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半导体制冷⽚TEC1-12703参数资料和注意事项半导体制冷⽚主要参数芯⽚型号：TEC1-12703外形尺⼨：40*40*3.6mm 元件对数 127导线规格：引线长100±5mm RV标准导线单头5mm镀锡内部阻值：4.0~4.3Ω（环境温度23±1℃,1kHZ Ac测试）最⼤温差：△Tmax(Qc=0) 60℃以上。
⼯作电流：Imax=3A（额定电压启动时）额定电压：DC12V（Vmax：15.5V）致冷功率：Qcmax 18W装配压⼒：85N/cm2⼯作环境：温度范围 -55℃～83℃（过⾼的环境温度降直接影响制冷效率）封装⼯艺：四周标准704硅橡胶密封包装标准：泡沫盒包装,存放条件环境温度-10℃～40℃存放条件：-40~60℃制冷⽚原理介绍热电制冷是热电效应主要是珀尔帖效应在制冷技术⽅⾯的应⽤。
实⽤的热电制冷装置是由热电效应⽐较显著、热电制冷效率⽐较⾼的半导体热电偶构成的。
半导体热电偶由N 型半导体和P型半导体组成。
N 型材料有多余的电⼦，有负温差电势。
P 型材料电⼦不⾜，有正温差电势；当电⼦从P 型穿过结点⾄N 型时，其能量必然增加，⽽且增加的能量相当于结点所消耗的能量。
这⼀点可⽤温差降低来证明。
热电堆的上⾯是冷端，下⾯是热端。
借助热交换器等各种传热⼿段，使热电堆相反，当电⼦从N型流⾄P型材料时，结点的温度就会升⾼。
直接接触的热电偶电路在实际的引⽤中不可⽤，所以上图的连接⽅法来代替，实验证明，在温差电路中引⼊第三种材料（铜连接⽚和导线）不会改变电路的特性。
这样，半导体元件可以各种不同的连接⽅法满⾜使⽤者的要求。
把⼀只P型半导体和⼀只N 型半导体联结成热电偶，接上直流电源后，在接头处就会产⽣温差和热量的转移.在上⾯的接头处，电流⽅向是N⾄P，温度下降并且吸热，这就是冷端。
⽽在下⾯的⼀个接头处，电流⽅向是P ⾄N ，温度上升并且放热，因此是热端。
按图中把若⼲对半导体热电偶对在电路上串联起来，⽽在传热⽅⾯则是并联的，这就构成了⼀个常见的制冷热电堆。
MAX3081 参数符号MIN TYPE MAX 单位 Input High V oltage VIH1 DE, DI, RE, H/ F, TXP , RXP2.0 VInput Low V oltage VIL1 DE, DI, RE, H/ F, TXP , RXP0.8 V SRL Input CurrentIin1DE, DI, RE±2 uA Iin2 H/F, TXP , RXP , internal pulldown10 40Driver Input V oltage (DI).............................-0.3V to (VCC + 0.3V) Driver Output V oltage (A, B, Y , Z)........................................±13V Receiver Input V oltage (A, B) ..............................................±13V Receiver Output V oltage (RO)....................-0.3V to (VCC + 0.3V) Continuous Power Dissipation:8-Pin Plastic DIP (derate 9.09mW/°C above +70°C) ...727mW 8-Pin SO (derate 5.88mW/°C above +70°C)................471mW参数符号 MIN MAX TYPE 单位 工作温度 TA -40 85 °C 输入正向电流 IF20 mA 输入反向电压 VR5 V 输入电流, 低电平 I fl0 250 uA 输入电流, 高电平 I fh7.5 15 mA 低电平选通电压 V el0.8 V 高电平选通电压 VEH2.0 VCC V 高电平输出延迟时间 T plh 100 50 ns 低电平输出延迟时间 T phl 100 60 ns 输入门槛电流 5 3 mA 高电平选通电流 -1.6 -0.7 mA 低电平选通电流-1.6-0.9mA符号参数范围单位Vcc Supply voltage ±16 or 32 VVi Input V oltage -0.3 to +32 V Ptot Power Dissipation N SuffixD Suffix 500400mWVid Differential Input V oltage +32 V Iin Input current 50 mA Toper Operating Free-air Temperature Range 0 to +70 ℃Tstg Storage Temperature Range -65 to +150 ℃LM358参数符号数值单位输入电压Vin -0.3—32 V功耗Pd 570 