微波功率放大器发展概述
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高功率微波概述说明以及解释1. 引言1.1 概述高功率微波(High-Power Microwaves,简称HPM)是一种特殊频率范围内的电磁波,具有较高的功率输出。
随着科技的不断发展,高功率微波技术在多个领域得到了广泛应用。
本文将对高功率微波进行深入的概述、分析和解释。
1.2 文章结构为了系统地介绍高功率微波技术相关内容,本文按以下结构进行论述:第2部分:高功率微波概述:包括其定义和背景、发展历程以及应用领域;第3部分:高功率微波原理解析:涵盖电磁波特性、辐射与传输过程、以及功率放大原理;第4部分:高功率微波技术进展:讨论高功率微波源技术改进、辐射与控制技术发展,以及解决该系统问题的新方法与思路;最后一部分:结论,总结了文章主要观点,并强调未来研究的方向与挑战。
1.3 目的本文的目的是全面介绍和阐述高功率微波技术方面的知识,旨在增加读者对该技术的了解。
通过对高功率微波的概述、原理解析以及技术进展的分析,我们可以深入认识它的重要性和应用前景,并为未来的研究提供方向与思路。
通过本文的阅读,读者将能够对高功率微波技术有一个全面而清晰的认识。
2. 高功率微波概述2.1 定义和背景高功率微波(High Power Microwave, HPM)是指具有高的能量密度和较大功率输出的微波信号。
它是一种电磁辐射形式,主要由频率范围在300MHz至300GHz之间的无线电波组成。
高功率微波技术源于对电磁辐射的研究和应用探索,对现代科学、工程技术和国防安全等领域具有重要作用。
2.2 发展历程高功率微波技术的研究与应用始于20世纪中叶。
最早期的发展集中在军事领域,用于雷达系统、导弹防御以及电子战等方面。
随着科学技术的进步,高功率微波逐渐扩展到其他领域,如通信、医疗、飞行器激光推进等。
2.3 应用领域高功率微波在众多领域具有广泛应用。
首先,在军事领域,它可被用于电子侦察与打击、无线电干扰以及雷达干扰等任务。
其次,在通信领域,高功率微波可以提供高速数据传输和远距离通信,被广泛应用于卫星通信、雷达系统和无线电波干扰等方面。
微波放大器本文转自“微波绘”公众号微波放大器的用途简直就不用写,就是字面含义,用来跟自然界中物质对抗的,将被各种物质衰减的微波信号挽救回来!需要说一点的是,如果大学学习的时候,你学习了电子线路、低频电路、高频电路、数字电路,而没有学微波工程电路,那抱歉,你知道的放大器是这样的:可是,在微波工程里,放大器是这样的:甚至出现了压缩点、噪声系数、S参数等一大堆概念,这些原来教科书里没有的东西,这时候,要自己补课了,“微波工程电路”或“微波电路”方向的书自己找找看吧,最多3、5本就好了,这里主要介绍一些分类及应用的知识。
放大器作为一种微波集成电路,根据使用工艺的不同,分为1)BJT/FET放大管:这类管子就是基础书本里的双极性晶体管或场效应管(Bipolar Transisitor/Field Effect Transistor),基于硅或锗衬底,这种器件作为单独的器件使用已经很少了,特别是工作频率不高,微波应用极少。
2)HBT放大管:异质结双极性晶体管,在BJT的基础上,发射区和基区使用不同的材料形成一个异质结,如InGaP和GaAs,扩展了放大管的高频特性,采用这种工艺的“达林顿复合管”(Darlington Pair)在微波放大管的应用十分广泛,像MINI‐CIRCUITS公司早期的ERA系列放大管均为此类型。
3)HEMT/PHEMT放大管:高电子迁移率晶体管(High Electorn Mobility Transistor),P是改变了沟道材料的晶体管,称为赝配(pseudo),此类工艺的发明,大大提高了工作频率,毫米波器件开始大量发展,采用GaAs衬底的HEMT,更表现出了超低的噪声系数,至今仍在使用,绝大多数微波芯片厂商均有此工艺的产品。
