改良西门子法制备高纯多晶硅料

近年来，多晶硅产业之所以迅猛发展，主要受益于改良西门子法技术的进步，具体技术主要体现在化学气相沉积反应器的不断创新，能适应不断扩大生产的需要；冷氢化工艺的发展，使生产过程物料循环回收利用系统进一步完善；系统得到进一步优化，生产体系物料的技术集成不断提高，使工厂能实现更大的生产规模，建设投资和生产成本不断降低。

瓦克公司在一篇50年发展多晶硅生产的纪念性文章中，总结出企业发展的两点关键经验：首先是得益于50多年CVD反应器技术不断进步和创新；其次是生产体系物料的技术集成、综合利用的逐步完善。

1）CVD技术CVD反应炉的生产技术不断创新，生产能力不断扩大，是西门子法生产多晶硅技术得以发展的最重要因素。

钟罩式棒状载体CVD反应器因发源于德国西门子公司而闻名，用于三氯氢硅还原反应的被称为三氯氢硅西门子技术，用于硅烷分解的被称为硅烷西门子技术。

早期德国西门子公司与Wacker公司合作，为西门子公司生产硅整流器研发多晶硅原料，使用硅粉和HCl合成三氯氢硅，提纯后再以氢还原三氯氢硅生成多晶硅，使用石英玻璃CVD反应器。

后期随着材料技术的进步和降本降耗的需要，逐渐发展到金属钟罩炉、不锈钢钟罩炉，还原炉里面的棒数也逐渐从1对棒、3对棒逐渐提升到36对棒以上的大型还原炉。

图为不同年代的主流还原炉年产量情况，从图中可以看出，还原炉产量已从1975年的单炉40吨/年，提升至2015年的500吨/年，48对棒的还原炉年产能更是达到600吨的水平。

多对棒常压还原炉的使用。

进入20世纪70年代，部分企业开始想方设法地提高单炉产量，基于压力安全等方面的考虑，日本多晶硅公司研发了大型常压还原炉，以降低电耗生产能耗。

运行实践证明，多对棒还原炉与少对棒还原炉相比具有明显的节能效果，且相同生产规模的厂房面积减少，与之配套的辅助工艺设备、电气设备、工艺管线和阀门均相应减少，采用多对棒还原炉可以降低建设投资，也可以减少操作人员数量。

其中以三菱公司为代表采用96根硅棒以上的大型常压还原炉为例，炉产量达到5吨/炉，使还原电耗水平由150～200kW·h/kg-Si降到约80kW·h/kg-Si，技术进步较明显。

多晶硅制备方法嘿，朋友们！今天咱就来聊聊多晶硅制备方法这个有意思的事儿。

你知道吗，多晶硅就像是科技世界里的一块神奇积木，有了它，好多厉害的东西才能被搭建出来呢！那它是怎么来的呢？有一种常见的方法叫改良西门子法。

这就好比是一场精细的烹饪，各种原材料在特定的条件下发生奇妙的反应。

先把氯硅烷这种“食材”准备好，然后通过一系列复杂而又精确的步骤，让硅慢慢沉淀、生长，就像面团发酵一样，最后就得到了我们想要的多晶硅啦。

这过程可不简单，需要高度的控制和技巧，就像大厨做菜要掌握好火候和调味一样，稍有不慎，可能就得不到完美的“菜品”啦。

还有流化床法呢！想象一下，就像是一群小精灵在一个神奇的容器里欢快地跳动，它们相互碰撞、结合，逐渐形成了多晶硅。

这个方法就比较特别啦，它有着自己独特的魅力和挑战。

咱再说说冶金法。

这就像是从一堆矿石中淘出金子一样，通过各种手段把杂质去掉，留下纯净的硅。

是不是很神奇呢？就好像在一堆乱石中找到了闪闪发光的宝石。

每种制备方法都有它的优点和局限性呢。

就像人无完人一样，没有一种方法是绝对完美的呀。

我们得根据不同的需求和情况来选择合适的方法，这可真是个技术活呢！比如说改良西门子法，虽然它能生产出高质量的多晶硅，但是成本可不低呀，这就像是买一件高品质的衣服，价格可能会让你有点小纠结。

