对3D、MRAM及新芯片的深度分析和探讨

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对3D、MRAM及新芯片的深度分析和探讨
 芯片晶粒在未来搭载愈来愈多晶体管可望成为趋势,让芯片运算能力达到人脑水平也可望有朝一日达成,对于这类新技术的发展,在芯片上以及在多层堆叠芯片之间打造先进3D结构成为一大主要驱动力,在2017年IEEE IEDM大会上也可见相关技术进展的发表及讨论,可以预期的是,数据中心以芯片为基础的电子存储器及嵌入式应用如计算机与工业存储器,朝3D 技术发展将成为趋势。

 根据富比士(Forbes)报导,除了存储器3D技术趋势外,每颗芯片配置多元存储器以及多层堆叠芯片的设计也将主导许多应用,此外,各类电阻式存储器及MRAM技术也将有助储存级存储器、低功耗与长效物联网(IoT),以及其它不断成长中应用的发展。

 台积电在本届IEEE IEDM大会上表示,至2020年业界将可见每晶粒500亿个晶体管的芯片问世,但其复杂度仍比相当于有着约1兆晶体管的人类大脑为低,藉由NVIDIA及其它业者在开发的新兴3D x 3D超级芯片,将可内含2,000亿个晶体管,到那时才会比较接近大脑的复杂度。

在芯片上及多层堆叠芯片间打造先进3D结构,成为达成新技术的主要驱力。