ram6116存储器芯片读写实验答案
一、实验目的：
1．了解半导体静态随机读写存储器SRAM的工作原理及其使用方法
2．掌握半导体存储器的字、位扩展技术
3．用proteus设计、仿真基于AT89C51单片机的RAM扩展实验
二、实验内容：
1．用SRAM6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器（2KB）
选择8个连续的存储单元的地址，分别存入不同内容，做单个存储器单元的读/写操作实验。
2．用SRAM6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器（8KB）
必须使用译码器进行扩展；
选择8个连续的存储单元的地址，分别存入不同内容，做单个存储器单元的读/写操作实验。
三、实验要求：
1．根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。
2．分别设计实验步骤。
3．给出字扩展实验中每片SRAM芯片的地址范围。
四、实验步骤（proteus中运行详细过程）：
（一）查看元件库 AT89C51、74LS373、6116
（二）各元器件作用：
AT89C51：低电压，高性能CMOS8位单片机，片内含4k bytes的可反复擦写的只读程序存储器（PEROM）和128 bytes的随机存取数据存储器（RAM）
74LS373：为三态输出八D锁存器两种线路中的一种。
6116：6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间200ns,24线双列直插式封装。
（三）连接电路图
（1）按老师发的电路仿真图进行连接，电路图如下：
（2）选中AT89C51芯片，在Program File中添加ram.hex文件，然后点击确定。
（3）单击下面的运行按钮，再点击暂停按钮，如下：
（4）查看AT89C51的内存：
（5）查看存储器6116的存储内容：
（6）AT89C51中的程序，程序里的数字可以修改，就是存储器中输入的数字：
五、实验小结：（不少于200字）
实验一 ：扩展存储器读写实验
一.实验要求 编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。
二.实验目的
1．学习片外存储器扩展方法。
2．学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路及连线
将P1.0接至L1。CS256连GND孔。
四.实验说明
1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序
的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地
址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠
或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与
AA（1010，1010）。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、
断路等，在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执
行的流程和各中间变量的值。 2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读
写正常。
3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，
在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE， 屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。
4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。
五.实验程序框图 实验示例程序流程框图如下：
六.实验源程序：
ORG 0000H
LJMP START
ORG 0040H START:
MOV SP,#60H
MOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址
MOV A,#55H ;测试的数据一 MOV B,A
实验一 存储器读写实验
一、实验目的
1. 熟悉静态 RAM 的使用方法，掌握 8088 微机系统扩展 RAM 的方法；
2. 掌握静态 RAM 读写数据编程方法。
二、实验内容
对指定地址区间的 RAM（4000H～43FFH）先进行写数据 55AAH，然后将其内容读出 再写到 5000H～53FFH 中。
三、实验接线图（系统中已连接好）
四、实验步骤
1. 在 PC 机和实验系统联机状态下，编辑源程序。
2. 从存储器窗口检查和记录 4000H～43FFH 中的内容和 5000～53FFH 中的内容。
3. 对源程序进行编译和装载，生成可执行文件。
4. 对可执行文件进行调试，调试方法有：单步，宏单步，自动单步，自动宏单步，注意这些方法之间的区别。
5. 连续运行实验程序。
6. 从存储器窗口检查和记录 4000H～43FFH 中的内容和 5000～53FFH 中的内容，比较程序运行前、后存储器内容的变化情况。
五、实验程序清单
CODE SEGMENT ;RAM.ASM
ASSUME CS:CODE
PA EQU 0FF20H ;字位口
PB EQU 0FF21H ;字形口
PC EQU 0FF22H ;键入口
ORG 1850h START: JMP START0
BUF DB ?,?,?,?,?,?
data1:
db0c0h,0f9h,0a4h,0b0h,99h,92h,82h,0f8h,80h,90h,88h,83h,0c6h,0a1h
db 86h,8eh,0ffh,0ch,89h,0deh,0c7h,8ch,0f3h,0bfh,8FH
START0: MOV AX,0H
MOV DS,AX ;写数据段地址
第1篇
一、实验目的
1. 理解存储器的基本组成和工作原理；
2. 掌握存储器的读写操作过程；
3. 熟悉存储器芯片的引脚功能及连接方式；
4. 了解存储器与CPU的交互过程。
二、实验环境
1. 实验设备：TD-CMA计算机组成原理实验箱、计算机；
2. 实验软件：无。
三、实验原理
1. 存储器由地址线、数据线、控制线、存储单元等组成；
2. 地址线用于指定存储单元的位置，数据线用于传输数据，控制线用于控制读写操作；
3. 存储器芯片的引脚功能：地址线、数据线、片选线、读线、写线等；
4. 存储器与CPU的交互过程：CPU通过地址线访问存储器，通过控制线控制读写操作，通过数据线进行数据传输。
四、实验内容
1. 连线：按照实验原理图连接实验箱中的存储器芯片、地址线、数据线、控制线等；
2. 写入操作：将数据从输入单元IN输入到地址寄存器AR中，然后通过控制线将数据写入存储器的指定单元；
3. 读取操作：通过地址线指定存储单元，通过控制线读取数据，然后通过数据线将数据输出到输出单元OUT；
4. 实验步骤：
a. 连接实验一（输入、输出实验）的全部连线； b. 按实验逻辑原理图连接两根信号低电平有效信号线；
c. 连接A7-A0 8根地址线；
d. 连接13-AR正脉冲有效信号线；
e. 在输入数据开关上拨一个地址数据（如00000001，即16进制数01H），拨下开关，把地址数据送总线；
f. 拨动一下B-AR开关，实现0-1-0”，产生一个正脉冲，把地址数据送地址寄存器AR保存；
g. 在输入数据开关上拨一个实验数据（如10000000，即16进制数80H），拨下控制开关，把实验数据送到总线；
h. 拨动控制开关，即实现1-0-1”，产生一个负脉冲，把实验数据存入存储器的01H号单元；
i. 按表2-11所示的地址数据和实验数据，重复上述步骤。
