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南开大学 硅光电子学与储能实验室Four-Point Probe Operation | 2011四探针操作手册四探针操作说明书Four-Point Probe Operation 第1章引言 (1)1. 目的 (1)2. 应用范围 (1)3. 测试设备 (1)四探针 (1)数字电压源表 (2)第2章原理简述 (3)1. 薄膜(厚度≤4mm)电阻率： (3)2. 薄膜方块电阻 (3)第3章操作方法 (5)1. 引言 (5)2. 测试线连接方式 (5)3. KEITHLEY 2400高压源表设置指南 (6)4. 探针接触方式 (8)5. 数据测试指南 (8)第4章注意事项 (10)附表 (I)第1章引言1.目的本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。
2.应用范围测量参数：方块电阻，电阻率测量样品：均匀薄膜，均匀薄片方块电阻测试范围：0.01Ω～500MΩ电阻率测试范围：10-5Ω∙cm～103Ω∙cm样品大小：直径>1cm精度：<±5%3.测试设备四探针生产厂商：广州四探针有限公司RTS-2型基本指标：间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻: ≥1000MΩ；机械游移率: ≤0.3％；探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)；使用环境：温度:：23±2℃；相对湿度：≤65％；无高频干扰；无强光直射；基本参数：Fsp=0.1探针间距：1.0mm数字电压源表生产厂商：KEITHLEY 2400高压源表技术参数：准确度：0.012％功率：20w型号：2400品牌：吉时利测量范围：可选高电压（1100V）或大电流（3A）源/测量（A）KEITHLEY2400通用型源表,最大可测量200V的电流和1A的电流，输出功率20W.主要特点及优点:设计用于高速直流参数测度2400系列提供宽动态范围：10pA to 10A, 1μV to1100V, 20W to 1000W四象限工作0.012%的精确度，51/2 的分辨率可程控电流驱动和电压测量钳位的6位线电阻测量在4 1/2 数位时通过GPIB达1700读数/秒内置快速失败/通过测试比较器可选接触式检查功能数字I/O提供快速分选与机械手连接GPIB, RS-232, 和触发式连接面板TestPoint and LabVIEW驱动第2章原理简述将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在1、4 探针间通以电流I(mA)，2、3 探针间就产生一定的电压V(mV)(如图1)。
四探针作业指导书嘿，朋友们！今天咱们来好好聊聊四探针这个神奇的家伙，以及如何玩转它的作业流程。
先来说说啥是四探针吧。
想象一下，你面前有一块神秘的材料，就像一块藏着无数秘密的宝藏。
而四探针呢，就是我们打开这个宝藏大门的钥匙。
它由四根细细的探针组成，就像四个勇敢的小探险家，准备深入材料内部去探索其中的奥秘。
咱们开始实际操作前，得先把准备工作做好。
首先，确保工作台上干净整洁，可别让乱七八糟的东西干扰了咱们的探险之旅。
然后，把四探针仪器小心地拿出来，检查一下探针是不是完好无损，有没有弯曲或者损坏的地方。
这就好比战士上战场前要检查自己的武器一样重要！接下来，就是连接电源和测量线啦。
这一步可别马虎，一定要插紧插对，不然四探针可就闹脾气不好好工作了。
我记得有一次，我一个同事在操作的时候，电源没插紧，结果测量的数据那叫一个乱七八糟，可把他急坏了。
最后发现就是这么一个小细节没注意，白白浪费了好多时间。
所以呀，大家可别犯这种低级错误。
好了，准备工作就绪，咱们开始测量。
把样品平稳地放在测试台上，让四探针的针尖轻轻接触样品表面。
这时候，要注意探针接触的位置要均匀，不能有偏差。
然后，打开仪器，读取数据。
这里有个小窍门，读取数据的时候，眼睛要平视仪器的显示屏，这样才能保证数据的准确性。
测量完成后，别着急收拾走人。
要先关闭仪器，拔掉电源和测量线，然后把四探针仪器小心地放回原处。
这就像是完成了一次冒险，要把工具收拾好，为下一次的探险做好准备。
