液晶材料与技术TFT-LCD工艺技术共80页文档

tft-lcd生产工艺
TFT-LCD是一种液晶显示技术，全称为薄膜晶体管液晶显示器。

TFT-LCD生产工艺主要包括以下几个步骤：
1. 基板清洗：将玻璃基板放入清洗机内，通过化学溶液和超声波清洗，去除表面的污染物和杂质。

2. 蒸镀：将清洗后的基板放入真空蒸镀机内，通过热蒸发或磁控溅射的方式，将ITO（氧化铟锡）等导电材料薄膜均匀地沉积在基板上，形成液晶显示器的电极。

3. 形成图形：利用UV曝光机将光掩膜与基板层叠在一起进行曝光，然后通过显影和蚀刻的步骤，去除未曝光的部分物质，形成规定的图形。

4. 涂布液晶层：将液晶原料涂布在形成图形的基板上，然后通过加热和冷却控制液晶分子的方向和排列，形成液晶层。

5. 定位贴合：将两块涂有液晶层的基板通过真空吸附的方式，精确地对准并叠放在一起，形成液晶显示区域。

同时，在两块基板的边缘区域添加背光源、驱动IC等组件。

6. 封装：将贴合好的基板放入封装机内，通过高温封装胶或薄膜封装胶封住整个液晶显示器结构，保护液晶显示区域以及内部电路。

7. 背光模组制造：制作背光源，通常采用CCFL（冷阴极荧光
灯）或LED（发光二极管），通过封装、组装等过程，将背
光源和液晶显示器组装在一起。

8. 电功能测试：对制作好的液晶显示器进行电功能测试，确保其正常工作。

以上是TFT-LCD生产工艺的基本流程，当然还有很多其他细
节的工艺步骤，如氧化硅沉积、染料封装等。

随着技术的发展，TFT-LCD生产工艺也在不断改进和完善，以提高产品的质量
和性能。

详细描述
TFT-LCD显示屏的响应速度取决于液晶分子 的运动速度。为了提高响应速度，可以采用 新型液晶材料、优化驱动电路等方式。此外， 采用动态背光调节技术也可以在一定程度上 改善响应速度问题。
色彩表现力不足
总结词
相对于OLED等其他显示技术，TFT-LCD显 示技术在色彩表现力方面存在不足。
详细描述
视角限制
总结词
TFT-LCD显示技术的视角限制是其固有 缺点之一。
VS
详细描述
由于TFT-LCD显示屏的视角限制，从不同 角度观看时，色彩和亮度可能会发生变化 ，影响观看效果。为了解决这个问题，可 以采用广视角膜或者广视角技术，如IPS 、VA等，以扩大可视角度。
响应速度慢Байду номын сангаас
总结词
TFT-LCD显示技术的响应速度慢可能会影响 动态图像的显示效果。
厚度薄、体积小
厚度薄、体积小
轻便易携带
TFT-LCD显示器采用了薄型化和集成化的设 计，使得显示器在厚度和体积上都相对较小。 这种设计使得TFT-LCD显示器在空间受限的 环境中具有优势，如移动设备、便携式电脑 等。
由于TFT-LCD显示器体积小、重量轻，用户 可以轻松地将它携带到不同的地方。这种便 携性使得TFT-LCD显示器在移动办公、远程 会议等场景中具有广泛的应用价值。
功耗低
功耗低
TFT-LCD显示器采用了高效的背光调节技术 ，能够在不同亮度下保持较低的功耗。此外 ，TFT-LCD显示器还具有智能电源管理系统 ，可以根据实际需要自动调节背光亮度，进 一步降低功耗。
节能环保
低功耗的特性使得TFT-LCD显示器在节能环 保方面具有优势。用户在使用这种显示器时 可以节省能源，减少对环境的负担。这种环 保特性使得TFT-LCD显示器受到了许多用户