4)GaN和SiC:这两种材料工艺被称为“第三代半导体”,它们都是为了提升器件的应用温度和功率范围大量应用的,开始的时候,功率管厂家同时推进这两类器件,但GaN有更高的电子迁移率,使用工作电压也更低,因此微波工程领域逐渐变成了GaN的天下。
高功率微波发展历程高功率微波的发展历程可以追溯到20世纪初。
当时,微波技术的应用主要集中在通信和雷达领域。
随着科学技术的不断进步,人们对微波发展的需求也越来越大,这使得高功率微波的研发成为了重要的课题之一。
在20世纪30年代,人们开始意识到微波在通信和雷达系统中的重要性。
为了实现更高的传输速率和更远的传输距离,科学家们开始研究如何提高微波的功率输出。
然而,由于当时的技术限制,高功率微波的开发进展缓慢。
到了20世纪40年代,随着二战的爆发,高功率微波的需求再次上升。
军方希望使用微波来实现更远距离的通信和更精确的雷达探测。
为了满足需求,科学家们开始研究并发展了一系列新的微波技术,如脉冲功率放大器和大功率管子。
到了20世纪50年代,高功率微波的研发取得了重大突破。
科学家们成功地发展出了一种新型的脉冲功率放大器——行波管。
行波管利用速度调制原理,在微波频率范围内实现了高功率输出。
这项技术的应用使得微波通信和雷达系统的性能得到了显著提升。
随着20世纪60年代的到来,随之而来的是对更高功率微波的需求。
科学家们逐渐发展了一系列新的高功率微波器件,如行波管和半导体放大器。
这些技术的应用使得微波发射功率达到了前所未有的水平,为通信和雷达应用提供了强有力的支持。
进入20世纪70年代,高功率微波的研究重点逐渐转向了更稳定和可靠的工作模式。
科学家们开始研究如何提高微波器件的效率和可靠性,以满足复杂的通信和雷达应用需求。
这项工作的成果包括了一系列新的微波功率放大器设计和制造技术,有效地提高了微波系统的性能和可靠性。
到了20世纪80年代,高功率微波的应用范围进一步拓宽。
除了通信和雷达领域,微波技术开始应用于医疗、材料加工和工业控制等领域。
这些新的应用领域对高功率微波的性能和稳定性提出了更高的要求,进一步推动了高功率微波技术的研究和发展。
随着不断的科技进步,高功率微波技术在21世纪取得了更大的突破。
新的微波器件和工艺的应用使得微波功率和频率范围进一步扩大,为更广泛的应用领域提供了支持。
微波放大器的工作原理微波放大器是一种用于放大微波信号的电子器件。
它在通信、雷达、卫星通信等领域中起着重要作用。
本文将介绍微波放大器的工作原理,包括其基本概念、结构和工作过程。
微波放大器是一种特殊的放大器,用于放大高频率的微波信号。
微波信号是指频率范围在300MHz到300GHz之间的电磁波。
微波放大器的工作原理可以归结为两个关键过程:放大和稳定。
放大是微波放大器最基本的功能。
微波放大器通过增加微波信号的幅度来放大信号。
在微波放大器中,放大是通过电子器件中的电子流来实现的。
常用的微波放大器包括晶体管放大器、行波管放大器和半导体放大器等。
这些放大器都能够将微波信号的功率增加到较高的水平,以便与其他设备进行通信或探测。
稳定性是微波放大器的另一个重要特性。
微波放大器需要保持其输出信号的稳定性,以确保信号的准确传输和处理。
稳定性是通过微波放大器中的反馈机制来实现的。
反馈机制可以控制微波放大器的增益和频率响应,以保持输出信号的稳定性。
这种反馈机制可以通过电子器件中的各种电路和元件来实现,例如反馈电路、滤波器和稳压器等。
微波放大器的结构通常由输入端、输出端和放大器核心组成。
输入端负责接收微波信号,输出端负责输出放大后的信号。
放大器核心是实现放大的关键部分,通常由电子器件和电路组成。
微波放大器的结构设计要考虑信号的传输损耗、噪声和稳定性等因素,以确保放大器的性能和可靠性。
微波放大器的工作过程可以概括为以下几个步骤。
首先,输入端接收到微波信号,并将其传输到放大器核心。
放大器核心根据信号的特性进行放大操作,增加信号的幅度。
