DL-5528S-C310-FBS中文资料

三星s5628i基本参数上市日期 2010年05月手机类型 3G手机手机制式 GSM，WCDMA主屏尺寸 3.0英寸屏幕色彩 26万色和弦铃声 64和弦电池规格 1000毫安时锂电池保修政策行货联保1年扩展容量 16GB支持频段 GSM 900/1800/1900 WCDMA 2100数据传输 GPRS，EDGE，HSPA主屏参数 240×400像素标配锂电池，充电器，说明书铃音描述支持MP3，MIDI，WMA，AMR，ACC等格式机身内存 230MB存储卡 MicroSD卡屏幕材质 TFT产品外形外观设计直板手机重量 92.3g产品尺寸 108.5×54×12.7mm产品天线内置机身颜色黑色拍照功能摄像头像素 320数码变焦支持视频拍摄 15fps 320×240像素传感器类型 CMOS拍摄场景全景摄像头内置拍照描述最大支持2048×1536像素照片拍摄副摄像头 10娱乐功能收音机支持图形格式支持JPEG等格式录音功能支持视频播放支持MP4/3GP/AVC/AVI/MPEG-4等格式音乐播放支持MP3/AAC/AAC+/AMR/WMA/WAV等格式电子书支持游戏内置数据功能蓝牙功能支持蓝牙2.1+A2DP数据线接口 Micro USB v2.0基本功能通话记录已接+已拨+未接电话彩信(MMS) 支持免提通话支持通讯录 2000组输入法中文输入法短信(SMS) 支持输入方式手写情景模式支持闹钟功能支持日历功能支持网络功能WAP浏览器支持WWW浏览器支持即时通讯支持QQ等电子邮件支持商务功能备忘录支持世界时间支持日程表支持其他功能电子词典支持图形菜单支持单位换算支持重力感应器支持来电铃声识别支持来电图片识别支持其它特点整合社交网络开心网，人人网等支持三星乐园下载服务支持照片视频上传应用社群支持Widget下载计算器支持配置还是一般，比较适合娱乐用，发信息还是比较可以Sanxing 5230品牌三星型号Samsung Star(S5230)上市时间2009-5网络制式GSM主屏分辨率240×432像素主屏颜色26万色主屏尺寸 3.0英寸主屏材质TFT输入方式触摸屏手写输入 QWERTY键盘本机内存容量85MB扩展卡microSD(TF)电池规格1000mAh外观样式直板机身颜色黑产品尺寸104×53×11.9mm产品重量92.0g摄像头像素300万像素摄像头材质CMOS摄像高级功能照片特效视频拍摄数码变焦手机铃声MP3 MIDI数据传输功能蓝牙 A2DP WiFi通讯录支持 2000组名片式通讯录通话功能通话记录免提接听来电铃声识别来电大头贴情景模式短信彩信彩信短信群发娱乐功能音乐播放电子书录音功能 Java扩展视频播放 FM收音机游戏商务功能记事本计算器闹钟日历秒表日程表电子邮件高级功能重力感应标配锂电池(1000mAh) 充电器立体声耳机数据线。

