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习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）一、单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B ）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C ）状态。
A ．正向导通；B ．反向截止；C ．反向电击穿 ；D ．反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C ）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A ）。
A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN 结加正向电压时，有（A ）形成电流，其耗尽层（D ）；加反向电压时，由（B ）形成电流，其耗尽层（C ）。
A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。
A.增大； B.不变； C.减小6.一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ B ）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加； B.下降； C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A ）。
A ．放大状态B ．截止状态C ．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B ）。
A ．发射结正偏、集电结反偏；B ．发射结、集电结均正偏；C ．发射结反偏、集电结正偏；D ．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B ）造成的。
A ．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A ）组态。
A ．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ，V b =2.8V ，V c =4.4V ，说明此三极管工作在（A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区；D ．反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B ）。
晶体二极管及应用电路1 图（a）和图（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v的波形。
2在T=300K时，某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。
图P1-23在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：I=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
（1）若反向饱和电流10S（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。
[解]图P1-8输入正半周时，D 1导通，D 2截止。
输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。
输入负半周时，D 2导通，D 1截止。
输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。
（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]S I I >>，两管已充分导通，故VA 关系为/T V V S I I e =，由此lnT S IV V I =，取26T V =mV （T=300K ）∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
O图P1-8-13在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：（1）若反向饱和电流10SI=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图1.56 题10图解：11. 为什么场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻要高很多？解：栅、源极间的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻。
12. 图1.57 所示符号各表示哪种沟道JFET？其箭头方向代表什么？图1.57 题12图解：（a）N沟道JFET，（b）P沟道JFET箭头的方向表示PN结正偏的方向，即由P指向N13. 试分别画出N沟道增强型和耗尽型MOS管、P沟道增强型和耗尽型MOS管的电路符号。
解：(a) N沟道增强型MOS管(b) P沟道增强型MOS管(a) N沟道耗尽型MOS管(b) P沟道耗尽型MOS管14. 一个场效应管的转移特性曲线如图1.58所示，试问：(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？(2) 它的夹断电压u P和饱和漏极电流I DSS各是多少？图1.58 题14图解：（1）N沟道JFET（2）u P=-3V，I DSS=3mA15. 图1.59所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。
如果是增强型，说明它的开启电压u T=？如果是耗尽型，说明它的夹断电压u P =？其中i D的参考方向为流进漏极。
图1.59 题15图解：（a）N沟道耗尽型MOS管，u P=-3V。
（b）P沟道耗尽型MOS管，u P=2V。
（c）P沟道增强型MOS管，u T=-4V。
16. 在图1.60所示电路中，已知发光二极管导通电压为1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问：(1) 开关S在什么位置时发光二极管才能发光？(2) R的取值范围是多少？解：（1）开关S闭合时，发光二极管才能发光。
（2）R min=（5-1.5）/15=0.23KΩR max=（5-1.5）/5=0.7KΩR的取值范围是0.23KΩ~0.7KΩ。