总之，操作四探针虽然看起来不难，但每个步骤都需要我们认真仔细，不能有丝毫的马虎。
只有这样，我们才能得到准确可靠的数据，解开材料的神秘面纱。
希望这份作业指导书能帮助大家顺利地完成四探针的操作，让我们一起在科学的海洋里畅游，探索更多的未知吧！。
四探针测试仪安全操作规程四探针测试仪安全操作规程一仪器概况SDY-4 型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国ASTM标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的专用仪器。
二操作规程1. 接上电源，开启主机，此时“R□”和“I”指示灯亮。
预热约5分钟。
2. 检查工作条件：工作温度23±2℃，相对湿度为65%，满足以上条件方可进行下面操作。
3. 根据硅片的直径厚度以及探针的修正系数，计算出所测硅片和标准样片的电流值。
4. 取下测头保护罩，用酒精棉球擦拭测头及工作平台。
5.根据每个合同所要求电阻率值的范围，按说明书选择电流量程。
6.用标准样片对测试仪进行校正，在硅片中心处至少检测3点，其平均值和标准样片电阻值进行比较，差值在1.5%之内，即可进行检测。
7.将已喷砂好的硅棒或者表面洁净的硅片放入探针架测试台面中心位置进行测试。
8.探针压在硅棒/片端面上的中心点，十点法要求对上、下端面测量，测量值稳定此时读取显示屏显示的电阻率值，并记录测量值。
如果有轴向测试要求，则将硅棒轴向端面进行打磨后测试轴向电阻率。
9.若测量过程中，显示屏出现测量值波动不稳定，超出偏差范围，停止工作，检查室温、硅棒测量面、及显示器是否出现异常。
10.整批测量完成，探针加上护罩，升降架下降到测量台面上方5cm-8cm处。
关闭电源开关。
三注意事项：1、每次开机后需先测试标准电阻率样片/块，测试值与标称值偏差不能超过1.5%；2、硅棒、硅片测试表面温度需控制在22-24度之间，环境温度控制在21-25度之间；3、测试前需确认四探针重复测试精度，针对样片、块同一点测试3次，重复测试误差不超过1%；4、被测试表面需与四探针下降方向保持垂直；5、被测试表面需利用喷砂、打磨、酒精擦拭等方式使表面无异物沾污、表面平整无凹坑、无突起；6、电阻率测试存在诸多不确定因素，出现偏差大的现象请及时通知相关责任人处理。
KEITHLEY四探针操作手册南开大学硅光电子学与储能实验室四探针操作手册Four-Point Probe Operation | 2011四探针操作说明书Four-Point Probe Operation第1章第2章引言1.目的本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。
2.应用范围测量参数：方块电阻，电阻率测量样品：均匀薄膜，均匀薄片方块电阻测试范围：0.01Ω～500MΩ电阻率测试范围：10-5Ω∙cm～103Ω∙cm样品大小：直径>1cm精度：<±5%3.测试设备➢四探针生产厂商：广州四探针有限公司RTS-2型基本指标：间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻: ≥1000MΩ；机械游移率: ≤0.3％；探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)；使用环境：温度:：23±2℃；相对湿度：≤65％；无高频干扰；无强光直射；基本参数：Fsp=0.1探针间距：1.0mm➢数字电压源表生产厂商：KEITHLEY 2400高压源表技术参数：准确度：0.012％功率：20w型号：2400品牌：吉时利测量范围：可选高电压（1100V）或大电流（3A）源/测量（A）KEITHLEY2400通用型源表,最大可测量200V 的电流和1A的电流，输出功率20W.主要特点及优点:设计用于高速直流参数测度2400系列提供宽动态范围：10pA to 10A, 1μV to1100V, 20W to 1000W四象限工作0.012%的精确度，5 1/2 的分辨率可程控电流驱动和电压测量钳位的6位线电阻测量在4 1/2 数位时通过GPIB达1700读数/秒内置快速失败/通过测试比较器可选接触式检查功能数字I/O提供快速分选与机械手连接GPIB, RS-232, 和触发式连接面板TestPoint and LabVIEW驱动第3章原理简述将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在 1、4 探针间通以电流 I(mA)，2、3 探针间就产生一定的电压V(mV)(如图1)。