mWMOC3023参数符号数值（max）type 单位反向电压V r 3 V 正向电流If 60 mA热损耗（室温25℃）Pd 1001.33 mW mW / ℃关断状态终端电压Vdrw 400 V 重复冲击电流峰值Itsm 1 A 通态输出峰值电压Vtm 3 1.8 V 通态输出峰值电流Itm 100 mA LED触发电流Ift 5mAP521—1 P521-2 P521-4参数数值电流传输比50％min输入正向电流70 mA(I F) 50 mA（LED)反向电压5V集电极电流50 mA( Ic )集电极热损耗150mw 100mwrecommend type max 单位电源电压 5 24 V正向电流16 25 mA集电极电流 1 10 mAPC817参数符号数值单位正向电流If 50 mA峰值正向电流Ifm 1 A集电极电流Ic 50 mAUce饱和电压Uce响应时间tr 4-18 us高隔离电压:5000V有效值电磁阀利用Vce-Ic 与If的关系控制三极管的饱和开通或直接控制固态继电器的开关脉冲宽度<=100ms，占空比:0.001Z0409参数符号数值单位峰值门限电流Igm 1.2 A温升Rth 15 ℃/W型号最大电流最大反向电压最大浪涌电压最大反向电流DB102S 1.0 A20 40 0.55 1DB103S 1.0 A30 40 0.55 1DB104S 1.0 A40 40 0.55 1DB105S 1.0 A50 40 0.7 1 1DB106S 1.0 A60 40 0.7 1 178M15参数符号数值type max输出电压V o 15V 15.75V 静态电流Iq 5.2mA 8mA 输出电压温漂 1 Mv/℃输入输出电压差 2 V短路电流Isc 250mA峰值电流Ipk 2.2A7805参数符号数值type max输出电压V o 5V 5.25V 静态电流Iq 5.0mA 8mA 输出电压温漂0.8 Mv/℃输入输出电压差 2 V短路电流Isc 230mA峰值电流Ipk 2.2AHCPL0601参数符号数值（max）min 热损耗P1 45mw每个通道输出电流Io 50mA每个通道输出电压V o 7V输入低电平V el 0.8V 0输入高电平V eh Vcc 2.0V 输入电流If 50mA高电平输出延迟时间Telh 20ns低电平输出延迟时间Tehl 20ns输出电压端上拉电阻Rl 4K 330 低电平输入电流Ifl 0—250uA高电平输入电流Ifh 6.3—15mACBS2—10（LV 25—P）参数符号数值（max）min 总精度Ipn ±12V—15V 0.9％估算阻值±12V ±10mA 30Ω190Ω±12 ±14 30Ω100Ω±15 ±10 100Ω350Ω±15 ±14 100Ω190Ω补偿电流Ip 0.15mA电流大小0—14mA原边电流Ip 10mA副边电流Isn 25mAη 2.5电流转换比例电源电压U0 ±12—15V电压传感器的量程：0—±0.2V、0—±2V、0—±20VTLC5615引脚I/O口描述DIN 1 数据输入SCLK 1 时钟输入CS 1 芯片选择，低电平有效DOUT O 链接传出数据AGND 模拟接地REFIN 1 基准输入OUT O 交直流模拟电压输出Vdd 电源电压参数符号数值（max）min 提供电源电压Vdd 5V输入高电平Vih 2.4V输入低电平Vil 0.8V推荐输出负载Rl Rl 2KRl=10K，输出电压Uout Vcc—0.4 0短路电流Iosc 20mA输出低电平V ol 0.25V输出高电平V oh 4.75VTLP250 maxLED 正向电流 If 20mA LED 短路尖峰电流 Ifpt 1A LED 反向电压 V r 5V 输入门线电流max If 5mA 输入电流 Icc 11mA输出电流 Io ±2.0AHCNR200电流转换比 K321pd pd IIHCNR200：±15％ HCNR201：±5％ 平均输入电流 If 25mA 尖峰输入电流 If ’40mAK3 Type 都为1 0.85—1.15 0.93—1.07min type max K1 HCNR200 0.25 0.5 0.75 K1 HCNR201 0.36 0.48 0.72 LED 正向电压1.31.61.85THB7128 参数 符号 数值 type 低导通电阻 Ron 0.53Ω 最高耐压 40V DC 峰值电流3.3A管脚说明VREF 电流设定端OSC1斩波频率设定电容连接端M1、M2、M3 细分设置端CW/CCW 正/反转信号输入端 低电平正转 高电平反转 ENBLE 脱机信号控制端 低电平，强制关断，高阻状态 高电平，恢复输出 VM电源VM 连接端 最大工作电压 Vm max 36V 最大输出电流 Io max 3.3A 最大逻辑输入电压6V逻辑输入电压2—6V 5V 数字信号电源 3.3—6V 5V VCC 电源连接端输入低电平时解除待机状态逻辑输入低电平0.8V逻辑输入高电平2V。
IC集成电路型号大全及40系列芯片功能大全IC（集成电路）是一种在单一半导体晶圆上集成了数百至数百万个电子元件的微电子元器件。