17. 已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA，求图1.61所示电路中U o1和U o2各为多少伏。
图1.60 题16图图1.61 题17图解：（a）因为：2×10/(2+0.5)=8V>6V，所以稳压管工作在反向击穿状态，U o1=6V。
（b）因为：2×10/(2+2)=5V<6V，所以稳压管工作在反向截止状态，U o2=5V。
项目二习题参考答案1. 判断下列说法是否正确(在括号中打“√”或“×”)。
(1) 在三极管放大电路中，为了稳定直流工作点可引入直流负反馈。
( √)(2) 在放大电路中，若静态工作点选得过高，则容易产生截止失真。
( ×)(3) 测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( ×)(4) 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
( √)(5) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
( ×)(6) 只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
( ×)(7) 既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
( ×)2. 图2.42所示电路能否起正常的放大作用？若不能请加以改正。
(a) (b) (c)图2.42 题2图解：（a）不能；（b）不能；（c）不能改为：3. 判断在图2.43所示的各两级放大电路中，VT1和VT2管分别组成哪种接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
图2.43 题3图解：（a）VT1：共发射极接法，VT2：共集电极接法；（b）VT1共集电极接法，VT2：共发射极接法；（c）VT1：共发射极接法，VT2：共发射极接法；（d）VT1：共源极接法，VT2：共发射极接法。
4. 图 2.44所示为某放大电路及三极管输出特性曲线。
其中V CC=12V，R C=5kΩ，R B=560kΩ，R L=5kΩ，三极管U BE=0.7V。
(1) 用图解法确定静态工作点(I B、I C、U CE)。
(2) 画出直流负载线和交流负载线。
(3) 确定最大输出电压幅值U omax。
图2.44 题4图解：（1）I B =（12-0.7）/560K=0.02mA直流负载线：M (12V, 0)，N (0, V CC /R C =2.4mA)，由下图可读出：I C =1mA ，U CE =7V 。
（2）交流负载线：A (U CE + I C R L '=9.5V ，0)，B (0，I C +U CE / R L '=3.8mA)，如下图所示：（3）取（9.5-7=2.5V ）和（7-0.3=6.7V ）中的最小值，所以U omax =2.5V 。
5. 电路如图2.45所示，其中V CC =12V ，R s =1k Ω，R C =4k Ω，R B =560k Ω，R L =4k Ω，三极管的U BE =0.7V ，β =50。
(1) 画出直流通路，并估算静态工作点I B 、I C 、U CE 。
(2) 画出微变等效电路，并试求A u 、R i 、R o 。
图2.45 题5图解：（1）直流通路：CC BEB B-=V U I R =0.02mA I C =βI B =1mA U CE = V CC － I C R C =8V (2) 微变等效电路：R 'L =R C //R L =2k Ωr be =100+mA)(mV)(26B I =1400ΩA u =-β R 'L / r be =-71 R i ≈ r be =1400Ω R o =R C =4k Ω6. 分压式偏置电路如图2.46所示，已知三极管的U BE =0.7V ，β=60。
(1) 画出直流通路，估算静态工作点I B 、I C 、U CE 。
(2) 画出微变等效电路，求A u 、R i 、R o 。
图2.46 题6图图2.47 题7图解：(1) 直流通路：B U ≈CC B2B1B2B V R R R U +≈=4VC I ≈ EBE BE B E C R U R U U I I ≈-=≈=1.65mA I B = I C /β=0.0275 mA U CE ≈V CC - I C (R C + R E )=7.75V (2) 微变等效电路：R 'L =R C //R L =2k Ω r be =100+mA)(mV)(26B I =1045ΩA u =-β R 'L / r be =-115 R i ≈ r be =1045Ω R o =R C =3k Ω7. 在图2.47所示的电路中，三极管的β =50。
(1) 求静态电流I C 。
(2) 画出微变等效电路，求A u 、R i 、R o 。
解： （1）B U ≈CC B2B1B2B V R R R U +≈=3.7VI C =（U B -U BE ）/ (R f + R E )=2 mA I B = I C /β=0.04 mA （2）微变等效电路：r be =100+mA)(mV)(26B I =750ΩR 'L =R C //R L =2K ΩA u =-β R 'L /[ r be +(1+β) R f ]=-9 R i ≈ R B1// R B2//[ r be +(1+β) R f ] =4.5 K Ω R o =R C =3.3K Ω8. 电路如图2.48所示，其中V CC =12V ，R s =1k Ω，R B =240k Ω，R E =4.7k Ω，R L =4.7k Ω，三极管的U BE =0.7V ，β =50。
(1) 估算静态工作点I B 、I C 、U CE 。
(2) 画出微变等效电路，求A u 、R i 、R o 。
图2.48 题8图图2.49 题9图解：(1) I B = (V CC -0.7) /[R B +(1+β) R E ] =0.024mA I C =βI B =1.2mA U CE ≈V CC - I C R E =6.36V (2) 微变等效电路：r be =100+mA)(mV)(26B I =1183ΩR 'L =R E //R L =2.35K ΩA u =(1+β）R 'L /[ r be +(1+β) R 'L ]=0.99 R i ≈ RB //[ r be +(1+β) R 'L ] = 80.6K Ω R o =[(R S // R B + r be )/( 1+β)]// R E ≈ 0.043Ω9. 设图2.49所示电路所加输入电压为正弦波。
