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ic芯片emc测试标准IC芯片（Integrated Circuit Chip）是现代电子设备中不可或缺的组成部分，而电磁兼容性测试（Electromagnetic Compatibility Testing，简称EMC测试）则是确保IC芯片在各种电磁环境下能够正常运行的重要步骤。
本文将介绍IC芯片EMC测试的标准及其重要性。
一、EMC测试的意义IC芯片的EMC测试是为了验证其对外部电磁场的干扰抵抗能力以及与其他电子设备之间的相互干扰情况。
有效的EMC测试可以确保IC芯片在正常工作时不会受到电磁辐射的干扰、不会对周围设备产生电磁辐射干扰，从而保证了整个系统的稳定性和可靠性。
二、IC芯片EMC测试标准IC芯片的EMC测试标准主要有国际标准和行业标准两类。
1. 国际标准（1）CISPR 22：《信息技术设备无线电骚扰特性的限值和测量方法》是由国际电工委员会（IEC）发布的标准，主要适用于计算机和信息技术设备。
（2）EN 55022：该标准是CISPR 22的欧洲版本，用于欧洲市场上的计算机和信息技术设备。
（3）ISO 11452-1：这是汽车电子设备EMC测试的国际标准，适用于汽车芯片的EMC测试。
2. 行业标准（1）GB/T 17626：该标准由中国国家标准委员会发布，是中国的通用EMC测试标准。
（2）GB 9254：该标准是中国电子工业部颁布的电子信息产品EMC测试要求。
（3）SJ/T 11364：这是半导体集成电路EMC测试的行业标准，主要包含了测试方法和测试参数等。
三、IC芯片EMC测试流程IC芯片的EMC测试流程可以分为以下几个步骤：1. 准备测试环境在测试前，需要准备好符合测试标准的测试环境，包括专用的电磁屏蔽房、电磁辐射发射及抗干扰测量仪器等。
2. 进行辐射发射测试辐射发射测试主要是针对IC芯片本身产生的电磁辐射进行测量，以确保其在规定范围内。
3. 进行抗干扰测试抗干扰测试是为了验证IC芯片对外部电磁场的抵抗能力。
emc测试标准等级EMC测试标准等级。
EMC（Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性）测试是指电子设备在电磁环境中正常工作而不会产生电磁干扰，也不会对周围的电子设备产生干扰的能力。
EMC测试标准等级是指根据不同的应用领域和产品类型，制定了不同的测试标准和等级要求，以确保电子设备在不同电磁环境下的正常工作和通信。
首先，我们来了解一下EMC测试标准等级的分类。
根据国际电工委员会（IEC）和其他相关标准组织的规定，EMC测试标准等级主要分为工业领域、医疗领域、军事领域、家用电器领域等不同领域。
每个领域下又有不同的产品类型，针对不同的产品类型，有相应的测试标准和等级要求。
在工业领域，EMC测试标准等级通常涉及到工业自动化设备、电力设备、照明设备等产品。
这些产品需要经过严格的EMC测试，以确保在工业环境中不会受到电磁干扰，也不会对周围的设备和系统产生干扰。
工业领域的EMC测试标准等级通常采用IEC 61000系列标准作为基础，针对不同产品类型有相应的测试要求和等级分类。
在医疗领域，EMC测试标准等级更为严格，因为医疗设备的安全性和可靠性对患者的生命健康至关重要。
医疗设备通常需要通过严格的EMC测试，以确保在医疗环境中不会对患者和医护人员产生任何负面影响。
医疗领域的EMC测试标准等级通常采用IEC 60601系列标准作为基础，对不同类型的医疗设备有相应的测试要求和等级分类。
在军事领域，EMC测试标准等级要求更为严苛，因为军事设备通常需要在极端的电磁环境下进行作战和通信。