➢ Door Valve: 与各个Chamber之间都有一个Door Valve。
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设备主要结构
Sputter Chamber 是Substrate最后进行Process的Chamber。
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设备主要结构
Sputter Chamber的主要构成有：
➢放玻璃基板的Platen（Gate 有两个） ➢Cathode （Gate 有两个）：包括 Target 、Mask 、 Shield 、Magnetic Bar等构成部分。
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设备主要结构
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target 的 使 用 ， Target 会 变 薄 ， 从 而 使 TM 值 变小，这就要求Magnetic Bar在Z方向有 一个运动，使Magnetic Bar在Z轴的位置随 着Target的使用量而进行相应的调整，而且这个 运 动 的 规 律 也 很 重 要 ， 这 些 都 可 以 在 GPCS 中 的
在DC Sputtering过程中通过适当调节真空室内的气体 压力（Pressure Control）可得到理想条件下的最大 溅射速率。
如果Ar Gas的压力过大会减小溅射速率，其原因是参与Sputter 的原子的运动受到Gas运动阻碍的结果。相反压力太低就 不会形成Plasma辉光放电现象。
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➢ Cooling Plate：玻璃基板成膜后的温度比较高，不可以直接进 入低温的ATM环境中，所以要进行冷却。
➢ Motor：有可以使Heat Plate升降和使Cooling Plate的Pin升降的
Motor。 ➢ Door Valve:和Transfer Chamber及ATM之间都有Door Valve来实现

TFT-LCD制造工艺1.衬底制备：首先，要准备一个光学质量的镜片或玻璃衬底。

这个衬底需要经过平整、清洁和化学处理等步骤，以便为后续的层堆栈提供一个均匀和精确的表面。

2.清洗和光刻：接下来，衬底被放入一个洗涤槽中，使用化学物质和机械手段进行清洗。

清洗后，一层光刻胶沉积在衬底上。

光刻机根据设计和控制的模板光刻胶，形成透明的图案，作为后续步骤的参考。

3.薄膜沉积：在清洗和光刻步骤之后，一层薄膜被沉积在衬底上来形成TFT的晶体管结构。

沉积这层薄膜使用的技术有热升华、蒸镀和溅射等。

这些薄膜可以是金属、半导体或绝缘体，根据晶体管的类型而定。

4.晶体管制造：晶体管是TFT-LCD显示器的关键部分。

晶体管可以通过多种方法制造，其中一种常见的方法是光刻技术。

在这个步骤中，一个透明导电薄膜被刻蚀成一个晶体管的形状。

这个透明导电薄膜通常是以氧化铟锡（ITO）为主。

5.液晶填充和封装：晶体管结构完成后，液晶材料填充到显示器的内部。

液晶材料通常是一个有机化合物，可以通过电场控制其光学性质。

一旦液晶填充完成，显示器会被密封，以保护液晶材料不受外部环境的干扰。

6.后期处理：生产完成之后，还需要进行后期处理，包括修整、测试和包装等。

显示器需要经过高温处理，以确保它的性能和质量。

然后，显示器会被测试，以确保其符合规定的标准。

最后，显示器会被包装，以便运输和销售。

总的来说，TFT-LCD的制造工艺是一个复杂而精细的过程，需要多个步骤和工序的精确控制。

只有当每个步骤都被正确执行和控制，才能生产出高质量和可靠的TFT-LCD显示器。

Cleaning
SPUTTER
Ar+
Al
Al Al
DC
Al Al Al
Ar+
TARGET
SUBSTRATE
PR Coating
Exposure
Develop
Etch
Wet Etch
Strip
Dry Etch
Gas
RF
FPO LASMA Si Si
SiF4
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3) Cell Process
Glass Glass
9
响应速度
所谓响应速度，是指信号由白到黑，由黑 到白转换所需时间。这个响应速度慢，在 画面中移动的物体留下“图像的拖尾“。 表现在计算机中，有时滚动（Scroll）图像 看不见，有时使用鼠标（mouse）时，看 不见光标位置。 一般我们在规格书上提到 的响应速度是指在中间调状态下响应速度。
10
PECVD
RF
H H
SiHH
H
NH
H
H H
Si N
Si
N
Si
H
N
Cleaning
SPUTTER
Ar+
Al
Al Al
DC
Al Al Al
Ar+
TARGET
SUBSTRATE
PR Coating
Exposure
Develop
Etch
Wet Etch
PR Strip
Inspection
Dry Etch
Gas
6
LCD的显示中的一些概念
图像显示规格
Color Graphics Adapter Enhanced Graphics Adapter Video Graphics Array Super Video Graphics Array Extended Graphics Array Engineering Work Station Super Extended Graphics Array Ultra Extended Graphics Array High Definition Graphics Array Quadrable Extended Graphics Array

