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稀土硅铁合金及镁硅铁合金化学分析方法第1部分：稀土总量、十五个稀土元素含量的测定1范围本文件规定了稀土硅铁合金及镁硅铁合金中稀土总量、十五个稀土元素含量的测定方法。
本文件适用于稀土硅铁合金及镁硅铁合金中稀土总量、十五个稀土元素含量的测定，包含电感耦合等离子体子发射光谱法（方法一）和EDTA滴定法（方法二）。
方法一测定范围（质量分数）见表1。
方法二测定范围（质量分数）见表2。
表1方法一测定范围测定参数质量分数%测定参数质量分数%La0.03～10.00Dy0.03～0.50 Ce0.03～10.00Ho0.03～0.50 Pr0.03～0.50Er0.03～0.50 Nd0.03～0.50Tm0.03～0.50 Sm0.03～0.50Yb0.03～0.50 Eu0.03～0.50Lu0.03～0.50 Gd0.03～0.50Y0.03～10.00 Tb0.03～0.50RE0.50～10.00表2方法二测定范围测定参数质量分数%测定参数质量分数%La0.05～40.00Dy0.05～2.00Ce0.05～40.00Ho0.05～2.00Pr0.05～2.00Er0.05～2.00Nd0.05～2.00Tm0.05～2.00Sm0.05～2.00Yb0.05～2.00Eu0.05～2.00Lu0.05～2.00Gd0.05～2.00Y0.05～40.00Tb0.05～2.00RE10.00～40.002规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 6682 分析实验室用水规格和试验方法GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定3术语和定义本文件没有需要界定的术语和定义。
4方法一：电感耦合等离子发射光谱法4.1原理试料经硝酸和氢氟酸分解，氢氟酸沉淀稀土分离铁后，经高氯酸冒烟盐酸分解氟化稀土，加入少量铁与稀土在氨水中共沉淀以分离镁、钙等杂质元素。
继续追问：国家标准是国家制定的用于规范金属硅市场的一种准则，它对于金属硅市场的统一、稳定、和谐发展具有非常重要的意义。
现在，金属硅国家标准已经被广大的金属硅生产厂家和金属硅企业所接受，已经成为一种行业标准。
金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也归在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。
根据金属硅国家标准，金属硅通常按所含的铁、铝、钙三种主要杂质的含量来分类，主要类型有以下几种：#1101 #2202 #3303 #3305 #441 #553Si 99 99 99 99 99 98.5Fe 0.1 0.2 0.3 0.3 0.4 0.5Al 0.1 0.2 0.3 0.3 0.4 0.5Ca 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.3P 0.003 0.003 0.003 0.004 0.004 0.004Ni 0.03 0.03 0.03 / / /Mn 0.03 0.03 0.03 / / /Ti 0.02 0.02 0.03 0.03 / /金属硅基础知识（牌号化学成分、检验标准等）2006-10-02 00:00 来源：我的钢铁作者：mysteel 试用手机平台金属硅定义：金属硅又称结晶硅或工业硅，其主要用途是作为非铁基合金的添加剂。
硅是非金属元素，呈灰色，有金属色泽，性硬且脆。
硅的含量约占地壳质量的26%；原子量为28.80；密度为2.33g/m3；熔点为1410C；沸点为2355C；电阻率为2140Ω.m。
金属硅的牌号：按照金属硅中铁、铝、钙的含量，可把金属硅分为553、441、411、42 1、3303、3305、2202、2502、1501、1101等不同的牌号。
金属硅的附加产品:包括硅微粉,边皮硅，黑皮硅，金属硅渣等。
其中硅微粉也称硅粉、微硅粉或硅灰，它广泛应用于耐火材料和混凝土行业金属硅的用途：金属硅（Si）是工业提纯的单质硅，主要用于生产有机硅、制取高纯度的半导体材料以及配制有特殊用途的合金等。
国家质量监督检验检疫总局关于批准“硅钙合金标准物质”等203种国家标准物质的通知(一)
文章属性
•【制定机关】国家质量监督检验检疫总局(已撤销)
•【公布日期】2012.06.06
•【文号】国质检量函[2012]283号
•【施行日期】2012.06.06
•【效力等级】部门规范性文件
•【时效性】现行有效
•【主题分类】标准化
正文
国家质量监督检验检疫总局关于批准“硅钙合金标准物质”
等203种国家标准物质的通知
（国质检量函〔2012〕283号）
各直属检验检疫局，各省、自治区、直辖市及新疆生产建设兵团质量技术监督局，国务院有关部门，各有关单位：
根据《中华人民共和国计量法》和《标准物质管理办法》的有关规定，现批准“硅钙合金标准物质”等73种标准物质为国家一级标准物质，“不锈钢光谱分析标准物质”等130种标准物质为国家二级标准物质（见附件1），列入中华人民共和国标准物质目录（见附件2），并统一编号，颁发“国家标准物质定级证书”和“制造计量器具许可证”。
附件：1. 国家标准物质项目表
附件：2. 中华人民共和国标准物质目录
二〇一二年六月六日
附件1：
附件2：
中华人民共和国标准物质目录国家质量监督检验检疫总局中国北京
研制单位：中国计量科学研究院（北京市）、重庆市电力公司电力科学研究院
*质量分数为×10-2
研制单位：中国计量科学研究院（北京市）
研制单位：中国计量科学研究院（北京市）
研制单位：中国计量科学研究院（北京市）。
冶炼硅铁使用的原料：硅石、焦炭和钢销。
硅石（1）化学成份A.含siO2不小于98％B.含Al2O3不大于0.8％。
C.含P2O3不大于0.02％D.含其它杂子总和不大于1％（2）物理性质A、硅石表面不得有泥土等杂质，入炉前尽量经过水洗。
B、硅石应有较好的机械强度和抗爆性。
C、新硅石末经实验，不得大量使用。
