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半导体存储器复习题

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半导体存储器计复习题

半导体存储器计复习题
5、存储器与CPU之间的连接有______、 _ _____ 和______3组连接线。
二、选择题
1．以下存储器件，若存有数据，当掉电时，（ A）磁芯存储器 B）RAM C）ROM
）存储器件能保留原有数据？
2、下列按块擦除的是（
）存储器。
A）EPROM B）EEPROM C）PROM D）FLASH
第五章 半导体存储器
复习题
一、填空题
1、半导体存存储器按使用功能分为__ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 和_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 两种。
2、MOS RAM可分为______和 ______。 3、地址译码方式有__ _ _ _ _ 和_ _ _ _ _ _ _ 两种。
_ 4、存储器扩充有 _____、 ______ 和______三种扩 展法。
D7-D0
A13 . . . SRAM A0
-OE
-具有13位地址和8位字长的存储器，问： （1）存储器能存储多少字节信息？ （2）如果存储器由1K*4bRAM芯片组成，共需要多少片？ （3）需要哪几个高位地址做片选译码来产生片选信号？
2、下列RAM芯片各需多少条地址线进行寻址？多少条数据线？ （1）512*4b （2）2K*1b （3）1K*8b （4）256K*4b
3、何谓静态存储器？何谓动态存储器？比较两者的不同点？
4、若要扩充1KB RAM（用2114芯片），规定地址为8000H—83FFH，地址线应如何连接？ 5、若要用2114芯片扩充2KB RAM，规定地址为4000H-47FFH，地址线应该如何连接？
6、已知某SRAM芯片的部分引脚如下图所示, 要求用该芯片构成A0000H—ABFFFH寻址空间的内存. (1)应选几片芯片 (2)给出各芯片的地址分配表

半导体存储器题库

半导体存储器题库

半导体存储器题库
1. 半导体存储器按照存取功能可以分为哪两类？
A. 只读存储器和随机存储器
B. 磁表面存储器和半导体存储器
C. 主存储器和外存储器
D. 硬盘和软盘
2. ROM代表什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 缓冲存储器
D. 高速缓存存储器
3. RAM代表什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 缓冲存储器
D. 高速缓存存储器
4. EEPROM是什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 可编程只读存储器
D. 可擦除可编程只读存储器
5. EPROM是什么类型的存储器？
A. 只读存储器
B. 随机存储器
C. 可编程只读存储器
D. 可擦除可编程只读存储器
6. 半导体存储器的优点是什么？
A. 容量大、速度快、功耗低、体积小、可靠性高
B. 容量小、速度快、功耗低、体积大、可靠性高
C. 容量大、速度快、功耗高、体积小、可靠性低
D. 容量小、速度快、功耗高、体积小、可靠性低
7. 下列哪个不是半导体存储器的缺点？
A. 需要定期刷新
B. 数据易丢失
C. 存取速度慢
D. 集成度低
8. 半导体存储器的刷新周期是由什么决定的？
A. 存储单元的个数
B. 存取周期的时间长度
C. 刷新电路的工作原理
D. 数据在内存中存放的时间长度。

半导体基础知识单选题100道及答案解析

半导体基础知识单选题100道及答案解析

半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。

A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

2. 常见的半导体材料有（）。

A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。

3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。

A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。

4. 半导体中的载流子包括（）。

A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。

5. P 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。

6. N 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。

7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。

A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。

8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。

9. 二极管的主要特性是（）。

A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。

10. 三极管的三个电极分别是（）。

A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。

11. 场效应管是（）控制器件。

A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。

12. 集成电路的基本制造工艺是（）。

A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。

5半导体存储器习题解答

5半导体存储器习题解答

5 大规模数字集成电路习题解答99自我检测题1．一个ROM 共有10根地址线，8根位线（数据输出线），则其存储容量为。

A．10×8 B．102×8 C．10×82D．210×82．为了构成4096×8的RAM，需要片1024×2的RAM。

A．8片B．16片C．2片D．4片3．哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失？A．SRAM B．UVEPROM C．E2PROM D．PAL4．关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的。

A．RAM读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失B．ROM掉电以后数据不会丢失C．RAM可分为静态RAM和动态RAMD．动态RAM不必定时刷新5．有一存储系统，容量为256K×32。

