当前位置：文档之家 › 半导体二极管练习题

半导体二极管练习题

  • 格式：doc
  • 大小：164.00 KB
  • 文档页数：6

‎管 练习题1

一、单选题(每题1分)

1. ‎ ‎ ‎ 管 ‎ ‎ 管 ‎

‎ ‎ 管 ‎ ‎ 值 。

A. 直 相 相 B. 交 相 相

C. 直 D. 交

2. ‎中（ ‎ 敏感。

A. 少子 B. 多子 C. 离子 D. 空穴

3. PN结形成 空 ‎ （ 构成。

A. 子 空穴‎ B. 离子 ‎受 离子

C. 离子 ‎ 子 D. 受 离子 ‎空穴

4. 管 ‎ 管 ‎为（ 。

A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V

5. 在PN结 ‎ ‎ 扩散 漂移 当PN结 ‎ ‎ 扩散 漂移 。

A. 小 大 B. 大 小 C. 大 大 D. 小 小

6. ‎中多 ‎子 ‎要取决 （ 。

A. B. 掺 工艺 C. 掺 D. 晶 缺陷

7. 当 ‎ 管 ‎ ‎ 分‎别（ 。

A. 左移 下移 B. 右移 上移 C. 左移 上移 D. 右移 下移

8. 管 ‎端 为U‎ 管 ‎ 为‎（ 。

A. UIeS B. TUUIeS C. )1e(S－TUUI D. 1eS－TUUI

9. 下 中‎ ‎ 管 为（ 。

ABCD

10. 在25ºC‎ 管 ‎死 U‎th≈0.5V ‎ IS≈0.1pA 在35º‎C 下 ‎ ‎：（ 。

A Uth≈0.525V IS≈0.05pA B Uth≈0.525V IS≈0.2pA

C Uth≈0.475V IS≈0.05pA D Uth≈0.475V IS≈0.2pA

11. 管‎工 ‎ ‎ ‎应满足( )。

A. ID = 0 B. ID < IZ且 > IZM C. IZ > ID > IZM D. IZ < ID < IZM

12. 管 ‎ ‎ 管 端‎ 大 （ ‎

。 A. 0 B. 死 C. ‎ D.

、判断题(每题1分)

1. 因为N ‎ 多子‎ 子‎ ‎ 。 （

2. PN结在无 、无 ‎ 结 为 ‎。 （

3. 在N ‎ 中 掺‎ 足 ‎ ‎为P ‎ 。 （

4. 管 ‎ 应工‎ 在 ‎ 域。 （

5. 管在工‎ 大 ‎ 大 ‎ IF ‎损坏。 （

6. 管在 ‎ ‎ 工‎ UR‎M 损坏 。 （

7. 管在工‎ 大 ‎ 工 ‎ fM ‎损坏。 （

、填空题(每题1分)

1. 管 ‎ 分 ‎ ‎ 种情况 中 逆 而 损坏

‎管。

2. ‎ 管 ‎ ‎ 。

3. 管‎工 ‎要 工 ‎ 而 管 ‎ 工 。

4. 管 ‎ 管‎ ‎ 管 ‎ 。

5. ‎掺 ‎五 形成 多子为 少子为 。

6. PN结 P ‎位 N 位。

7. ‎晶 结构 ‎ 为‎ 一 ‎工艺掺 ‎ ‎为 。

8. 管按P‎N结面积大 小 分‎为 ‎ 面 ‎ 管 ‎

、小 ‎合 管 ‎ 、大 ‎合。

9. 管‎ 就 。 管‎ ‎ 而上‎ 。

10. PN结 内 ‎子 扩散 ‎动起 漂移 动‎起 。

11. 管‎ 为‎ 工 ‎ 置 。

12. 在PN结形‎成 中 子扩散‎ 动 下 ‎ 漂移 动 ‎

下 ‎ 。

13. ‎管 ‎ 利 P‎N结 ‎ 。

14. 构成 管‎ ‎ 与 管 ‎ 当 值‎ ‎ 。

15. PN结在 种 ‎为 。

16. 管P ‎ 位 端 N 位 端 置‎ 管 ‎

置‎ 管 ‎ 管‎ 。

17. 管‎ 为‎ 工 ‎ 置 。

18. 当 ‎ 管‎内 少 ‎ 子 因而少子漂‎移而形成 ‎ 管 ‎ ‎ 移。

19. 在 ‎ 中掺 N‎ 掺 ‎P 。

20. 中 ‎ 种 子‎参与 中 而

。

、 分 题‎(每题3分)

