高精度实时时钟完全解决方案-SD2300系列
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功能框图(以SD2304FLP为例):
管脚图:
管脚功能表:
标号
功能
特征
VBAT
外加备用电池引脚
由于在模块内部有电池，故在其电池能量未耗尽之前不接
TEST
测试
内部电池电压检测脚（通常不接）
GND
负电源
SCL
串行时钟输入脚，由于在SCL上升/下降沿处理信号，要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间，应严格遵守说明书。
SD2300全系列性能特点：包括SD2300/SD2101(A/B/C/D/E)/SD2303/SD2304/SD2310及SD2300L
低功耗：典型值1.0μA(VDD=3.6V,Ta=25℃，SD2300A)
工作电压：3.0V～5.5V（其中NVSRAM在4.5V～5.5V作）
工作温度：民用级0℃～70℃，工业级－40℃～85℃。
INTRB
报警中断B输出脚，根据控制寄存器1与控制寄存器2来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写控制寄存器来禁止。
N-沟道开路输出（与VDD端之间无保护二极管
VDD
正电源Biblioteka 16SOP:SD2303AS/SD2310AS
SD2300系列型号：
型号
功能
封装
资料下栽
(pdf格式)
一次性电池
晶振
充电电池
NVSRAM
EEPROM
数字温度传感器
SD2300A/B/C/D/EP
DIP24
SD2300A VER1.30
SD2300RAMVER1.30
SD2300F/B/C/D/ELP
SD2310ASI
SOP16
SD2310ASI VER1.00
备注：
1.后缀A/F/B/C/D/E：分别表示内置NVSRAM/E2PROM容量，分别为0/2/4/16/64/256Kbit
2.各型号均有工业级，其尾缀加“I”以示区分
3.可申请免费样片。SD2300样品申请单
4.每种型号均有工业级芯片。
CMOS输入
SDA
串行数据输入/输出脚，此管脚通常用一电阻上拉至VDD，并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接。
N沟道开路输出
INTRA
报警中断A输出脚，根据控制寄存器1与控制寄存器2来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写控制寄存器来禁止。
N-沟道开路输出（与VDD端之间无保护二极管）
输出可选择不同波形的中断脉冲。
内部晶振停振检测功能:保证时钟的有效性。
内置电源管理电路，当VDD≥3.0V时，内部电池不耗电。
内置时钟精度调整功能，最小分辨率可设为3.052ppm。
内置的4kbit～256kbit非易失性SRAM（B/C/D/E型）,其擦写次数100亿次，且内部写延时小于300ns。
如内置2kbit~256kbit的E2PROM（SD2300F/B/C/D/EL型），写入次数为一百万次，可低压至3.0V工作。
内置晶振，出厂前已对时钟进行校准，保证精度±5ppm，即时钟年误差小于2.5分钟(在25±1℃下)。
多种封装可供选择:
24DIP:SD2300 8DIP: SD2303AP
DIP24
SD2300EEPROM VER1.30
SD2301A/B/C/D/EP
DIP24
SD2301F/B/C/D/ELP
DIP24
SD2304FLP
DIP24
SD2304FLP VER1.30
SD2303AP
DIP8
SD2303AP VER1.30
SD2303AS
SOP16
SD2303ASI VER1.10
内部时钟保持电压可低至1.2V。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过
独立的地址访问各时间寄存器。
两线式CPU接口。
自动日历到2099年（包括闰年自动换算功能）。
可控的32768Hz方波信号输出。
可设定并自动重置的两路定时闹钟功能（时间范围在1周内）。
周期性中断脉冲输出:2Hz、1Hz、每分钟、每小时、每个月
高精度实时时钟完全解决方案－SD2300系列
内置电池、晶振、串行NVSRAM/E2PROM、两线接口、定时中断输出、时钟精度调整寄存器、高精度
SD2300系列是一种具有内置晶振、支持两线串行接口的高精度实时时钟芯片。该系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25±1℃下)，即年误差小于2.5分钟；该芯片内置时钟精度调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的频率偏差，能以最小分辨力3.052ppm来进行校正，通过与温度传感器的结合可以设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能；内置电池、串行NVSRAM，其中内置一次性电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命超过五年，内置串行NVSRAM为非易失性SRAM，擦写次数可达100亿次。该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要，是您在选用高精度实时时钟时的理想选择。