设存储器的起始地址全为0，则最高地址的十六进制地址码为3FFFFH 。

6．真值表如表T5.6所示，如从存储器的角度去理解，AB应看为地址，F0F1F2F3应看为数据。

表T5.6习题1．在存储器结构中，什么是“字”？什么是“字长”，如何表示存储器的容量？解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。

字的位数称为字长。

习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有n字、每字m位的存储器，其容量一般可表示为n ×m位。

2．试述RAM和ROM的区别。

解：RAM称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。

但是掉电后数据丢失。

ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入，3．试述SRAM和DRAM的区别。

解：SRAM通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写5 大规模数字集成电路习题解答 100入就能够稳定地保持下去。

动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储信息，例如电容器含有电荷表示状态1，无电荷表示状态0。

微机接口与汇编语言复习题(五)

微机接口与汇编语言复习题(五)

第5 章存储器系统6-1半导体存储器分为哪两大类?随机存取存储器由哪几个部分组成?答:分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。

RAM由地址寄存器、译码驱动电路、存储体、读/写驱动电路、数据寄存器和控制逻辑6部分组成。

6-2简述RO M、PRO M、EPR O M、EE PROM在功能上各有何特点。

答:①ROM是只读存储器，使用时只能读出，不能写入，适用于保存不需要更改而经常读取的数据，通常使用的光盘就是这类存储器。

②P ROM属于一次可编程的ROM，通常使用时也只能读出，不能写入，通常使用的刻录光盘就属于此类存储器。

最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是产生了错误，己写入的芯片只能报废。

③E P ROM属于可擦除R O M，但是用户需要使用专用的紫外线擦除器对其进行数据擦除，并使用专用的编程器对其重新写入数据。

④EEPROM是电可擦写R O M，也可以用专用的编程器对其进行擦写。

6-3存储器的地址译码有几种方式?各自的特点是什么?答:地址译码有3种方式:线选法、全译码法和部分译码法。

①线选法:使用地址总线的高位地址作为片选信号，低位地址实现片内寻址。

优点是结构简单，需要的硬件电路少，缺点是地址不连续，使用不方便，而且同一存储区的地址不唯一，造成地址空间浪费。

②全译码法:将地址总线中除片内地址以外的全部高位地址都接到译码器的输入端参与译码。

特点是每个存储单元的地址是唯一的，地址利用充分，缺点是译码电路复杂。

③部分译码法:将高位地址的部分地址线接到译码器参与译码，产生存储器的片选信号。

特点是各芯片的地址是连续的，但是地址不唯一，仍然存在地址的堆叠区。

6-4某RAM芯片的存储容量为1024x8位，其中几条地址线?几条数据线?若己知某RAM芯片引脚中有13条地址线，8条数据线，那么该芯片的存储容量是多少?答:其中有10条地址线，8条数据线。

半导体存储器复习题

半导体存储器复习题

第
6
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题
7、容量为 256×4 位的RAM，每个给定一个地址码所选中的基本存 储电路个数为 ( )。 A C 4个
√ ×
B D
8个 2048 个
× ×
256 个
分析提示
存储容量 = 字数×字长 = 256×4 位 ， RAM有256个字、字长 为 4 位，每个字需用4个基本存储电路存储。 每个给定一个地址码读、写一个字，所选中的基本存储电路个 数为 4个。
R / W = 0， RAM 进行写操作，I/O端口为输入端口。
第
10
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
11、正常工作状态下，可以随时进行读、写操作的存储器是 A C EPROM MROM
× ×
B D
PROM
RAM
×
√
分析提示
RAM为随机存取存储，正常工作状态下，可以随机选择存储
第
1
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题
2、下列存储器中，存储的信息在断电后将消失，属于“易失性”存储 器件的是 ( )。 A 半导体ROM 磁盘存储器
× ×
B D
半导体RAM
√
C
光盘存储器
×
分析提示
半导体RAM分为静态 RAM (SRAM )和动态RAM (DRAM )。 静态 RAM (SRAM )，以寄存器为存储元件，只有在带电状态 下才能存储信息。 动态RAM (DRAM )，利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效 应存储信息， 电荷不能长期存储。 半导体RAM属于“易失性”存储器。

