ASEMI解析肖特基二极管MBR30100CT专业参数封装与内部结构图

编辑人：MM
摘要:ASEMI肖特基二极管MBR30150CT该如何辨真假呢？ASEMI肖特基二极管产品常规有铁头和塑封两套模具，不过正面打标印字是一样的，因为有版权认证的关........
MBR30150CT肖特基二极管ASEMI产品解读
台湾ASEMI肖特基二极管MBR30150CT全部采用：进口高性能俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置122Mil大规格整流芯片；确保平均最大输出30A的电流；反向耐压值达到150V；反向恢复时间5ns。

MBR30150CT高品质的铜材质镀锡引脚与高品质的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。

同时引进台湾健鼎一体化生产测试线，确保每一批产品都100%的合格。

【MBR30150CT ASEMI肖特基二极管如何辨真假】
很多采购经理们会困惑，因为ASEMI品牌的肖特基产品性能非常好用，都愿意采购。

但是ASEMI肖特基二极管MBR30150CT该如何辨
真假呢？ASEMI肖特基二极管产品常规有铁头和塑封两套模具，不过正面打标印字是一样的，因为有版权认证的关系，所以一般仿品制造商也不敢一模一样的仿制。

用过新款ASEMI产品的朋友都能明显分辨是否原装正品，新款LOGO 采用了华文中宋斜体字样，美观大气；全部采用激光打标方式无污染不掉色；高纯度无氧铜材质引脚导电性能更好；进口优质环氧树脂材料整体封装，耐高温，高强度品质更可靠。

台湾ASEMI半导体12年专业专注电源整流器件行业研发制造经验，旗下全系类肖特基二极管产品聚全，广泛应用于中小功率电源产品中，拥有非常高的人气，原装原厂台湾品质，电源行业的主流新选择。

ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数详解ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数详解
编辑-Z
MBR20200FCT参数描述
特性：低功耗、大电流和超高速
电性参数：20A200V
芯片材质：si
正向电流(Io)：20A
芯片个数：2
正向电压(VF)：0.9V
芯片尺寸：102mil
浪涌电流Ifsm：200A
漏电流(Ir)：20mA
工作温度：-65~+175℃
恢复时间(Trr)：5ns
引线数量：3
MBR20200FCT的电性参数：正向平均电流20A；反向峰值电压200V
MBR20200FCT的包装方式：5000pcs/箱
MBR20200FCT的特征：
1、可燃性分类94V-O、阻燃环氧模塑料
2、金属硅结，多数载流子传导
3、低功耗、高效率
4、高电流能力
5、用于过压保护的保护环
MBR20200FCT的机械数据：
1、外壳：ITO-220AB模压塑料
2、端子：镀锡，可焊接，符合MIL-STD-750
3、极性：已标记
4、安装位置：任意
5、重量：0.055盎司，1.5615克
以上就是ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数详解的详细参数和特征ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、电磁炉等大小家电。

MBR20200FCT肖特基二极管，ASEMI品牌进口全新
型号：MBR20200FCT
品牌：ASEMI
封装：TO-220
特性：肖特基二极管
★电性参数：20A，200V
★芯片材质：SI
★正向电流(Io)：20A
★芯片个数：2
★正向电压(VF)：0.87V
★芯片尺寸：102MIL
★浪涌电流Ifsm：150A
★是否进口：是
★漏电流(Ir)：10UA
★工作温度：-50~125
★恢复时间(Trr)：<5nS
★引线数量：3
★编辑人：李绚
ASEMI品牌12年专业生产MBR20200FCT，拥有170人研发团队和8500㎡肖特基生产厂房，MBR20200FCT等肖特基均
采用俄罗斯Mikron芯片，28条台湾健鼎测试线，确保MBR20200FCT的高可靠性。

肖特基二极管MBR20200FCT参数规格：电流：20A ；电压：200V；管装：50/管；盒装：2000PCS/盒。

MBR20200FCT肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

欢迎咨询取样测试。

MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管
肖特基二极管MBR10200CT参数规格：
肖特基二极管MBR10200CT电流：10A；
肖特基二极管MBR10200CT电压：200V；
肖特基二极管MBR10200CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料
MBR10200CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，
应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。

MBR10200CT肖特基相关参数如下：
MBR10200CT电压Vrrm:200V
MBR10200CT电流If平均：10A
MBR10200CT正向电压Vf最大：0.87V
MBR10200CT电流，Ifs最大：150A
MBR10200CT工作温度范围：-40°C to+150°C
MBR10200CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220
MBR10200CT反向恢复电流，Irrm:10UA
肖特基系列型号：
MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT
肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,
TO-220,TO-247,TO-3P。

