模拟电子技术第2章 低频小信号放大电路mm

低频小信号放大电路
低频小信号放大电路主要用于放大低频小信号，比如生物信号、传感器信号等微弱的信号。

其基本原理是将微弱的低频信号通过一个放大器电路进行放大，增大其幅值以便进行进一步的处理或者控制。

通常，低频放大器电路由一个放大器和一个电源组成。

放大器的种类多种多样，常见的有运放、晶体管放大器等。

其中，运放具有高增益、高输入阻抗、低输出阻抗等特点，被广泛应用于低频放大电路中。

在电源方面，通常使用直流电源，以保持信号的稳定性和质量。

同时，为了防止电源干扰信号，通常还会添加一个滤波电路。

总之，低频小信号放大电路是一个基础的电路，广泛应用于医学仪器、传感器、控制系统等领域。

第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。

2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。

2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。

2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。

2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。

2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。

《模拟电子技术》电子教案授课教案课程：模拟电子技术任课教师：教研室主任：课号：５课题：第二章基本放大电路 2.1 简单交流放大电路教学目的：（1）熟练掌握基本放大电路的组成，工作原理及作用。

（2）重点掌握静态工作点的建立条件、作用教学内容：放大的概念，共射电压放大器及偏置电路，放大电路的技术指标和基本分析方法教学重点：基本放大电路的组成、工作原理教学难点：放大过程中交直流的叠加教学时数：2学时课前提问及复习：结型场效应管、绝缘栅型场效应管的构造原理和特性参数新课导入：放大的概念，应用场合以及放大电路。

新课介绍：第二章基本放大电路2．1 概述2.1.1 放大的概念放大对象：主要放大微弱、变化的信号（交流小信号），使V或I、P得到放大！OOO放大实质：能量的控制和转换，三极管——换能器。

基本特征：功率放大。

有源元件：能够控制能量的元件。

放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。

2.1.2 放大电路的性能指标为了反映放大电路的各方面的性能，引出如下主要性能指标。

、放大倍数1输出量与输入量之比，根据输入量为电流、电压和输出量为电流、电压的不同，可以得到四种放大倍数。

2、输入电阻为从放大电路输入端看进去的等效电阻，输入电阻Ri Ri=Ui/Ii。

和输入电流有效值Ii之比，即定义为输入电压有效值Ui 、输出电阻3任何的放大电路的输出都可以等效成一个有内阻的电压源，从放大电路输出端看进去的等效。

内阻称为输出电阻Ro 、通频带4 通频带用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。

-f=f 上限截止频率 f 中频放大倍数下限截止频率LbwH页15共页1第章2第《模拟电子技术》电子教案5、非线性失真系数6、最大不失真输出电压定义：当输入电压再增大就会使输出波形产生非线性失真时的输出电压，用U表示。

om7、最大输出功率与效率最大输出功率P：在输出信号不失真的情况下，负载上能够获得的最大功率。

om效率η：直流电源能量的利用率。

模拟电子技术试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共 20 分） 一、填空题1.二极管的伏安特性曲线上共分 个工作区； 二极管正常工作在伏安特性曲线的正向导通区，但导通压降最少需在 1.3V 以上； 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向截止区； 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向击穿区。

2. 型三极管是用基极小电流控制集电极大电流的 控制型器件； 型三极管是用栅源间电压控制漏极大电流的 控制型器件。

3. 放大电路中的负反馈类型分有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈四种。

4. 由运放的理想化条件导出的两个重要概念是 和 ，是运放线性应用电路分析的重要依据；在运放非线性应用电路的分析中， 的概念不再成立， 的概念仍然适用。

5. 实用技术中，串联型直流稳压电路应用较为广泛，它通常由 环节、基准电压、 环节和 四部分组成。

其中 工作在放大状态。

（本题共12小题，每小题1分，共12分）二、 判断正、误题 1. 雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。

（ ） 2. 双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。

（ ） 3. 本征半导体中掺入五价杂质元素，会生成P 型半导体，其多子是空穴载流子。

（ ） 4. OTL 甲乙类功放采用了单电源供电方式，其输出大电容起负电源的作用。

（ ） 5. 功率放大器中，甲乙类功放的性能最优良，高保真较甲类强，效率较乙类高。

（ ） 6. NPN 型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。

（ ）7. 不同类型的放大电路，其静态分析的目的也各不相同，但动态分析的目的总是相同的。

（ ） 8. 频率响应引进的失真属于线性失真，放大电路的饱和失真和截止失真则是非线性失真。

（ ） 9. 无论是单门限还是双门限的电压比较器，电路中一定存在正反馈环节。

（ ） 10.并联型稳压电路中的整流环节通常采用整流桥，滤波环节大多采用电感元件。

（ ） 11.有源负载在放大电路中的作用主要用来消除电路中的交越失真。

模拟电子技术模拟试题及答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

正确答案：C3.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B4.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共漏放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共射放大电路正确答案：D5.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、变压器耦合B、光电耦合C、直接耦合D、阻容耦合正确答案：C6.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。

A、虚断和虚短。

B、正反馈与负反馈；C、线性与非线性；正确答案：C7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。

A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案：D8.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B9.P型半导体中的少数载流子是 ( )A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案：A10.共发射极放大电路的反馈元件是（）。

A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。

正确答案：B11.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的( )在漏源极之间电场作用下形成的。

A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B12.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。