然后,放大后的信号从输出端输出,并传输到下一个设备或系统中。
在这个过程中,微波放大器需要保持信号的稳定性,以确保信号的准确性和可靠性。
微波放大器是一种用于放大微波信号的重要电子器件。
它通过放大微波信号的幅度和保持信号的稳定性来实现信号的传输和处理。
微波放大器的工作原理涉及到放大和稳定两个关键过程,其中放大是通过电子器件中的电子流实现的,稳定是通过反馈机制实现的。
微波放大器工作原理
微波放大器是一种能将微波信号增大的电子设备。
它的工作原理基于放大器中的三个关键元件:激励源、放大器和负载。
激励源是提供输入信号的部分,常用的有信号发生器或微波信号源。
激励源将微波信号送入放大器中。
放大器是微波放大器的核心部分。
它负责将输入信号增强。
微波放大器通常采用固态放大器或管子放大器。
固态放大器通常使用半导体材料,如晶体管或场效应晶体管。
管子放大器则使用电子管进行放大。
无论是固态放大器还是管子放大器,它们的基本原理都是利用电子元件的特性,对微波信号进行放大。
放大器的增益决定了输出信号相对于输入信号的增强倍数。
增益是放大器的一个重要参数,它表示了放大器能够增大输入信号的能力。
增益越高,放大器的放大效果越好。
为了实现高增益,微波放大器通常采用有源元件(如晶体管或电子管)和反馈网络。
有源元件负责提供放大的能量,而反馈网络则用于调整增益和频率响应。
最后,负载是微波放大器的输出部分。
它接收放大器输出的信号,并将其转化为其他形式的能量,如声音、光信号等。
负载的特性会影响放大器的性能,因此选择合适的负载是非常重要的。
综上所述,微波放大器的工作原理是通过激励源提供输入信号,放大器利用电子元件的特性对信号进行放大,最终将放大后的
信号送入负载进行转化。
通过调整放大器的增益和频率响应,微波放大器能够实现对微波信号的精确放大。
微波功率放大器技术与设计众所周知,当前国内外抑制信号二、三次谐波绝大多数采用的方式就是在功放后加开关滤波器。
通过以往大量的实践结果表明,在45dbm/路辐射功率的环境中进行操作可以在规定的时间空间范围内实现二次35dbc与三次40dbc(基于当前国内开关滤波器的标准),但该技术就目前而言仅在低频、窄带信号中能够有效开展,在高频和宽带环境很难发挥出最佳效应。
但是通过以往大量的仿真实验结果以及总结的经验发现,如果运用得当,数字预失真技术在解决微波功率放大器线性化技术方面比上面方法能够取得更好的效果,因为它可以满足通信信号电磁环境模拟器对谐波和互调分量的指标要求,鉴于此,本文是对微波功率放大器技术与设计工作进行分析,仅供参考。
标签:功率放大器;预失真技术;线性化;移动通信引言:微波集成电路技术是无线系统小型化的关键技术.在毫米波集成电路中,高性能且设计紧凑的功率放大器芯片电路是市场迫切需求的产品.总的来说,微波功率放大器的芯片性能很大程度上取决于制造工艺,而每种工艺对功率放大器有着不同的特点或优势.对于工作频率不高于100GHz的芯片而言,砷化镓和氮化镓材料具有功率方面的优势.如果频率作为器件的首要考虑,那么选用磷化铟器件制作的功率放大器其频率可以高到500GHz以上.当然,对于工业制造来说,产品的成本也是功率放大器设计以及量产的重要因素,特别是对于消费电子产品类,互补金属氧化物半导体(CMOS)利于片上系统集成,因此具有成本优势.从应用场景来看,毫米波芯片工作于不同的频率有着不同的要求,比如在Ka波段的26.5~40GHz,目前主要用于卫星和中长距点对点通信,大功率是这个波段功率放大器的首要指标,因而氮化镓和砷化镓的功率放大器芯片是首选.对于60GHz而言,由于电磁波在该频率的衰减很大,主要潜在应用于短距离的高速通信并面向消费电子市场,因而成本较低的CMOS半导体和锗化硅器件是未来该频段芯片设计的首选。
微波放大器工作原理
微波放大器是一种专门用来放大微波信号的电子器件,它通常由射频(Radio Frequency,RF)信号源、微波输能装置和微波增幅元件等部分组成。
微波放大器的工作原理可以简单概括为:
