传感器课设

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河北科技大学
课程设计报告
学生姓名:齐晶晶学号:150701215 专业班级:电子信息工程152班
课程名称:传感器原理及应用
学年学期:2017 —20118 学年第一学期
指导教师:陈书旺
2018 年1月
课程设计成绩评定表
目录
一、设计目的
二、设计电路原理图
三、工作原理
四、仪器设备及元器件
五、作品实物图
六、制作及调试过程
七、心得体会
一、设计目的
(1)通过课程设计进一步掌握所学的基本知识,基本理论,起到巩固深化.扩展及融会贯通的作用。

(2)通过课程设计熟悉传感器的应用和设计的方法.内容.步骤及工艺,可训练查阅相关的科技文献资料并进行处理与分析问题的某种技能,培养独立动手的能力与实验技能。

(3)通过对电路方案的分析论证.比较.设计和计算,掌握电路的分析方法和设计方法。

(4)掌握常用仪器.仪表的正确使用方法,学会电路的制作和调试。

二、设计电路原理图
三、工作原理
在设计电路原理图中,R1为光敏电阻,光敏电阻有很多种,一般由金属的硫化物、硒化物等组成(如硫化镉、硫化铅、硒化镉、硒化铅)。

由于所用材料不同,工艺过程的不同,它的光电性能也相差很大。

光敏电阻的主要参数有暗电流、亮电流、光电流等。

1.暗电阻和暗电流光敏电阻在不受光照射时光敏电阻的阻值称为暗电阻,此时流过的电流称为暗电流。

2.亮电阻和亮电流光敏电阻在手光照射时光敏电阻的阻值称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。

3.光电流亮电流与暗电流之差称为光电流。

一般都希望暗电阻越大越好,而亮电阻越小越好。

也即光电流要尽可能大,这样光电阻的灵敏度就高,在实际应用中,光敏电阻的暗电阻的阻值一般在兆欧数量级,亮电阻在几千欧以下暗电阻与亮电阻之比。

暗电阻与亮电阻之比一般在100~1000000之间。

光电流和光强的系曲线,称为光敏电阻的光照特性。

不同的光敏电阻的光照特性是不同的。

光敏电阻的基本特性有伏安特性、光照特性、光谱特性、频率特性、光谱特性、温度特性等。

在光敏电阻的两端所加电压和电流的关系曲线,称为光敏电阻的伏安特性。

当光照一定时,其阻值与外加电压无关;光电流随电压线性增大,所加电压越高,光电流越大,而且没有饱和现象。

晶体三极管中有两种带不同极性电荷的载流子参与导电,故称之为双极型晶体管(BJT),又称半导体三极管,简称晶体管。

晶体管引出的三个电极分别为基极B、发射极E、集电极C,NPN型三极管的发射区与基区的PN结称为发射结,基区与集电区的PN结称为集电结。

在共射放大电路中,使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。

晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。

晶体管有三个工作区域:截止区、放大区、饱和区。

(1)截止区:其特征是发射结电压小于开启电压且集电极反向偏置。

对于共射电路,UBE≤UON且UCE>UBE,此时IB=0,而IC≤ICEO.小功率硅管的ICEO在1微安以下,锗管的ICEO小于几十微安。

因此在近似分析中,可以认为晶体管截止时的IC ≈0 (2)放大区:其特征是发射结正向偏置且集电结反向偏置。

对于共射电路,UBE>UBN且UCE≥UBE。

此时,IC几乎仅仅决定于IB,而与UCE无关,表现出IC对IB的控制作用。

在理想情况下,当IB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。

(3)饱和区:其特征是发射结与集电结均处于正向偏置。

对于共射电路,UBE>UON且UCE<UBE。

此时IC不仅与IB有关,而且明显随UCE的增大而增大。

在实际电路中,若晶体管的UBE增大时,IB也随之增大,但IC增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。

对于小功率管,可以认为当UCE=UBE,即UCB=0时晶体管处于临界状态,即临界饱和或临界放大状态。

在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。

发光二极管具有单向导电性,只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才发光,它的开启电压比普通二极管的大,红色的在1.6V~1.8V之间,绿色的约为2V。

正向电流越大,发光越强,所以使用时,
应特别注意不要超过最大功耗、最大正向电流和反向击穿电压等极限参数。

发光二极管因其驱动电压低、功耗小、寿命长、可靠性高等优点广泛应用于显示电路中。

在本实验中,设光敏电阻在黑暗条件下,电阻无穷大;随着光照的增强电阻减小,在本次试验条件下,光敏电阻最小到达750欧。

使用NPN三极管驱动LED:当基极电压上升至0.5V时,LED微微发光;当基极电压达到0.5V时,LED可正常发光。

随光照增强,R1阻值减小,流经R1的电流增大,R26~R33每个支路的电流增大;由于R26~R33为定值电阻(约为5K),所以每个三极管基极引脚的电压升高,为了达到LED1~LED8随光照增强依次点亮的效果,必须使得当Q1的基极电压升高到0.6时,Q2的基极电压升高到0.5V;当Q2的基极电压升高到0.6V时,Q3的基极电压升高到0.5V;当Q3的基极电压升高到0.6V时,Q4的基极电压升高到0.5;以此类推。