IC可以实现丰富的功能，从简单的逻辑门到复杂的微处理器，从模拟电路到数字电路等等。
40系列芯片是一种常见的数字逻辑芯片系列，由于功能完善且易于使用而广泛应用。
1.74系列芯片：74系列芯片是最为常见的逻辑芯片，包括多种逻辑门和触发器等基本逻辑功能。
2.555定时器芯片：555芯片是一种通用的定时器，可以提供稳定的时钟信号和可编程的时间延时。
3.741运算放大器芯片：741芯片是一种常见的运算放大器，用于放大模拟信号。
4.4017计数器芯片：4017芯片是一种十进制分频计数器，可用于频率分频、频率测量和计数等应用。
5.4011门芯片：4011芯片是一种四输入门，常用于数字逻辑电路的组合逻辑设计。
6.4511数码管驱动芯片：4511芯片用于驱动共阳极的七段数码管，可在数字显示电路中用来显示数字。
7.4026计数器/分频器芯片：4026芯片是一种十进制计数器和分频器，常用于数字计数和频率分频应用。
8.4093门芯片：4093芯片是一种四反相器门芯片，可用于数字逻辑电路的时钟触发器设计。
9.4051模拟多路复用器芯片：4051芯片是一种模拟信号多路复用器，用于选择多个模拟信号通道中的其中一个。
10.4066开关芯片：4066芯片是一种模拟信号开关，可用于开关模拟信号通路。
11.4029计数器芯片：4029芯片是一种二进制计数器，可用于数字计数和频率测量等应用。
12.4049缓冲器芯片：4049芯片是一种六非门缓冲器，可用于信号放大和驱动等应用。
13.4081门芯片：4081芯片是一种四与门，常用于数字逻辑电路的与门设计。
14.4013触发器芯片：4013芯片是一种D触发器，可用于数字逻辑电路的时钟触发器设计。
15.4050缓冲器/级联器芯片：4050芯片可用于缓冲模拟信号的传输和级联数字逻辑电路。
半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
常用芯片型号大全4N35/4N36/4N37 "光电耦合器"AD7520/AD7521/AD7530/AD7521 "D/A转换器"AD7541 12位D/A转换器ADC0802/ADC0803/ADC0804 "8位A/D转换器"ADC0808/ADC0809 "8位A/D转换器"ADC0831/ADC0832/ADC0834/ADC0838 "8位A/D转换器" CA3080/CA3080A OTA跨导运算放大器CA3140/CA3140A "BiMOS运算放大器"DAC0830/DAC0832 "8位D/A转换器"ICL7106,ICL7107 "3位半A/D转换器"ICL7116,ICL7117 "3位半A/D转换器"ICL7650 "载波稳零运算放大器"ICL7660/MAX1044 "CMOS电源电压变换器"ICL8038 "单片函数发生器"ICM7216 "10MHz通用计数器"ICM7226 "带BCD输出10MHz通用计数器"ICM7555/7555 CMOS单/双通用定时器ISO2-CMOS MT8880C DTMF收发器LF351 "JFET输入运算放大器"LF353 "JFET输入宽带高速双运算放大器"LM117/LM317A/LM317 "三端可调电源"LM124/LM124/LM324 "低功耗四运算放大器"LM137/LM337 "三端可调负电压调整器"LM139/LM239/LM339 "低功耗四电压比较器"LM158/LM258/LM358 "低功耗双运算放大器"LM193/LM293/LM393 "低功耗双电压比较器"LM201/LM301 通用运算放大器LM231/LM331 "精密电压—频率转换器"LM285/LM385 微功耗基准电压二极管LM308A "精密运算放大器"LM386 "低压音频小功率放大器"LM399 "带温度稳定器精密电压基准电路"LM431 "可调电压基准电路"LM567/LM567C "锁相环音频译码器"LM741 "运算放大器"LM831 "双低噪声音频功率放大器"LM833 "双低噪声音频放大器"LM8365 "双定时LED电子钟电路"MAX038 0.1Hz-20MHz单片函数发生器MAX232 "5V电源多通道RS232驱动器/接收器" MC1403 "2.5V精密电压基准电路"MC1404 5.0v/6.25v/10v基准电压MC1413/MC1416 "七路达林顿驱动器"MC145026/MC145027/MC145028 "编码器/译码器" MC145403-5/8 "RS232驱动器/接收器"MC145406 "RS232驱动器/接收器"MC145407 "RS232驱动器/接收器"MC145583 "RS232驱动器/接收器"MC145740 DTMF接收器MC1488 "二输入与非四线路驱动器"MC1489 "四施密特可控线路驱动器"MC2833 "低功率调频发射系统"MC3362 "低功率调频窄频带接收器"MC4558 "双运算放大器"MC7800系列"1.0A三端正电压稳压器"MC78L00系列0.1A三端正电压稳压器MC78M00系列"0.5A三端正电压稳压器"MC78T00系列3.0A正电压稳压器MC7900系列1.0A三端负电压稳压器MC79L00系列0.1A三端负电压稳压器MC79M00系列0.5A三端负电压稳压器Microchip "PIC系列单片机RS232通讯应用"MM5369 3.579545MHz-60Hz 17级分频振荡器MOC3009/MOC3012 "双向可控硅输出光电耦合器"MOC3020/MOC3023 "双向可控硅输出光电耦合器"MOC3081/MOC3082/MOC3083 "过零双向可控硅输出光电耦合器" MOC8050 "无基极达林顿晶体管输出光电耦合器"MOC8111 "无基极晶体管输出光电耦合器"MT8870 "DTMF双音频接收器"MT8888C DTMF 收发器NE5532/NE5532A "双低噪声运算放大器" NE5534/SE5534 "低噪声运算放大器"NE555/SA555 "单时基电路"NE556/SA556/SE556 "双时基电路"NE570/NE571/SA571 "音频压缩扩展器" OP07 "低电压飘移运算放大器"OP27 "低噪音精密运算放大器"OP37 "低噪音高速精密运算放大器"OP77 "低电压飘移运算放大器"OP90 "精密低电压微功耗运算放大器" PC817/PC827/PC847 "高效光电耦合器" PT2262 "无线遥控发射编码器芯片"PT2272 "无线遥控接收解码器芯片"SG2524/SG3524 "脉宽调制PWM "ST7537 "电力线调制解调器电路"TDA1521 2×12W Hi-Fi 音频功率放大器TDA2030 14W Hi-Fi 音频功率放大器TDA2616 2×12W Hi-Fi 音频功率放大器TDA7000T FM 单片调频接收电路TDA7010T FM 单片调频接收电路TDA7021T FM MTS单片调频接收电路TDA7040T "低电压锁相环立体声解码器"TDA7050 "低电压单/双声道功率放大器"TL062/TL064 "低功耗JFET输入运算放大器"TL071/TL072/TL074 "低噪声JFET输入运算放大器"TL082/TL084 JFET 宽带高速运算放大器TL494 "脉宽调制PWM "TL594 "精密开关模式脉宽调制控制"TLP521/1-4 "光电耦合器"TOP100-4 TOPSwitch 三端PWM开关电源电路TOP200-4 TOPSwitch 三端PWM开关电源电路TOP209/TOP210 TOPSwitch 三端PWM开关电源电路TOP221-7 TOPSwitch-Ⅱ三端PWM开关电源电路TOP232-4 TOPSwitch-FX 五端柔韧设计开关电源电路TOP412/TOP414 TOPSwitch 三端PWM DC-DC 开关电源ULN2068 1.5A/50V 4路达林顿驱动电路ULN2803 500mA/50V 8路达林顿驱动电路ULN2803/ULN2804 线性八外围驱动器阵列VFC32 "电压—频率/频率—电压转换器"常用ic资料2AD711 高精度、底价格、高速BiFET 运放CA3130 15MHz, BiMOS 运放with MOSFET Input/CMOS Output LH0032 Ultra Fast FET-输入单运放LF351 Wide B与门width JFET 输入单运放LF411 Low Offset, Low Drift JFET 输入单运放LM108 高精度、单运放LM208 高精度、单运放LM308 高精度、单运放LM833 双音频运放, 低噪音LM358 双运放LM359 双, 高速, Programmable, Current Mode (Norton) Amplifier LM324 QUADRUPLE 运放LM391 音频Power DriverLM393 双Differential ComparatorNE5532 双音频运放, 低噪音NE5534 Single 音频运放, 低噪音OP27 低噪音、高精度、高速运放OP37 低噪音、高精度、高速运放TL071 Single JFET-输入运放, 低噪音TL072 双JFET-输入运放, 低噪音TL074 Quad JFET-输入运放, 低噪音TL081 Single JFET-输入运放TL082 双JFET-输入运放TL084 Quad JFET-输入运放TLC271 LinCMOS..PROGRAMMABLE LOW-POWER 运放TLC272 LinCMOS.... PRECISION 双运放TLC274 LinCMOS.... PRECISION QUAD 运放MN3004 512 STAGE 低噪音BBDL165 3A POWER 运放(20W)LM388 1.5W 音频功率放大LM1875 20W 音频功率放大TDA1516BQ 24 W BTL or 2 x 12 w 立体声汽车用功率放大器TDA1519C 22 W BTL or 2 X 11 W 立体声功率放大TDA1563Q 