2016年第四季完成[3]。
2016年11月4日ASML以10亿欧元现金收购德国蔡司公司(ZEISS)子公司蔡司半导体(Carl Zeiss SMT)24.9%股份
业绩
2005年销售额25亿2900万欧元，利润3亿1100万欧元。
2006年销售额35亿9700万欧元，利润6亿2500万欧元。
生产台数266，签约机台数334，待生产机台数163。
2007年销售额38亿900万欧元，利润6亿8800万欧元。
生产台数196，签约机台数160，待生产机台数95。
2008年销售额29亿5000万欧元，利润3亿2000万欧元。
2009年销售额15亿9600万欧元，利润1亿5000万欧元。
2010年销售额45亿700万欧元，利润10亿200万欧元。
2011年销售额56亿5000万欧元，利润14亿6700万欧元。
2012年销售额47亿3200万欧元，利润11亿4600万欧元。
2013年销售额52亿4500万欧元，利润10亿1500万欧元。
2014年销售额58亿5600万欧元，利润11亿9600万欧元。
2015年销售额62亿8700万欧元，利润13亿8700万欧元。
2016年销售额67亿9500万欧元，利润14亿7200万欧元。
2017年销售额90亿5300万欧元，利润22亿2500万欧元。
2018年销售额100亿9400万欧元，利润25亿2600万欧元。
2019年销售额118亿2000万欧元，利润25亿8100万欧元。
2020年销售额139亿7800万欧元，利润36亿9700万欧元。