1. ‎ 管 ‎ UD＝0.7V 下UT‎≈26mV 容C 交‎ ‎为短 ui为 弦 波 效值为1‎0mV 管‎中 交‎ 效‎值 多少？

CR1kΩVDD4ViD+－uiV

2. ‎ ‎ 管 ‎ A ‎ 位。 管 ‎ 为‎0.7V。

R1R2IDV+10V3kΩ10kΩR32kΩ

3. 管‎ ‎UZ = 6V ‎ 小值IZ‎min=5mA 大 耗P‎ZM

。 管‎ 工 ‎ R 取‎值范围。

V+－+－UI=12VRUO

4. 管‎ 值U‎Z＝6V ‎ 小值IZ‎min＝3mA 大值IZ‎M＝20mA 下面 ‎ 中 ‎管 ‎ 工 UO1 O2各为多 少 。

(a)(b)VZRUO1+－10V+－500ΩRL2kΩVZR10V+－2kΩRL2kΩUO2+－

5. ‎ 中 管‎ U‎D＝1V 工 ‎要 ‎ 为5～15mA。 ： （1 开关S在 ‎ 位置 ‎ 管 ‎ ？

（2 R 取值范 围 多少？

+VDD(+5V)RVS

6. 下 ‎ 中 管 ‎ Uz‎ = 12V 中 ‎ ‎忽略

：

（1 当开关S ‎合 V ‎ A1‎、A2 读 分别为多少‎？

（2 当开关S断‎开 V ‎ A1‎、A2 读 分别为多少‎？

A1A2VUi=30V+－R1R25kΩ2kΩVS

7. 管 ‎ ‎ tVuisin10 管为 ‎

‎ui 波形。

V1V2R+－4V6V+－uiuo

8. 管 ‎ 判断 中 ‎ 管 ‎ 各 ‎ ‎

Uo。 管 ‎ 为‎0.7V。 6VVR10V+－Uo(a)V(b)6V10VR+－Uo

9. ‎ ‎ 管 ‎ A ‎ 位。 管 ‎ 为‎0.7V。

R1500ΩR22kΩIDV+10V+6VA

10. （a ‎uI1 I2 波形 （b 管 ‎

忽‎略。 ‎ uO ‎波形 值‎。

V1V2RuouI1uI2+5V（a uI1/VuI2/V50.350.3tt00（b

11. （a 、（b 管 ‎ UZ‎＝4V R 取值合 uI 波形 （c 。 分别 ‎uO1 O2 波形 。 V(a)uI+－uO1+－RV(b)RuI+－uO2+－uI/V60t(c)

12. 管 ‎ 判断 中 ‎ 管 ‎ 各 ‎ ‎ Uo。 管 ‎ 为‎0.7V。

12V9VV1V2R+－Uo(c)9V12VV1V2R(d)+－Uo

合集下载

第一章练习题一、选择题1）半导体二极管的主要特点是具有（）。（a...

第一章练习题一、选择题1）半导体二极管的主要特点是具有（）。（a...

第一章练习题

一、选择题

1）半导体二极管的主要特点是具有（ ）。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用

2）二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（ ）。

(a)正向电压大于PN结的死区电压

(b)正向电压等于零

(c)必须加反向电压

3）电路如图所示，二极管D为理想元件，US=5V，则电压uO=（ ）。

(a)Us (b)US/2 (c)零

RLD

USuO+

-+

- 4）电路如图所示，二极管D1、D2为理想元件，判断D1、D2的工作状态为（ ）。

(a)D1导通，D2截止； (b)D1导通，D2导通；

(c)D1截止，D2导通； (d)D1截止，D2截止

D1

D2

15V12VR

+-

+-

5）若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。

(a)正、反向电阻相等

(b)正向电阻大，反向电阻小

(c)反向电阻比正向电阻大很多倍

(d)正、反向电阻都等于无穷大 6）电路如图1所示，二极管D为理想元件，ui=6sintV如图2所示，U=3V，则输出电压uO的波形图为图3中

（ ）。 ui V6V3VO

OO

Ot

t

t

t

图3 图2

3V

6VuO V

uO V

uO V

uO V-6V

()c()b()auiR

UD

uO+

-+

-+-

图1

7）半导体的导电能力（ ）。

(a)与导体相同 (b)与绝缘体相同 (c)介乎导体和绝缘体之间

8）二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图所示，则二极管工作状态为（ ）。

(a)导通 (b)截止 (c)击穿

a

b7V

6.3VD

9）电路如图所示，直流电压UI=10V，稳压管的稳定电压UZ=6V，则限流电阻R上的压降UR为（ ）。

(a)10V (b)6V (c)4V (d)-4V R

DZUR

uIUO+

-+

-+-

10）已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE=6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（ ）。

