中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展研究报告(2009通用版)

中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展研究报
告(2009通用版)
目录
第一章中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))行业概述 (6)
第一节产品定义 (6)
第二节市场基本特点 (8)
第二章掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展概况 (10)
第一节国际市场发展概况 (10)
一、本产品国际现状分析 (10)
二、本产品主要国家和地区概况 (10)
第二节国内市场发展概况 (12)
一、国内总体市场分析 (12)
二、国内市场发展存在的问题 (13)
第三章 2009年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场分析 (14)
第一节我国整体市场规模 (14)
一、总量规模 (14)
二、增长速度 (15)
三、各季度市场情况 (16)
第二节市场结构分析 (17)
一、产品市场结构 (17)
二、品牌市场结构 (17)
三、区域市场结构 (18)
四、渠道市场结构 (19)
第三节市场特性 (20)
一、所处生命周期 (20)
二、该产品生产技术变革与产品革新 (20)
三、差异化/同质化分析 (20)
第四节上游原材料市场分析 (20)
第四章 2009年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场供需调查分析 (20)
第一节需求分析 (20)
第二节供给分析 (21)
第三节重点客户调查分析 (23)
一、重点客户行为调查分析 (23)
二、重点客户需求调查分析 (23)
三、重点客户满意度调查分析 (24)
四、重点客户采购与渠道调查分析 (26)
五、重点客户品牌战略调查分析 (26)
第五章 2009年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场竞争格局与企业竞争力评价 (28)
第一节同类产品竞争力分析理论基础 (28)
第二节同类产品国内企业与品牌分析 (28)
第三节同类产品竞争格局分析 (28)
第四节同类产品竞争群组分析 (28)
第五节同类产品市场分额分析 (28)
第六节主力企业市场竞争力评价 (28)
一、产品竞争力 (28)
二、价格竞争力 (28)
三、渠道竞争力 (28)
四、销售竞争力 (28)
五、服务竞争力 (28)
六、品牌竞争力 (28)
第六章国内市场产品价格分析 (29)
第一节价格特征分析 (29)
第二节主要品牌产品价位分析 (29)
第三节价格与成本的关系 (29)
第四节竞争对手的价格策略 (29)
第七章国内掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场渠道分析 (29)
第一节销售渠道形式 (29)
第二节销售渠道要素对比 (29)
第三节对竞争对手渠道的策略研究 (29)
第四节各区域市场主要代理商情况 (29)
第八章影响2010-2013年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展因素. 30 第一节有利因素 (30)
第二节不利因素 (30)
第三节政策因素 (30)
第四节次贷金融危机影响分析 (30)
第九章国内掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))进出口现状与趋势分析 (31)
第一节我国出口及增长情况 (31)
第二节主要海外市场分布情况 (32)
第三节经营海外市场的主要品牌 (32)
第四节进口分析 (32)
第十章国内主要生产企业盈利能力比较分析 (34)
第一节 2006-2009年该产业利润总额分析 (34)
一、2006-2009年行业利润总额分析 (34)
二、不同规模企业的利润总额比较分析 (35)
三、不同所有制企业的利润总额比较分析 (35)
第二节 2006-2009年该产业销售毛利率分析 (36)
第三节 2006-2009年该产业销售利润率分析 (37)
第四节 2006-2009年该产业总资产利润率分析 (38)
第五节 2006-2009年该产业净资产利润率分析 (39)
第六节 2006-2009年该产业产值利税率分析 (40)
第十一章国内10家掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))生产企业分析 (41)
第一节北京滨松光子技术股份有限公司 (41)
一、企业基本情况............................. 错误!未定义书签。