流化床法呢，可能在某些方面表现出色，但也有它自己需要克服的难题。

冶金法呢，相对来说可能成本低一些，但要达到特别高的纯度可能就有点难度啦。

那我们为什么要这么费劲地去研究多晶硅制备方法呢？这还用问吗？多晶硅可是在好多领域都有着重要的作用呀！太阳能电池板，没有多晶硅怎么行？电子设备，也离不开它呀！所以说，掌握了好的制备方法，就等于掌握了开启未来科技大门的钥匙呢！总之呢，多晶硅制备方法是一个充满挑战和机遇的领域。

我们要不断探索、创新，找到更好更高效的方法，让多晶硅为我们的生活带来更多的便利和惊喜。

难道不是吗？让我们一起期待未来多晶硅制备技术的更大突破吧！。

改良西门子法生产多晶硅工艺流程1. 氢气制备与净化工序在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。

电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。

除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。

净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。

电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。

出氧气贮罐的氧气送去装瓶。

气液分离器排放废吸附剂，氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放，干燥器有废吸附剂排放，均由供货商回收再利用。

2. 氯化氢合成工序从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。

出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。

从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。

氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。

出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。

为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。

该系统保持连续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。

为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。

必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。

该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。

3. 三氯氢硅合成工序原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。

硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。

供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。

1，改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。

国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。

2，硅烷法——硅烷热分解法硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。

然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。

以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。

但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。

3，流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。

制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。

因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。

唯一的缺点是安全性差，危险性大。

其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。

此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。

目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。

此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。

4，太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。

1）冶金法生产太阳能级多晶硅据资料报导[1]日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（SHARP公司）应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。

主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。

西门子工艺制备多晶硅的流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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在进行西门子工艺制备多晶硅之前，需要进行充分的准备。

改良西门子法多晶硅生产的西门子工艺，其原理就是在1100°C左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。

改良西门子工艺是在传统西门子工艺的基础上，同时具备节能、降耗、回收利用生产过程中伴随产生的大量H2、HCI、SiCI4等副产物以及大量副产热能的配套工艺。

日前世界上绝大部分厂家均采用改良西门子法生产多晶硅。

1、改良西门子法是日前主流的生产方法多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，日前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。

改良西门子法是日前主流的生产方法，采用此方法生产的多品硅约占多晶硅全球总产量的85%。

但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日等7家主要硅料厂商手中。

这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%，它们形成的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。

短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。

在未来15-20年内，采用改良西门子法工艺投产多晶硅的资金将超过1,000亿美元，太阳能级多晶硅的生产将仍然以改良西门子法为主，改良西门子法依然是目前生产多晶硅最为成熟、最可靠、投产速度最快的工艺，与其他类型的生产工艺处于长期的竞争状态，很难相互取代。

尤其对于中国的企业，由于技术来源的局限性，选择改良西门子法仍然是最现实的作法。

在目前高利润的状况下，发展多晶硅工艺有一个良好的机遇，如何改善工艺、降低单位能耗是我国多晶硅企业未来所面临的挑战。

2、西门子改良法生产工艺如下：这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。

改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。

西门子改良法生产多晶硅工艺流程西门子改良法生产多晶硅工艺流程一、TCS（三氯氢硅SiHCL3）的制备（硅粉加盐酸反应）二、TCS的提纯TCS的提纯工艺为提纯单元包括都为CVD反应炉提供纯TCS的分离和提纯系统。