━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━常用三星单片机烧写电压设置参考表芯片说明:三星MCU命名方式与ROM大小及类型相关, 尾缀以2/4/8/5/7/9/A/B结尾,分别表示具有2K/4K/8K/16K/24K//32K/48K/64K BYTES ROM.S3C开头代表是MASK ROM类型, S3P开头代表是OTP ROM类型,S3F开头代表是FLASH ROM类型.以下列表为简化起见,均以S3C起头,其S3P,S3F类型片子与其有完全相同的烧写电压设置和完全兼容的电气性能.编程器说明:我站超级型编程器SSWPRO V2.0可烧写三星全系列4位/8位单片机,并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,可应用于学习开发设计及量产烧写,脱机加载一拖八的烧写板即可作为一拖四/一拖八高速烧写应用./gongju/sswprov20.htm我站商用型编程器SSW V2.0A可烧写三星全系列4位/8位单片机,并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,可应用于学习开发设计及量产烧写./gongju/sswv20a.htm我站经济型编程器SSW V2.0C可适用于烧写三星所有ROM<=32KBYTES的4/8位单片机, 具在线/离线烧写功能,速度较快,操作简便,可应用于学习开发设计及量产烧写./gongju/sswv20c.htm我站简易型编程器SSW V2.0B推荐应用于烧写三星8位FLASH ROM类型单片机, ROM<=16K BYTES, 支持VDD=5V电压芯片烧写,不支持3.3V类型芯片,适用于FLASH芯片学习开发应用./gongju/sswv20b.htm三星单片机烧写电压设置参考表 第 1 页 三星单片机烧写电压设置参考表━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━烧写电压说明:Vdd电压指烧写时加载到芯片Vdd端子的逻辑电压,Vpp电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp电压均为12V,因此烧写Vpp=3.3V/5.0V的芯片时,需对烧写转换适配器作以下改动:2009年上半年以前的老型号系列烧写器处理方法:(烧写器软件界面上没有VPP电压选择项,只输出VPP=12V)将烧写器烧写座引出的Vpp端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp端即可.注意烧写器的VPP端子必须完全空置不用,不要再行连接到芯片端,否则会损坏烧写器VPP电路.2009年下半年及以后的新型号系列烧写器,则无须作特别处理,只在烧写器软件界面上直接选择VPP=VCC即可, 烧写器即会按照用户所设定的VPP电压进行烧写.特别说明:当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104/1UF的电容入地, 并且电容尽可能的靠近芯片VPP-GND两脚, 可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp脚而造成Vpp击穿.根据三星单片机芯片相关DATA SHEET说明来看,一般情况下,如果芯片有内置EMBEDDED FLASH MEMORY INTERFACE且有USER PROGRAM MODE功能的片子, 由于其片内已予置了VPP升压电路,则都会要求采有VPP=VCC方式来烧写芯片,否则容易烧坏片子.若芯片的DATA SHEET中没有上述两项特殊功能说明, 则一般都采用VPP=12V方式来烧写芯片(某些新型号芯片要求用VPP=11V,有关这类MCU 后文有特别说明)由于三星的芯片内部结构经常更新, 一些老的DATA SHEET并没有对新功能进行说明, 建议用户在三星半导体官方网站下载最新的芯片DATA SHEET来参考应用.三星单片机烧写电压设置参考表 第 1 页 三星单片机烧写电压设置参考表三星S3C7XXX系列单片机烧写器支持型号Vdd VppSSWPRO V2.0 SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C S3C7048 5.0V 12V √√×√S3C70F4 5.0V 12V √√×√S3C7235 5.0V 12V √√×√S3C72H8 5.0V 12V √√×√S3C72K8 5.0V 12V √√×√S3C72M9 5.0V 12V √√×√S3C72N5 5.0V 12V √√×√S3C72P9 5.0V 12V √√×√S3C72Q5 5.0V 12V √√×√S3C7324 5.0V 12V √√×√S3C7335 5.0V 12V √√×√S3C7414 5.0V 12V √√×√S3C7515 5.0V 12V √√×√S3C7528 5.0V 12V √√×√S3C7544 5.0V 12V √√×√S3C7559 5.0V 12V √√×√S3C7565 5.0V 12V √√×√S3C7588 5.0V 12V √√×√说明: 三星S3C/S3P7XXX系列属4位MCU芯片,OTP片子,只能烧写一次,要求全部使用VDD=5.0V, VPP=12V进行烧写三星单片机烧写电压设置参考表 第 2 页 三星单片机烧写电压设置参考表S3C8XXX系列单片机烧写器支持型号Vdd VppSSWPROV2.0 SSW V2.0A SSWV2.0BSSW V.0CS3C8075 5.0V 12V √√×√S3C80A4 3.3V 12V √√×√S3C80A5 3.3V 12V √√×√S3C80A8 3.3V 12V √√×√S3C80B4 3.3V 12V √√×√S3C80B5 3.3V 12V √√×√S3C80B8 3.3V 12V √√×√S3C80C5 3.3V 12V √√×√S3C80E5 5.0V 12V √√×√S3C80E7 5.0V 12V √√×√S3C80F7 5.0V 12V √√×√S3C80F9 3.3V 12V √√×√S3C80G7 3.3V 12V √√×√S3C80G9 3.3V 12V √√×√S3C80J9 3.3V 3.3V √√×√S3C80JB 3.3V 3.3V √√××S3C80K5 3.3V 3.3V √√×√S3C80K9 3.3V 3.3V √√×√S3C80KB 3.3V 3.3V √√××S3C80L4 3.3V 12V √√×√S3C80M4 3.3V 12V √√×√S3C80N8 5.0V 12V √√√√S3C820B 5.0V 12V √√××S3C821A 5.0V 12V √√××S3C822B 5.0V 12V √√××S3C8235 5.0V 12V √√×√S3C8245 5.0V 12V √√×√S3C8249 5.0V 12V √√×√S3C825A 5.0V 12V √√××S3C826A 5.0V 12V √√××三星单片机烧写电压设置参考表三星单片机烧写电压设置参考表 第 3 页S3C8XXX系列单片机烧写器支持型号Vdd VppSSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0CSSWPROV2.0S3C8274 3.3V 12V √√×√S3C8275 3.3V 3.3V √√×√S3C8278 3.3V 12V √√×√S3C8285 3.3V 12V √√×√S3C8289 3.3V 12V √√×√S3C828B 3.3V 3.3V √√××S3C82E5 3.3V 12V √√×√S3C82F5 5.0V 12V √√×√S3C82HB 3.3V 3.3V √√××S3C82I9 3.3V 3.3V √√×√S3C830A 5.0V 12V √√××S3C831B 5.0V 12V √√××S3C8325 5.0V 12V √√×√S3C833B 3.3V 12V √√××S3C834B 3.3V 12V √√××S3C8454 5.0V 12V √√×√S3C8469 5.0V 12V √√×√S3C8475 5.0V 12V √√×√S3C848A 5.0V 12V √√××S3C84A4 5.0V 12V √√√√S3C84A5 5.0V 5.0V √√×√S3C84BB 5.0V 12V √√××S3C84C4 5.0V 12V √√×√S3C84DB 5.0V 5.0V √√××S3C84E9 5.0V 12V √√×√S3C84H5 5.0V 12V √√×√三星单片机烧写电压设置参考表 第 4 页 三星单片机烧写电压设置参考表S3C8XXX系列单片机烧写器支持型号Vdd VppSSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0CSSWPROV2.0S3C84I8 5.0V 12V √√√√S3C84I9 5.0V 5.0V √√×√S3C84K4 5.0V 12V √√√√S3C84MB 5.0V 5.0V √√××S3C84NB 5.0V 5.0V √√××S3C84P4 3.3V 12V √√×√S3C84Q5 5.0V 5.0V √√×√S3C84Q8 5.0V 12V √√√√S3C84S5 5.0V 12V √√×√*S3C84T5 5.0V 11V √√×√S3C84U5 5.0V 5.0V √√×√S3C84UA 5.0V 5.0V √√××S3C84V5 5.0V 5.0V √√×√S3C84V9 5.0V 5.0V √√×√S3C84VB 5.0V 5.0V √√××S3C84YB 5.0V 5.0V √√××S3C84ZB 5.0V 5.0V √√××S3C851B 5.0V 12V √√××S3C852B 5.0V 12V √√××S3C8615 5.0V 12V √√×√S3C8618 5.0V 12V √√×√S3C8625 5.0V 12V √√×√S3C8627 5.0V 12V √√×√S3C8629 5.0V 12V √√×√S3C863A 5.0V 12V √√××S3C8647 5.0V 12V √√×√S3C865B 5.0V 12V √√××S3C866B 3.3V 12V √√××S3C8837 5.0V 12V √√×√S3C8849 5.0V 12V √√×√三星单片机烧写电压设置参考表 第 5 页 三星单片机烧写电压设置参考表S3C9XXX系列单片机烧写器支持型号Vdd VppSSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0CSSWPROV2.0S3C9004 5.0V 12V √√√√S3C9014 5.0V 12V √√√√S3C921F 5.0V 12V √√×√S3C9228 5.0V 12V √√√√S3C9234 5.0V 12V √√√√S3C9404 5.0V 12V √√√√S3C9414 5.0V 12V √√√√S3C9428 5.0V 12V √√√√S3C9434 5.0V 12V √√√√S3C9444 5.0V 12V √√√√S3C9454 5.0V 12V √√√√S3C9488 5.0V 12V √√√√S3C9498 5.0V 12V √√√√S3C94A5 5.0V 12V √√×√S3C9614 5.0V 12V √√√√S3C9648 5.0V 12V √√√√S3C9658 5.0V 12V √√√√S3C9664 5.0V 12V √√√√S3C9678 5.0V 12V √√√√S3C9688 5.0V 12V √√√√*S3C94C4 5.0V 11V √√√√*S3C94C8 5.0V 11V √√√√注意:表中芯片型号前加*标识的MCU为VPP=11V烧写方式, 该类MCU属三星半导体新推出的MCU, 芯片要求采用VPP=11V方式烧写,否则会烧坏芯片,而现有推出的各款烧写器没有VPP=11V选择输出功能,需要在烧写器的VPP 输出端串联一个56-100欧姆/0.25W的电阻进行降压为VPP=11V(+-0.25V范围)后才可以用于该类芯片烧写(要求选择VPP=12V再降压输出).三星单片机烧写电压设置参考表 第 6 页 三星单片机烧写电压设置参考表。

