MAX2021
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零中频I/Q调制器/解调器1.概述MAX2021是一款低噪声、高线性度、直接上变频/下变频、正交调制/解调器,适用于手持RFID、便携式读卡器以及750MHz至1200MHz的单载波/多载波GSM/EDGE、CDMA2000®、WCDMA和iDEN®基站。
与传统的二次变频结构相比,直接变频结构可显著降低发射/接收机成本,减小系统尺寸、降低功耗。
除了高线性度和低噪声优势外,MAX2021还具备很高的集成度。
器件包括:两路匹配的无源混频器用于正交调制/解调、两路LO缓冲放大器和一路LO正交分配器。
另外,芯片还内置非平衡变压器,允许RF和LO单端输入。
作为附加功能,芯片内部还集成了基带输入匹配电路,可直接与发送DAC连接,省去了昂贵的I/Q缓冲放大器。
MAX2021采用单+5V供电,提供结构紧凑的36引脚TQFN (6mm x 6mm)封装,底部带有裸焊盘。
在-40°C至+85°C范围内确保电气特性。
2.关键特性•750MHz至1200MHz RF频率范围•可选择功率模式:通过外部电阻设置器件工作在低功耗/低性能模式•36引脚、(6mm x 6mm)、TQFN封装,提供高隔离度调制器性能:•满足4载波WCDMA的65dBc ACLR要求•OIP3典型值:+21dBm•OIP2典型值:+58dBm•OP1dB典型值:+16.7dBm•LO泄漏典型值:-32dBm•边带抑制典型值:43.5dBc•输出噪声谱密度:-174dBm/Hz•DC至550MHz基带输入可直接与DAC连接,减少了I/Q缓冲器的成本•直流耦合输入允许用户控制失调电压解调器性能:•IIP3典型值:+35.2dBm•IIP2典型值:+76dBm•IP1dB典型值:> 30dBm•转换损耗典型值:9.2dB•NF典型值:9.3dB•I/Q增益平衡:0.06dB•I/Q相位平衡:0.15°3.芯片结构3.1引脚配置/功能框图引脚说明MAX2021是专为在同相(I)和正交(Q)基带的输入在650MHz到1200MHz的RF频率范围中的上变频差。
该设备还可以被用作一个解调器,将RF输入信号下变频到基带的直接。
应用包括RFID手持设备和门户网站的读者,以及单载波和多载波GSM/ EDGE,CDMA2000,WCDMA和iDEN基站。
直接转换架构是有利的,因为他们大大降低发射机或接收机成本,元件数量和功耗相比传统基于IF的双转换系统。
MAX2021集成了内部的非平衡变压器,一个LO缓冲器,分相器,两个LO驱动器放大器,两个匹配的双平衡无源混频器和宽带正交组合。
该MAX2021的高线性组合-ERS,在结合部分的精确的同相和正交信道匹配,使设备的POS-SESS优异的动态范围,ACLR,1dB压缩点,和LO和边带抑制特性tics。
这些特性使MAX2021四载波WCDMA业务的理想选择。
4.1LO缓冲器,LO输入巴伦,分相器MAX2021需要一个单端LO输入,标称功率为0dBm。
一个内部低损耗巴伦在LO输入LO缓冲器输入到差分信号转换单端LO信号。
此外,内部的平衡- 不平衡转换器相匹配的缓冲器的输入阻抗为50Ω,在整个工作频带。
LO缓冲器的输出经过分相器,它产生的第二LO信号是相对于原来的90°转向。
在0°和90°LO信号驱动器的I和Q混频器。
4.2LO驱动器分相器后,在0°和90°的LO信号分别由两级放大器放大,驱动器的I和Q混频器。
的放大的电平的LO信号,以补偿在LO驱动电平的任何变化的。
这两个阶段的LO放大器允许较宽的输入功率范围为LO驱动器。
MAX2021可以容忍为-6dBm至+3 dBm的LO电平摆幅。
4.3 I/ Q调制器MAX2021调制器组成的一对匹配的双平衡无源混频器和平衡- 不平衡转换器。
I和Q 差分基带输入接受信号从DC到550MHz差分振幅4VP-P。
宽输入带宽允许的MAX2021作为一个直接射频调制器或作为操作镜像抑制混频器。
宽共模合格范围允许直接接口与基带DAC 的。
没有有效的缓冲电路之间需要基带DAC和MAX2021用于CDMA2000和WCDMA应用。
该I和Q信号直接调制在0°和90°LO信号上变频到RF频率。
通过平衡- 不平衡转换器的I和Q混频器的输出相结合,以产生一个单端的RF输出。
5.应用信息5.1LO输入驱动MAX2021的LO输入在内部匹配到50Ω,需要一个单端驱动器在750MHz至1200MHz 的频率范围。
集成了巴伦,单端输入信号LO缓冲差分输入到差分信号转换。
外部隔直流电容器是唯一在此界面所需的外部零件。
LO输入功率应在-6dBm至+3 dBm范围。
的LO输入功率为-3dBm的建议为最佳表现评估。
5.2调制器基带I / Q输入驱动器驱动器MAX2021 I和Q基带输入为最佳性能差异。
基带输入差分输入阻抗有53Ω。
I 和Q输入的最佳源阻抗是100Ω差分。
该源阻抗实现最佳的信号传送到I和Q输入,和最佳输出射频阻抗匹配。
MAX2021可以接受最多至+20 dBm的输入功率电平上的I和Q输入。
操作复杂的波形,如CDMA运营商或GSM信号,利用远远低于输入功率电平。
这种低功耗运行作出必要的高峰值平均比这些复杂的波形。