第一个精馏系统（或纯精馏），接受来自TCS制备单元的氯硅烷。

在这个系统中任何来自TCS制备单元的重组分杂质将被移除，微量的金属也将被去除到符合的饿要求。

混合组分将被分成单独的组分—TCS、STC（SiCL4）和DCS(SiH2CL2)与TCS的混合物，纯TCS组分在送至CVD反应炉前先储存在纯TCS检查罐中。

第二个精馏系统（回收精馏系统）首先将来自尾气回收系统的氯硅烷分离成STC与TCS，TCS在送至CVD反应炉前同样需要先送至TCS检查罐中。

200CL101塔的底部出料将在200CL107中被分离，其中STC 将被去除，重组分将被集中送去水解。

三、多晶硅的制备（TCS加氢还原）在CVD反应器中设置硅棒，按照一定的硅的转化率、氯氢比所规定的流量，将TCS和高纯度的氢气按照一定的比例混合后加入CVD反应器中，在1000~1200℃下，经氢还原后，硅在硅棒上沉积，制得高纯度的多晶硅（99.999999%）。

以上各步反应都不是单纯的无机反应，均会生成很多的副产品，这些副产品大多可以循环利用，所以，该生产过程还需要很多的附属的生产单元，例如尾气回收、聚合物处理、加氢转化等。

另外还需要为该生产所必备的条件所需要的设施单元如：变配电所、冷冻站、冷却水站、热源、仓库、空压站、氢气站、氩气站、盐酸罐、包装区、净水站、污水处理等。

第二代多晶硅生产流程中虽然SiCl4 得到利用, 但HCl 仍然未进入循环。

第一代和第二代多晶硅生产流程中, H2 和HCl 的分离可以用水洗法, 并得到盐酸。

而第三代多晶硅生产流程中不能用水洗法, 因为这里要求得到干燥的HCl 。

为此, 用活性炭吸附法或冷SiCl4 溶解HCl 法回收, 所得到的干燥的HCl 又进入流床反应器与冶金级硅反应。

摘要多晶硅是硅产品产业链中的一个非常重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源基础的原材料。

总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和流化床法。

其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能最大，约占全世界总产能的80% 。

本论文主要研究改良西门子法（又称闭环式三氯氢硅氢还原法）生产多晶硅，,与其他的方法相比其更具优越性.。

改良西门子法是用氯气和氢气合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和工业硅粉(粗硅)在高温下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行化学精制提纯达到9个9以上，其中金属杂质总含量应降到0. 1 x 10 -9以下，提纯精馏后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD（化学沉淀法）反应生产高纯多晶硅。

改良西门子法生产多晶硅不但效率高而且环保。

国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产太阳能级与电子级多晶硅。

关键词：多晶硅；改良西门子法；提纯；还原Improved method of polysilicon production ofSiemens technology researchPolycrystalline silicon of the industrial grade silicon product is a very important intermediate products, is manufacturing silicon crystal, flowing and high purity silicon solar battery products of the main raw material, is the information industry and new energy foundation of raw materials. In general, the international polysilicon production main traditional process are: improved Siemens method, silane method and fluidized bed method. Which improved the production of Siemens polysilicon production capacity of the largest, accounts for about 80% of the world total.This thesis mainly research improved Siemens method (also called partially closed loop type hydrogen silicone hydrogen reduction method) production of polysilicon, and other methods more advantages than the Siemens method is improved with chlorine gas and hydrogen synthesis hydrogen (or outsourcing hydrogen), hydrogen and industrial silicon powder (coarse silicon) under high temperature hydrogen synthesis abroad.emphasis silicon, and then to the different chemical refining purified hydrogen silicon to nine and above, including metal impurity total content should be down to 0. 1 x 10 -9 the following, purification and distillation of the hydrogen in the different after silicon hydrogen reduction furnace for CVD chemical precipitation) reaction production high purity polycrystalline silicon. Improved Siemens method not only high efficiency and production of polysilicon environmental protection. The current available polycrystalline silicon factory most use this law in the production level and electronics polycrystalline silicon.Keywords: polysilicon; Improved Siemens method; Purification process; reduction摘要 (I)Abstract (II)第1章绪论 (1)1.1 目前多晶硅的发展前景 (1)1.2 多晶硅行业发展趋势预测 (1)1.3 国内多晶硅企业发展面临的可能风险 (2)第2章多晶硅的生产方法 (4)2.1 多晶硅的概括 (4)2.2 硅烷法 (4)2.3 流化床法 (5)2.4 改良西门子法 (6)第3章改良西门子法介绍与对比 (9)3.1 改良西门子法介绍 (9)3.2 多晶硅生产过程中的产污分析 (13)3.3 改良西门子法与其它方法的对比 (14)3.3.1改良西门子法与西门子法的比较 (14)3.3.2改良西门子法与硅烷法比较 (15)结论 (16)参考文献 (17)致谢 (18)第1章绪论1.1 目前多晶硅的发展前景在如今能源日趋紧张、环境压力增大的情况上，世界各国都把目光投向了新能源领域，太阳能作为一种重要的可再生能源，其开发和利用已成为各国可持续发展战略的重要组成部分。