2 x 25 W high efficiency car radio 功率放大TDA2002 单声道、功率放大8W [NTE1232]TDA2005 双功率放大20WTDA2004 10 + 10W STEREO 立体声汽车用功率放大器TDA2030 Single 功率放大14WSTK4036 II 模块电路, AF PO, 双电源50WSTK4036 XI 模块电路, AF PO, 双电源50WSTK4038 II AF 功率放大60 WSTK4040 II AF 功率放大70 WSTK4040 XI AF 功率放大70 WSTK4042 II AF 功率放大80 WSTK4042 XI AF 功率放大80 WSTK4044 II 模块电路, AF 功率放大、单声道100WSTK4044 II 模块电路, AF 功率放大、单声道100WSTK4046 XI 模块电路, AF 功率放大、单声道120WSTK4048 XI 模块电路, AF 功率放大、单声道150WSTK4050 V 模块电路, AF 功率放大、单声道200WLM3914 10-Step Dot/Bar显示驱动器, Linear scaleLM3915 10-Step Dot/Bar显示驱动器, Logarithmic scaleLM3916 10-Step Dot/Bar显示驱动器UAA180 LED driver Light or light spot display operation for max. 12 emitting diodes CA3161E BCD to Seven Segment Decoder/DriverCA3162E A/D Converter for 3-Digit DisplayICL7136 3 1/2 Digit LCD, Low Power Display, A/D ConverterLM1800 PLL Stereo Decoder [NTE743]CA3090P Stereo Multiplex Decoder (Comp.to NTE789 From NTE)MC1310P FM Stereo Demodulator (Comp. to NTE801 From NTE)555 时钟556 双555MN3101 时钟/ 驱动XR2206 Monolithic Function Generator4N25 6-PIN 光电晶体管OPTOCOUPLERS4N264N274N284N35 6-PIN 光电晶体管OPTOCOUPLERS4N364N3778xx 系列3端稳压器+5V 到+24V1A78Lxx 系列3端稳压器+5V 到+24V 0.1A78Mxx 系列3端稳压器+5V 到+24V 0.5A78Sxx 系列3端稳压器+5V 到+24V 2A79xx 系列3端负电压稳压器-5V 到-24V 1A 79Lxx 系列3端负电压稳压器-5V 到-24V 0.1A LM117 +1.2V...+37V 1.5A 正电压可调稳压器LM217 +1.2V...+37V 1.5A 正电压可调稳压器LM317 +1.2V...+37V 1.5A 正电压可调稳压器LM137 -1.2V...-37V 1.5A 负电压可调稳压器LM237 -1.2V...-37V 1.5A 负电压可调稳压器LM337 -1.2V...-37V 1.5A 负电压可调稳压器LM138 +1.2V --32V 5-安培可调LM338 +1.2V -- 32V 5-安培可调LM723 高精度可调L200 2 A / 2.85 to 36 V.可调74LS00 Quad 2-Input 与非门74LS04 Hex 反相器74LS08 Quad 2 input 与门74LS10 Triple 3-Input 与非门74LS13 SCHMITT TRIGGERS 双门/HEX 反相器74LS14 SCHMITT TRIGGERS 双门/HEX 反相器74LS27 TRIPLE 3-INPUT NOR 门74LS30 8-Input 与非门74LS32 Quad 2 input OR74LS42 ONE-OF-TEN DECODER74LS45 BCD to Decimal Decoders/Drivers74LS47 BCD to 7 seg decoder/driver74LS90 Decade 与门Binary 记数器74LS92 Divide by 12 记数器74LS93Binary 记数器74LS121 Monostable multivibrator74LS154 4-Line to 16-Line Decoder/Demultiplexer 74LS192 BCD up / down 记数器74LS193 4 bit binary up / down 记数器74HC237 3-to-8 line decoder/demultiplexer with address latches74LS374 3-STATE Octal D-Type Transparent Latches 