的峰值信号必须保持在低于MAX2021的压四个基带端口需要某种形式的DC回报,建立一个共同的模式,芯片上的电路驱动器。
这样就可以实现直接直流耦合到基带端口(入住±3.5V的共模范围内的),通过一个电感接地,或通过一个低阻值的电阻到地。
MAX2021是一款被设计为直接与Maxim高速DAC接口。
这会产生一个理想的总发射阵容,以最小的辅助电路元件。
这种DAC包括双DAC的MAX5875系列,MAX5895双插DAC。
这些DAC具有接地参考的差分电流输出。
典型终止成50Ωloadresistor的接地每个DAC输出,10mA的额定直流输出电流结果到0.5V的共模DC水平调制器的I / Q输入。
由DACs标称信号电平在-12dBm的范围内为一个单一的CDMA或WCDMA载波,降低至-18dBm的每个载波的四载波应用程序。
在I / Q输入带宽是大于50MHz的反应在0.1分贝。
直接连接的DAC MAX2021确保最大的信号保真度,与没有限制性能所需的基带放大器。
该DAC输出可以通过通过一个低通滤波器去除图像频率从DAC的输出响应。
双内插DAC MAX5895可以工作在最高以x8插值率。
这样做的好处的的DAC图像的频率移动到一个非常高的,远程的频率,缓和的基带滤波器的设计。
DAC的输出的本底噪声和内插滤波器的阻带衰减足够好,以确保满足3GPP的本底噪声的要求大的频率偏移量,例如,60MHz的与没有过滤需要在调制器的RF输出。
图1示出接口的MAX2021 Maxim的DAC(在这种情况下,MAX5895双16位内插调制DAC)和与Maxim VGA和VCO/合成器集成电路的方便性和效率。
MAX5895 DAC有可编程增益和偏移控制内置英寸这些可以被用来优化的MAX2021正交调制器的LO泄漏和边带抑制的差。
5.3 RF输出MAX2021利用内部的无源混频器的架构,使设备具有一个非常低的输出噪声层。
在这样的架构下,总输出噪声是一个典型的功率总和的理论热噪声(KTB)和片上LO缓冲器电路的噪声贡献。
表现在典型的工作特性,较低的输出功率水平接近的热限制MAX2021的输出噪声为-174dBm/Hz。
随着输出功率的增大,噪声电平跟踪LO缓冲器电路,这是约-168dBc/Hz的噪声贡献。
图1。
发射机阵容图2。
双工器网络为GSM900变送器的应用推荐在I / Q输入功率电平,设备的插入损耗,确定RF输出功率电平。
输入功率为交付的输入I和Q的内部50Ω终止电压的函数。
对于简单的正弦基带信号的I和Q输入的查询结果中的-17dBm的输入功率电平传送到的I和Q的内部50Ω终端,电平89mV PP差分。
这将导致在一个射频输出功率为-23.2dBm。
5.4外部双工器在RF端口LO泄漏可清零的电平小于-80dBm传输通过引入上面的I和Q端口的DC偏移。
然而,这种空在RF端口可以妥协由不当终止I / Q中频接口。
必须小心,以匹配的I/ Q 端口驱动的DAC电路。
不匹配的情况下,劳的第二个的顺序(2fLO)短期可能会泄漏到调制器的I / Q输入端口,它可以混合使用内部LO在RF输出信号产生更多的LO泄漏。
这种泄漏有效地抵消对LO归零。
此外,LO信号反映在I / Q,IF端口产生的残余DC术语,可以扰乱归零条件。
作为展示了在图2中,在每个提供一个RC终止之后的I+,我-,Q+,Q-端口在RF端口减少的LO泄漏本量根据不同温度,LO频率,基带驱动条件。
有关详细信息,请参阅典型工作特性。
请注意,电阻值被选择为100Ω的转角频率1 /(2πRC)选择适当过滤FLO和2f 的LO泄漏,但不影响基带频率最高的基带响应的平坦性。
该共模FLO和2f LO信号在I+/ I-和Q+/ Q地看到的RC网络,从而成为50Ω终止的情况下(R / 2)。
该RC网络提供了一个路径用于吸收2F LO和FLO泄漏,而电感提供高阻抗FLO和2fLO到帮助的双工过程。
5.5 RF解调器MAX2021也可以被用来作为一个RF解调器(参见图3),将RF输入信号下变频到基带的直接。
接受单端RF输入功率高达+30 dBm的信号从650MHz至1200MHz的。
无源混频器架构产生转换损耗通常9.2分贝的。
下变频器优化的高线性度和卓越的噪声性能,通常与一个+35.2 dBm的IIP3,P1dB为大于+30 dBm的和9.3分贝的噪声系数。
宽I/ Q端口带宽允许的端口被用作一个镜像抑制混频器下变频正交IF频率。
RF和LO 输入内部匹配到50Ω。
因此,需要无匹配元件,只隔直流电容器所需要的接口。
5.6解调器输出端口注意事项就像在调制器的情况下,需要某种形式的DC返回的4个基带端口建立一个共同的模式,芯片上的电路,驱动器。
这样就可以实现直接直流耦合到基带端口(入住±3.5V的共模范围内的),通过一个电感接地,或通过一个低阻值的电阻到地。
图4显示了一个典型的网络,将用于连接到解调器操作每个基带端口。
这个网络提供了一个共同的模式DC回报,实现了高频率双工器终止不必要的RF条款,还亲志愿组织可能带来的阻抗基带放大器阻抗变换。
网络的Ca , Ra , La 和Cb形成一个高通/低通网络到负载,同时传递所需的较低的中频频率终止频率高。
LA,LB,CB,CC,LC,CD提供了一个可能的阻抗变压器。
根据不同的阻抗变换和所需的带宽,更少数量的元素都可以使用。