军事设备的EMC测试标准等级通常由军方或相关军工标准组织制定，要求产品在复杂的电磁环境中具有高度的抗干扰能力和可靠性。
在家用电器领域，EMC测试标准等级通常涉及到电视机、冰箱、空调、洗衣机等家用电器产品。
这些产品需要通过EMC测试，以确保在家庭电磁环境中不会对其他电子设备产生干扰，也不会受到外部电磁干扰的影响。
emc测试项目和判定标准EMC（Electromagnetic compatibility）是指电磁兼容性，也叫电磁相容性，是指设备、系统、设施在规定的电磁环境中以正常工作而不对环境产生不可接受的电磁干扰的能力。
EMC测试项目和判定标准主要用于评估产品的电磁兼容性，以确保产品在各种环境条件下都能正常工作且不干扰正常的电磁环境。
一、EMC测试项目1. 辐射测试辐射测试是测量产品辐射出的电磁场强度，包括电磁波辐射和电磁辐射干扰测试。
电磁波辐射测试主要是测量电子设备在工作状态下发射的无线电频率和功率。
电磁辐射干扰测试则是测量设备在工作状态下可能对其他设备造成的干扰。
2. 抗干扰测试抗干扰测试是测量产品在外部电磁场干扰下的抗干扰能力。
通过模拟不同的干扰源，如电磁场干扰、电源线干扰等，测试产品在这些干扰下的正常工作能力。
3. 静电放电测试静电放电测试主要是测试产品对于静电放电的抵抗能力。
通过模拟人体静电带来的放电，测试产品是否会因此受损或失效。
4. 涌流测试涌流测试是测试产品在电源电压瞬时发生变化时对其的影响。
通过模拟供电网络中可能发生的瞬间电压变化，测试产品是否能够正常工作。
5. 敏感性测试敏感性测试是测试产品对外部电磁场的敏感程度。
通过模拟不同强度和频率的电磁场，测试产品对于这些场强的反应，以确定产品是否会因此而受到干扰或损坏。
二、EMC判定标准EMC判定标准主要包括国际标准、欧洲标准和国内标准。
以下列举几个常见的EMC判定标准：1. 国际标准国际电工委员会（IEC）制定了多个关于EMC的标准，如IEC 61000系列标准。
这些标准覆盖了辐射测试、抗干扰测试、静电放电测试等多个方面，并详细规定了测试方法和测试参数。
2. 欧洲标准欧洲联盟（EU）制定了EMC标准，如EN 61000系列标准。
这些标准与IEC标准基本一致，但可能有一些地区性的差异。
3. 国内标准我国制定了一些关于EMC的标准，如GB 9254国家标准。
集成电路电磁兼容测试技术概述作者：王媛媛许琼童军来源：《硅谷》2008年第19期[摘要]随着电子工业的发展，集成电路的功能要求日趋多样化，内部结构日趋复杂化，越来越多的功能，甚至是一个完整的片上系统都能够被集成到单个芯片之中，包含模拟、数字等多种形式的工作电路于一体。
这种发展趋势使得芯片级的电磁兼容问题显得尤为突出。
主要介绍集成电路电磁发射测量技术的发展状况。
[关键词]集成电路电磁兼容测试中图分类号：TN407 文献标识码：A 文章编号：1671－7597（2008）1010034－01一、引言随着电子技术的快速发展，各类电子电器设备已经广泛应用于人们的日常生活之中。
这些电子设备在提高人们生活品质的同时，也带来了大量的电磁污染。
过去，集成电路生产商关心的重点是研究集成电路的设计技术、研制和生产成本、应用领域和使用性能，几乎很少需要考虑电磁兼容的问题。
但是现在，集成电路设计技术的发展使得电磁兼容性问题越来越突出，直接影响芯片功能的实现，因此也越来越受到重视。
集成电路的电磁兼容性能有两方面考虑：一、集成电路器件在预定工作场所的电磁环境下工作时，不会影响临近其他器件的工作；二、自身工作性能也不会被其他器件所影响。
这样，才能认为该器件满足此电磁环境下的电磁兼容性要求。