MBR1040CT MBR1040FCT MBR1040DC肖特基二极管参数PDF规格书MBR1040FCT等肖特基均采用俄罗斯Mikron芯片，28条台湾健鼎测试线，确保MBR1040FCT的高可靠性肖特基二极管MBR1040FCT参数规格：肖特基二极管MBR1040FCT电流：10A；肖特基二极管MBR1040FCT电压：40V；肖特基二极管MBR1040FCT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR1040CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料MBR1040CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。

MBR1040CT肖特基相关参数如下：MBR1040CT电压Vrrm:40VMBR1040CT电流If平均：10AMBR1040CT正向电压Vf最大：0.54VMBR1040CT电流，Ifs最大：120AMBR1040CT工作温度范围：-40°C to+150°CMBR1040CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220MBR1040CT反向恢复电流，Irrm:20UA肖特基系列型号：MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT,MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT,MBR10200FCT,MBR10200CT肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,TO-220,TO-247,TO-3P。

一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。

普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。

具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。

二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。

其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。

它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。

另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。

三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。

它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。

肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。

四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。

在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。

在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。

在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。

五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。

肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。

希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。

贴片肖特基二极管封装通过型号识别封装外形：MBR10100：TO-220AC，单芯片，两引脚，MBR10100CT：TO-220AB，双芯片，三引脚，型号后缀带CT MBRB10100CT：TO-263（D 2 PAK）、贴片。

型号前面第四个字母B，代表TO-263，国际通用命名。

双芯片，三引脚，型号后缀带CT MBRD1045CT：TO-252（DPAK）、贴片。

MBRD与MBRB都是贴片，D：TO-252，B：TO-263。

MBR3045PT：TO-3P，型号后缀“PT”代表TO-3P封装，原MOTOROLA（今ON）叫做SOT-93 SD1045：D表示TO-251 常见贴片封装的肖特基型号：BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S：SOT-23，0.3AMBR0520L、MBR0540：SOD-123，0.5ASS12、SS14：DO-214AC（SMA），1ASL12、SL14：DO-214AC（SMA），1ASK22：SK24：DO-214AA（SMB），2ASK32：SK34：DO-214AB（SMC），3AMBRD320、MBRD360：TO-252，3AMBRD620CT、MBRD660CT：TO-252，6AMBRB10100CT：TO-263（D 2PAK），10AMBRB4045CT：TO-263（D2PAK），40A常见插件封装的肖特基型号：MBR150、MBR160：DO-41，轴向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），轴向，DO-41；1N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），轴向，DO-201ADMBR340、MBR3100：（3A/40V），DO-201AD轴向，MBR735、MBR745：TO-220AC（两脚），7AMBRB735、MBRB745：贴片、TO-263（D 2 PAK），7AMBR1045、MBR1060：TO-220AC（两脚），10AMBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT：TO-220F，（三脚全塑封），10A（第4位字母F为全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15AMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20AMBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25AMBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30AMBR3045PT、MBR3060PT：TO-247（TO-3P），30AMBR4045PT、MBR4060PT：TO-247（TO-3P），40AMBR6045PT、MBR6060PT：TO-247（TO-3P），60A器件型号主要参数常规封装形式MBR1045CT，10A，45V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR1060CT，10A，60V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR10100CT，10A，100V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR10150CT，10A，150V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR10200CT，10A，200V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR2045CT，20A，45V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR2060CT，20A，60V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR20100CT，20A，100V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR20150CT，20A，150V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR20200CT，20A，200V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR3045CT，30A，45V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR3060CT，30A，60V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR30100CT，30A，100V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F全塑封；MBR3045PT，30A，45V，TO-247、TO-3P；MBR3060PT，30A，60V，TO-247、TO-3P；MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；MBR30150PT，30A，150V，TO-247、TO-3P；MBR30200PT，30A，200V，TO-247、TO-3P；MBR4045PT，40A，45V，TO-247、TO-3P；MBR4060PT，40A，60V，TO-247、TO-3P；MBR40100PT，40A，100V，TO-247、TO-3P；MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；MBR6045PT，60A，45V，TO-247、TO-3P；MBR6060PT，60A，60V，TO-247、TO-3P；MBR60100PT，60A，100V，TO-247、TO-3P；。