1. 输入信号源提供射频信号:微波放大器的输入通常连接到一个射频信号源,该信号源提供待放大的微波信号。
输入信号源可以是一个外部的射频源,也可以是微波电路中的其他元件产生的微波信号。
2. 射频信号经过微波输能装置:输入的射频信号将通过微波输能装置,如传输线、波导等,将信号传递到微波增幅元件。
3. 微波增幅元件放大射频信号:微波增幅元件是微波放大器中的核心部分,它通常采用一种受激辐射过程来放大微波信号。
最常见的微波增幅元件是双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和金属半导体场效应管(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor,MESFET)等。
在这些元件内部,通过控制输入信号和直流偏置电压,可以使微波信号得到放大。
4. 放大后的信号输出:经过微波增幅元件放大后的信号将被输出到微波放大器的输出端口,供后续的信号处理或使用。
微波放大器主要通过微波增幅元件的放大作用将输入的微波信
号放大到更高的功率水平上,使信号可以被远距离传输或用于驱动其他微波器件。
同时,微波放大器还需要具备一定的线性度、稳定度和抗干扰能力,以保证输出信号的质量和稳定性。
微波放大器原理
微波放大器是指工作频率在300MHz-300GHz范围内的放大器,其工作原理基于功率放大的电子器件。
微波放大器的主要组成部分包括输入网络、输出网络和放大器单元。
输入网络负责将输入信号传递给放大器单元,同时将反射信号回传给源端,以保证最大功率传输。
输出网络则将放大的信号传递给负载端,同时将反射信号回传给放大器单元,以保证最大功率传输。
放大器单元则负责将输入信号进行功率放大。
微波放大器的实现方式主要有两种:晶体管放大器和管子放大器。
晶体管放大器通常采用双极性晶体管或场效应晶体管作为放大元件,根据输入输出端口的连接方式可分为共射极、共基极和共格极等结构。
晶体管放大器具有体积小、功耗低和频率响应好的特点,广泛应用于通信和雷达系统中。
管子放大器则采用电子管(如磁控管和速调管)作为放大元件。
电子管具有高功率、大信号增益和较宽的频带等特点,但也存在体积庞大、功耗高和频率响应差的缺点。
由于技术的进步,现代微波系统中晶体管放大器逐渐取代了管子放大器,成为主流。
微波放大器在通信、雷达、卫星通信等领域中起着重要的作用。
通过功率放大,微波放大器能够增强微弱的输入信号,从而提高系统的传输距离和可靠性。
同时,微波放大器的设计和制造
也是一门复杂的工程,需要考虑信号的带宽、噪声系数、线性度和功耗等方面的要求。
微波功率放大器发展探讨摘要:微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式。
本文将对两种器件以及它们竞争与融合的产物——微波功率模块(MPM)的发展情况作一介绍与分析。
关键词:微波功率放大器;发展0引言微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式。
基于真空器件的功率放大器,曾在军事装备的发展史上扮演过重要角色,而且由于其功率与效率的优势,现在仍广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。
后随着GaAs晶体管的问世,固态器件开始在低频段替代真空管,尤其是随着GaN,SiC等新材料的应用,固态器件的竞争力已大幅提高。
1 真空放大器件研究与应用现状跟固态器件相比,真空器件的主要优点是工作频率高、频带宽、功率大、效率高,主要缺点是体积和质量均较大。
真空器件主要包括行波管、磁控管和速调管,它们具有各自的优势,应用于不同的领域。
其中,行波管主要优势为频带宽,速调管主要优势为功率大,磁控管主要优势为效率高。
行波管应用最为广泛,因此本文主要以行波管为例介绍真空器件。
随着技术的不断进步,现阶段行波管主要呈现以下特点。