项目课程说明书题目：光伏材料生产工艺流程设计（项目课程）二级学院新能源科学与工程学院年级专业13材料物理专业学号1303210007学生姓名李晓康指导教师胡云教师职称讲师新余学院项目课程任务书二级学院：新能源科学与工程学院学号1303210007 学生姓名李晓康专业（班级）13材料物理设计题目高纯多晶硅制备中的改良西门子法设计技术参数按照所查阅的相关文献，撰写一篇学术论文，5000字数左右，格式应满足主流期刊所发表论文的格式（包括中文题目，作者，作者通讯单位，中文摘要，中文关键词，英文题目，英文作者，英文通讯单位，英文摘要，英文关键词，正文，结论，参考文献）。

论文摘要应该在200字左右，文中涉及图表按顺序标出，参考文献必须标至相应引文中。

文中字母、数字采用Times New Roman字体、公式使用公式编辑器编辑，且字母用斜体。

设计要求项目课程学术论文撰写符合规范，层次清楚，叙述文笔流畅，论文内容充实，论据充分。

自我讲述条理清晰，重点突出，表现出良好的语言表达和组织能力；答辩思路清晰，反应敏捷，回答问题正确，知识面较宽。

工作量1、有关改良西门子法制备高纯多晶硅生产工艺流程的学术论文一篇2、用AutoCAD和手绘出改良西门子法生产工艺流程图3、项目课程任务答辩工作计划项目实施时间内容课时负责人地点2015-6-29 描述项目任务 3 胡云主A2042015-6-30 查阅相关资料 3 胡云图书馆2015-7-1了解改良西门子法制备多晶硅工艺流程一，并用AutoCAD绘制流程图一3 胡云主A2042015-7-2了解改良西门子法制备多晶硅工艺流程二，并用AutoCAD绘制流程图二6 胡云主A2042015-7-3了解改良西门子法制备多晶硅工艺流程三，并用AutoCAD绘制流程图三6 胡云主A2042015-7-6 项目报告撰写 3 胡云主A204 2015-7-7项目报告撰写改良西门子法制备多晶硅工艺流程总图3 胡云主A204 2015-7-8 撰写学术论文现场指导 3 胡云主A204 2015-7-9 撰写学术论文现场指导 3 胡云主A204 2015-7-10 上交学术论文和论文答辩 3 胡云主A204 小计36参考资料【1】樊舜尧，师文林.多晶硅生产技术及发展现状[[J].新材料产业，2010(10): 22-26【2】司恭.改良西门子工艺生产多品硅的安全问题[[J].安全，2010,2, I 6-19【3】侯彦青，谢刚，陶东平，俞小花，田林，杨妮.太阳能级多晶硅生产工艺，月.材料导报，2010, 24 C 7:3135【4】张愿成，张澄清，郭飞，等.锌还原四氯化硅制备多晶硅技术的国内外进展「月.新材料产业，2010(02) : 4851【5】侯彦青，谢刚，陶东平等.太阳能级多晶硅生产技术[[J]，材料导报，2010 24: 31-34.指导教师签字教研室主任签字说明：此表一式叁份，学生、指导教师、二级学院各一份。

改良西门子法生产多晶硅工艺流程1. 氢气制备与净化工序在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。

电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。

除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。

净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。

电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。

出氧气贮罐的氧气送去装瓶。

气液分离器排放废吸附剂，氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放，干燥器有废吸附剂排放，均由供货商回收再利用。