与门Edge-Triggered Flip-Flops 74LS390 双DECADE 记数器双4-STAGE BINARY 记数器4001 Quad 2-input NOR 门4002 双4-input NOR 门4007 双Complementary Pair 与门反相器4011 Quad 2-Input NOR Buffered4013 双D-Type Flip-Flop4016 Quad Analog Switch/Quad Multiplexer4017 Decade 记数器/Divider4022 Divide-by-8 记数器/Divider with 8 Decoded Outputs4023 Triple 3-input 与非门4025 Triple 3-input NOR 门4026 DEC. COUN./DIVIDER WITH DECODED 7-SEG. DISPLAY OUTPUTS4028 BCD to Decimal Decoder4029 Binary/Decade Up/Down 记数器4040 12-Stage Ripple-Carry Binary4046 Phase-Locked Loop4051 Single 8-Channel Analog4052 Differential 4-Channel Analog4053 Triple 2-Channel Multipl/Demul4054 显示驱动4055 显示驱动4056 显示驱动4060 14-Stage Ripple-Carry Binary C4066 Quad Bilateral Switch4067 Cmos Analog Multiplexer / Demultiplexer [266kb] 4068 8-input 与非门4069 Hex 反相器4071 Quad 2-input OR 门4072 双4-input OR 门4075 Triple 3-input OR 门4081 Quad 2-Input 与门门4082 双4-input 与门门4093 Quad 2-Input Schm.Trigger4511 BCD-to-7-Segment Latch Decade Driver4518 双BCD 记数器4583 双Schmitt Trigger4584 Hex Schmitt trigger。
美国军用半导体器件型号和标志QML-19500简介1．美国军用半导体器件型号和标志在美国军用标准中，半导体器件包括二极管，三极管，光藕等分立器件。
其军用产品型号和标志，按美军标准MIL-PRF-19500N《半导体器件总规范》（2005年发布）1.3条规定如下：A XN YYYY ZZZJANQQQ 或JANQCW前缀RHA等级器件类型识别号后缀见1.1见1.2见1.3见1.4.见1.51.1 前缀此前缀用于表示军用产品质量等级.对于已密封器件和未密封器件(即芯片)的质量等级及其相应标志规定如下:1.1.1密封器件的质量等级和标志密封器件的质量等级如上述”QQQ”所示, 质量等级从低到高顺序如下:JAN, JANTX JANTXV, JANJ 和JANS.JANS是适用于空间用途的等级,我们常称之为宇航级;JAN, JANTX, JANTXV, JANJ是高可靠军用等级,以前的标准中,曾这样描述:JAN---------标准军用等级JANTX-----特军级JANTXV---超特军级JANJ--------按标准规定,应在JANS生产线制造,质量等级比JANTXV高.1.1.2未密封器件即芯片的质量等级和标志未密封器件的质量等级如上述”QC”所述,质量等级从低到高顺序如下; JANHCJANKC.JANHC---适用于标准军事用途JANKC---适用于空间(宇航)用途上述”QCW”中的”W”表示此类产品—芯片,必须将适用的等级标志符,标志在包装盒的适当位置上.1.1.3 JAN和J标志按MIL—PRF—19500N 3.10.6.1条规定,当器件打印标志的位置较小时,“JAN”标志可以简化为“J”.这二个标志都是向联邦政府注册的,“JAN”的注册号为:504860;“J”的注册号为:1586261.因此,当器件管壳较小时,军用产品质量等级可以标志如下缩写前缀:质量等级 质量等级缩写JAN------------------- JJANTX----------------- JXJANTXV------------- JVJANJ------------------ JJJANS----------------- JS1.2 辐射加固保证(RHA)等级RHA等级采用一个字母表示,其等级从低到高顺序为:M,D,P,L,R,F,G和H.加固剂量如下: (除非另有规定)等级字母总剂量 Rad(si)中子流量 N/cm2M3×1032×1012D1×1042×1012P3×1042×1012L5×1042×1012R1×1052×1012F3×1052×1012G6×1052×1012H1×1062×10121.3 器件类型半导体器件的标志符用“XN”表示，其中“X”用一个数字表示，它比器件有源电极终端（引出端）数目少一，例如，二极管用“1N”表示，三极管用“2N”表示。