一是高频率、宽带、高效率的特点,可有效减小系统的体积、重量、功耗和热耗,在星载、弹载、机载等平台上适应性更强,从而在军事应用上优势突出。
二是耐高温特性,使行波管的功率和相位随着温度的变化波动微小,对系统的环境控制要求大大降低。
三是抗强电磁干扰和攻击特性,使其在高功率微波武器和微波弹的对抗中显示出坚实的生存能力。
四是寿命大幅提高,统计研究显示,大功率行波管使用寿命普遍大于5 000 h,中小功率产品寿命大于10 000 h,达到武器全寿命周期。
1.1 行波管有源组阵技术国外近几年主要在更高频段发展一系列的小型化行波管,频段覆盖X,Ku,K,Ka,140 GHz等,并不断在新技术上获得突破。
国内经过近10多年的努力,行波管在保持大功率和高效率的前提下,体积减小了1个数量级,为有源组阵技术奠定了良好的基础。
行波管有源组阵的形式分为单元放大式和子阵放大式两种。
线性化微波功放现状及发展趋势学院:电子工程学院专业:电磁场与微波技术教师:徐瑞敏教授姓名:XXX学号:2014210202XX报告日期:2014.10.25一、引言微波功放广泛应用于对微波功率有一定要求的各种微波设备中,如微波测试设备、雷达发射单元、移动通信基站、移动站、电子对抗、卫星通信、微波遥感、微波医疗仪器等。
随着微波固态器件的发展,微波功放也逐渐由体积较大、重量较重的电真空放大器过度到体积较小、重量较轻的固态放大器,如双极晶体管放大器,场效应管放大器及单片集成放大器。
随着通信技术的发展对小信号放大器、功率放大器的线性度提出了越来越高的要求。
为了满足通信发展的需要,通信信道也越来越拥挤,放大器通常同时放大频带内调制到多个“子载波”的信号电平大小可相差千万倍以上的多个信号。
这些信号互相调制引起灵敏度下降,通信质量下降等问题,因此对放大器的线度提出了越来越高的要求,线性功率放大器的研究是近年来国际电子技术研究的热门。
对功放线性度的衡量可从两个指标来考察:一为谐波抑制度,当放大器输人频率为f0的单频信号时,由于非线性失真,会产生频率为2f0等的谐波,如图1(a)所示,输出主频与谐波的功率电平之差即为谐波抑制度,用dBc表示。
第二个衡量指标为三阶交调系数。
当放大器输人一定频率间隔(例如5MHZ)、幅度相同的频率为f1和f2两信号时,由于非线性失真,在放大器输出端除了放大的f1,和f2外,还有2f2-f1和2f1-f2,,此为三阶交调频率,如图1(b)所示,主频与三阶交调频率的功率电平之差即为功放的三阶交调系数,用dBc表示也可用一分贝压缩点来表示功放的线性度的,一分贝压缩点与三阶交调之间的换算关系将在本文 3.1节中加以说明。
二、功率放大器的非线性失真特性通信系统的信号带宽是有限的,并且存在噪声和干扰。
这导致通信系统存在振幅失真、相位失真和记忆效应,这三者是系统非线性失真的主要原因。
设输入、输出信号分别为x(t)、y(t)。
线性化微波功放现状及发展趋势—!学院:电子工程学院专业:电磁场与微波技术教师:徐瑞敏教授姓名:XXX学号:02XX【报告日期:线性化微波功放现状及发展趋势一、引言电磁波和低频率端相比高频率端拥有其独特的优点,近年来尤其是微波毫米波电路作为航空航天的无线通信手段得到广泛应用。
但是在几乎所有的微波电子系统中,要将信号放大都需要微波功放,因此微波功放在微波有源电路中拥有了无可比拟的重要地位。
对微波功放,除了有一定的功率输出和增益指标以外,线性度也是一个十分重要的指标。
例如在微波测试设备中,由于功放的非线性失真所产生的谐波往往影响了测试精度;在移动通信的基站和移动站中,功放的非线性失真往往会产生邻道干扰,从而引起信号失真。
因此,在这些设备中对功放的线性度提出了很高的要求。
对功放线性度的衡量可从两个指标来考察:一为谐波抑制度,当放大器输人频率为f0的单频信号时,由于非线性失真,会产生频率为nf0等的谐波,如图1所示,输出主频与谐波的功率电平之差即为谐波抑制度,用dBc表示。