二、企业资产负债分析......................... 错误!未定义书签。

三、企业收入及利润分析....................... 错误!未定义书签。

第二节中材高新材料股份有限公司 (41)
一、企业基本情况............................. 错误!未定义书签。

二、企业资产负债分析......................... 错误!未定义书签。

三、企业收入及利润分析....................... 错误!未定义书签。

第三节上海硅酸盐研究所中试基地 (41)
一、企业基本情况............................. 错误!未定义书签。

二、企业资产负债分析......................... 错误!未定义书签。

三、企业收入及利润分析....................... 错误!未定义书签。

第四节兰州科近泰基新技术有限责任公司 (41)
一、企业基本情况............................. 错误!未定义书签。

二、企业资产负债分析......................... 错误!未定义书签。

三、企业收入及利润分析....................... 错误!未定义书签。

第五节上海凯复光电科技有限公司 (41)
一、企业基本情况............................. 错误!未定义书签。

二、企业资产负债分析......................... 错误!未定义书签。

三、企业收入及利润分析....................... 错误!未定义书签。

第六节上海烁虹晶体科技有限公司 (41)
一、企业基本情况............................. 错误!未定义书签。

二、企业资产负债分析......................... 错误!未定义书签。

三、企业收入及利润分析....................... 错误!未定义书签。

第六节重点企业品牌及市场占有率分析 (41)
第十二章 2010-2013年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展趋势预测 (42)
第一节产品发展趋势 (42)
第二节价格变化趋势 (42)
第三节渠道发展趋势 (42)
第四节用户需求趋势 (42)
第五节服务发展趋势 (42)
第十三章 2010-2013年掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展前景预测 (42)
第一节国际市场发展前景预测 (42)
第二节我国市场资源配置的前景 (42)
第三节市场中长期预测 (42)
一、2010-2013年经济增长与该产品需求预测 (42)
二、2010-2013年该产品总产量预测 (42)
第一章中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))行业概述
第一节产品定义
碘化铯闪烁晶体CsI分为掺铊的碘化铯闪烁晶体CsI（Tl）、掺钠的碘化铯闪烁晶体CsI（Na）及纯碘化铯闪烁晶体CsI。

由于铊激活的碘化铯晶体CsI（Tl）在空气中不潮解，容易加工成薄片，因而在探测能谱方面得到了比较广泛的应用。

掺钠的碘化铯晶体CsI( Na)易潮解，需密封使用。

它们的共同特点是密度大、平均原子序数高，因而对γ射线和X 射线有较高的探测效率。

一般比碘化钠（铊）晶体高40%左右；碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性，所以晶体可以制成各种各样形状的探测器，同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。

在γ射线能量低于5Mev 左右、环境要求比较苛刻的条件下使用CsI(Tl)代替NaI(Tl)晶体，在给定的某一峰总比下，可以使用较小尺寸的CsI晶体。

非杂质激活的CsI晶体，适合于探测低能γ射线或带电粒子。

掺铊碘化铯闪烁晶体是以碘化铯为基质材料掺杂碘化铊制成的闪烁晶体材料，在现代科技中，闪烁晶体是一种不可缺少的功能材料。

由于其综合性能优良，被广泛用于高能物理、医疗仪器、宇宙射线探索，安全检测和工业探测等领域。

掺铊碘化铯闪烁晶体主要特性指标：最大发射波长565nm；闪烁截止波长330nm；衰减常数1.0μs。

而CsI(Tl)与CsI主要特性有一定差别，如下表所示。

CsI(Tl)晶体在现代科学技术中是一个重要的功能材料，在已知材料红外透过范围最宽，CsI单晶有时用于最宽范围的分光光度计的组件。

由于材料较软，很难抛光，其性能受到一定影响。

掺杂坨的CsI(Tl)的单晶是一种很有用的闪烁器件其发射波长与硅光二极管十分匹配。

第二节市场基本特点
掺铊碘化铯CsI(Tl)晶体性能优越，应用领域广泛。

具体来说，其应用特点主要集中在以下几点：
①和硅光二极管匹配时是所有已知闪烁材料中光输出最大的闪烁体。

②可用于射线或粒子的脉冲形状甄别(PSD)。

③均匀性好、抗辐照，适合在高能物理试验中应用。

④余辉小，适合在射线安全检查设备中应用。

⑤自身放射性本底小，适合在中微子探测等低本底试验中应用。

⑥和硅光二极管配合使用时，具有体积小，电压低及抗磁场干扰等优点。

CsI(T1)晶体光产额高，没有解理面，熔点低，易于生长，同时具有良好的光学性能、机械性能及物化稳定性且光电转换效率高等优点，是综合性能优良的闪烁体，使其在很多领域得到了广泛的应用。