2. 氯化氢合成工序从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。

出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。

从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。

氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。

出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。

为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。

该系统保持连续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。

为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。

必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。

该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。

3. 三氯氢硅合成工序原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。

硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。

供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。

改良西门子法制备高纯多晶硅摘要：本文主要叙述了高纯多晶硅的各种制备方法，有三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法、四氯化硅氢还原法、流化床法、物理提纯法等其他制备高纯多晶硅的工艺。

[1]其中重点介绍了现在普遍都使用，技术相对成熟的改良西门子法，包括改良西门子法的制备工艺、三氯氢硅的提纯与尾气处理。

关键词:高纯多晶硅；良西门子法；尾气处理The preparation of high purity poly crystalline siliconmodified SiemensAbstract：This paper mainly describes various preparation methods of high purity poly crystalline silicon,hydrogen reduction method,the silicon cross-linked with hydrogen silica thermal decomposition method,silicon tetra chloride hydrogen reduction method,fluidity bed method,physical purification method preparation of high purity poly crystalline silicon and other crafts. Which focus on widely used now，the technology is relatively mature and improved Siemens method,including improved Siemens method of preparation,chemical hydrogen purification of silicon and tail gas treatment.Keywords:high purity poly crystalline silicon；a good method of Siemens；tail gas treatment.绪论近年来，太阳能硅电池、半导体工业和电子信息产业发展迅猛，而多晶硅是这些产业的最基本和主要的功能材料，因此，多晶硅的生产受到了各国企业的重视。

关于改良西门子法生产多晶硅的物料平衡控制本文从网络收集而来，上传到平台为了帮到更多的人，如果您需要使用本文档，请点击下载按钮下载本文档（有偿下载），另外祝您生活愉快，工作顺利，万事如意！1 工艺概述改良西门子法多晶硅包括HCl 合成、三氯氢硅合成、精馏、还原、氢化、尾气回收、硅芯后处理工序。

1. HCl 合成。

氯气和氢气在合成炉中燃烧生成氯化氢，经过脱水干燥后经压缩机增压进三氯氢硅( TCS) 合成炉。

2. 三氯氢硅( TCS) 合成。

氯化氢( HCl) 和粗硅粉在300 ℃、0. 35 MPa 下反应生成三氯氢硅。

3. 精馏。

生成的三氯氢硅经过精馏提纯，去除硼、磷及金属杂质。

4. 还原。

精制TCS 和高纯氢气在1050 ～1100 ℃、0. 5 MPa 还原炉内发生化学沉积反应生成高纯的多晶硅产品，并生成四氯化硅、三氯氢硅、氯化氢、氢气等副产物进入尾气回收系统。

5. 氢化。

TCS 合成和还原副产生成的四氯化硅在1250 ℃、0. 5 MPa 氢化炉内被高纯氢气还原生成三氯氢硅，其反应温度主要靠氢化炉中的石墨电极来加热。

并生成四氯化硅、三氯氢硅、氯化氢、氢气等副产物进入尾气回收系统。

6. 尾气回收。

还原、氢化尾气中的氯硅烷、氢气、氯化氢分别进入相应回收系统通过物理分离后循环使用。

7. 硅芯后处理。

为还原提供硅芯，多晶硅产品破碎、分级、包装。

2 物料平衡控制2. 1 物料平衡重要性1. 物料平衡控制关键在于还原氢化物料平衡、公辅系统平稳正常供应。

还原炉、氢化炉是改良西门子法生产多晶硅工艺中核心装置，是系统中物料平衡控制的关键点。

还原尾气分离的STC 经氢化全部转换成TCS 达到平衡。

实际生产中氢化转换能力是制约多晶硅产量的主要障碍，氢化能力不足、转化率低致使系统STC 胀库，从而不得不降还原负荷。

2. 保证各装置安全经济稳定连续运行，能够保障精馏提纯TCS 原料质量稳定。

图1 为某企业某月原料TCS 主要杂质检测数据，合格率达100%。