四點探針量測儀使用操作手冊作者：余沐榮, 光電碩一, 分機: 4692 ( 2007 / 7 / 30 )四點探針量測儀(Four-Point Probe)可以測量導體及半導體的電阻。
本設備主要用途為量測半導體薄膜電阻，即片電阻係數(Sheet Resistivity)，單位為Ω/ 或ohms per square。
(符號 代表對一片面積做量測，並不是代表cm2)可量測樣品規格為: (1) 2吋至6吋晶圓(表面須為平整的導電薄膜)(2) 破片: 至少2公分見方以上操作步驟如下:打開靠近四點探針儀側面(右手邊)的電源開關，接著按下電腦Power ON 鍵後，隨即進入主畫面。
測量破片時，請勿將待測樣品置於狹縫之中，以避免探針損壞，如下圖所示: 進入畫面後，點選Yes。
打開開關Power ON樣品樣品點選選單中的Password → Log ON →鍵入Shift + 123→ OK。
點選選單中的Utilities → Control 進入操作介面。
如下所示:Cassette 操作介面沒有作用(勿動)。
ProbeArm : 調整探針懸臂的移動位置Position : 調整懸臂前進與後退(透過左右箭頭)(上下箭頭)則是移動的間距，以便進行微調Home : 驅動探針懸臂馬達回到開機前的位置ChunkRot : 調整吸盤(置放待測樣品的平台)的移動位置Position : 調整吸盤的位置(R為逆時針旋轉，T為順時針) (上下箭頭)則是移動的間距，以便進行微調Home : 驅動吸盤馬達回到原位置ChunkElev : 調整探針懸臂的移動位置Position : 調整懸臂向上與向下移動(控制升降)(上下箭頭)則是移動的間距，以便進行微調Home : 驅動探針懸臂馬達回到原位置舉例: 上述的動作也可以透過點選( Probe To →R = 60 mmTh(角度) = 50 deg → OK ) 來加以調整探針與吸盤的相對位置(以不互相碰撞為原則)。
SDY-5型双电测四探针测试仪技术说明书一、概述二、技术指标三、测量原理四、仪器结构说明五、使用方法六、注意事项七、打印机操作方法一、概述SDY-5型双电测四探针测试仪采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。
因而不必知道探针间距，样品尺寸及探针在样品表面上的位置。
由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量准确度。
用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是根本办不到的。
使用本仪器测量时，由于不需要进行几何边界条件和探针间距的修正，因而对各种形状的薄膜材料及片状材料有广泛的适用性。
仪器适用于测量片状半导体材料电阻率及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶片导电膜、电热膜等薄层（膜）的方块电阻。
仪器以大规模集成电路为核心部件，并应用了微计算机技术。
利用HQ-710F型微计算机作为专用测量控制及数据处理器，使得测量、计算、读数更加直观、快速，并能打印全部预置和测量数据。
二、技术指标1.测量范围：硅片电阻率：0.01—200Ω.cm (可扩展)薄层电阻：0.01—2000Ω/口(可扩展)(方块电阻)可测晶片直径：最大直径100 mm(配J-2型手动测试架)200 mm(配J-5型手动测试架)可测晶片厚度：≤ 3.00 mm2.恒流电源:电流量程分为100μm、1mA、10mA、100mA四档。
各档电流连续可调。
稳定度优于0.1% 3.数字电压表:量程：0-199.99mV；分辨率：0.01 mV显示：四位半红色发光管数字显示.极性、小数点、超量程自动显示。
精度：±0.1%4.模拟电路测试误差:(用1、10、100、1000Ω精密电阻)≤±0.3%±1字5. 整机准确度:(用0.01—200Ω.cm 硅标样片测试)<5%6. 微计算机功能:(1)键盘控制测量取数,自动控制电流换向和电流、电压探针的变换，并进行正、反向电流下的测量，显示出平均值。