Ambient conditions Installation altitude at height above sea level ● maximum
SIRIUS thermal overload relay
S0 S0
5.7 W 1.9 W 690 V
6 kV
IP20 8g / 10 ms DMT 98 ATEX G 001 F
Marine / Shipping
Marine / Shipping
other
Miscellaneous
Confirmation
Railway
Special Test Certificate
Further information Information- and Downloadcenter (Catalogs, Brochures,…)
1 1
0
3A 3A 3A 3A 2A 1A
1A 0.22 A 0.22 A 0.11 A
Protective and monitoring functions Trip class
CLASS 10
Short-circuit protection Design of the fuse link
● for short-circuit protection of the auxiliary switch required
Product brand name Product designation
General technical data Size of overload relay Size of contactor can be combined company-specific Power loss [W] for rated value of the current ● at AC in hot operating state ● at AC in hot operating state per pole Insulation voltage with degree of pollution 3 at AC rated value Surge voltage resistance rated value Protection class IP ● on the front Shock resistance Type of protection Reference code acc. to DIN EN 81346-2

概述SDC11557是一款单项全波风扇驱动电路，具有三种速度控制模式。

T 输出为放大的霍尔信号，适用于游戏机、CPU 制冷风扇等需要低噪音的风扇。

芯片内置锁机保护功能和温度保护功能。

在正常运转时，芯片静态电流小于5mA.SDC11557适用于MSOP-8封装。

应用⏹低噪音单相直流风扇特点⏹ 静音驱动⏹ 内置锁机保护和自动重启功能 ⏹ 具有低功耗待机模式(PWM=0) ⏹ 集成FG ⏹ 集成温度保护功能 ⏹ 低占空比启动管脚描述1OUT22VCC 3IN+4IN-5FG6PWM 7OUT18GND图1 管脚排布管脚编号管脚名称管脚功能 1 OUT2 输出2脚 2 VCC 电源 3 IN+ 霍尔输入正端 4 IN- 霍尔输入负端 5 FG 转速频率输出 6 PWM PWM 输入 7 OUT1 输出1脚 8 GND接地端表1 管脚描述功能框图图2 功能框图订购信息封装温度范围标识号 打印Pb-free Halogen-free Pb-free Halogen-free 包装形式SDC11557MTR-E1SDC11557MTR-G11557 1557 编带MSOP-8-40~85℃SDC11557M-E1 SDC11557M-G1 15571557 管装绝对最大额定值（注意：应用不要超过最大额定值，以防止损坏。

长时间工作在最大额定值的情况下可能影响器件的可靠性。

）参 数符 号条件数 值单 位V CC 最大允许电压 V CC - -0.3 to 8V最大输出电流 I OUT - 1 A 输出脚最大允许电压 V OUT - -0.3 to 8 V FG 最大允许电压 V FG - -0.3 to 8VFG 最大输出电流 I FG - 10 mA 储藏温度 T STG - -65 to 150 ℃ 焊接温度，10S T SDR - 260 ℃ 最大结温Tj--40 to 150℃表2 最大额定值推荐工作条件参 数符 号条件数 值单 位V CC 工作电压范围 V CC 2.0 to 6.0 V 霍尔输入共模电压范围 V Hall 0.4 to Vcc-1.1 V 环境温度Ta-40 to 105℃表3 推荐工作条件电气参数(无特别指明情况下：Ta=25℃,VCC=12V ）参数符号条件下 限典 型 上 限 单 位I CC1 运转、锁机保护- 4 5 mA 工作电流 I CC2待机(PWM=0)- 0.1 0.2µA锁机检测时间 T ON 0.350.5 0.65 S 锁机保护时间 T OFF 3.5 5 6.5 S 输出管饱和压降V O I OUT = 250mA, 上下管总压降- 0.3 0.44 V FG 饱和压降 V FG I FG = 5mA - 0.2 0.4 V FG 漏电流 I FGL VFG = 5V -<0.11µA 增益 G IOV OUT /(V IN+-V IN-)44 45 46dBPWM 高电平 V PWMH 0.5xV CC - V CC +0.5 VPWM 低电平 V PWML0 - 0.2xV CC VPWM 输入频率范围F PWM 0.02 - 50 kHZ 快速启动激活时间 T QS - 66.5 90 ms 霍尔输入失调电压 V HOFS - - ±6 mV 霍尔输入迟滞 V HYS ±5±10 ±15 mV 温度保护点OTS- 165 -℃温度保护迟滞/ - 30 - ℃表4 电特性真值表输入输出IN- IN+ PWMIN-IN+ PWM工作模式IN-L H L HHH L H H LH L HLLL H LL H L H H L L H LH-H L-H L L H - - L--L-表5 真值表功耗曲线图3 功耗曲线图（MSOP-8）典型应用图图4 典型应用图功能描述锁机保护和自动重启功能芯片提供锁机保护和自动重启功能，在风扇发生锁止情况时避免线圈过热烧毁。