肖特基二极管内部结构肖特基二极管是一种特殊类型的二极管，它采用了肖特基结构，具有快速开关速度、低电压损耗和低反向电流的特点。

了解肖特基二极管的内部结构对于理解其工作原理和特性非常重要。

肖特基二极管的内部结构由以下几个主要部分组成：P型半导体、金属接触层、N型半导体和P-N结。

首先，肖特基二极管的P型半导体是由P型材料构成的，它具有少量的杂质掺杂。

这种杂质掺杂会形成一种特殊的P-N结，被称为肖特基结。

P型半导体的杂质掺杂使得其内部形成一个P型区域。

接下来，肖特基二极管的金属接触层位于P型半导体的顶部。

这个金属接触层通常由钼或铬等金属材料制成，它具有良好的电导性和与P型半导体的良好接触性。

在金属接触层下方是N型半导体。

N型半导体的杂质掺杂使得其内部形成一个N型区域。

N型区域与P型区域之间的边界形成了肖特基结。

N型半导体的特殊结构使得肖特基二极管具有低电压损耗和快速开关速度的特性。

肖特基二极管的P-N结起到关键的作用。

在正向偏置条件下，当正向电压施加到肖特基二极管时，P型半导体的空穴和N型半导体的电子会在P-N结处相遇。

由于肖特基结的特殊结构，电子可以很容易地穿过肖特基结并进入P型半导体，而空穴则进入N型半导体。

这种现象称为肖特基效应。

由于肖特基效应的存在，肖特基二极管具有较低的正向电压丢失。

在反向偏置条件下，当反向电压施加到肖特基二极管时，P型半导体的空穴和N型半导体的电子被阻止穿越肖特基结。

因此，肖特基二极管具有非常低的反向电流，这使得其在某些特定应用中非常有用。

综上所述，肖特基二极管的内部结构由P型半导体、金属接触层、N型半导体和P-N结组成。

这种特殊的结构使得肖特基二极管具有快速开关速度、低电压损耗和低反向电流的特性。

通过了解其内部结构，我们可以更好地理解肖特基二极管的工作原理和应用。

编辑：DD摘要:ASEMI肖特基二极管MBR40100FCT全塑封封装和铁头封装哪种性能比较好？这两种封装各有它的有点？不着急，接下来，就由ASEMI工程就为大家详细介绍这两款封装的区别及优点台湾ASEMI肖特基二极管MBR40200FCT全部采用：进口高性能俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置130Mil大规格整流芯片；确保平均最大输出40A 的电流；反向耐压值达到100V；通俗的来讲，MBR40200FCT可以通过正向40A的电流，而反向可以承受100V的电压。

MBR40200FCT是一款常规型肖特基二极管，广泛应用于高频电源等领域。

电性参数方面都被大家广为熟知。

那么有关于它的封装问题，又有多少朋友知道呢？MBR40200FCT既有全塑封封装又有铁头封装，这也是工程或者采购朋友们一直困惑的问题，到底应该采购哪种比较好呢？不着急，接下来，就由ASEMI工程就为大家详细介绍这两款封装的区别及优点。

ASEMI肖特基二极管MBR40200FCT-用全塑封装绝缘性更好我们经常所说采用塑封或者全塑封，就是指MBR40200FCT肖特基二极管内部框架、芯片、焊片等等电路全部被一体包封住，与外界隔绝。

它所采用的材料是环氧树脂，这种高级环氧材料具有非常好的抗热性,防氧化性及绝缘性都非常好。

我们知道MBR40200FCT应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。

正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。

ASEMI肖特基二极管MBR40200FCT-用铁头封装散热性表现更佳这款肖特基二极管除了有采用为保障电路安全的全塑封装外，还有另外一种封装，那就是为解决散热性问题的铁头封装。

采用铁头封装的型号打标方式为MBR40200CT与全塑封装相区别。

这种封装能大幅提升电源的有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求高的电路非常适用。

综上所述，就是MBR40200全塑封与铁头的详细介绍了，不知工程及采购朋友掌握了没有呢？仅供参考,希望对大家在以后应用货采购上有所帮助。

肖特基二极管饱和压降怎么去理解？
大家都知道，半导体不同于导体，它本身的电阻非常大，可以达到千欧级甚至于兆欧级，那怕是我们所看到二极管，我们在测量它的单向导通一侧时，它的电阻依然很大，所以在电路当中，当有电流通过时，它会有一个无法像导体一样可以忽略的电压产生，这个电压我们就叫做压降，这个电压，根据不同的掺杂工艺，不同的扩散工艺以及它的掺杂浓度等等不同，它所产生的压降也不一样，而因为半导体不遵循伏安特性曲线，所以我们在测量时不可能把它在不同电流下所产生的压降都测试出来，但我们可以测量出在它可通过最大电流时所产生的压降是多少，这个压降我们就称作饱和压降，它的现实意义在于，我们可以通过饱和压降作参考来选型我们在实际应用中所需要的参数。

下面来看看ASEMI肖特基二极管MBR10100CT的饱和压降，电流电压关系图：
ASEMI半导体常用肖特基二极管封装有TO-220，TO-247/3P，TO-263，TO-251/TO-252等，MBR10100FCT是的封装方式为TO-220封装，下面所示为TO-220封装产品外图与尺寸图，从这一图片当中我们可以很直观的看到MBR10100FCT的实物照片，与实际尺寸。