TFT-LCD的基本原理及其制造工艺摘要：液晶显示器是通过液晶盒使光发生变化而产生显示作用的非主动发光型显示器。

它是利用液晶特定的分子排布，在施加电压时，局部分子的排列状态发生不同于其它分子排列的变化，由此产生了液晶盒的各项光学性质的变化，再通过偏振片等变换为视觉可感知的变化。

TFT-LCD是目前使用最为广泛的液晶显示器，本文主要介绍了TFT-LCD的基本原理和制造工艺。

关键词：TFT；液晶；背光源；偏振片1.前言自人类社会进入信息时代以来，信息显示技术在人们社会活动和日常生活中的作用日益剧增。

信息处理、接受及发送等操作均借助于信息系统终端设备与人之间的界面——显示来完成,因而显示技术的发展越来越受到人们的重视。

近几年显示技术发展迅速，显示产业已成为光电子产业的龙头产业，在信息产业中仅次于微电子产业，成为举足轻重的产业。

在美国Dis-play Search公司世界平板显示(简称FPD)市场评估中。

2001年FPD 产值为300亿美2001年FPD产值为300亿美元，到2005年将达到700亿美元。

这表明平板显示的年增长率为20%以上，CRT年增长率为7%，到2004年平板显示产值将超过CRT产值。

液晶显示占FPD的80%-90%市场，尤其TFT-LCD成为主导技术。

20012002 200320042005产值／亿美元时间／年图1 平板显示世界市场 TFT-LCD技术是微电子技术和LCD技术巧妙结合的高新技术。

人们利用微电子精细加工技术和Si材料处理技术，来开发大面积玻璃板上生长Si材料和TFT平面阵列的工艺技术。

再与日益成熟的LCD制作技术相结合，以求不断提高产品品质，增强自动化大规模生产能力，提高合格率，降低成本，使其性能/价格比向CRT逼近。

日本西村和北原两位液晶专家归纳了TFT-LCD十几年来在玻璃基板尺寸、屏尺寸、分辨率及灰度级等方面的发展速度，得出结果是TFT-LCD增长速度为3年增长4倍，称为西村-北原规则。

为了切断玻璃基板，要用烧结的金刚石刀片 垂直的划出100um左右的沟槽（scribe,划 片），将经过划片的玻璃基板两端固定，在 沟槽的背面加弯曲力使其断裂（break,裂 片）。
液晶材料与技术
Scribing & Breaking
液晶材料与技术
Cutting Process
1
4
2
5
3
6
液晶材料与技术
system） 5、封接材料形成（框胶涂布）工程 6、贴合工程（组装、封接）
液晶材料与技术
PI工程
PI工程是为了使液晶分子沿特定的方向取向排列， 在基板表面配置称之为取向膜的涂布工程。
取向膜采用聚酰亚胺树脂（polyimide resin）材 料。
取向膜材料( P I)目前完全由日本独占,主要厂商有 日产化学和JSR等5家。日产化学和JSR都有适用 各种显示模式的取向膜材料。其中IPS模式用的材 料以日产化学为主, VA 模式用的材料以JSR为主。
液晶材料与技术
采用“UV2A”光配向技术的LCD面板的主要特 色： 1. 对比高达5000：1，较传统面板高出60％
以上，可以显示出极端深邃的黑色表现。 2. 开口率较传统面板高出20％，光利用效
率提升可以有效节省能源使用。 3. 反应速度为传统面板的2倍，高反应速度
适合应用于立体电视。 4. 简化面板结构有助于提升生产效率。
液晶材料与技术
为使封接剂在加压的同时加热，一般是采用机械压 头对多看贴合组件同时加压并在加热炉内进行处理。
近年来，玻璃基板迅速向大型化发展，靠机械压头 加压受到限制，因此正逐步采用一块一块地靠空气 加压，并同时加热的单片贴合封接方式。
液晶材料与技术
液晶材料与技术