（3）入炉粒度50－150mm.二、焦炭化学成份A、固定碳大于82％B、灰分小于14％C、挥发份1－3％三、钢屑化学成份含铁量不低于97％应是普通碳素钢销，不得混有合金钢销，有色金属销和生铁销等。
生锈严重的钢销不得使用钢销的卷曲长度不大于100mm 要纯净，不得混有泥土等杂质现在企业大部分不会用铁矿石大部分采用球团料和氧化皮球团料含铁量在50-60 包头、河北等地有氧化皮含铁量在65-72 包头、河北、山西等地有铁矿石生产原料生产工艺（如下）冷压块简单工艺过程破碎粘结铁矿石筛分干燥混合筛分压块入炉四、铁矿石工业品位对于含铁量较低或含铁量虽高但有害杂质含量超过规定要求的矿石或含伴生有益组分的铁矿石，均需进行选矿处理，选出的铁精粉经配料烧结或球团处理后才能入炉使用。
需经选矿处理的铁矿石要求：磁铁矿石TFe≥25%，mFe≥20%；赤铁矿石TFe≥28%～30%；菱铁矿石TFe≥25%；褐铁矿石TFe≥30%。
对需选矿石工业类型划分，通常以单一弱磁选工艺流程为基础，采用磁性铁占有率来划分。
根据我国矿山生产经验，其一般标准是：矿石类型mFe/TFe(%)单一弱磁选矿石≥65其他流程选矿石＜65对磁铁矿石、赤铁矿石也可采用另一种划分标准：mFe/TFe≥85磁铁矿石mFe/TFe85～15混合矿石mFe/TFe≤15赤铁矿石。
概述：本硅铁标准物质对硅、锰、磷、钙、铝、铬、碳和硫元素进行定值。
该标准物质适用于效验分析仪器及分析方法，并可作为量值传递。
、产品质量控制机仲裁分析的依据。
一、制备方法简介原料（硅石、焦炭、钢屑）经配料→熔炼→烧铸→取样→精整→破碎→研磨→筛分→混样→初检→装瓶→均匀性检验→数据分析→数据处理→鉴定定值。
二﹑标准值及不确定度 成分（％） 项目 Ｓｉ Ａｌ Ｃａ Ｃｒ Ｐ Ｍｎ Ｃ Ｓ ７６．７４ １．８０ ０．０２３ ０．０１７２ ０．１４０ ０．３０ ０．０８１ ０．００４ ０．１４ ０．０３ ０．００１ ０．００７ ０．００４ ０．０２ ０．００４ ０．００１ 标准值及 标准偏差（Ｓ） 测定组数 ８ ８ ８ ８ ８ ９ １０ ９ 三、分析方法元素 分析方法 硅 高氰酸脱水重量法铝 EDTA 容量法；铬天青—S 分光光度法磷 硫酸肼—磷钼蓝分光光度法；铋磷钼蓝分光光度法；正丁醇—三氯甲烷萃取分光光度法 锰 原子吸收光谱法；高锰酸钾分光光度法；亚砷酸钠—亚硝酸钠容量法 铬 过硫酸铵容量法；二苯基碳酰二肼分光光度法 碳 红外法；库仑法；非水滴定法；气体容量法 硫 离子选择性电极电位滴定法；燃烧碘量法；红外法四、均匀性检查本标准物质随机抽取样进行分析，最小称样量为0.5g,采用方差检验法进行均匀性检查，其结果F ＜Fa,所以标准物质是均匀的。
五、包装与贮存标准物质为粉末状样品。
最小包装为50克，装于具有内外盖的玻璃瓶中，外套纸盒。
储存于阴凉、干燥、避光处。
六、研制协作单位冶金部钢铁研究总院 上海第五钢铁厂峨嵋铁合金（集团）股份有限公司 上海第一钢铁厂重庆特殊钢（集团）公司特钢研究所上海申佳铁合金有限公司锦州铁合金（集团）股份有限公司。
序号标准号标准名称5GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法6GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法7GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法8GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法9GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法15GB/T 4058-2009硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法16GB/T 4061-2009硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法33GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法34GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法35GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法36GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法37GB/T 6620-2009硅片翘曲度非接触式测试方法38GB/T 6621-2009硅片表面平整度测试方法39GB/T 6624-2009硅抛光片表面质量目测检验方法67GB/T 13387-2009硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法68GB/T 13388-2009硅片参考面结晶学取向X射线测试方法70GB/T 14139-2009硅外延片71GB/T 14140-2009硅片直径测量方法72GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法73GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法74GB/T 14146-2009硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法76GB/T 14600-2009电子工业用气体 氧化亚氮77GB/T 14601-2009电子工业用气体 氨78GB/T 14603-2009电子工业用气体 三氟化硼79GB/T 14604-2009电子工业用气体 氧81GB/T 14851-2009电子工业用气体 磷化氢88GB/T 15909-2009电子工业用气体 硅烷(SiH4)116GB/T 16942-2009电子工业用气体 氢117GB/T 16943-2009电子工业用气体 氦118GB/T 16944-2009电子工业用气体 