电子工艺文件模板

电子产品生产与检验工艺文件单片机学习电路板〔混合装配式〕自动化生产建议课时28课时〔1周实训〕班级姓名小组名称同意任务时刻成员完成任务时刻任务〔单元〕描述我校电子信息专业教研室为本校立即学习单片机的同学生产一批如下图的STC单片机---USB下载学习电路板。

请利用设备和工具按照行业通用的规范和要求进行电路的装配，然后再利用常用的仪器外表按照规范的测试流程和方法测量和调整电路的相关技术参数，且注重养成实际操作过程中职业素养。

外观图部件图内容：1、以IPC-A-610为参考手工安装和调试STC单片机---USB下载学习电路板。

2、安装时，能正确识读和选择不同类型的电子元器件并能判定质量好坏。

3、正确选择焊接工具，按照手工焊接通孔和贴片元件的要求进行元器件的手工装配，装配后不能显现虚焊、桥接、拉尖以及元件、焊盘或印制板损害等不良现象，差不多符合IPC-A-610规范要求。

4、调试中，能正确选择和使用仪器外表对电子产品的技术参数进行测量与调试并使之达到要求，并能完整翔实的记录试验条件和结果。

目标：1、操作过程符合企业差不多的6S (整理、整顿、清扫、清洁、修养、安全) 治理要求。

能按要求进行仪器/工具的定置和归位、工作台面保持清洁、及时清扫废弃管脚及杂物等，能事前进行接地检查，具有安全用电意识。

2、符合企业差不多的质量常识和治理要求。

能进行通孔和贴片混合安装工艺文件的预备和有效性确认，产品搬运、摆放等符合产品防护要求。

3、符合企业电子产品生产线职员的差不多素养要求，表达良好的工作适应。

如：尽量幸免裸手接触可焊表面、不可堆叠电子组件、电烙铁设置和接地检查、先无电或弱电检测(电压表/万用表)再上电检测、电源或信号输出先检测无误并在断电状态连接作品再上电、仪器的通/断电顺序、详实记录试验环境(温湿度)、条件和数据等。

资讯预备以STC单片机---USB下载学习电路板为例，组织学生对混装工艺自动化生产进行学习，在学习过程中，要求学生完成以下问题，并纳入到学习成效评定中。

微电子制造工艺文件项目名称：三极管(NPN型)制造工艺文件项目编号：团队负责人：谢威团队成员：金腾飞、崔仕杰、朱二梦刘铭冬、姚启、周涛指导教师：陈邦琼文件页数：55 页201 6 年9 月23 日工艺文件目录编号名称编者1 引言朱二梦2 三极管（NPN）示意图刘铭冬3 制造工艺流程朱二梦4 工艺参数设计金腾飞5 制作过程崔仕杰6 三极管管芯制造工艺姚启7 作业指导书谢威8 光刻（模板图）周涛9 总结朱二梦备注参考文献引言电子工业在过去40年间迅速增长，这一增长一直为微电子学革命所驱动。

从20世纪40年代晶体管发明开始，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段：1950第一次生产出了实用化的合金结三极管；1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展，为制造高频器件开辟了新途径；1960年由扩散、氧化、光刻组成的平面工艺的出现是半导体器件制造技术的重大变革，大幅度地提高了器件的频率、功率特性，极大地改善了器件的稳定性和可靠性。

在这期间每项变革对人们的生产、生活方式产生了重大的影响。

也正是由于微电子技术领域的不断创新，才能使微电子能够以每三年集成度翻两番、特征尺寸缩小倍的速度持续发展几十年。

在过去的几十年里，双极型晶体管做为微电子产业的基石有着无以伦比的作用。

虽然近年来，随着金属-氧化物-半导体都场效应晶体管（MOSFET）技太迅速发展，双极型晶体管的突出地位受到了严重挑战。

但它在模拟电路领域仍然有着广泛的应用，发挥着不可取代的作用。

在这样的大环境下，了解晶体管的功能、工艺流程及工艺参数是十分必要的，这就是本实验的目的。

二、NPN 三极管设计1.1、晶体管结构示意图n+npE BC1.2、三极管的分类三、制造工艺流程衬底制备衬底采用轻掺杂的P型硅，掺杂浓度一般在1015/cm3数量级，采用的硅晶片晶面的晶向指数为（100）。

掺杂浓度较低可以减少集电极的结电容，提高集电结的击穿电压，但掺杂浓度过低会使埋层推进过多1.埋层制备为了减小集电区的串联电阻，并减小寄生PNP管的影响，在集电区的外延层和衬底间通常要制作N+埋层。