四、仪器设备及元器件
光敏电阻 1个
发光二极管 8个
9014型三极管 8个
电阻 510欧 9个
电阻 400欧 1个
电阻 4.7千欧 16个
可调电阻 7个
导线若干
电路板一个
万用表一个
五、作品实物图
正面图
背面图
六、制作及调试过程
在焊装前首先要对所用的元器件进行检测。

电路中的发光二极管。

如果用万用表的欧姆档进行测量,当黑表笔接光电二极管的阳极(P区),红表笔接光电二极管的阴极(N区),二极管处于正向偏置,表头指针偏转很大,电阻值很小,反之黑表笔接光电二极管的阴极(N区),红表笔接光电二极管的阳极(P区),二极管处于正向偏置,表头指针偏转很小,电阻值很大。

因此可以判断二极管的极性。

如果用万用表测量晶体管,从结构上看,晶体管是两个背靠背的PN结。

对于NPN型晶体管来说,基极是两个PN结的公共阳极。

如果用万用表的黑表笔接基极,红表笔分别接集电极和射极,测得阻值都较小;反之,红表笔接基极,黑表笔接其他两级,测得电阻都很大,由此可判断出基极。

对检查好的元器件引线要进行镀锡处理,保证焊接的可靠性。

在焊接前,为使电路板焊接时方便和焊接完成后看起来美观,应当对所用的所有元器件进行排版,排版完成后依次将电阻,光敏电阻,三极管,发光二极管,可变电阻焊到电路板上。

接下来就是对可变电阻进行调节,此过程看似简单其实是最复杂繁琐的,首先依次调大可变电阻,接好电源后,看8个发光二极管的发光次序和发光程度,为达到依次点亮发光二极管的效果,还要对可变电阻进行调节,直到8个发光二极管依次点亮。

为确定可变电阻的合适阻值,可作如下近似计算:I1=UAB/(R18+R26)……①I2=UAB/(R19+R27)………② (I1*R26)/(I2*R27)=0.6/0.5………③
将R26=5K带入以上三式,整理得 R19=1.2R18+1K……………………………⑴
同理得 R20=1.44R18+2.2K…………⑵ R21=1.73R18+3.64K…………⑶
R22=2.07R18+5.37K…………⑷ R23=2.49R18+7.44K…………⑸
R24=2.99R18+9.93K…………⑹ R25=3.58R18+12.92K…………⑺取R18=1K,求得AB间等效电阻RAB:
R28=1/[(1/(R18+R26)+1/(R19+R27)+1/(R20+R28)+1/(R21+R29)+1/(R22+R30)+1/(R23+R31)+1/(R 24+R32)+1/(R25+R33)≈1K
则当光照最强时 UAB=RAB/(RAB+R1)*5V≈3V
最后一支三极管的基极电压UB8=R33/(R33+R25)*UAB≈0.7V>0.6V,可正常发光。

七、心得体会
这个学期我们学习了传感器这门课程,通过对传感器课程设计的学习,让我学到了很多实用的知识,认识了许多以前没见过的不认识的元器件,更重要的是实验的过程以及思考问题的方法,与其他课程的实验是相通的,这对于我们来说也是不小的收获.
当我们亲自动手做这个设计的时候,我们发现它的难度不是我们所想的那样,因为我们实习的时候做过一个收音机,就只是按着电路图以及电路板的指示来焊接各个元器件,因为电路板上的电路都是通过金属连好了的,就把元器件插好再焊上就行了,再加上实习老师的指导,我并没有感觉出来有多难,可是这次的传感器课程设计远远不同,当我第一次拿到所谓的电路板的时候,真的吃了一惊,只是一个挨一个的小洞,那时我才知道原来我们要做的还很多,要按着电路图在电路板上把各个器件排好,还要考虑怎样排才能既要看起来好看又要焊起来方便,这也给我们增加了不小的难度.在焊接的时候我们也出现了不少问题,焊错是常有的事,为此我们也浪费了不少器件,不过当看着我们的作品在我们手中一点一点成形的时候,心里的喜悦已经把什么念头都掩盖了,因为那时我们觉得我们的付出都是值得的.
通过这次课程设计,使传感器这门课的一些理论知识与实践相结合,更加深刻了我对这门课的认识,巩固了我的理论知识。

更重要的是,做课设时,弄懂实验原理,而且体会到了实验的操作能力是靠自己亲自动手,亲自开动脑筋,亲自去请教别人才能得到提高的.
总的来说,这次的课程设计真的使我们受益匪浅。