半导体器件的能源存储技术考核试卷

C.钠离子电池
D.铅酸电池
20.以下哪些是全固态电池可能带来的潜在优势？（）
A.减少电解液的泄漏风险
B.提高电池的机械稳定性
C.增加电池的能量密度
D.降低电池的制造成本
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.半导体器件中常用的能源存储技术有______和______。
B.功率密度
C.循环寿命
D.所有以上因素
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.半导体器件的能源存储技术主要考虑以下哪些因素？（）
A.能量密度
B.功率密度
C.循环寿命
D.成本
2.锂离子电池的组成部分包括以下哪些？（）
A.正极材料
A.优化充放电策略
B.使用高品质的电极材料
C.控制电池的工作温度
D.所有以上选项
12.以下哪些是钠离子电池相对于锂离子电池的优势？（）
A.更高的原料丰富性
B.更低的成本
C.相似的能量密度
D.更好的安全性能
13.以下哪些能源存储技术适用于电网储能？（）
A.锂离子电池
B.钠硫电池
C.流体电池
D.风能
14.电池的充放电过程可能受到以下哪些因素的影响？（）
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.锂离子电池在放电过程中，负极发生氧化反应。（）
2.超级电容器的能量密度一般高于锂离子电池。（）
3.铅酸电池具有较低的自放电率。（）
4.在半导体器件中，能源存储技术的选择仅取决于成本因素。（）
5.电池的内阻对充放电效率没有影响。（）

第10章 半导体存储器及可编程逻辑器件-习题答案

6
00000 1 1 0 0000110 00000 1 1 1 0000111 00001 0 0 0 0001000 00001 0 0 1 0001001 00010 0 0 0 0001010 00010 0 0 1 0001011 00010 0 1 0 0001100 00010 0 1 1 0001101 00010 1 0 0 0001110 00010 1 0 1 0001111 00010 1 1 0 0010000 00010 1 1 1 0010001 00011 0 0 0 0010010 00011 0 0 1 0010011 00100 0 0 0 0010100 00100 0 0 1 0010101 00100 0 1 0 0010110 00100 0 1 1 0010111 00100 1 0 0 0011000 00100 1 0 1 0011001 00100 1 1 0 0011010 00100 1 1 1 0011011 00101 0 0 0 0011100 00101 0 0 1 0011101 00110 0 0 0 0011110 00110 0 0 1 0011111 00110 0 1 0 0100000 00110 0 1 1 0100001 00110 1 0 0 0100010 00110 1 0 1 0100011 00110 1 1 0 0100100 00110 1 1 1 0100101 00111 0 0 0 0100110 00111 0 0 1 0100111 01000 0 0 0 0101000 01000 0 0 1 0101001 01000 0 1 0 0101010 01000 0 1 1 0101011 01000 1 0 0 0101100 01000 1 0 1 0101101 01000 1 1 0 0101110 01000 1 1 1 0101111 01001 0 0 0 0110000 01001 0 0 1 0110001

数电-半导体存储器练习题


× √
B D
SRAM 以上都对
× ×
分析提示
DRAM利用 利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息， 管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息， 利用 管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息 电荷不能长期存储。 电荷不能长期存储。 SRAM 以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。 以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。 DRAM、 SRAM 属于“易失性”存储器，不能实现组合逻辑函 属于“易失性”存储器， 、 数。 EPROM，利用 管作存储元件， ，利用MOS管作存储元件，存储矩阵的字、位线交叉 管作存储元件 存储矩阵的字、 处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是0或 ， 处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是 或1， 连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变， 连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变，可实现组合逻辑函 数
第
4
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
4、有 10 位地址和 8 位字长的存储器，其存储容量为 、 位字长的存储器， A C 256×10 位 × 1024×10 位 ×
× ×
B D
512×8 位 × 1024×8 位 ×
× √
分析提示
10 位地址所对应 存储字数为： 210=1024 存储字数为： 每个字的字长为： 每个字的字长为： 8 位 字数× 存储容量 = 字数×字长 =1024 × 8 位
第
14
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
14、只读存储器ROM，当电源断电后再通电时，所存储的内容 ( 、只读存储器 ，当电源断电后再通电时， A C 全部改变 不确定