正确答案：B13.单极型半导体器件是( )。

A、二极管;B、场效应管;C、晶体三极管;D、稳压管。

正确答案：B14.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。

A、错误B、正确 ;正确答案：A15.P型半导体中多数载流子是______。

低频小信号放大器电路设计毕业论文摘要低频小信号放大器电路设计摘要实用性低频小信号放大器电路设计，它主要用于使用前置放大器的低频小信号的电压经过集成块LM358的放大使其增益二十几倍，达到信号放大的作用，本文介绍了其基本原理，内容，与低频放大微弱信号放大能力的技术路线，设计电路图方案等。

本系统是基于(IC)LM358设计而成的一种低频小信号放大器，整个电路主要由稳压电源，前置放大电路，波形变换电路3部分。

电源主要是为前置放大器提供稳定的直流电源。

前置放大器主要是由ML358一级放大电路和ML358二级放大电路组成，第一级可以将电压放大5倍，第二级可以放大1-5倍，总增益20-25倍，接通电源后，信号发生器产生信号，示波器用于变换的波形显示。

通过波形的数据变化，计算出增益效果，是否满足设计需求。

该设计的电路结构简单，实用，充分利用了集成功放的优良性能。

实验结果表明，前置放大器的带宽，失真，效率等方面具有较好的指标，具有较高的实用性，为小信号放大器的设计是一个广泛的思考。

关键词：低频小信号，电压放大，前置放大级电路，集成块LM358AbstractDesign of low frequencysmall signal amplifierAbstract：The utility of low frequency small signal amplifier circuit design, it is mainly used for voltage low frequency small signal using a pre amplifier after amplification integrated block LM358 has gain 20 times, achieve signal amplification effect, this paper introduces the basic principle, content, and low frequency amplification technology route of weak signal amplificationability, circuit design scheme.The system is based on (IC) a low frequency small signal amplifier LM358 designed, the whole circuit is mainly composed of a regulated power supply, preamplifier circuit, a waveform transform circuit 3 parts. The power supply is mainly to provide a stable DC power for the preamplifier. The preamplifier is mainly composed of ML358 amplifier and ML358 two stage amplifier circuit, the first stage of the voltage can be magnified 5 times, second can be magnified 1-5 times, 20-25 times of the total gain, power, signal generator generates a signal, oscilloscope is used to transform the waveform display. By the waveform data changes, calculated the gain effect, whether meet the design requirements.The design of the circuit structure is simple, practical, make full use of the excellent performance of the integrated amplifier. The experimental results show that, the pre amplifier bandwidth, distortion, has better efficiency indicators, and has higher practicability, designed for small signal amplifier is a broad thinking.Keywords:Lowfrequency smalsignal,voltage amplification,preamplifiercircuit，Integrated block LM358 常州工学院延陵学院毕业设计说明书目录第1章绪论 (1)前言 (3)1.1课题研究背景 (3)1.2课题主要研究内容 (4)第2章设计方案分析 (5)2.1设计任务 (6)2.2设计分析 (7)2.2.1设计技术指标 (7)2.2.2集成块LM358的介绍 (8)2.3 LM358概述 (9)2.3.1 LM358的原理与应用 (9)2.3.2 LM358行情介绍 (10)第3章前置放大器的设置原理描述 (10)3.1总体方框图设计 (11)3.2方案设计与论证 (12)3.3前置放大电路设计 (13)3.4电压跟随器电路设计 (16)第4章软件介绍 (17)4.1 proteus仿真软件概述 (19)第5章系统的软硬件调试 (22)5.1实验电路功能的测试 (23)5.2硬件调试 (23)5.2.1上电前的调试 (23)5.2.2 上电调试 (24)5.3各模块调试 (24)5.4整机调试 (25)第6章详细元器件清单 (25)6.1电路图汇总 (26)6.2实验仪器清单 (26)6.3实验元器件清单如下表 (27)结论 (27)致谢 (28)参考文献 (31)附录 (32)第1章绪论前言在科学研究和工程实践中，经常遇到的微伏级信号的检测有问题，如材料分析的地震波速度，测定，测量卫星信号接收器的荧光强度，红外检测的生物信号测量等。

第二章基本放大电路本章内容简介本章首先讨论半导体三极管（BJT ）的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

随后着重讨论BJT放大电路的三种组态，即共发射极、共集电极和共基极三种放大电路。

内容安排上是从共发射极电路入手，再推及其他两种电路，并将图解法和小信号模型法，作为分析放大电路的基本方法。

（一）主要内容：◊半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种基本组态◊静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响◊用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标◊共集电极电路和共基极电路的工作原理◊三极管放大电路的频率响应（二）教学要点：从半导体三极管的结构及工作原理入手，重点介绍三种基本组态放大电路的静态工作点、动态参数（电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻）的计算方法，H参数等效电路及其应用。

（三）基木要求：◊了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数◊了解半导体三极管放大电路的分类◊掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及动态工作情况◊理解放大电路的工作点稳定问题◊掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响2.1半导体三极管（BJT）2.1.1BJT的结构简介：半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。

结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。

2.1.2BJT的电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

i B =(l_Q )x* a1-a 2.三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE 表示。

共基极接法，基极作为 公共电极，用CB 表示。

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC 表示。

q =必耳=«厶=厶/⑴《）BJT 的三种组态4. 放大作用综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传 输，然后到达集电极而实现的。