管脚图:
管脚功能表:
标号
功能
特征
VBAT
外加备用电池引脚
由于在模块内部有电池，故在其电池能量未耗尽之前不接
TEST
测试
内部电池电压检测脚（通常不接）
GND
负电源
SCL
串行时钟输入脚，由于在SCL上升/下降沿处理信号，要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间，应严格遵守说明书。
SD2300全系列性能特点：包括SD2300/SD2101(A/B/C/D/E)/SD2303/SD2304/SD2310及SD2300L
低功耗：典型值1.0μA(VDD=3.6V,Ta=25℃，SD2300A)
工作电压：3.0V～5.5V（其中NVSRAM在4.5V～5.5V作）
工作温度：民用级0℃～70℃，工业级－40℃～85℃。
INTRB
报警中断B输出脚，根据控制寄存器1与控制寄存器2来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写控制寄存器来禁止。
N-沟道开路输出（与VDD端之间无保护二极管
VDD
正电源Biblioteka 16SOP:SD2303AS/SD2310AS
SD2300系列型号：
型号
功能
封装
资料下栽
(pdf格式)
一次性电池
晶振
充电电池
NVSRAM
EEPROM
数字温度传感器
SD2300A/B/C/D/EP
DIP24
SD2300A VER1.30
SD2300RAMVER1.30
SD2300F/B/C/D/ELP
SD2310ASI
SOP16
SD2310ASI VER1.00
备注：
1.后缀A/F/B/C/D/E：分别表示内置NVSRAM/E2PROM容量，分别为0/2/4/16/64/256Kbit
2.各型号均有工业级，其尾缀加“I”以示区分
3.可申请免费样片。SD2300样品申请单
4.每种型号均有工业级芯片。
CMOS输入
SDA
串行数据输入/输出脚，此管脚通常用一电阻上拉至VDD，并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接。
N沟道开路输出
INTRA
报警中断A输出脚，根据控制寄存器1与控制寄存器2来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写控制寄存器来禁止。
N-沟道开路输出（与VDD端之间无保护二极管）
输出可选择不同波形的中断脉冲。
内部晶振停振检测功能:保证时钟的有效性。
内置电源管理电路，当VDD≥3.0V时，内部电池不耗电。
内置时钟精度调整功能，最小分辨率可设为3.052ppm。
内置的4kbit～256kbit非易失性SRAM（B/C/D/E型）,其擦写次数100亿次，且内部写延时小于300ns。
如内置2kbit~256kbit的E2PROM（SD2300F/B/C/D/EL型），写入次数为一百万次，可低压至3.0V工作。
内置晶振，出厂前已对时钟进行校准，保证精度±5ppm，即时钟年误差小于2.5分钟(在25±1℃下)。
多种封装可供选择:
24DIP:SD2300 8DIP: SD2303AP
DIP24
SD2300EEPROM VER1.30
SD2301A/B/C/D/EP
DIP24
SD2301F/B/C/D/ELP
DIP24
SD2304FLP
DIP24
SD2304FLP VER1.30
SD2303AP
DIP8
SD2303AP VER1.30
SD2303AS
SOP16
SD2303ASI VER1.10
内部时钟保持电压可低至1.2V。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过
独立的地址访问各时间寄存器。
两线式CPU接口。
自动日历到2099年（包括闰年自动换算功能）。
可控的32768Hz方波信号输出。
可设定并自动重置的两路定时闹钟功能（时间范围在1周内）。
周期性中断脉冲输出:2Hz、1Hz、每分钟、每小时、每个月
高精度实时时钟完全解决方案－SD2300系列
内置电池、晶振、串行NVSRAM/E2PROM、两线接口、定时中断输出、时钟精度调整寄存器、高精度
SD2300系列是一种具有内置晶振、支持两线串行接口的高精度实时时钟芯片。该系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25±1℃下)，即年误差小于2.5分钟；该芯片内置时钟精度调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的频率偏差，能以最小分辨力3.052ppm来进行校正，通过与温度传感器的结合可以设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能；内置电池、串行NVSRAM，其中内置一次性电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命超过五年，内置串行NVSRAM为非易失性SRAM，擦写次数可达100亿次。该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要，是您在选用高精度实时时钟时的理想选择。
