电子线路第2章

第三章 单级低频小信号放大器综合练习题

1．是非题（对的画√，错的画×）

(1)放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。( )

(2)在单管放大电路中，若VG不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic

的值。( )

(3)放大器常采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入阻抗。( )

(4)放大器的放大倍数与信号频率无关，即无论信号是高、中、低任一频段’放大倍数是相同的。( )

(5)三极管出现饱和失真是由于静态电流IcQ选得偏低。( )

(6)共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相。( )

(7)三极管放大器接有负载RL，后，电压放大倍数AU,将比空载时提高。( )

(8)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态

工作点，交流分量用来表示信号的变化情况。( )

2．选择题（将正确答案填入空格内）

(1)三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管( ）。

A．发射结为反向偏置 B．集电结为正向偏置 c．始终工作在放大区

(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为( )。

A．vo=icRcB.vo=-RcC．v。=-ICRC

(3) NPN型三极管放大器中，若三极管的基极与发射极短路，则( )。

A．三极管集电结将正偏 B．三极管处于截止状态 c．三极管将深度饱

(4)若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减小时，使该三极管( )。

A．集电极电流减小 B．集电极与发射极电压VCE上升 c．集电极电流要增大

（5）在三极管放大电路中，三极管电位最高的一端是( )。

A.NPN管的发射极 B．PNP管的发射极 C．PNP管的集电极

ng at a time and All things in their being are good for somethin第2章　小信号选频放大器2.1　已知并联谐振回路的求该并联回路的谐振频率、谐振电阻及通1μH,20pF,100,LCQ0fpR频带。0.7BW[解] 90-612110.035610Hz35.6MHz2π2π102010fLCHF6312640.71010022.4k22.361022.36k201035.610Hz35.610Hz356kHz100pHRQFfBWQ2.2　并联谐振回路如图P2.2所示，已知：信号源内阻300pF,390μH,100,CLQ负载电阻求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。s100k,RL200k,R[解] 011465kHz2π2π390μH300PFfLC 0.70390μH100114kΩ300PF////100kΩ//114.kΩ//200kΩ=42kΩ42kΩ42kΩ371.14kΩ390μH/300 PF/465kHz/37=12.6kHzpespLeeeRQRRRRRQBWfQ2.3　已知并联谐振回路的求回路的L和Q以及00.710MHz,C=50pF,150kHz,fBW时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz，应在回路两端并接一个多大的电阻?600kHzf[解] 6262120115105μH(2π)(2π1010)5010LHfC6030.7101066.715010fQBW2236022600101166.78.11010poUfQfU当时0.7300kHzBW

ng at a time and All things in their being are good for somethin6030.746120101033.33001033.31.061010.6k2π2π10105010eeeefQBWQRQfCA而471266.72.131021.2k2π105010pRQA由于所以可得,pepRRRRR10.6k21.2k21.2k21.2k10.6keppeRRRRR2.4　并联回路如图P2.4所示,已知：　360pF,C1280μH,L=100,Q250μH,L。试求该并联回路考虑到影响后的通频带及等效谐振电阻。12=/10,nNNL1kRLR[解] 631228010100881088k36010pRQA2263331200.7612101k100k//88k//100k46.8k2801046.810/46.810/0.88105336010119.46kHz2π532π2801036010LLepLeeeeRnRRRRRQfBWQQLC2.5　并联回路如图P2.5所示，试求并联回路2－3两端的谐振电阻。已知：(a)、pR1100μHL、，等效损耗电阻，；(b) 、，210μHL4μHM10r300pFC150pFC2100pFC、。10μHL2r

第二章 晶三极管和场效晶体管练习二

1.是非题（对的画√，错的画×）

(1)为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。( )

(2)无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。( )

(3)三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。( )

(4)三极管的穿透电流ICEO的大小不随温度而变化。( )

(5)三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小。( )

(6)对于NPN型三极管，当VBE>O时，VBE>VCE，则该管的工作状态是饱和状态。( )

(7)已知某三极管的射极电流IE=1.36 mA，集电极电流IC=1.33 mA，则基极电流IB=30μA。( )

(8)某三极管的IB=10μA时，Ic =0. 44 mA;当IB=20μA时，IC =0. 89 mA，则它的电流放大系数β=45。( )

2．选择题（将正确答案填人空格内）

(1)三极管的发射结正偏、集电结反偏时，则三极管所处的状态( )。

A.放大状态 B．饱和状态 C．截止状态

(2)三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是( )。

A.放大状态 B．饱和状态 C．截止状态

(3)当三极管的发射结反偏时，则三极管的集电极电流将( )。

A.增大 B．反向 C．中断

(4)三极管工作在饱和状态时，它的IC将（ ）。

A．随IB增加而增加 B．随IB增加而减小 C.与IB无关，只决定于RC和VG

(5)用万用表测得NPN型三极管各电极对地的电位是：VB=4.7 V,VC=4.3 V,VE=4V,则该三极管的工作状态是( )。

A.饱和状态 B．截止状态 C．放大状态

1

高频电子线路

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第2章习题答案

2-1

已知某一并联谐振回路的谐振频率f0＝1MHz，要求对990kHz的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？

解 为了有效滤除990kHz的干扰信号，应使它位于通频带之外。若取BW0.7＝20kHz，则由通频带与回路Q值之间的关系有

502010007.00BWfQ

因此应设计Q＞50的并联谐振回路。

2-2

试定性分析题图2-2所示的电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态。

解 题图2-2（a）中L1C1或L2C2之一呈并联谐振状态，则整个电路即为并联谐振状态。若L1C1与L2C2呈现为容抗，则整个电路可能成为串联谐振。

题图2-2（b）只可能呈现串联谐振，不可能呈现并联谐振状态。

题图2-2（c）只可能呈现并联谐振，不可能呈现串联谐振状态。

2-3

有一并联回路，其电感、电容支路中的电阻均为R。当CLR时（L和C分别为 2 电感和电容支路的电感值和电容值），试证明回路阻抗Z与频率无关。

解 CLjRRCRLRjCLRRCjRLjRCjRLjRZab11121112212121

要想使Zab在任何频率下，都呈现纯阻性，就必须使分子与分母的相角相等，亦即必须有

2121121RRCLCLRRCRLR

上式化简得

CRCLLRCL2122222

要使上式在任何频率下都成立，必有

0222LRCL 或 CLR2

0212CRCL 或 CLR1

因此最后得

CLRR21

2-4

有一并联回路在某频段内工作，频段最低频率为535kHz，最高频率为1605kHz。现有两个可变电容器，一个电容器的最小电容量为12pF，最大电容量为100pF；另一个电容量的最小电容量为15pF，最大电容量为450pF。试问：