电子工艺报告模板一、前言电子工艺报告是设计和制造电子产品过程中的必要文件之一，本文档旨在提供一个电子工艺报告的模板，方便读者快速编写电子工艺报告并降低错误率。

二、报告要求1.电子工艺报告应该包含电路设计的详细信息，包括原理图、PCB版图、电气规范等。

2.报告要求清晰明确，必须包含完整的步骤和操作指南，方便质量控制和以后的维护工作。

3.报告中应该包含制造过程中可能出现的问题和解决方案，以确保产品在制造过程中的可靠性和稳定性。

4.此外，报告还应该包含所有需要的测试方法、测试结果和分析数据，并对测试结果进行详细解释，并确保制造的产品符合所有相关标准和要求。

三、报告模板3.1 项目名称[在此处输入项目名称]3.2 设计概述[在此处输入设计概述，包括设计目的、功能、特点等]3.3 设计方案[在此处输入具体设计方案和实现步骤]3.4 PCB设计[在此处输入PCB版图，包括PCB布局、电路板尺寸、PCB制造工艺等]3.5 元器件清单[在此处输入电路元器件清单，包括元器件名称、规格、型号、供应商等信息]3.6 制造过程[在此处输入制造过程，包括制造方法、工艺流程、组装工艺等]3.7 制造问题及解决方案[在此处输入可能出现的制造问题以及解决方案]3.8 测试方法[在此处输入测试方法，包括测试设备、测试方法等信息]3.9 测试结果和分析[在此处输入测试结果和分析，包括测试数据、结论等信息]3.10 结论[在此处输入结论，总结此次设计和制造的结果，并对未来改进提出建议]四、结语以上就是电子工艺报告的模板，希望能对读者有所帮助。

需要注意的是，报告应该根据具体情况进行适当的调整和修改，以保证其完整性和准确性。

工艺文件模板电子工业工艺文件第 1 册共 10 页共 1 册产品型号:.产品名称:产品图号:批准:2004年9月旧底图总号底图总号日期签名第 1 页 GY全系列红外发射器工艺流程图共 9 页 LC焊板初测物料自检焊线装板外壳改装安装风扇固定电源线中测老化总测装保护罩旧底图编号底图编号更改通知单号编制审核技术科标准化批准更改标记姓名签名日期日期描图: 校对:第 1 页 CL 材料、零(部)件明细共 1页红外发射器材料清单 MX序号名称规格型号每只消耗单位生产单位备注1 红外发射管 BC-503IRC-B 126 个广东邦臣2 9 电阻62Ω(1/2W) 个精度1%3 1有机玻璃 (121mm*85mm*3mm) 块宝石兰色4 2 风扇 12V(30mm*30mm) 个广东佛山南海充美该型灯外壳 5 HL4420 1 壳体个6 104mm*67mm 1 线路板块M3*16 螺丝个 7 8螺母 M3 个 8 8电源线 RVV(2*1.5) 米 9 510 45*23mm 1 标签个辅助材料11 0.03 热缩管Ф2mm 米12 1 焊锡Ф0.5mm 米旧底图编号底图编号更改通知单号编制审核技术科更改标记姓名签名日期日期描图: 校对:第 1 页 CL 材料、零(部)件明细远距离红外发射器材料清单共 1 页 MX 序号名称规格型号每只消耗单位生产单位备注1 BC-503IRC-B 528 红外发射管个东莞邦臣2 48 电阻140Ω(1/2W) 个精度1%3 1有机玻璃 (245mm*169mm*3mm) 块宝石兰色4 2 风扇 12V(50mm*50mm) 个广东佛山南海充美该型灯外壳 5 HL10420 1 壳体个6 225mm*142mm 1 线路板块螺丝 M3*25 4 个 78 螺丝 M3*16 个 49 M3 螺母个 810 电源线 RVV(2*1.5) 米 1811 标签 60*40mm 1 个辅助材料12 0.03 热缩管Ф2mm 米13 2.5 焊锡Ф0.5mm 米底图编号底图编号更改通知单号编制审核技术科更改标记姓名签名日期日期描图: 校对:第 1 页 CL 材料、零(部)件明细共 1 页双远距离红外发射器材料清单 MX 序号名称规格型号每只消耗单位生产单位备注1 BC-503IRC-B 红外发射管个 618 广东邦臣2 电阻130Ω(1/2W)个 56 精度1%3 有机玻璃 (245mm*169mm*3mm) 1 块宝石兰色4 2 风扇 12V(50mm*50mm) 个广东佛山南海充美该型灯外壳 5 HL10420 1 壳体个6 225mm*142mm 1 线路板块M3*25 4 螺丝个 78 M3*16 螺丝个 49 M3 螺母个 810 电源线 RVV(2*1.5) 18 米11 60*40mm 1 标签个辅助材料12 热缩管Ф2mm 0.03 米13 焊锡Ф0.5mm 2.5 米旧底图编号底图编号更改通知单号编制审核技术科更改标记姓名签名日期日期描图: 校对:第 1 页 GS工时定额共 1 页全系列红外发射器 DE序号工序名称内容每支(件)工时(小时) 备注1 1.8 焊板双远发射板1.4 焊板远距离发射板0.5 焊板红外发射器板2 0.1 初测3 0.4 外壳改装大罩 (钻孔)0.35 小罩 (钻孔)4 0.1 风扇安装5 0.1 焊线装板6 0.2 固定电源线、装保护罩7 0.1 中测8 0.5 老化9 0.1 总测3.4 合计双远距离红外发射器3 远距离红外发射器2.05 红外发射器旧底图编号底图编号514358更改通知单号编制审核技术科更改标记姓名签名日期日期描图: 校对:第 1 页全系列红外灯工艺条件全系列红外发射器共 9 页 C7序号名称工艺条件备注1 焊接 260? 小于5s2 测试每路电流I=50mA F定焦红外灯 3 =50mA，t=0.5h 电老化每路电流IFI=0.45A F50米红外灯I=1.9A F远距离红外灯I=2.8A F旧底图编号底图编号更改通知单号编制审核技术科更改标记姓名签名日期日期描图: 校对:第 1 页技术要求/检验方法全系列红外发射器 D7 共 9 页技术要求检验方法 1、按红外发射器的种类通相应的电流，目测，不符合要求返工检验是否全部有红爆，并且红爆是否均匀。