^第二个衡量指标为三阶交调系数。
当放大器输人一定频率间隔(例如SMH:)、幅度相同的频率为f,和f:两信号时,由于非线性失真,在放大器输出端除了放大的f’,和f:外,还有2j,;一J:和2j:一f,,此为三阶交调频率,如图1(b)所示,主频与三阶交调频率的功率电平之差即为功放的三阶交调系数,用(IBc表示也可用一分贝压缩点来表示功放的线性度的,一分贝压缩点与三阶交调之间具有换算关系。
二、功率放大器的非线性特性现在一方面人们追求更高的功率利用率,另一方面是日益发展的无线通信产业的要求迫使我们不得不给予功率放大器的线性化问题以足够重视。
要研究线性化技术,首先必须了解功率放大器的非线性失真特性,以做到有的放矢。
理想情况下,功率放大器工作在线性状态,传输系数与输入信号的幅度和相位无关。
但在实际情况中并非这么简单,由于晶体管的特性,在达到一定输入功率时,放大器将呈现出非线性。
微波功率放大器发展概述微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式。
基于真空器件的功率放大器,曾在军事装备的发展史上扮演过重要角色,而且由于其功率与效率的优势,现在仍广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。
后随着GaAs晶体管的问世,固态器件开始在低频段替代真空管,尤其是随着GaN,SiC等新材料的应用,固态器件的竞争力已大幅提高[1]。
本文将对两种器件以及它们竞争与融合的产物——微波功率模块(MPM)的发展情况作一介绍与分析,以充分了解国际先进水平,也对促进国内技术的发展有所助益。
1. 真空放大器件跟固态器件相比,真空器件的主要优点是工作频率高、频带宽、功率大、效率高,主要缺点是体积和质量均较大。
真空器件主要包括行波管、磁控管和速调管,它们具有各自的优势,应用于不同的领域。
其中,行波管主要优势为频带宽,速调管主要优势为功率大,磁控管主要优势为效率高。
行波管应用最为广泛,因此本文主要以行波管为例介绍真空器件。
1.1 历史发展真空电子器件的发展可追溯到二战期间。
1963年,TWTA技术在设计变革方面取得了实质性进展,提高了射频输出的功率和效率,封装也更加紧凑。
1973年,欧洲首个行波管放大器研制成功。
然而,到了20世纪70年代中期,半导体器件异军突起,真空器件投入大幅减少,其发展遭遇极大困难。
直到21世纪初,美国三军特设委员会详细讨论了功率器件的历史、现状和发展,指出真空器件和固态器件之间的平衡投资战略。
2015年,美国先进计划研究局DARPA分别启动了INVEST,HAVOC计划,支持真空功率器件的发展和不断增长的军事系统需要,特别是毫米波及THz行波管[2-4]。
当前真空器件已取得长足进步,在雷达、通信、电子战等系统中应用广泛。
1.2 研究与应用现状随着技术的不断进步,现阶段行波管主要呈现以下特点。
一是高频率、宽带、高效率的特点,可有效减小系统的体积、重量、功耗和热耗,在星载、弹载、机载等平台上适应性更强,从而在军事应用上优势突出。
二是耐高温特性,使行波管的功率和相位随着温度的变化波动微小,对系统的环境控制要求大大降低。
三是抗强电磁干扰和攻击特性,使其在高功率微波武器和微波弹的对抗中显示出坚实的生存能力。
四是寿命大幅提高,统计研究显示,大功率行波管使用寿命普遍大于5 000 h,中小功率产品寿命大于10 000 h,达到武器全寿命周期。
图1为2000年前产品的平均首次故障时间(MTTF)统计,可以看出各类系统中真空器件的稳定性都有提升,空间行波管的MTTF更是达到数百万h量级,表现出极高的可靠性[1, 4]。
图 1 真空功率器件MTTF概况公开报道显示,美军作战平台中真空器件被大量使用,是现役电子战、雷达和通信的主要功率器件。
新开发的高频段、小型化行波管及功率模块进一步推动高性能装备的不断出现。
典型应用包括车载防空反导系统、地基远程预警与情报系统、机载火控系统、无人机通信系统、电子战系统、空间以及卫星通信系统等[5]。