(a)PNP型锗管 (b)NPN型锗管 (c)PNP型硅管 (d)NPN型硅管

北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路

北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路

第二章 半导体二极管及其基本电路

2-1．填空

（1）N型半导体是在本征半导体中掺入 ；P型半导体是在本征半导体中掺入 。

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会

。

（3）PN结的结电容包括

和

。

（4）晶体管的三个工作区分别是 、 和 。在放大电路中，晶体管通常工作在 区。

（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该

。（正偏、反偏）

答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。

2-2．判断下列说法正确与否。

（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（ ）

（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）

（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（ ）

（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ）

（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（ ）

（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小。（）

答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。

（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。

（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。

（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。

半导体二极管基本电路仿真例题及练习

半导体二极管基本电路仿真例题及练习

半导体二极管基本电路仿真例题及练习

例1 电路如图所示，图中R=10k，二极管选用1N4148，且Is= 10 nA，n=2。对于VDD=10V和VDD=1V两种情况下，求ID和VD的值，并与使用理想模型、恒压降模型和折线模型的手算结果进行比较

解：进入Schematics主窗口，绘出图所示电路，并设置好参数。其中二极管的Is= 10 nA，n=2要进入模型参数修改窗修改（先选中二极管，再选择菜单中Edit|Model|Edit项，单击Instance Model(Text)可打开模型参数修改窗）。

设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，并将参数分析(Parametric)中设置电压源VDD为两个列表值10V和1V。仿真后在输出文件中得到如下结果：

当VDD=10V时，ID = 0.941 mA，VD = 0.589 V 图LT_01

当VDD=1V时，ID = 55.9 uA，VD = 0.441 V

所得结果与手算接近。

例2 一限幅电路如图a所示，R=1k，对于VREF =3V，二极管及参数仍与例1相同。

（1）试绘出电路的电压传输特性vO = f（vI）；

（2）当VI =Vi = 6sint（V）时，试绘出VO的波形。

解：设置直流扫描分析(DC Sweep)和瞬态分析(Transient)，得到如图LT_02c、d的结果。 图LT_02 (a)

可以看出电路对Vi的限幅作用。

(b) 电压传输特性 （c）VI 和VO的波形

图LT_02

练习 1. 在室温（300k）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA，问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压。二极管采用指数模型，其中IS=10-9A，n=1，VT=26mV。

2. 假设一硅二极管在0.7V的恒压降下运行，当温度在-30℃到50℃之间变动时，求二极管的最大电流与最小电流之比。使用指数模型，其中IS=10-8A，n=2，k=1.38×10-23J/K，q=1.6×10-19 C。

河北联合大学 (原河北理工大学)电工学试题库及答案 第8章半导体器件 习题

河北联合大学 (原河北理工大学)电工学试题库及答案 第8章半导体器件 习题

1 第8章 半导体二极管、三极管

1004 N 型 半 导 体 的 多 数 载 流 子 是 电 子，因 此 它 应（ ）。

(a) 带 负 电 (b) 带 正 电 (c) 不 带 电

2002当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。

(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变

3007在 PN 结 中 形 成 空 间 电 荷 区 的 正、负 离 子 都 带 电，所 以 空 间 电 荷 区 的 电 阻 率（ ）。

(a) 很 高 (b) 很 低(c)等 于N 型 或 P 型 半 导 体 的 电 阻 率

4010半 导 体 二 极 管 的 主 要 特 点 是 具 有（ ）。

(a) 电 流 放 大 作 用(b) 单 向 导 电 性 (c) 电 压 放 大 作 用

5011理 想 二 极 管 的 正 向 电 阻 为（ ）。

(a) 零 (b) 无 穷 大 (c) 约 几 千 欧

6014二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a、b 两 端 电 位 如 图 所

示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。

(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿

7015如 果 把 一 个 小 功 率 二 极 管 直 接 同 一 个 电 源 电 压

为1.5V、内 阻 为 零 的 电 池 实 行 正 向 连 接，电 路 如 图 所

示，则 后 果 是 该 管（ ）。

(a) 击 穿 (b) 电 流 为 零 (c) 电 流 正 常

(d) 电 流 过 大 使 管 子 烧 坏 ab7V6.3VD 2 1.5VD+-

8016 电 路 如 图 所 示 ，二 极 管 D 为 理 想 元 件，US =5 V ，则 电 压uO=（ ）。