TFT-LCD技术及生产工艺流程简介概述TFT（Thin Film Transistor）LCD即薄膜场效应晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器（AM-LCD）中的一种。

液晶平板显示器，特别TFT-LCD，是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的显示器件，它的性能优良、大规模生产特性好，自动化程度高，原材料成本低廉，发展空间广阔，将迅速成为新世纪的主流产品，是21世纪全球经济增长的一个亮点。

主要特点和TN技术不同的是，TFT的显示采用背透式照射方式假想的光源路径不是像TN液晶那样从上至下，而是从下向上。

这样的作法是在液晶的背部设置特殊光管，光源照射时通过下偏光板向上透出。

由于上下夹层的电极改成FET电极和共通电极，在FET电极导通时，液晶分子的表现也会发生改变，可以通过遮光和透光来达到显示的目的，响应时间大大提高到80ms左右。

因其具有比TN-LCD更高的对比度和更丰富的色彩，荧屏更新频率也更快，故TFT俗称真彩。

相对于DSTN而言，TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关器件。

由于每个像素都可以通过点脉冲直接控制。

因而每个节点都相对独立，并可以进行连续控制。

这样的设计方法不仅提高了显示屏的反应速度，同时也可以精确控制显示灰度，这就是TFT色彩较DSTN更为逼真的原因。

主要优点随着九十年代初TFT技术的成熟，彩色液晶平板显示器迅速发展，不到10年的时间，TFT-LCD迅速成长为主流显示器，这与它具有的优点是分不开的。

主要特点是：（1）使用特性好低压应用，低驱动电压，固体化使用安全性和可靠性提高；平板化，又轻薄，节省了大量原材料和使用空间；低功耗，它的功耗约为CRT显示器的十分之一，反射式TFT-LCD甚至只有CRT的百分之一左右，节省了大量的能源；TFT-LCD产品还有规格型号、尺寸系列化，品种多样，使用方便灵活、维修、更新、升级容易，使用寿命长等许多特点。

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3.7 O/S测定
Gate Etching 剥离完了
O/S check
Ｏ／Ｓ check
Short&Open缺陷检出
自动外观检查
Laser Repair （Short）
G-Open
Laser CVD （Open）
G-Com short
实例：用于G极断路和短路的检查
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AC 200V

完全非接触的测量方法 可以避免玻璃表面的划伤
刻蚀Mura、剥离残留
Mura有无 刻蚀Mura、剥离残留 PR涂敷Mura等 刻蚀Mura、剥离残留 PR涂敷Mura等 刻蚀Mura、剥离残留
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・装置原理
Micro検査 光学系统Ｘ，Ｙ轴可以移动进行目视观察。 明／暗视野、透过照明、干渉光观察等。
ＣＣＤ Camera Or 接眼目視镜筒 落斜照明
表4 线幅check项目
工程 G-PR G剥离 DIPR DI剥离 测量项目 PR后光刻胶图形——G线线宽 G剥离后金属图型——G线线宽 PR后光刻胶图形——D线线宽、DI/G重合精度 DI剥离后图形——D线线宽、沟道长度L
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3.3 PR形状测定
检查装置：原子力显微镜（AFM）
工程 DIPR 测量项目 PR后光刻胶图形——沟道处残膜厚度
PI-PR剥离
D-WE
CH-DE D-PR剥离 图15 4mask和5mask工艺流程图
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三、阵列检查介绍

工程检查的目的 对上一工序的工艺结果进行监测，防止生产线上不符合工艺管理规格的不 良品大量产生。
表2 Array工程检查项目概况
检查项目名称
显影Check 剥离外观Check