氮119GB/T 16945-2009电子工业用气体 氩241GB/T 24574-2009硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法242GB/T 24575-2009硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法243GB/T 24576-2009高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法244GB/T 24577-2009热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物245GB/T 24578-2009硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法247GB/T 24580-2009重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法248GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法249GB/T 24582-2009酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质代替标准号批准日期修订日期实施日期GB/T 1551-1995,GB/T 151979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1553-19971979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1554-19951979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1555-19971979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1558-19971979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 4058-19951983-12-202009-10-302010-6-1GB/T 4061-19831983-12-202009-10-302010-6-1GB/T 6616-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6617-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6618-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6619-19951985-6-172009-10-302010-6-1GB/T 6620-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6621-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6624-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 13387-19921992-2-192009-10-302010-6-1GB/T 13388-19921992-2-192009-10-302010-6-1GB/T 14139-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14140.1-1993,GB/T1993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14141-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14144-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14146-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14600-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14601-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14603-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14604-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14851-19931993-12-302009-10-302010-5-1GB/T 15909-19951995-12-202009-10-302010-5-1GB/T 16942-19971997-8-132009-10-302010-5-1GB/T 16943-19971997-8-132009-10-302010-5-1GB/T 16944-19971997-8-132009-10-302010-5-1GB/T 16945-19971997-8-132009-10-302010-5-12009-10-302010-6-12009-10-302010-6-1的试验方法2009-10-302010-6-12009-10-302010-6-12009-10-302010-6-12009-10-302010-6-1含量的测试方法2009-10-302010-6-12009-10-302010-6-1。
72硅铁指标一、概述72硅铁是一种重要的冶金材料，主要用于钢铁冶炼中作为脱氧剂和合金元素添加剂。
本文将从72硅铁的物理性质、化学成分、加工工艺和应用领域等方面详细介绍其指标。
二、物理性质1. 外观：黑色块状或颗粒状。
2. 密度：7.2-7.4g/cm³。
3. 熔点：约1410℃。
4. 硬度：在常温下较硬，难以切割。