四探针测试仪测试说明
1.抽样：用真空吸笔在每炉中等间距抽取5片扩散后的硅片，充分冷却后放在四探针测试台上。
2.选择电流“10×”档，EXCH。
I亮显。
按“下降”键使探针接触硅片中心点，换到I档，校准工作电流后按“上升”键使探针脱离硅片，换到R档。
3.测试电流(156×156为
4.532mA）。
4.测量硅片四角及中心方块电阻。
按“下降”键，待显示数字稳定后记录所测硅片位置的方块电阻，按“上升”键使探针脱离硅片，移动硅片换一个位置测量。
中心点方块电阻的测量要在中心附近，不准漏出台面上的方格图样，多取几个点求平均值。
确认扩散后方块电阻及其均匀性是否在检验要求规定的范围内。
因偏磷酸滴落或其它原因使硅片表面有明显痕迹或色差的硅片必须百分之百检测，直接返工。
5.为避免测试误差，边缘处的测试位置应离硅片边缘(1~2)cm，切不可在同一点上反复测量。
6.每4h校准一次工作电流，遇电流不稳情况，需多次校验。
每班上班后由负责扩散工序的工艺员人对每条线的四探针进行相互校准，判断每条线之间的四探针是否存在差异，如有通知计量人员对其进行校准。
7.为了减小测试值与实际值的差异，测试必须在较暗的环境下进行。
8.测得的数据应写在纸上，再输入电脑，按照时间，日期，管号排列。
9.测试完成后，工艺员将按照测试值与标准值的偏差调节工艺。
实验七四探针法测量材料的电阻率一、实验目的（1）熟悉四探针法测量半导体或金属材料电阻率的原理（2）掌握四探针法测量半导体或金属材料电阻率的方法二、实验原理半导体材料是现代高新技术中的重要材料之一，已在微电子器件和光电子器件中得到了广泛应用。
半导体材料的电阻率是半导体材料的的一个重要特性，是研究开发与实际生产应用中经常需要测量的物理参数之一，对半导体或金属材料电阻率的测量具有重要的实际意义。
直流四探针法主要用于半导体材料或金属材料等低电阻率的测量。
所用的仪器示意图以及与样品的接线图如图1所示。
由图1(a)可见，测试过程中四根金属探针与样品表面接触，外侧1和4两根为通电流探针，内侧2和3两根是测电压探针。
由恒流源经1和4两根探针输入小电流使样品内部产生压降，同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其它两根探针（探针2和探针3）之间的电压V23。
a b图1 四探针法电阻率测量原理示意图若一块电阻率为 的均匀半导体样品，其几何尺寸相对探针间距来说可以看作半无限大。
当探针引入的点电流源的电流为I ，由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面，则在半径为r 处等位面的面积为22r π，电流密度为2/2j I r π= （1）根据电流密度与电导率的关系j E σ=可得2222jI I E r rρσπσπ=== （2） 距离点电荷r 处的电势为 2I V r ρπ=（3） 半导体内各点的电势应为四个探针在该点所形成电势的矢量和。
通过数学推导，四探针法测量电阻率的公式可表示为123231224133411112()V V C r r r r I Iρπ-=--+∙=∙ （4） 式中，11224133411112()C r r r r π-=--+为探针系数，与探针间距有关，单位为cm 。
若四探针在同一直线上，如图1(a)所示，当其探针间距均为S 时，则被测样品的电阻率为1232311112()222V V S S S S S I Iρππ-=--+∙=∙ （5） 此即常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。
四探针测试仪操作规程1.仪器准备a.将四探针测试仪放置在平坦的工作台上，确保没有杂物或水平度不平。
c.检查仪器电源是否连接稳定，确保电源电压适宜。
d.选择合适的探针和电缆，并将其连接到仪器上。
e.确保测试样品干净、光滑无划伤，并且与探针接触良好。
2.仪器校准a.在进行正式测试之前，需要对四探针测试仪进行校准。
b.使用已知电阻或电导率标准样品，进行测量并与标准值对比，以确保仪器准确度。
c.根据仪器使用手册中的操作指导，调整仪器的参数、零点和校准。
3.连接样品和探针a.连接电缆到测试仪的探针插座上，并确保插头连接牢固。
b.将探针的四个针尖轻轻插入待测试样品的表面，保持垂直入穿，并确保良好接触。