目前，世界上众多国家和国际王媛媛许琼童军（西安科技大学电气与控制工程学院陕西西安710054）组织已经针对电子电气产品制定出相应的EMC（Electromagnetic Compatibility）标准。
电磁兼容性要求已成为系统工作可靠性的重要考察内容。
二、集成电路的电磁兼容标准制定机构由于集成电路的电磁兼容是一个相对较新的学科，尽管对于电子设备及子系统已经有了较详细的电磁兼容标准，但对于集成电路来说其测试标准却相对滞后。
国际电工委员会第47A 技术分委会(IEC SC47A)早在1990年就开始专注于集成电路的电磁兼容标准研究。
此外，北美的汽车工程协会也开始制定自己的集成电路电磁兼容测试标准SAE J 1752，主要是发射测试的部分。
集成电路设计中的电磁兼容性分析随着现代电子设备的普及，人们对电磁兼容性的关注度也日益提高。
电磁兼容性（EMC）是指电子设备在电磁环境下的工作能力，其包括两个方面，即电磁兼容（EMI）和抗干扰（EMS）。
其中，EMI指的是电子设备产生的电磁辐射或传导干扰到其他设备和系统，而EMS则是指电子设备能够在电磁干扰环境下工作正常。
在电子工程中，EMC问题的解决是非常重要的，因为如果电子设备没有EMC，将会对周围的电子设备和系统产生严重的干扰，影响设备的正常工作。
集成电路设计中，电磁兼容性分析尤其重要。
集成电路（IC）是一种电子器件，是许多电子设备的核心部件。
集成电路设计的目标是保证新产品的性能、功能和生产成本。
在设计阶段，确保电磁兼容性可以帮助设计人员预测和解决IC的EMI和EMS问题。
本文将讨论在集成电路设计中，如何进行电磁兼容性分析。
一、减少辐射干扰首先，要减少IC产生的辐射干扰，设计人员需要采取一些措施。
其中，最重要的是结构分析。
设计人员需要分析IC的结构，确定哪些部分更有可能产生辐射干扰。
然后，对这些部分进行优化，找出并消除潜在的干扰源。
此外，布线也是一个重要的方面。
通常情况下，IC的铜层和信号层必须严格分开。
同时，布线也需要尽可能地降低EMI的影响。
例如，在互连线路上，可以采用缠绕在一起的方式，这样可以减少线路之间的EMI。
二、降低传导干扰在集成电路设计中，另一个关键问题是如何降低传导干扰。
传导干扰是指电路之间通过传导方式发生相互干扰。
再次，结构分析和信号线路都是非常关键的。
在结构分析方面，设计人员需要注意两个方面。
首先，不同信号之间应该尽可能远离。
其次，电路的光源和灯光源应该远离敏感器件。
在信号线路方面，设计人员需要采取预防措施来降低传输EMI。
首先，信号线应该尽可能地短，这有助于降低信号线上的电磁辐射。
其次，为了降低传导干扰，可以采用屏蔽线路技术，即在信号线的周围加上屏蔽层，以减少传输时的EMI。
当进行EMC（电磁兼容性）测试时，详细的测试条件和方法非常重要，以下是一些可能涉及的详细内容：
1. 测试环境：
-选择适当的屏蔽室或者EMC测试实验室，确保测试环境能够准确模拟产品在电磁环境中的实际使用情况。
2. 测试设备：
-确保测试设备和仪器的准确性和可靠性，例如频谱分析仪、信号发生器、天线等，以及确保这些设备符合相关的校准和认证要求。
3. 测试标准：
-根据产品的具体类型和应用领域，选择适用的国际、地区或行业标准，例如CISPR、IEC、FCC等标准，并严格依据标准规范进行测试。
4. 测试方法：
-根据产品的特性和测试标准，选择合适的测试方法，包括辐射发射测试、辐射抗扰度测试、传导发射测试、传导抗扰度测试等，确保测试的全面性和准确性。
5. 测试记录和报告：
-在测试过程中需详细记录测试的条件、方法和结果，并创建完整的测试报告，包括测试的具体参数、图表和结论，以便产品的认证和合规性评估。
