电力电子试题及答案 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】
考试试卷(3)卷
一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的触发功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要
与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为180°导
电型
6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会减少；
7、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速快关、控制快速移相使
输出的电压降低。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（A）度。
A、180°
B、60°
C、360°
D、120°
2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界
状态。
A、0度
B、60度
C、30度
D、120度，
3、晶闸管触发电路中，若改变（B）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目
的。
A、同步电压
B、控制电压
C、脉冲变压器变比
D、以上都不能
4、可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路
B、三相半控桥整流桥电路
C、单相全控桥接续流二极管电路
D、单相半控桥整流电路
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（）。
A、30o-35o
B、10o-15o
C、0o-10o
D、0o。
6、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）
A、90°
B、120°
C、150°
D、180°
7、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）
A 、增大三角波幅度
B 、增大三角波频率
C 、增大正弦调制波频率
D 、增大正弦调制波幅度
8、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（）
A 、减小输出幅值
B 、增大输出幅值
C 、减小输出谐波
D 、减小输出功率
9、为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）
A 、dt du 抑制电路
B 、抗饱和电路
C 、dt di
抑制电路D 、吸收电路
10、一般认为交交变频输出的上限频率（）
A 、与电网有相同的频率
B 、高于电网频率
C 、可达电网频率的80%
D 、约为电网频率的1/2~1/3
三、判断题（正确打√，错误打×）：（本题共10小题，每小题1分，共10分）
1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（）
2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作
在整流状态，另一组工作在逆变状态。（） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（）
5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（）
6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（）
7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（） 8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（）
9、三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz 。（） 10、变频调速是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变转速的目的。（） 四、简答题（本题共3小题，共32分）
3、软开关电路可以分为哪几类各有什么特点（10分）
4、
五、作图题（本题共1小题，共16分）
1、在三相半波整流电路中，如果U 相的触发脉冲消失，试绘出在电阻负载下整流电压u d 的波形和V 相上晶闸管VT2上的管压降波形。设触发角分别为15o 和60o 。 （1）触发角为15o 时
（2）触发角为60o 时
六、计算题（本题共1小题，共12分）
1、单相桥式全控整流电路，U 2＝100V ，负载中R=20Ω，L 值极大，反电动势E ＝60V 。当α＝30°时，要求：
（1）作出u d 、i d 和i 2的波形；（3分）
（2）求整流输出平均电压U d 、电流I d ，变压器二次电流有效值I 2；（4分） （3）考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。（5分）
试卷参考答案及评分标准(3卷)
U
U V
U
U
一、填空题（本题共7小题，每空1分，共20分）
1、空1GTR；空2GTO；空3MOSFET；空4IGBT；空5MOSFET；空6GTR。
2、空1要有足够的驱动功率；空2触发脉冲前沿要陡幅值要高；
空3触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、空1均流；空2串专用均流电抗器。
4、空1正弦波；空2方波。
5、空1180。
6、空1增加；空2下降。
7、空1快速熔断器；空2串进线电抗器；空3接入直流快速开关；
空4控制快速移相使输出电压下降。
二、选择题（本题共10小题，每小题1分，共10分）
1、（A）
2、（C）
3、（B）
4、（A）
5、（A）
6、（D）
7、（C）
8、（C）
9、（B）10、（D）
三、判断题（本题共10小题，每小题1分，共10分）
1、（√）
2、（×）
3、（×）
4、（×）
5、（√）
6、（×）
7、（×）
8、（×）
9、（×）10、（√）
四、简答题（本题共3小题，共32分）
1、（12分）
答：对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：（每格分）