下面介绍当前正在研究和应用的行波管的几种重要技术。
1.2.1 行波管有源组阵技术国外近几年主要在更高频段发展一系列的小型化行波管,频段覆盖X,Ku,K,Ka,140 GHz等,并不断在新技术上获得突破。
国内经过近10多年的努力,行波管在保持大功率和高效率的前提下,体积减小了1个数量级,为有源组阵技术奠定了良好的基础。
行波管有源组阵的形式分为单元放大式和子阵放大式两种。
与无源相控阵相比,其单个行波管的功率要求低,器件的可靠性和寿命相对较高。
同时各通道相对独立,某通道出现故障不会影响到其他通道,因此系统的可靠性高。
而且整个辐射阵面可以分多个区域独立工作,实现系统多目标、多任务的能力。
与固态有源相控阵相比,作用距离更远,威力更大,且配套的冷却车和电源车相对短小精悍,系统机动性高,战场生存能力强。
由于其全金属、陶瓷密封结构,在面对高功率微波武器时的生存能力更强。
在相同的阵面功率时所需的单元数将少1个数量级,因此成本会大幅降低。
与单脉冲雷达相比,其作用距离、分辨率、多目标、多任务、寿命及任务可靠性等指标会更好[5]。
目前,国内正在开展基于行波管的Ku波段稀布阵低栅瓣技术研究,以期在阵元间距30 mm的条件下实现−20 dB的栅瓣。
另外,与行波管有源组阵相配套的小型化大功率环行器研究进展迅速。
采用不等尺寸单元组成的非周期排列方式、径向等间距排列的非周期环形阵和子阵非规则排列等新型阵面技术能够很好解决大单元间距引起的栅瓣问题,这些共同保障行波管有源组阵的推进。
1.2.2 毫米波和THz行波管5G移动通信技术的发展,对Ka到W波段的毫米波功率放大器提出了需求。
未来5G需要宽带接入一个地区,而又不能采用光纤的地方,则只能选择毫米波波段[6]。
THz波由于具有频率高、宽带宽、波束窄等特点,使得其在雷达探测领域具有重大的应用潜力。
但随着频率的升高,对器件的加工工艺要求也越来越高。
近年来,微机械(MEMS)微细加工工艺的全面引入改善了传统工艺,使得真空器件工作频率进入到毫米波和THz频段,现有器件最高已经达到1 THz。
短毫米波行波管近年来渐趋成熟,并初步形成了相关的系列产品,表1为国内外典型毫米波行波管产品[7]。
诺格公司在2013年成功研制出了220 GHz的折叠波导行波管功率放大器,国内中电第十二研究所以及中国工程物理研究院都开展了220 GHz行波管的研究工作,诺格公司在2016年还首次将行波管工作频率提高到1 THz[8]。
表2为一些THz行波管典型研究的测试结果。
1.3 发展趋势1.3.1 更高频段毫无疑问,工作频段高是TWTA的绝对优势所在。
在高频段,固态功率放大器(SSPA)的输出功率和效率均远低于TWTA,因此高频化是TWTA的必然发展趋势。
MEMS微细加工工艺促使毫米波和THz频段的研究推进。
空间行波管随着Ku波段的趋于饱和以及高清电视、多媒体通信等市场需求的驱动使得Ka波段的应用逐渐增多,而且有往Q/V频段迁移的趋势,已逐渐成为新的研究热点[9]。
而THz频段的通信具有极高传输速率,随着波导技术的进步,在外太空探测中TWTA的应用潜力很大。
1.3.2 更高的效率应用以来,各个波段行波管的效率均在不断提高。
目前L3公司制造的Ku波段88125H,效率可达73%,为当前公开报道的最高值。
目前电源效率已经很高,普遍优于90%,进一步提高效率将是一种研发挑战,因此主要靠提高行波管的效率以实现总效率值的增加。
通过优化行波管螺旋节距分布就是一种提升效率的有效方法[10]。
1.3.3 小型化行波管TWTA小型化技术在过去几十年中已有了显著的改进,而且行波管有源组阵等技术的发展推动着行波管小型化不断向前发展。
另外TWTA的一个潜在的变化是增加Mini-TWT的使用。
Mini-TWT是传统TWT的小版本,是微波功率模块的基础,虽无法达到高射频输出功率,但在减小体积的同时也提高了效率,尤其在卫星通信等领域影响重大[11-12]。