S i z 46” /47” e
52”
55”+
• •
Currently, Samsung, AUO, CMO are all developing 26” TN for customers like Samsung TV and Philips TV. From 2007, 26”TN will take large share from current 26” MVA/IPS. For 32” and above, the wide view angle technology remains mainstream.
Normally White Mode
非选择态工作原理
对于液晶显示屏上处 于非选择态上的像素， 在不施加电压的情况下， 来自光源的自然光经过 起偏器后只剩下平行于 光轴方向的线偏振光射 入液晶层。
由于起偏器的光轴方向 平行（或垂直）于入射光 侧液晶分子的取向方向， 经过起偏器后的线偏振光 的偏振方向沿平行（或垂 直）于入射侧液晶分子取 向的方向方向，射向液晶et Color filters
LC-material 2< t< 5µm
Transparent Electrode (ITO) Glass sheet Linear polarizer Lamp (backlight)
大型高分辨率的显示器还需增加TFT 大型高分辨率的显示器还需增加TFT
Cell of a TN AMLCD (2)
液 晶盒 在 镀 有ITO （ 厚 度可达1000Å）透明电极 的两块玻璃板之间夹有正 性向列相液晶NP; 液晶层厚度4 ~10 微米。
液晶盒四周用密封 材料密封; 密封材料一般是环 氧树脂、固化剂、和 玻璃衬垫按一定比例 混合。

tft-lcd 工艺随着消费电子市场的不断发展，电子产品在视觉效果上也越来越被看重。

TFT-LCD是一种新型的显示技术，所以它被广泛应用于手机、平板电脑、显示器等多种电子产品上，以其色彩鲜艳，清晰度高，观看角度广等优点而备受消费者们的青睐。

本文将详细介绍TFT-LCD的工艺。

Ⅰ、TFT-LCD的基本构造TFT-LCD屏幕基本由三部分组成，即行驱动器、列驱动器和液晶显示层。

其中，行、列驱动器是控制电子信号的电路，液晶层则是进行图像显示的主体。

行、列驱动器主要由源驱动器和栅驱动器组成。

源驱动器（Source Driver，SD）是控制电子信号进入行线（也就是屏幕的水平方向）的电子器件，一般采用CMOS工艺，用于控制每个像素的输出。

栅驱动器（Gate Driver，GD）则是控制电子信号进入列线（也就是屏幕的垂直方向）的电子器件，它决定了每个像素的亮度和颜色。

液晶层是由两块玻璃组成，中间夹着液晶材料。

具体来说，液晶层可以视为两块玻璃之间形成的一个液体极薄的屏障，电信号在行、列线之间通过驱动器得到激活，进而在液晶层中形成亮、暗的图像。

液晶层的厚度通常是非常细的，只有1/1000毫米左右。

1、玻璃的准备所选的玻璃必须非常平坦，表面不能有任何凹坑或划痕。

在制造TFT-LCD面板的过程中，两块玻璃的平面度必须满足厚度平坦度、平面度、弯曲度等要求。

在玻璃制作完成后，需要在表面涂上ITO（氧化铟锡）等导电材料。

2、光刻现代TFT-LCD的制造使用光刻技术来勾画液晶电极图案。

在光刻机中，制造商使用分辨率高达0.15微米的光刻胶。

然后，通过将光刻胶放置在玻璃表面上并在UV光下曝光制造液晶电极的具体形状和大小。

当光照时间结束时，拉膜机会将不需要的光刻胶从玻璃表面上剥离，仅留下与液晶电极然后在ITO材料上进行的精确图案。

3、电极制造涂有ITO材料的基板被输送到薄膜沉积室，使用类似于下雨的溅射技术来制造电极。

在这个过程中，金、锡、银等导体材料被放置在玻璃表面上，然后利用铝箔材料将这些导体粘合在玻璃表面上。

缺点：刻蚀选择比小，a-Si:H要相
应做得厚些，一般为150200nm，工艺难度大，厚度 控制要严格。
背沟道刻蚀结构a-Si:H TFT
（有4次光刻法和5次光刻法，5次光刻法被广泛应用于2代以上的 生产线，在此我们主要介绍5次光刻法）
栅线
有源岛
源漏电极
钝化层及 过孔
像素电极
第一次光刻栅极