三、化学成分1. 主要成分：Si、Fe。
2. 含量标准：- Si含量≥72%；- C含量≤0.2%；- P含量≤0.05%；- S含量≤0.05%。
四、加工工艺1. 原料准备：- 硅铁块或硅铁渣；- 铁水或废钢等还原剂；- 脱氧剂（如锰铁）。
2. 生产过程：(1) 将硅铁块或硅铁渣按比例混合后放入电炉内加热至一定温度。
(2) 加入还原剂，使SiO₂被还原为Si，并与Fe反应生成72硅铁。
(3) 加入脱氧剂，去除钢水中的氧、硫等杂质。
(4) 倒出72硅铁，冷却后粉碎或压块包装。
五、应用领域1. 钢铁冶炼：作为脱氧剂和合金元素添加剂，可以改善钢的物理性能，提高耐磨性和强度。
2. 铸造业：用于生产球墨铸铁和灰口铸铁等合金材料。
3. 化工行业：作为硅源用于生产有机硅、硅橡胶等化工产品。
六、质量指标1. 化学成分：- Si含量≥72%；- C含量≤0.2%；- P含量≤0.05%；- S含量≤0.05%。
2. 粒度：- 块状72硅铁：50-200mm；- 颗粒状72硅铁：1-10mm或10-50mm。
3. 包装：- 块状72硅铁：每袋重量一般在25kg以上，外包装为塑料编织袋或纸板箱；- 颗粒状72硅铁：每袋重量一般在25kg以上，外包装为塑料编织袋或纸板箱。
4. 使用效果：- 脱氧效果：Si含量≥72%；- 合金效果：FeSi含量、C含量和P含量符合标准；- 粒度适宜：块状或颗粒状72硅铁应根据具体工艺要求选择合适的粒度；- 包装完好：无泄漏、无损伤。
七、质检要点1. 取样方法：- 块状72硅铁：随机取样，每袋至少取3个样品；- 颗粒状72硅铁：随机取样，每袋至少取5个样品。
硅行业国家标准大全序号标准号标准名称5GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法6GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法7GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法8GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法9GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法15GB/T 4058-2009硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法16GB/T 4061-2009硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法33GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法34GB/T 6617-2009硅片电阻率测定扩展电阻探针法35GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法36GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法37GB/T 6620-2009硅片翘曲度非接触式测试方法38GB/T 6621-2009硅片表面平整度测试方法39GB/T 6624-2009硅抛光片表面质量目测检验方法67GB/T 13387-2009硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法68GB/T 13388-2009硅片参考面结晶学取向X射线测试方法70GB/T 14139-2009硅外延片71GB/T 14140-2009硅片直径测量方法72GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法73GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法74GB/T 14146-2009硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法76GB/T 14600-2009电子工业用气体氧化亚氮77GB/T 14601-2009电子工业用气体氨78GB/T 14603-2009电子工业用气体三氟化硼79GB/T 14604-2009电子工业用气体氧81GB/T 14851-2009电子工业用气体磷化氢88GB/T 15909-2009电子工业用气体硅烷(SiH4)116GB/T 16942-2009电子工业用气体氢117GB/T 16943-2009电子工业用气体氦118GB/T 16944-2009电子工业用气体氮119GB/T 16945-2009电子工业用气体氩241GB/T 24574-2009硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法242GB/T 24575-2009硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法243GB/T 24576-2009高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法244GB/T 24577-2009热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物245GB/T 24578-2009硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法247GB/T 24580-2009重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法248GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法249GB/T 24582-2009酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质代替标准号批准日期修订日期实施日期GB/T 