(1)安全检查
系统中的X射线穿透被检查行李，再辐射到探测器上，探测器上的CsI(T1)晶体可将X光转换成可见光，而与CsI(T1)耦合的光电二极管阵列可将光信号转变成电信号，电信号经放大、转换后在视频监视器上显示出清晰的图像。

(2)γ射线探测
CsI(T1)晶体与半导体硅光二极管配合组成了射线探测器，其空间位置分辨率可达0.6mm，能量分辨率达到16%(122KeV入射能量)，而且这样的γ射线探测器体积小，无需高电压供电。

近年来，在一些高能量加速器上使用的量能器都选用了由CsI(T1)晶体组成的探测器阵列。

CsI(Tl)因化学性质稳定、其发射波长与硅光电二极管匹配，已经广泛应用于大面积成像探测器，而有望广泛应用于光阴极、γ射线探测器、X射线探测器以及核试验中的粒子探测器。

(3)中微子探测
中微子测量世界上的一个前沿课题。

由中国大陆、台湾和美国马里兰大学的
—e-散射的CsI(T1)晶体反应堆中微子科学家组成的TEXONO合作组进行的基于V
e
实验，测量阈可达30KeV。

(4)其它应用
CsI(T1)闪烁晶体还用于核医学如X射线计算机断层扫描(XCT)、正电子发射断层扫描(PET)、γ相机等；位置灵敏探测器；地质勘探如石油勘探、岩石元素分析等；工业CT相机等方面。

第二章掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展概况
第一节国际市场发展概况
一、本产品国际现状分析
随着核技术以及高能物理的发展，无机闪烁晶体的应用领域不断拓宽，同时也对无机闪烁晶体提出了更多更高的要求。

早在20世纪80年代，人们就注意到了CsI(T1)晶体的优点：发射光谱可与硅光二极管匹配，光产额高，辐照长度较NaI(11)晶体短，机械性能好，是一种优良实用的闪烁晶体材料。

近几年来，该晶体由于抗辐照能力得到提高而倍受青睐，先后被日本高能物理研究所(KEK)和美国的斯坦福线性加速器中心(SLAC)选中作为构造B-Factory 实验的精密电磁量能器的探测器。

我国北京的正负电子对撞机(BEPC)进行升级改造也选用了CsI(T1)晶体。

二、本产品主要国家和地区概况
俄罗斯
为了避免CsI(T1)晶体生长中存在的问题及缺陷，俄罗斯光监测研究院提出了连续供料提拉法生长CsI(T1)晶体，具体过程如下图所示。

图连续供料提拉法生长过程
图中V
P 为提拉速度，V
L
为液位上升速度，m为进料速度。

生长过程中以液位
为反馈信息调节熔体温度，进而控制晶体生长速度，使放肩速度与熔体表面面积相适应，保持自由界面即熔体与空气界面面积最小。

放肩结束后，液位不再上升即V
L
=0，晶体进入等径生长阶段，提拉速度为6～6.5 mm／h。

由于原料中难以避免含有SO
42-，CO
3
2-，OH-，NO
3
-，BO
2
-等含氧杂质，这些杂质
进入晶体中形成色心，影响晶体的透射率、抗光损伤能力和光输出。

该工艺又提出了Ti处理法即在原料中加入0.005～0.01%的Ti粉来去除这些杂质，化学反应式如下：
Ti+0.5Cs
2SO
4
→TiO
2
+0.5Cs
2
S
Ti+Cs
2CO
3
→Ti0
2
+Cs
2
O+C
Ti+1.33CsBO
2→TiO
2
+0.67Cs
2
O+1.33B
最后经X射线相分析可知，坩埚底部沉淀为Ti0
2和Ti
2
O
3
，晶体中不含Ti，
含氧杂质的浓度可降到3×10-5%以下。