c.注意避免误触其他部位，以免引起误差。
4.进行测试a.开启四探针测试仪电源，并选择合适的测试模式（电阻、电导率等）。
b.根据实际需求设定测试参数，如测试范围、测量精度等。
c.手动或自动触发仪器进行测试，并等待测量结果显示。
d.根据需要记录测试结果，并确保测试过程中避免外界干扰。
5.结果分析a.对测试结果进行分析和解释，判断样品的电学性能是否符合要求。
b.如果测试结果有异常或不符合预期，可以进行多次测试以确认结果的可信度。
c.对测试结果进行记录和整理，以备后续分析和参考。
6.关闭仪器a.测试完成后，关闭四探针测试仪的电源。
b.清理测试环境，确保仪器和测试样品的存放安全。
7.日常维护a.定期清理仪器表面的灰尘和污垢，以保持仪器的正常工作状态。
b.不使用时，应将仪器放置在干燥、通风的地方，避免阳光直射和高温环境。
c.定期检查仪器的电源线、连接线和探针，确保无损坏或老化现象。
d.定期校准仪器，以确保测量结果的准确性。
以上是四探针测试仪的基本操作规程，坚持按照规程操作，能够确保测试结果的准确性和工作安全。
同时，根据具体的仪器型号和使用手册，还需遵循厂商提供的更详细的操作规程。
南开大学硅光电子学与储能实验室四探针操作手册
Four-Point Probe Operation | 2011
四探针操作说明书
Four-Point Probe Operation 第1章引言 (1)
1. 目的 (1)
2. 应用范围 (1)
3. 测试设备 (1)
➢四探针 (1)
➢数字电压源表 (2)
第2章原理简述 (3)
1. 薄膜(厚度≤4mm)电阻率： (3)
2. 薄膜方块电阻 (3)
第3章操作方法 (5)
1. 引言 (5)
2. 测试线连接方式 (5)
3. KEITHLEY 2400高压源表设置指南 (6)
4. 探针接触方式 (8)
5. 数据测试指南 (8)
第4章注意事项 (10)
附表 (I)
第1章引言
1.目的
本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。
2.应用范围
测量参数：方块电阻，电阻率
测量样品：均匀薄膜，均匀薄片
方块电阻测试范围：0.01Ω～500MΩ
电阻率测试范围：10-5Ω∙cm～103Ω∙cm
样品大小：直径>1cm
精度：<±5%
3.测试设备
➢四探针
生产厂商：
广州四探针有限公司RTS-2型
基本指标：
间距：1±0.01mm；
针间绝缘电阻: ≥1000MΩ；
机械游移率: ≤0.3％；
探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm；
探针压力：5～16 牛顿(总力)；
使用环境：
温度:：23±2℃；
相对湿度：≤65％；
无高频干扰；
无强光直射；
基本参数：
Fsp=0.1
探针间距：1.0mm
➢数字电压源表
生产厂商：
KEITHLEY 2400高压源表
技术参数：
准确度：0.012％
功率：20w
型号：2400
品牌：吉时利
测量范围：可选高电压（1100V）或大电流（3A）源/测量（A）
KEITHLEY2400通用型源表,最大可测量200V的电流和1A的电流，输出功率20W.
主要特点及优点:
设计用于高速直流参数测度
2400系列提供宽动态范围：10pA to 10A, 1μV to
1100V, 20W to 1000W
四象限工作
0.012%的精确度，5 1/2 的分辨率
可程控电流驱动和电压测量钳位的6位线电阻测量
在4 1/2 数位时通过GPIB达1700读数/秒
内置快速失败/通过测试比较器
可选接触式检查功能
数字I/O提供快速分选与机械手连接
GPIB, RS-232, 和触发式连接面板
TestPoint and LabVIEW驱动
第2章 原理简述
将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在 1、4 探针间通以电流 I(mA)，2、3 探针间就产生一定的电压 V(mV)(如图1)。
测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同，可分别按以下公式计算样品的电阻率、方块电阻、电阻：
1. 薄膜(厚度≤4mm)电阻率：
其中：D —样品直径，单位：cm 或mm ，注意与探针间距S 单位一致；