此外，还需要考虑测试的频率范围、干扰源、抑制电路等方面的具体细节，以确保测试的全面性和准确性。
这样，可以有效地评估产品在电磁环境中的性能表现，为产品的合规性和市场准入提供重要支持。
集成电路的制造与测试集成电路(IC)是当今电子技术中最重要的核心之一，可以说现代社会的各个领域都离不开它。
它的制造和测试技术的重要性也不可忽略。
因为只有制造出符合要求的集成电路，才能保证其正常工作，而测试才能除去缺陷，提高良率。
本文将从制造和测试两个方面进行阐述。
一、制造IC的制造可以分为两个步骤：制造单个晶体管和在晶片上集成多个晶体管。
1．单个晶体管的制造单个晶体管的制造过程是通过微影技术将曝光后的光刻模板转移到硅晶圆表面上进行运用金属材料蒸镀、压覆等几个步骤，将金属导体分别引出内部连接器接续焊盘。
接着在金属引线上运用商业可行的封装技术喷涂保护层。
这样，晶体管的制造就完成了。
2．多个晶体管的集成集成电路是把单个晶体管的制造技术与复杂电路的设计结合，形成了包含多个晶体管的黑盒。
这使得IC可以实现更为复杂的功能和应用。
其中，IC的数字集成电路的设计通常是通过硅片上布置大量晶体管，并通过电路设计与布局工艺将晶体管互相连接而组成各种逻辑电路。
而IC的模拟集成电路的设计则会将一些被称为模拟器件的电场环境元件如晶体管、双极性晶体管等，与电阻、电容等电子元件组成模拟电路。
3．半导体工艺IC的制造涉及到半导体材料的加工工艺。
半导体材料是指硅、锗等电子材料。
为了生产高质量的半导体材料，制造工艺是非常重要的。
传统的工艺包括物理气相沉积、化学气相沉积、物理溅射、光刻、等离子体刻蚀和离子注入等过程。
二、测试测试是IC制造的最后一个环节，也是保证IC品质的重要环节。
目前IC测试的方法和技术非常多种，包括静态测试、动态测试、耐压测试、放电测试、EMC测试、HTOL测试、LTOL测试等。
有各种测试技术，才能够赢得IC的高品质。
1．静态测试静态测试是指在固定的测试环境中，采用恒定的测试信号，测量IC的输出信号，以判断IC是否发生故障。
2．动态测试动态测试是指在变化的测试环境中，通过对IC的输入信号进行控制，来测试IC在不同环境下的各种动态特性。
EMC测试报告是什么1. 简介EMC（Electromagnetic Compatibility）测试是指电磁兼容性测试，用于评估电子设备在电磁环境中的性能。
EMC测试报告是对设备经过EMC测试后的测试结果进行总结和记录的文档。
2. EMC测试的目的EMC测试的主要目的是确保电子设备在其所处的电磁环境中，能够正常工作而不造成其他设备的干扰或受到其他设备的干扰。
具体目的包括：•确保设备在特定频率范围内的辐射和敏感性指标符合规定的标准；•评估设备的抗干扰能力，即在存在外界干扰时设备的正常工作能力；•确保设备不会对周围其他设备和系统造成干扰，维护整个电磁环境的稳定。
3. EMC测试报告的内容EMC测试报告一般包括以下内容：3.1 测试目的和范围报告开始部分会明确说明测试的目的和范围。
明确测试的具体要求和依据的标准，以及测试所涉及到的频率范围、测试场景等信息。
3.2 测试设备和方法报告会详细列出进行EMC测试所使用的设备和测试方法。
包括测试设备的型号、技术指标，以及测试过程中所采用的特定方法和测试流程。
3.3 测试结果分析在报告中，将会对测试过程中所得到的数据和结果进行分析和总结。
包括测试设备的辐射和敏感性指标是否符合标准要求，设备在不同场景下的抗干扰能力等。
3.4 问题和建议报告的最后，会对测试过程中发现的问题进行描述，并提出相应的建议和改进措施。
这些问题和建议将有助于改进设备的设计和制造，提高设备在电磁环境中的性能和稳定性。