常用场效应管及晶体管参数66681场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和晶体管（Transistor）是现代电子学中最常用的两种电子元件。
它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。
本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。
1.场效应管的参数1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培（A）。
1.3 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）: 表示在漏极-源极之间，当场效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。
1.4 阈值电压（VGS(th)）: 表示在栅极和源极之间，场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。
1.5 输入电容（Ciss）: 表示场效应管的输入电容，单位为法拉（F）。
1.6 输出电容（Coss）: 表示场效应管的输出电容，单位为法拉（F）。
1.7 开关时间（ton、toff）: 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。
2.晶体管的参数2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培（A）。
2.3 饱和压降（VCE(sat)）: 表示晶体管在饱和区时，集电极和发射极之间的电压降，单位为伏特（V）。
2.4 开路电流放大倍数（hfe）: 表示晶体管的直流电流放大倍数。
2.5 输入电阻（hie）: 表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.6 输出电阻（hoe）: 表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.7 动态电阻（rce、Rce）: 表示晶体管在放大区时，集电极和发射极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。
3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特的特性和参数。
在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。
常用芯片的型号性能指标和适用场合
一、STM32F103C8T6
1、型号
STM32F103C8T6
2、性能指标
（1）处理器：STM32F103C8T6，主频72MHz，最高 72 MHz的 ARM Cortex-M3 内核；
（2）存储器：内存：128KB Flash，20KB SRAM，片上调试（ On-
chip debugging ）；
（3）外设：4个UART，2个I2C，1个SPI，1个USB2.0，一个CAN，2个12位ADC；
（4）标准外设：一个复位节点，一个复位外设，一个定时器，一个
看门狗定时器，一个电源管理单元，一个系统复位保护；
（5）控制器：支持IAR，Keil安装ARM， MDK编译，支持JTAG和
TIF调试器；
（6）物理规格：LQFP48封装；
（7）引脚：48个；
3、适用场合
（1）STM32F103C8T6芯片，由于其性能优异，为客户提供了卓越的
效能，是一款适用于多种应用场合的多功能MCU；
（2）应用于医疗仪器、工业控制系统、家庭用品、汽车电子产品的
开发和生产；
（3）用于实现系统的微处理器省电节能与多功能整合，如运动控制、安防系统等；
（4）可用于传感器、驱动器、安全系统、测控系统、消费类产品等
领域；
（5）可用于智能家庭，机器人，安全报警，门禁系统，航空航天技术，消防系统，音像设备，车载应用等场合。
二、AT89C51
1、型号
AT89C51
2、性能指标。
半导体分立器件主要参数
半导体分立器件是一种在电路中独立使用的电子器件，主要包括二极管、晶体管、场效应管（FET）、双极性晶体管（BJT）、光电二极管等。
这些器件有许多主要参数，下面我将从多个角度来详细介绍这些参数。
1. 电压参数，包括正向导通压降、反向击穿电压等。
正向导通压降是指在正向工作状态下，器件导通时的电压降，反向击穿电压则是指在反向工作状态下，器件发生击穿时的电压值。
2. 电流参数，包括最大正向电流、最大反向电流等。
最大正向电流是指器件在正向工作状态下能够承受的最大电流值，最大反向电流是指在反向工作状态下器件能够承受的最大电流值。
3. 频率参数，包括最高工作频率等。
最高工作频率是指器件能够正常工作的最高频率，这对于高频电路设计非常重要。