该方法晶体生长速度稳定，大尺寸晶体的直径精度可达1%。

由于连续供料，使熔体中各组分始终保持在生长初期的比例，能够解决T1分布不均的问题，使T1的分布均匀性达到10%以下。

用该方法生长
的CsI(T1)晶体，晶体的直径达到430mm，高度为400mm。

第二节国内市场发展概况
一、国内总体市场分析
CsI（Tl）闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多，辐照长度较NaI(T1)晶体短，机械性能好，是一种优良实用的闪烁晶体材料。

CsI（Tl）晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(I)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心。

CsI(T1)晶体的发射谱峰值位于550nm，能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器，广泛应用于核技术和高能物理等领域。

目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长。

立方体，属于立方紧密堆积型，激活剂T1 CsI(T1)晶体的结构基元为Cs-I
8
立方配位体。

目前生产CsI(T1)晶体主要有两种在晶体中代替Cs与I构成T1-I
8
方法：其一是Czochralski法，这种方法可以生长大尺寸晶体，但是对设备要求较高，俄罗斯物理研究院就采用这种方法；其二是Bridgman法，这种方法实验设备简单，全封闭生长，有利于控制组分挥发。

由于结晶区熔体对流不充分，晶体生长时接触坩埚，使得难以生长大尺寸、高质量的晶体，而且生产速度慢，效率低限制了它的使用。

国内单位大多采用这种方法。

掺铊碘化铯闪烁晶体用于探测γ射线的能量和强度，密度大，发光效率高，不易潮解，易于加工并可生长大尺寸晶体，大量用于机场、车站、海关、码头的货物安全检查以及油井、地质探测。

随着CsI(T1)晶体的研究和开发工作的深入进行，必将带来CsI(T1)晶体性能的全面提高并不断拓宽其应用领域，从而带来巨大的经济和社会效益。

2004年，上海硅酸盐所一项发明技术采用了独特的非真空法制造大尺寸高质量掺铊碘化铯晶体，具有投资少，易扩大生产、产量高、成本低、成品率高等显著特点，克服了当时国际上使用真空法生长晶体所存在的制造晶体生长设备周期长且昂贵、晶体毛坯取材率低、产品成本高的缺陷。

采用该项发明技术生长出的掺铊碘化铯晶体的光输出、均匀性、抗辐照等性能居国际领先水平。

该晶体已
应用于美国斯坦福大学、日本高能物理研究所等单位，也为北京高能物理研究所研制与提供大批量优质碘化铯晶体，为国内外高能物理科学研究事业做出了自己的贡献。

二、国内市场发展存在的问题
1、CsI(T1)晶体生长中存在的问题
闪烁晶体CsI(T1)的发光中心是T1+，T1+在晶体中的含量及其分布对晶体的闪烁性能影响很大。

T1+浓度适当增加有利于晶体光输出的提高，但由于激活剂的猝灭效应，T1+浓度超过某一临界值时，晶体光输出逐渐减小。

刘光煜等实验证明，T1+含量约在8×10-4时，晶体光输出达到最高值。

由于T1离子在晶体中的分凝系数只有0.1，使T1在晶体中的含量随着晶体的生长逐渐增加，分布呈不均匀性。

T1的分布还受到温度和温梯的制约。

因此，严格控制晶体生长时的温场，同时分阶段不同比例掺杂，可以提高T1分布的均匀性。

2、CsI(T1)晶体的生长缺陷研究
CsI(T1)晶体生长中容易出现着色、气泡、云层和杂质包裹体等缺陷，这些缺陷会导致晶体光输出下降、均匀性变差、抗辐照损伤能力下降甚至出现开裂而严重影响晶体的质量。