S —平均探针间距，单位：cm 或mm ，注意与样品直径D 单位一致(四探针头合格证上的S 值)；
W —样品厚度，单位：cm ，在F(W/S)中注意与S 单位一致； Fsp —探针间距修正系数(四探针头合格证上的F 值)；
F(D/S)—样品直径修正因子。
当D →∞时，F(D/S)=4.532，有限直径下的F(D/S)由附表 1查出：
F(W/S)—样品厚度修正因子。
W/S<0.4时，F(W/S)=1；W/S>0.4时，F(W/S)值由附表 2查出；
R —源表测量电阻值，单位Ω；
2. 薄膜方块电阻
其中：D —样品直径，单位：cm 或mm ，注意与探针间距S 单位一致；
S —平均探针间距，单位：cm 或mm ，注意与样品直径D 单位一致(四探针头合格证上的S 值)；
V
1
2
3
4
↑
↓
Figure 2-1直线四探针法测试原理图
W—样品厚度，单位：cm，在F(W/S)中注意与S单位一致；
Fsp—探针间距修正系数(四探针头合格证上的F值)；
F(D/S)—样品直径修正因子。
当D→∞时，F(D/S)=4.532，有限直径下的F(D/S)由附表1查出：
F(W/S)—样品厚度修正因子。
W/S<0.4时，F(W/S)=1；W/S>0.4时，F(W/S)值由附表2查出；
R—源表测量电阻值，单位Ω；
第3章操作方法
1.引言
电阻测量采用KEITHLEY 2400高压源表测量，参照4探针测试原理，源表设置应采用4线感应模式（4W AUTO）。
具体设置参看KEITHLEY 2400高压源表设置指南。
2.测试线连接方式
测试线采用4线连接方式。
Figure 3-1 测试线连接方式
3.KEITHLEY 2400高压源表设置指南
●连接设备数据线，电源，开关。
●设备显示如错误!未找到引用源。
所示。
Figure 3-2 按CONFIG 键
●按CONFIG 键，设备显示如Figure 3-3所示。
●按Ω键，设备显示如Figure 3-4所示。
●先按►键，选中SENSE-MODE 模式，按ENTER 键，设备显示如Figure 3-5所示。
Figure 3-3 按Ω键
Figure 3-4 先按►键，选中SENSE-MODE 模式，按ENTER 键。
●先按►键，选中4-WIRE 模式，按ENTER 键，再按EXIT 键，退出到测量窗口。
●如Figure 3-6所示，可看见上方4W AUTO字样，设置完成。
Figure 3-5先按►键，选中4-WIRE 模式，按ENTER 键。
Figure 3-6 设备最后显示模式，可看见上方4W AUTO。
●如有问题可以查看KEITHLEY 2400高压源表使用说明书i。
4.探针接触方式
探针接触应保持一定的压力，但不同材料的性质不同，有些材料的电阻率会随外加压力变化而改变，因而测试前要依据具体的测试材料而适当的改变探针压力。
首先用粗调键旋转探针至样品表面，略有压力后停止。
再细调一定距离，保证测量时表面读数稳定后即可。
5.数据测试指南
待测试线连接无误，源表设置完成，探针加到样品表面后，可以开始测量电阻。
●首先调节电阻测量量程。
依据样品电阻率选择量程范围，如Table 1 源表电阻测量量程
选择所示。
ii
样品电阻率范围
通过样品电流
（Ω∙cm）
<0.01 <100 mA
0.01-1 <10 mA
1-30 <1mA
30-1000 <100μA
1000-3000 <10μA
●按下源表右下方的ON/OFF 键，按键变蓝，测量开始。
记录测量电阻值。
i设备说明书下载。
ii孙以材，半导体测试技术，冶金工业出版社，1984。
●半导体材料电阻率会随电流改变而变化，因此要结合具体情况选择合适的量程。
●根据修正公式算出方块电阻和电阻率，测试完成。
将测试得到的电阻，膜厚代入以下公式即可算出电阻率和方块电阻。
各修正系数可从附表查出，Fsp=0.01.
实例1.
测量薄膜电阻为29.97Ω（1mA档），膜厚为187.165nm。
探针间距为1.0mm，样品直径为100mm（圆中心测量），Fsp为1.0。
D/S=100，
F(D/S)=4.528。
W/S=1.87⨯10-4，
F(W/S)=1;
所以ρ=2.54⨯10-3。
第4章注意事项
附表
附表1直径修正系数F(D/S)与D/S值的关系
附表2厚度修正系数F(W/S)与W/S值的关系。