第九章半导体存储器习题


F3
题 9.3 ROM 阵列
2019年4月5日星期五 章目录 节目录 第九章 习题 4
9.9 试用位扩展方法，将2片256×4位的RAM组成一 个256×8位的RAM，画出电路图。
CS R /W A0 A7 A 7 L A 0 R/W CS A 7 L A 0 R/W CS
256×4（I）
D3 D7 D2 D6 D1 D5 D0 D4
1
2114（1）
D[7..0] R /W A[9..0] 10 10 A[9..0] R/W CS 8 D[3..0] 4 D[7..4]
2114（2）
D[3..0] 4 D[3..0]
10
A[9..0] R/W CS
2114（3）
D[7..0] 8 D[3..0] 4 D[7..4]
2114（4）
1
… A9 … A0 R/W CS
… A9 … A0 R/W CS
2114（1）
D3 … D0 … D4 D[7..0] D7 R /W
2114（2）
D3 … D0 … D3 D0
A[9..0]
… A9 … A0 R/W CS … A9 … A0 R/W CS
2114（3）
D3 … D0 … D4 D[7..0] D7
D[3..0] 4 D[3..0]
题9.10 2114构成2K×8图5/8
2019年4月5日星期五 章目录 第九章 习题 14
A10 R /W A[9..0] 10 10 A[9..0] R/W CS
1
10 A[9..0] R/W CS
2114（1）
D[3..0] R /W A[9..0] 10 10 A[9..0] R/W CS 4 D[3..0] 4
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数字电子技术自测练习
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 填空题
第
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题
1、可由用户以专用设备将信息写入，写入后还可以用专门方法（如 、可由用户以专用设备将信息写入，写入后还可以用专门方法（ 紫外线照射）将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为( 紫外线照射）将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为 A C MROM EPROM
第
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
13、随机存储器RAM在正常工作状态下，具有的功能是 、随机存储器 在正常工作状态下， 在正常工作状态下 A 只有读功能
×
B D
只有写功能 无读写功能
× ×
即有读功能、 C 即有读功能、又有写功能 √
分析提示
RAM为随机存取存储器，正常工作状态下，可以随机选择存 为随机存取存储器，正常工作状态下， 为随机存取存储器 储单元进行读、写操作。 储单元进行读、写操作。
第 18 页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
18、可编程逻辑阵列PLA的工作特点是 、可编程逻辑阵列 的工作特点是 A 与阵列、 与阵列、或阵列均不可编程
×
与阵列可编程、 B 与阵列可编程、或阵列不可编程 × C D 与阵列不可编程、 与阵列不可编程、或阵列可编程 × 与阵列、或阵列均可编程 与阵列、
第
6
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
6、容量为 2048×4位 的RAM，其地址线和数据线的条数为 ( 、 × 位 ， A C 4，4 ， 10，4 ，
× ×
B D
2048，4 ， 11，4 ，
× √
分析提示
字数× 存储容量 = 字数×字长 = 2048 × 4 位 211 = 2048 所以有11条地址线 因 所以有 条地址线 所以有4条数据线 因 字长 = 4 位 所以有 条数据线
√ ×
B D
存储 放电
× ×
分析提示
动态RAM (DRAM )中，MOS管的栅极电容的容量很小而漏电 动态 中 管的栅极电容的容量很小而漏电 流不绝对为零，电荷保存的时间有限，需定时对栅极电容补充电荷， 流不绝对为零，电荷保存的时间有限，需定时对栅极电容补充电荷， 以避免所存储的信息丢失。这一操作称为刷新。 以避免所存储的信息丢失。这一操作称为刷新。
)。
× √
B D
PROM EEPROM
× ×
分析提示
MROM ： 掩膜 掩膜ROM，完全只读存储器。 ，完全只读存储器。 PROM： 可编程只读存储器，但只能一次编程。 ： 可编程只读存储器，但只能一次编程。 EPROM ： 用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。 用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。 EEPROM：用电信擦除的可擦除可编程只读存储器。 ：用电信擦除的可擦除可编程只读存储器。
第
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页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题
7、容量为 256×4 位的 、 × 位的RAM，每个给定一个地址码所选中的基本存 ， ( )。 储电路个数为 A C 4个 256 个
√ ×
B D
8个 2048 个
× ×
分析提示
字数× 个字、 存储容量 = 字数×字长 = 256×4 位 ， RAM有256个字、字长 × 有 个字 每个字需用4个基本存储电路存储 个基本存储电路存储。 为 4 位，每个字需用 个基本存储电路存储。 每个给定一个地址码读、写一个字， 每个给定一个地址码读、写一个字，所选中的基本存储电路个 数为 4个。 个
√
分析提示
PLA的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编 的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项， 的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项 或逻辑阵列实现将某些与项相或， 程；或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程 。