4. EMC测试报告的作用EMC测试报告对于设备制造商和用户都具有重要作用：•对于设备制造商，EMC测试报告是对其产品质量的重要证明。
能够证明其产品已经经过严格的测试和验证，符合相关的电磁兼容性要求；•对于用户，EMC测试报告是选购设备时的重要参考依据。
能够帮助用户了解设备的性能和稳定性，评估设备在特定电磁环境中的适用性。
此外，EMC测试报告还对于政府和监管部门具有一定的指导作用。
集成电路测试流程一、概述集成电路测试是指对集成电路芯片进行各种测试，以保证其性能和质量。
随着集成电路技术的不断发展，测试流程也不断完善。
本文将详细介绍集成电路测试的流程。
二、前期准备1. 确定测试目标：根据芯片的用途和设计要求，确定需要测试的指标和参数。
2. 准备测试设备：包括测试仪器、探针卡、引线等。
3. 准备测试程序：编写或获取相应的测试程序，以便进行自动化测试。
4. 确定测试环境：确定芯片的工作环境和温度范围，并做好相应的调节措施。
三、芯片外观检查1. 目视检查：对芯片进行目视检查，检查是否有裂纹、污渍等缺陷。
2. 显微镜检查：使用显微镜对芯片进行检查，以发现更加微小的缺陷。
四、功能性测试1. 逻辑功能测试：通过输入特定的逻辑信号来验证芯片是否能正确地执行相应的逻辑功能。
2. 时序功能测试：通过输入特定的时序信号来验证芯片是否能在规定时间内完成相应操作。
3. 电气特性测试：包括功耗测试、电流测试、电压测试等，以验证芯片的电气特性是否符合设计要求。
五、可靠性测试1. 温度循环测试：将芯片在不同温度下进行循环加热和冷却，以验证其在不同温度下的可靠性。
2. 电压应力测试：通过施加高电压或低电压来验证芯片的耐压能力。
3. 湿热应力测试：将芯片置于高温高湿环境中，以验证其在潮湿环境下的可靠性。
4. 机械应力测试：通过施加机械应力来验证芯片的耐震能力和抗撞击能力。
六、封装后测试1. 外观检查：对封装后的芯片进行外观检查，以确认是否存在瑕疵。
2. 库存寿命测试：将封装后的芯片存放一定时间后再进行功能性测试，以验证其库存寿命。
3. 焊接可靠性测试：通过模拟焊接过程来验证封装后芯片与PCB板之间的焊接是否牢固。
七、总结以上就是集成电路测试流程的详细介绍。
通过以上测试流程，可以有效地保证芯片的质量和可靠性，从而提高产品的竞争力。
集成电路的EMC测试北京世纪汇泽科技有限公司前言世界范围内电子产品正在以无线、便携、多功能与专业化得趋势快速发展，纯粹的模拟电子系统越来越难以进入人们的视线，取而代之的集成电路在数字电子产品与电子系统中扮演了“超级明星”的角色，而这个主角被接纳的程度也在随着集成电路产业的发展不断加深，从1965年Gordon Moore提出摩尔定律至今，集成电路一直保持着每18-24个月集成度翻番、价格减半的发展趋势，这为集成电路的大范围、多层次应用奠定了基础。
尤其在消费类产品领域，这种发展趋势尤为明显，各种数码类产品的普及就是很好的说明。
同时，这种快速发展也造成了电子系统电磁兼容性问题的日益突出，更高的集成度和使用密度，是片内和片外耦合的发生几率大大提高。
在电子产品和电子系统中，通常集成电路是最根本的骚扰信号源，它把直流供电转换成高频的电流、电压，造成了无意发射和耦合。
而当其输入或供电受到干扰时，误动作的可能性将大大增加，甚至造成硬件损坏。
这种情况下，如何衡量集成电路电磁兼容性的问题日渐凸显起来。
这种衡量方法，或者称作新的测试标准和测试方法，将作用于集成电路的设计、生产、质量控制、采购乃至应用调试等诸多方面，成为整个集成电路相关产业的关注焦点。
标准产生的背景早在1965年美国军方已就核爆电磁场对导弹发射中心设备的影响做出了分析研究，并开发了专门的SPECTRE软件，用于模拟核辐射对电气电子元件的作用。