第一次光刻栅线的金属材料一般有复层材料铝钕和钼 （AlNd/Mo），铝钕和掺氮钼（AlNd/MoNx）等。要求有较好 的热稳定性，物理、化学稳定性，为减小栅信号延迟电阻率 要足够低，为增大开口率栅极，宽度越窄越好。
工艺流程是：溅射前清洗——溅射——涂胶——曝光——显 影——显影后检查——湿法刻蚀——刻蚀后检查——去胶— —O/S检查。其中O/S是Open和Short的缩写，为断路和短路。 经过光刻刻蚀后形成完好的第一次光刻的图形，断面必须刻 蚀出具有一定角度的坡度角，否则容易出现跨断。

第二次光刻有源岛

第二次光刻形成a-Si:H有源岛，形成薄膜晶体管的有源 层和偶木接触层，在栅极的上面形状像一个小岛。工 艺流程:成膜前清洗——3层CVD(SiNx , a-Si:H , n+ aSi)——3层后清洗——涂胶——曝光——显影——干法刻 蚀——刻蚀后检查——去胶。 在a-Si:H有源岛形成前，先后连续沉积SiNx 、a-Si:H、 n+ a-Si 3种薄膜。SiNx是氮化硅薄膜，作为绝缘层；aSi:H 是氢化非晶硅薄膜，作为半导体层；n+ a-Si 是掺 杂了磷的非晶硅薄膜，作为欧姆接触层，用于降低源 漏电极与半导体层之间的接触电阻。这3层膜是在等离 子化学气相沉积设备中连续成膜的，可以形成良好的 层间接触，降低界面态密度。

TFT-LCD制造工艺1.基板制备：2.对齐和曝光：在基板上涂覆一层透明导电层，常用的是氧化铟锡(ITO)。

然后利用光刻技术，在导电层上创建一个薄膜晶体管的图案。

这个过程包括对齐和曝光，通过对光源进行控制，实现所需图案的精确传输到导电层上。

3.沉积涂覆：液晶屏中的液晶材料需要通过沉积涂覆的方法添加到基板上。

在这个步骤中，通过将液晶材料放置在基板上，并使用液晶电池技术来控制其密度和均匀性。

高质量的沉积涂覆可以确保液晶屏的显示效果和性能。

4.硅片蚀刻：接下来的步骤是利用化学气相沉积技术在基板上生长非晶硅薄膜。

然后使用蚀刻技术去除多余的硅片，创建所需的晶体管结构。

5.金属沉积：在晶体管结构中，需要添加金属图层用于连接和信号传输。

利用金属沉积技术，可以在基板上添加铜、铝等金属，以创建电极和导线。

6.封装：液晶屏通常是由两片基板共同构成的。

在液晶材料添加和晶体管等加工步骤完成后，将两片基板紧密封装在一起，并加入适量的液晶材料。

然后，在封装边缘处加入密封剂，确保液晶材料不泄漏。

7.后续处理：在液晶显示器制造的最后阶段，进行一系列的后续处理步骤，以保证显示器的性能和质量。

这些步骤包括对屏幕进行清洁、检查和测试，修复任何可能出现的问题，并最终对显示器进行封装。

总结：TFT-LCD的制造工艺是一个复杂的过程，需要多种材料和技术的配合。

从基板制备到最终的封装，每一步都需要高度的精确性和质量控制。

这种制造工艺的持续改进和创新，对于液晶显示器技术的发展和进步起到了重要的作用。

TFT-LCD制造工艺
一、TFT-LCD制造工艺简介
TFT-LCD（Thin film transistor liquid crystal display）即薄膜
晶体管液晶显示器，它是一种常用的新型显示设备，它集传统连续液晶显
示器和面板模组的优点于一身，具有面积、重量小、耗电低以及良好的显
示效果等特点，被广泛应用于笔记本电脑、智能手机、电子投影仪、汽车
显示屏等各类电子设备上。

二、TFT-LCD制造工艺过程
1、薄膜晶体管面板模组制造
TFT-LCD制造中最基本的部件就是薄膜晶体管面板模组。

薄膜晶体管
面板模组制造复杂，涉及的化学和物理知识十分广泛，其主要工艺流程有：清洗、干燥、喷镀、光刻、蚀刻、无机覆盖层制作、结构层制作、转印、
钝化、离子注入等。

2、连续液晶制造
连续液晶制造涉及制备液晶显示材料、连续线上液晶制备技术以及连
续线上液晶检测技术。

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