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类别名称规格
碲(Te)5N、6N、7N
铋(Bi)5N、6N
铟(In)5N、6N、7N
镉(Cd)5N、6N、7N
锡(Sn)5N、6N、7N
锌(Zn)5N、6N
铂(Pt)5N、6N、7N
钒(V)5N、6N、7N
镓(Ga)5N、6N、7N
铈(Ce)5N、6N、7N
锑(Sb)5N、6N、7N
硒(Se)5N、6N
三氧化二铋Bi2O3-05级
三氧化二铟In2O3-05级
二氧化碲TeO2-05级别
氧化锌ZnO-05级别
二氧化锡SnO2-05级别
氢氧化铟In(OH)3-05
硫酸铟In2O3-05级
多晶硫化镉CdS-05级别
多晶硒化镉CdSe-05级别
多晶碲化镉CdTe-05级别
多晶硫化锌ZnS-05级别
多晶硒化锌ZnSe-05级别
无水四氯化SnCl4-05级
ITO (In2O3ITO-05级别
多晶锑化铟InSb-05级别
多晶砷化铟InAs -05级
多晶硒化铟InSe-05级别
多晶碲化铟InTe-05级别
二氧化硒SeO2-05级别
多晶碲化锌ZnTe-05级别
三硒化二铋Bi2Se3 -05
三碲化二铋Bi2Te3 -05单质金属
金属化合物
多晶碲化铅
(PbTe)PbTe-05级别
99.999三溴化铟InBr3-05级用途
主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、太阳能电池、热电器转换元件等
主要用于制备化合物半导体、电子致冷元件热电转换元件等
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却等
主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、高纯合金、红外探测器等。
主要用于制备化合物半导体,高纯合金,超低温冷却合金,超导材料等
主要用于制备化合物半导体,制作还原剂,合金及精密铸件等。
化学工业中,用以制造高级化学器皿、铂金坩埚、电极和催化剂。
主要用于制备Ⅲ—Ⅴ化合物半导体以及锗、硅、单晶的掺杂剂等。
主要用于制备Ⅲ—Ⅴ化合物半导体锗、硅、单晶的掺杂剂等
可以用于医药、制革、玻璃、纺织等工业,也可作催化剂、电弧电极等。
主要用于制备Ⅲ—Ⅳ族化合物半导体,应用于电子激光,光存贮技术。
主要用于制备硒鼓材料,光电材料,静电摄影和其它光学仪器材料等。
主要用于制造红玻璃,陶瓷,铋盐,电子元件避雷,隐形器等。
主要用于制造玻璃,高纯铟盐,高纯金属铟有机化合物等。
主要用于制备二氧化碲单晶,红外器件,声光器件等。
主要用于制备锌盐,ZnO单晶,气敏、湿敏、光敏材料等。
广泛用于气敏、压敏、光敏元件,半导体元件,电极材料等。
ITO材。
用于化工、电镀等。
广泛用于半导体材料、可见光波段光电器件、太阳能电池等。
用于制造光电池,整流器,发光油漆等。
用于制作红外调制器,红外窗杨致发光器件,光电池等。
主要用作颜料、填料重要的荧光材料。应用于半导体元件等。
主要用于黄到兰高效发光二极管,磷光剂,红外窗口材料等。
用于电子元件制作。
用于电子工业,用作薄膜晶体管,液晶平面显示等。
用于制作InSb单晶,光、电、磁、力的传感材料。
主要用作光导,用于制作InAs单晶及蒸镀材料,。
主要用作半导体、光导材料,光、电传感器件。
主要用于半导体、光导材料和传感器件及蒸镀材料。
用作红外探测元件和温差致冷器件。
主要用于半导体和红外材料,还可用作萤火、磷光材料。
主要用于半导体,光电器件、温差半导体致冷,Bi2Se3薄膜。
主要用于半导体,光电器件、温差半导体致冷,Bi2Te3薄膜。用作红外探测元件和温差致冷器件。化学试剂,发光材料,场致光源发光剂,用于光源。件等
超导材料等
电弧电极等。
存贮技术。
器材料等。