在随后的二十多年中，各种仿真模型、测试方法和统计结果不断涌现，在集成电路电磁兼容领域积累了大量的理论基础和可供分析比较的实测数据。
其中主要测试方法包括：✓北美的汽车工程协会（SAE）建议的使用TEM小室测量集成电路的辐射发射✓SAE提出的磁场探头和电场探头表面扫描测量集成电路的辐射发射✓荷兰某公司建议的使用工作台法拉第笼（WBFC）进行集成电路传导发射测量✓德国标准化组织VDE建议的使用1Ω电阻进行地回路传导电流测量✓日本的研究人员建议的使用磁场探头进行传导发射测量✓Lubineau和Fiori等人对抗扰度测试方法和试验结果的研究等等1997年10月，国际电工委员会（IEC）第47A技术分委会下属第九工作组（WG9）成立，专门负责对各种已建议的测试方法进行分析，最终出版了针对EMI 和EMS的工具箱式的测试方法集合——IEC61967系列和IEC62132系列标准，标准IEC62215也已出版，与IEC62132互补，更加全面地考虑到了集成电路遭受电磁干扰时的情形。
标准的简单介绍集成电路电磁兼容测试标准，主要有：✓电磁发射测试标准IEC 61967（用于150kHz到1GHz的集成电路电磁发射测试）✓电磁抗扰度标准IEC 62132（用于频率为150kHz到1GHz的集成电路射频抗扰度测试）✓脉冲抗扰度标准IEC 62215IEC61967标准用于频率为150kHz到1GHz的集成电路电磁发射测试，包括以下六个部分：第一部分：通用条件和定义（参考SAE J1752.1）第二部分：辐射发射测量方法——TEM小室法（参考SAE J1752.3）第三部分：辐射发射测量方法——表面扫描法（参考SAE J1752.2）第四部分：传导发射测量方法——1Ω/150Ω直接耦合法第五部分：传导发射测量方法——法拉第笼法WFC第六部分：传导发射测量方法——磁场探头法IEC62132标准，用于频率为150kHz到1GHz的集成电路电磁抗扰度测试，包括以下五部分：第一部分：通用条件和定义第二部分：辐射抗扰度测量方法——TEM小室法第三部分：传导抗扰度测量方法——大量电流注入法（BCI）第四部分：传导抗扰度测量方法——直接射频功率注入法（DPI）第五部分：传导抗扰度测量方法——法拉第笼法（WFC）IEC62215标准，用于集成电路脉冲抗扰度测试，包括以下三部分：第一部分：通用条件和定；第二部分：传导抗扰度测量方法——同步脉冲注入法第三部分：传导抗扰度测量方法——随机脉冲注入法(参考IEC61000-4-2和IEC61000-4-4)IEC61967各测试方法的对比IEC62132各测试方法的对比解决方案依据IEC 61967-2的IC电磁发射测试系统辐射发射测量方法——TEM小室法IEC61967-2 规定的TEM小室，其实就是一个变型的同轴线：在此同轴线中部，由一块扁平的芯板作为内导体，外导体为方形，两端呈锥形向通用的同轴器件过渡，一头连接同轴线到测试接收机，另一头连接匹配负载，如下图所示。
小室的外导体顶端有一个方形开口用于安装测试电路板。
其中，集成电路的一侧安装在小室内侧，互连线和外围电路的一侧向外。
这样做使测到的辐射发射主要来源于被测的IC芯片。
受测芯片产生的高频电流在互连导线上流动，那些焊接引脚、封装连线就充当了辐射发射天线。
当测试频率低于TEM小室的一阶高次模频率时，只有主模TEM模传输，此时TEM小室端口的测试电压与骚扰源的发射大小有较好的定量关系，因此，可用此电压值来评定集成电路芯片的辐射发射大小。