晶体的着色主要表现为顶部泛黄，这主要是生长中氧的进入，氧离子作为阴离子杂质在顶部富集与T1+结合使晶体顶部泛黄。

未赶尽的空气，T1I的气化以及CsI高温下水解产生的HI气体容易在晶体中造成气孔。

外来杂质或多晶颗粒容易在晶体中形成包裹体。

因此，提高原料纯度，保持干燥和非氧化气氛中生长，同时保持生长时固液界面为平面或微凸向液面，有利于避免以上缺陷。

第三章 2009年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场分析
第一节我国整体市场规模
一、总量规模
2009年我国掺铊碘化铯闪烁晶体行业共完成全年销售收入348万元，完成利润总额43万元。

2009年中国掺铊碘化铯闪烁晶体主要经济指标分析
单位：千元
数据来源:中国市场调查研究中心
二、增长速度
2006-2009年我国掺铊碘化铯闪烁晶体行业市场增长速度分析
单位：千元
1000
2000300040002006年
2007年
2008年
2009年
数据来源:中国市场调查研究中心
三、各季度市场情况
2009年掺铊碘化铯闪烁晶体市场分季度主营业务收入分析
单位:千元
数据来源:中国市场调查研究中心
第二节市场结构分析
一、产品市场结构
CsI：Tl晶体作为闪烁材料，其光产额是BGO晶体的几倍，与NaI：Tl晶体相近，而辐照强度比NaI：Tl高一个数量级，而且易于同硅光电管进行光谱匹配，机械性能好，生产成本相对较低，成为一种优良实用的闪烁晶体材料，尤其适用于中低能量粒子的探测。

目前，掺铊碘化铯闪烁晶体产品主要可用在高能物理实验、安检、医院等行业。

数据来源：中国市场调查研究中心
二、品牌市场结构
产品性质关系到国计民生，因此客户在购买产品上也多会选择优质、价廉的产品；大品牌、新技术、低价位是这些单位采购的首选条件。

客户对质量、价格、服务等的要求较高，有较高知名度和美誉度的品牌会对客户产生较大的吸引力。

因此，对于生产掺铊碘化铯闪烁晶体厂商来说，首先必须扩大企业品牌的知名度，其次要树立企业良好形象，增大品牌美誉度，最后要争取客户对产品品牌的忠诚度。

我国掺铊碘化铯闪烁晶体生产企业及品牌
资料来源：中国市场调查研究中心三、区域市场结构
据统计，我国掺铊碘化铯闪烁晶体生产企业较少。

由于产品的技术门槛较高，因此，掺铊碘化铯闪烁晶体生产企业主要分布在北京、上海、甘肃等科研技术较发达的省份。

数据来源：中国市场调查研究中心四、渠道市场结构
第三节市场特性
一、所处生命周期
二、该产品生产技术变革与产品革新
三、差异化/同质化分析
第四节上游原材料市场分析
第四章 2009年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场供需调查分析
第一节需求分析
掺铊碘化铯闪烁晶体CSI(Tl)是一种重要的无机闪烁体，具有发光效率高，发光峰值能与光电二极管很好匹配，使读出系统大为简化，机械加工性能好等优良特性，在高能物理、核物理、核医学、工业检测、地质勘探等领域有着重要的应用，市场需求不断增加。

2006-2009年我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场需求
单位：千克
0.0%3.0%
6.0%
9.0%
12.0%
数据来源：中国市场调查研究中心
第二节 供给分析
随着我国核医学、高能物理等的发展，以及掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))研究的不断深入，我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))业在不断改善的市场环境下得到了较快的发展，产量不断增加。

2006-2009年我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))产量
单位：千克
0.0%
2.0%4.0%
6.0%
8.0%10.0%数据来源：中国市场调查研究中心
第三节重点客户调查分析
一、重点客户行为调查分析
从客户的角度看问题同从企业的角度看问题有着鲜明的不同，企业通过对客户行为的分析，有效增长销售、降低客户变动已经是企业提高市场竞争力关注的焦点。