第
19
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
19、下列器件可实现组合逻辑函数的是 、 A C DRAM EPROM
第 3 页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题
3、动态RAM的基本存储电路，是利用 、动态 的基本存储电路， 管栅—源极之间电容对电 的基本存储电路 是利用MOS管栅 源极之间电容对电 管栅 为避免所存信息的丢失， 荷的暂存效应来实现信息存储的 。为避免所存信息的丢失，必须定时 给电容补充电荷， ( )。 给电容补充电荷，这一操作称为 A C 刷新 充电
第
10
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
10、随机存储器RAM的 I⁄O 端口为输入端口时，应使 、随机存储器 端口为输入端口时， 的 A C
CS = 0, R / W = 0 √ CS = 1, R / W = 0 ×
B D
CS = 0, R / W = 1 × CS = 1, R / W = 1 ×
分析提示
处于工作状态； 片选信号 CS = 0，RAM 处于工作状态；读 / 写 控制信号 ， 进行写操作， 端口为输入端口 端口为输入端口。 ， R / W = 0， RAM 进行写操作，I/O端口为输入端口。
第
11
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
11、正常工作状态下，可以随时进行读、写操作的存储器是 ( 、正常工作状态下，可以随时进行读、 A C EPROM MROM
第
14
页
数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
14、只读存储器ROM，当电源断电后再通电时，所存储的内容 ( 、只读存储器 ，当电源断电后再通电时， A C 全部改变 不确定
× ×
B D
全部为0 全部为 保持不变
× √
分析提示
只读存储器ROM，利用二极管、三极管或MOS管作存储元件， ，利用二极管、三极管或 管作存储元件， 只读存储器 管作存储元件 存储矩阵的字、 存储矩阵的字、位线交叉处接入不接入存储元件的连接方式决定所 存储信息的内容是0或 ， 存储信息的内容是 或1，连接方式确定后所存储的信息可长期保存 不变。 不变。
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
8、容量为1024×4位的 、容量为 位的RAM，含有基本存储电路的数量为 × 位的 ， A C 1024 个 4个
× ×
B D
10 4096
× √
分析提示
字数× 个字、 存储容量 = 字数×字长 = 1024×4 位 ， RAM有1024个字、字 × 有 个字 长 为 4 位。 每个字需用4个基本存储电路存储 个基本存储电路存储， 个字需用1024×4 = 每个字需用 个基本存储电路存储， 1024个字需用 个字需用 × 4096 个基本存储电路存储。 基本存储电路存储。
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
16、 EPROM的与阵列是 、 的与阵列是 A 全译码可编程阵列
×
B 全译码不可编程阵列 √ D 非全译码不可编程阵列 ×
C 非全译码可编程阵列×
分析提示
ROM在逻辑关系上，等效成与逻辑阵列、或逻辑阵列。 在逻辑关系上，等效成与逻辑阵列、或逻辑阵列。 在逻辑关系上 与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码， 与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地址为变量 的全部最小项，为固定阵列不可编程。 的全部最小项，为固定阵列不可编程。
PROM的与 PROM的与、或阵列均不可编程 √ 的与、
分析提示
PROM：与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地 ：与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码， 址为变量的全部最小项，固定不可编程； 址为变量的全部最小项，固定不可编程；或逻辑阵列实现将某些最 小项相或， 小项相或，可编程 。 PLA：与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程； ：与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程； 或逻辑阵列实现将某些与项相或， 或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程 。
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题
2、下列存储器中，存储的信息在断电后将消失，属于“易失性”存储 、下列存储器中，存储的信息在断电后将消失，属于“易失性” ( )。 器件的是 A C 半导体ROM 半导体 磁盘存储器
× ×
B D
半导体RAM 半导体 光盘存储器
√ ×
分析提示
半导体RAM分为静态 RAM (SRAM )和动态 分为静态 和动态RAM (DRAM )。 半导体 和动态 。 静态 RAM (SRAM )，以寄存器为存储元件，只有在带电状态 ，以寄存器为存储元件， 下才能存储信息。 下才能存储信息。 动态RAM (DRAM )，利用 动态 ，利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效 管的栅极电容对电荷的存储效 应存储信息， 电荷不能长期存储。 应存储信息， 电荷不能长期存储。 半导体RAM属于“易失性”存储器。 属于“ 半导体 属于 易失性”存储器。
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
5、某ROM有 11 条地址线和 8 条数据线，其存储容量为 、 条数据线， 有 A C 2048×8位 × 位 11×8位 × 位
× ×
B D
112 ×8位 位 2048×8 位 ×
× √