4. 功率参数，包括最大耗散功率、最大耐压等。
最大耗散功率是指器件能够承受的最大功率，最大耐压是指器件能够承受的最大电压。
5. 噪声参数，包括噪声系数、噪声指数等。
噪声参数对于一些对信号质量要求较高的应用非常重要。
6. 温度参数，包括工作温度范围、温度特性等。
工作温度范围是指器件能够正常工作的温度范围，温度特性则是指器件在不同温度下的性能变化情况。
以上是半导体分立器件的一些主要参数，这些参数对于选择合适的器件、设计电路以及保证电路稳定可靠都非常重要。
希望以上回答能够满足你的要求。
半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。
测试反向电参数时，给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向（整流）电流。
在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。
在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值（品质因素）δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。
硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。
在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。
在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△ λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）Co---输出电容Cob---共基极输出电容。
在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容（外电路参数）Cp---并联电容（外电路参数）BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D---占空比fT---特征频率fmax---最高振荡频率。
当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---共发射极静态电流放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导h RE---共发射极静态电压反馈系数hie---共发射极小信号短路输入阻抗hre---共发射极小信号开路电压反馈系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hoe---共发射极小信号开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IE---发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE 下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值ICMP---集电极最大允许脉冲电流ISB---二次击穿电流IAGC---正向自动控制电流Pc---集电极耗散功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pi---输入功率Po---输出功率Posc---振荡功率Pn---噪声功率Ptot---总耗散功率ESB---二次击穿能量rbb ---基区扩展电阻（基区本征电阻）rbb Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE---外接发射极电阻（外电路参数）RB---外接基极电阻（外电路参数）Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）RG---信号源内阻Rth---热阻Ta---环境温度Tc---管壳温度Ts---结温Tjm---最大允许结温Tstg---贮存温度td----延迟时间tr---上升时间ts---存贮时间tf---下降时间ton---开通时间toff---关断时间VCB---集电极-基极（直流）电压VCE---集电极-发射极（直流）电压VBE---基极发射极（直流）电压VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp---穿通电压。
VSB---二次击穿电压VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VAGC---正向自动增益控制电压Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值V n---噪声电压Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