据分析，对于掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))行业的下游市场中，其购买掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))的影响因素主要是：
二、重点客户需求调查分析
客户需求是市场营销过程中的正常现象，客户需求不可能完全按照企业的意愿保持一致，但企业只要从满足其真实需求和坚持公司原则两方面入手正确处理，客户的真实需求就一定能得到正确把握与有效满足，就一定有利于提升客户的满意度和忠诚度，促进掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))行业稳步发展。

重点客户对掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))产品关注因素表（以5分最高，0
分最低）
数据来源：中国市场调查研究中心三、重点客户满意度调查分析
通过对我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))客户对产品的满意度进行调研，结果显示，目前，掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))客户对我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))产业整体上是较为满意的，在被调查者中约有50.2%的客户对供应企业多少存在不满。

2009年我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))重点客户
满意度统计
38.5%
不太满意40.4%
非常不满意9.8%
在不满的原因调查中，49%的客户主要针对产品质量提出了质疑，认为我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))的技术含量和进口产品存在差距；其次30%的客户认为供应商的服务有待改善，为我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))生产企业提出了更高的要求；而对目前该产品的市场价格定位绝大多数企业认为可以接受，满意度较高。

四、重点客户采购与渠道调查分析
掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))产品重点客户的需求通常是批量和集中采购，这样自然会削弱供应方掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))生产企业讨价还价能力，便于降低企业生产成本；同时，大多数客户在长期的采购中建立了自己固有的掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))供应商合作伙伴，这样，可以随时根据需求量采取订货的方式订购。

从对重点客户的采购渠道调查结果来看，目前，我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))的客户对产品的采购渠道较为简单，主要是通过两种途径购买：一是直接与掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))生产厂家合作，并建立伙伴关系，渠道成员构成简单，可节约成本；二是通过中间代理商，通过代理商挖掘高质量、低价位的产品，有利于企业的长期发展。

五、重点客户品牌战略调查分析
所谓品牌战略就是公司将品牌作为核心竞争力，以获取差别利润与价值的企业经营战略。

品牌战略是市场经济中竞争的产物，近年来，一些意识超前的企业纷纷运用品牌战略的利器，取得了竞争优势并逐渐发展壮大。

我国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))企业大客户品牌战略主要体现在两方面：
第一，掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))制造企业通过大客户渠道来宣传自身品牌；
第二，掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))制造企业利用大客户品牌来宣传自身品牌。

无论采取那种方式，其最终目的都是扩大自身品牌效应，提高企业知名度。

掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))企业品牌战略实施结构图
第五章 2009年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场竞争格局与企业竞争力评价
第一节同类产品竞争力分析理论基础
第二节同类产品国内企业与品牌分析
第三节同类产品竞争格局分析
第四节同类产品竞争群组分析
第五节同类产品市场分额分析
第六节主力企业市场竞争力评价
一、产品竞争力
二、价格竞争力
三、渠道竞争力
四、销售竞争力
五、服务竞争力
六、品牌竞争力
第六章国内市场产品价格分析
第一节价格特征分析
第二节主要品牌产品价位分析
第三节价格与成本的关系
第四节竞争对手的价格策略
第七章国内掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场渠道分析第一节销售渠道形式
第二节销售渠道要素对比
第三节对竞争对手渠道的策略研究
第四节各区域市场主要代理商情况
第八章影响2010-2013年中国掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))市场发展因素
第一节有利因素
第二节不利因素
第三节政策因素
第四节次贷金融危机影响分析
第九章国内掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))进出口现状与趋势分析
第一节我国出口及增长情况
掺铊碘化铯闪烁晶体(CsI(Tl))在海关统计中没有单独做进出口统计，归属于38180090（其他经掺杂用于电子工业的切片化学元素等）类别中。

2009年38180090类产品出口3843吨，出口金额14.0亿美元，出口量和金额分别较 2008年增长53.2%、-19.9%。

2009年1-12月份编码为“38180090”类产品的出口及增长情况
数据来源：中国海关。