2. 固态放大器件固态器件,也就是半导体电子器件。
与TWTA类似,SSPA通常需配置集成电源,其不同在于,SSPA使用场效应晶体管作为射频功率放大的主要器件,工作电压低,实现也更加容易。
由于其单体输出功率较低,为了实现高功率放大,SSPA需要将许多功率晶体管并联放置,从而实现输出功率的合成。
固态器件具有体积小、噪声低、稳定性好的优点,缺点是应用频带低、单体输出功率小、效率低。
2.1 历史发展二战以来,信息技术取得了飞速发展,发起并推动了第三次科技革命,深刻地改变了人们的生活和学习方式,也改变了世界格局和军事斗争形式。
微电子技术是信息技术的核心,而半导体材料是微电子技术的基石[13]。
受半导体材料本身的限制,固态功率器件效率比较低,在较高频率下输出功率非常小,并且随着频率和带宽的增加,其输出功率电平显著下降,器件成本也大幅度上升。
为满足无线通讯、雷达、航空航天等对器件高频率、宽带宽、大功率和高效率的要求,20世纪90年代起,以GaN和SiC为代表的宽禁带新型半导体材料深刻地改变了固态功率放大器的性能,并引起了人们的关注和研究。
2.2 研究与应用现状2.2.1 应用现状公开信息显示,各家的产品主要还是集中在L,S和C波段。
就空间应用SSPA来说,2016年,马萨诸塞州航空航天技术研究所的研究表明,SSPA实际上可用于高达Ku波段的频率,且该波段中SSPAs的比例从波音公司之前研究中的大约1%增加到6%,但更高波段则很少有应用了。
一些领先的制造商的产品也可以大致说明SSPA的应用情况。
NEC公司的SSPA,在L波段输出功率和标称增益为55 W 和61 dB,S波段为24 W和70 dB,C波段则为20 W和86 dB。
Airbus Defense and Space公司开发的SSPA,L波段和S波段器件的输出功率为15 W,效率为31%,标称增益为67 dB,C波段的输出功率为20 W,效率为37%,标称增益为70 dB[11]。
2.2.2 GaN产品GaN材料作为宽禁带半导体的重要代表,以优越的性能优势,在众多半导体材料中脱颖而出,引起了广泛的关注和研究。
如表3所示,GaN相比其它材料具有更优越的特性:大的禁带宽度,是GaN材料大功率应用的根本所在;优越的电子迁移率,决定了器件的最高工作频率和放大增益;高的饱和电子漂移速度,提高了频率特性,使其适于高频器件的应用;高的击穿场强,有利于器件应用于大功率信号,也有利于器件尺寸的减小;良好的热导率,可降低沟道温度,使得器件的工作性能稳定;低的介电常数,这可使器件尺寸增大以提高器件功率,也可提高器件频率特性;高的Baliga优值,使其特别适合于高频宽带大功率领域应用[13-14]。
近年来,在微波发射系统中普遍应用多个微波单片集成电路(MMIC)进行功率合成以获得更高的输出功率。
而采用GaN材料研制的MMIC单片功率密度高、电流小、效率高。
国内已采用Ku频段GaN材料单片和一款波导合成网络研制出一种功率放大器,并通过多个该放大器进行功率合成,得到了更大的宽带输出功率,在军事及民用领域均可适用[15-16]。
另提出了一种基于等效电路参数多偏差统计模型的微波GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率放大器的设计方法,并利用统计建模方法验证了统计模型。
采用此模型进行Ku波段GaN HEMT功率放大器设计,具有较高的漏极效率,模拟结果在统计上与测量结果一致[17]。
2.3 发展趋势GaN和SiC等新材料优势明显,它们使得固态器件的功率、频率和带宽都得到了极大的提高。
SiC的材料成本较高,这也成为阻碍其发展的一个因素,但应用前景广阔。
GaN技术正快速发展并逐步走向应用,未来还将继续向高功率和高效率改进,包括基于金刚石衬底提高散热能力和最大功率密度,采用新型场板结构改善晶体管电流崩塌效应以提高输出功率,采用堆叠结构提高功放电路电压摆幅和输出功率等。