第1章固态相变概论
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图中容器的中间有一厚度为⊿x的金属薄膜,两侧气体的压力分别为p1和p2,p1>p2,并保持不变。
金属薄膜左侧表面的气体溶解度为C1,右侧表面为C2。
气体在金属中的饱和溶解度与气体的压力有关,对于双原子气体(如O2、N2)C=sp1/2,s是一个比例常数,等于单位压强下气体在金属中的溶解度。
这样C1>C2,在金属薄膜中存在浓度梯度。
如果扩散系数D是常数,经过一段时间后,扩散达到恒稳状态,扩散气体的流量是一常数。
根据菲克第一定律:p1、p2和J可以精确测量;s可以通过其他方法测定。
这样根据上式即可测定气体的原子在金属中的扩散系数D。
将组元相同而浓度分别为C1、C2的固溶体长棒焊接在一起,构成一个扩散偶,焊接面与扩散方向垂直,并定为坐标的原点(x=0)。
将扩散偶加热到某一温度进行扩散后,在焊接面附近的浓度发生显著的变化,而远离焊接面的棒两端,由于棒足够长仍保持原来的浓度不变。
因为加热扩散过程中,焊接面附近的浓度在不断的变化,所以dC/dt≠0,是一个非稳态扩散问题,可以应用扩散第二方程求解焊接面附近的浓度变化C=f(x,t)。
假定扩散系数D不随浓度的变化而改变。
求解上述问题,可以引出一个新的变量β=x/2(Dt)1/2,利用高斯误差函数ψ求解扩散第二方程式。
高斯误差函数ψ的表达式是:初始条件:t=0时 x>0 C=C1X<0 C=C2边界条件; t>0时x +无穷大 C=C1x -无穷大 C=C2则菲克扩散第二方程的解是:前面讨论的均属于在单相中的扩散,在扩散过程中没有新相形成。
而在许多合金系中会有中间相存在,在扩散过程中也可能出现中间相,这种扩散包括两个过程,一是与前述相同的扩散过程;另一是在相界面处溶质原子达到一定浓度后,发生化学反应产生新相的过程,产生这种现象的扩散过程称为反应扩散或多相扩散。
在二元系的扩散层中,不可能出现两相共存区;在三元系的扩散层中,不可能出现三相共存区,但可以有两相共存区。
图中容器的中间有一厚度为⊿x的金属薄膜,两侧气体的压力分别为p1和p2,p1>p2,并保持不变。
金属薄膜左侧表面的气体溶解度为C1,右侧表面为C2。
气体在金属中的饱和溶解度与气体的压力有关,对于双原子气体(如O2、N2)C=sp1/2,s是一个比例常数,等于单位压强下气体在金属中的溶解度。
这样C1>C2,在金属薄膜中存在浓度梯度。
如果扩散系数D是常数,经过一段时间后,扩散达到恒稳状态,扩散气体的流量是一常数。
根据菲克第一定律:p1、p2和J可以精确测量;s可以通过其他方法测定。
这样根据上式即可测定气体的原子在金属中的扩散系数D。
将组元相同而浓度分别为C1、C2的固溶体长棒焊接在一起,构成一个扩散偶,焊接面与扩散方向垂直,并定为坐标的原点(x=0)。
将扩散偶加热到某一温度进行扩散后,在焊接面附近的浓度发生显著的变化,而远离焊接面的棒两端,由于棒足够长仍保持原来的浓度不变。
因为加热扩散过程中,焊接面附近的浓度在不断的变化,所以dC/dt≠0,是一个非稳态扩散问题,可以应用扩散第二方程求解焊接面附近的浓度变化C=f(x,t)。
假定扩散系数D不随浓度的变化而改变。
求解上述问题,可以引出一个新的变量β=x/2(Dt)1/2,利用高斯误差函数ψ求解扩散第二方程式。
高斯误差函数ψ的表达式是:初始条件:t=0时 x>0 C=C1X<0 C=C2边界条件; t>0时x +无穷大 C=C1x -无穷大 C=C2则菲克扩散第二方程的解是:前面讨论的均属于在单相中的扩散,在扩散过程中没有新相形成。
而在许多合金系中会有中间相存在,在扩散过程中也可能出现中间相,这种扩散包括两个过程,一是与前述相同的扩散过程;另一是在相界面处溶质原子达到一定浓度后,发生化学反应产生新相的过程,产生这种现象的扩散过程称为反应扩散或多相扩散。
在二元系的扩散层中,不可能出现两相共存区;在三元系的扩散层中,不可能出现三相共存区,但可以有两相共存区。
相变原理复习习题第一章固态相变概论相变:指在外界条件(如温度、压力等)发生变化时,体系发生的从一相到另一相的变化过程。
固态相变:金属或陶瓷等固态材料在温度和/或压力改变时,其内部组织或结构会发生变化,即发生从一种相状态到另一种相状态的改变。
共格界面:若两相晶体结构相同、点阵常数相等、或者两相晶体结构和点阵常数虽有差异,单存在一组特定的晶体学平面使两相原子之间产生完全匹配。
此时,界面上原子所占位置恰好是两相点阵的共有位置,界面上原子为两相所共有,这种界面称为共格界面。
当两相之间的共格关系依靠正应变来维持时,称为第一类共格;而以切应变来维持时,成为第二类共格。
半共格界面:半共格界面的特点:在界面上除了位错核心部分以外,其他地方几乎完全匹配。
在位错核心部分的结构是严重扭曲的,并且点阵面是不连续的。
非共格界面:当两相界面处的原子排列差异很大,即错配度δ很大时,两相原子之间的匹配关系便不在维持,这种界面称为非共格界面;一般认为,错配度小于0.05时两相可以构成完全的共格界面;错配度大于0.25时易形成非共格界面;错配度介于0.05~0.25之间,则易形成半共格界面。
一级相变:相变前后若两相的自由能相等,但自由能的一级偏微商(一阶导数)不等的相变。
特征:相变时:体积V,熵S,热焓H发生突变,即为不连续变化。
晶体的熔化、升华,液体的凝固、气化,气体的凝聚,晶体中大多数晶型转变等。
二级相变:相变时两相的自由能及一级偏微商相等,二级偏微商不等。
特征:在临界点处,这时两相的化学位、熵S和体积V相同;但等压热容量Cp、等温压缩系数β、等压热膨胀系数α突变。
例如:合金的有序-无序转变、铁磁性-顺磁性转变、超导态转变等。
均匀相变:没有明显的相界面,相变是在整体中均匀进行的,相变过程中的涨落程度很小而空间范围很大。
特点:A: 无需形核;B: 无明确相界面;非均匀相变:是通过新相的成核生长来实现的,相变过程中母相与新相共存,涨落的程度很大而空间范围很小。