1551-1995,GB/T 151979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1553-19971979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1554-19951979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1555-19971979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 1558-19971979-5-262009-10-302010-6-1GB/T 4058-19951983-12-202009-10-302010-6-1GB/T 4061-19831983-12-202009-10-302010-6-1GB/T 6616-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6617-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6618-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6619-19951985-6-172009-10-302010-6-1GB/T 6620-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6621-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 6624-19951986-7-262009-10-302010-6-1GB/T 13387-19921992-2-192009-10-302010-6-1GB/T 13388-19921992-2-192009-10-302010-6-1GB/T 14139-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14140.1-1993,GB/T1993-2-62009-10-302010-6-1 GB/T 14141-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14144-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14146-19931993-2-62009-10-302010-6-1GB/T 14600-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14601-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14603-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14604-19931993-8-262009-10-302010-5-1GB/T 14851-19931993-12-302009-10-302010-5-1GB/T 15909-19951995-12-202009-10-302010-5-1GB/T 16942-19971997-8-132009-10-302010-5-1GB/T 16943-19971997-8-132009-10-302010-5-1GB/T 16944-19971997-8-132009-10-302010-5-1GB/T 16945-19971997-8-132009-10-302010-5-12009-10-302010-6-12009-10-302010-6-1的试验方法2009-10-302010-6-1 2009-10-302010-6-12009-10-302010-6-12009-10-302010-6-1含量的测试方法2009-10-302010-6-1 2009-10-302010-6-1。
中华人民共和国国家标准硅铁GB2272-87
本标准适用于炼钢和铸造作脱氧剂或合金元素加入剂用的硅铁。
1技术要求
1.1牌号和化学成分
1.1.1硅铁按硅及其杂质含量．分为十六个牌弓，其化学成分应符合表1的
规定
表1
1.2物理状态
1.2.1硅铁浇铸厚度：FeSi75系列各牌号硅铁锭不得超过100mm；
FeSi65锭不得超过80mm。
硅的偏析不大于4%。
1.2.2硅铁供货粒度应按表2的规定。
表2 硅铁供货粒度
注：FeSi45小于20mm×20mm的数量不得超过总重的15%。
1.2.3需方对供货粒度有特殊要求，可与供方协商解决
2试验方法
2.1取样
化学分析试样的采取按GB4010－83（铁合金化学分析用试样的采取法）
进行。
2.2制样
化学分析用试样的采取法拉GB 4332—84铁合金化学分析用试样制备法》
进行。
2.3化学分析方法
硅铁的化学分析方法按GB 4333. l－4333．8—84《硅铁化学分析方法》
进行。
2.4粒度试验采用方孔钢板筛或方孔筛进行筛。
3检验规则
3.1质量检查和验收
产品的质量检查相验收应符合GB3650一83《铁合金验收、包装、储运、
标志和质量证书的一般规定》的要求。
3.2组批
硅铁按同一牌号组批，但含Si量波动范围不应超过3%。
4包装、储运、标志和质量证明书
4.1包装
硅铁根据需方要求，可采用散袋、集装箱、袋装等形式发货。
采用袋装或集
装箱包装时．包装外面应有明显标志。
4.2储运、标志和质量证明书
产品的储运、标志和质量证明书应将合GB3650－83《铁合金验收、包装、
储运、标志和质量证明书的一般规定》的要求。
附加说明；
本标准由中华人民共和国冶金工业部提出。
本标准由上海铁合金厂负责起草。
本标准主要起草人陈震华、丁明。
本标准中
FeSi75Al0.5-A、FeSi75-Al1.0-A、FeSi75Al1.5-A、FeSi75Al2.0-A、FeSi75Al2.0-B、FeSi75-A、FeSi75-B牌号标准水平等级标记为“Y”。
其他牌号标准水平等级标记为“I”。