设备简介•TEM小室主要技术参数：-频率范围：DC-2GHz-最大驻波比：1.2:1-RF连接器：N型-最大输入功率：500瓦-10V/m电场场强所需功率：<3.7mW-1000V/m电场场强所需功率：<37瓦-最大EUT尺寸（cm）：6x6x1-外形尺寸（cm）：15.2 x 9.9 x 33.8•IC测试电路板IC测试电路板，完全依据集成电路电磁兼容测试要求设计，由下列部件构成：-GND平面：GND 25-连接板：CB 0708-GND适配器：GNDA依据IEC 61967-3的IC电磁发射测试系统发射测量方法——表面扫描法测试框图如下：设备连接图如下：电磁兼容扫描仪:德国LANGER 公司开发和生产的高分辨率电磁兼容扫描仪，能在3线性轴（x,y,z ）或者4轴（3线性轴：x,y,z 和α旋转）运动，分辨率高达5μm ，包括ICS103，FLS102和FLS106等三种型号，特别适合于集成电路（IC ）以及手机等手持终端的电磁干扰扫描。
设备简介ICS 103Measuring range[25 x 25 x 25] mm FLS 102Measuring range [200 x 200 x 50] mm FLS 106Measuring range [600 x 400 x 125] mmICR探头（近场微探头）:Langer 生产的ICR系列近场微探头用于测量磁场或电场近场高分辨率和高灵敏度测试。
该探头适用于集成电路（IC）和印刷电路板（PCB）的场测量，频率范围达6GHz.ChipScan软件:软件组成部件操作和控制整个测量配置。
设备集中管理和控制。
推进器可以用程序或图形化操纵杆进行控制。
交互模式下执行测量算法，并且测量结果用三维图形显示。
测量数据可以导出，便于应用。
测量算法是基于用户生成的自由可编程扫描的脚本。
配置测量算法是：－点扫描（ptp扫描）；－线扫描（连续扫描）；－表面扫描；－体积扫描；依据IEC 61967-4的IC电磁发射测试系统传导发射测量方法——1Ω/150Ω直接耦合法测试框图如下：设备连接图如下：IEC61967-4规定了两种测试方法：1Ω测试法和150Ω测试法。
1Ω测试法用来测试接地引脚上的总骚扰电流，150Ω测试法用来测试输出端口的骚扰电压。
离开芯片的射频电流汇流到集成电路的接地引脚，因此对地回路射频电流的测量可较好地反映集成电路的电磁骚扰大小。
用1Ω的电阻串联在地回路中，一方面可用来取得地环路的射频电流；另一方面，可实现测试设备与接地引脚端的阻抗匹配。
150Ω测试法可用来测试单根或多根输出信号线的骚扰电压，150Ω阻抗代表线束共模阻抗的统计平均值。
为实现150Ω共模阻抗与50Ω的测试系统阻抗的匹配，必须采用阻抗匹配网络。
设备简介RF电流探头（1Ω测试法）P600系列:RF电流探头P600系列参数:探头Probe 602Probe 603Probe 622Probe 623分流电阻0.1Ω1Ω0.1Ω1Ω转移因子Vout/Vin-6dB-6dB14dB14dB电流校正因子-26dBΩ-6dBΩ0dBΩ20dBΩ前置放大器无20dB分流电阻最大功耗 2.5W 2.5W耦合电容80µF80µFRF输入 1 nH 1 nHRF输出50 Ω (SMB)50 Ω (SMB)-1dB压缩点/120 dBµVIP3/134 dBµV噪声/ 3.7dB频率范围0.2 kHz –3 GHz9 kHz –3 GHzProbe 602, 603的频率响应波形Probe 602, 603的等效电路Probe 622, 623的频率响应波形Probe 622, 623的等效电路RF电压探头（150Ω测试法）P700系列:探头Probe 750转移因子Vout/Vin-15.2dB频率范围150 kHz –3 GHz 输入阻抗150Ω输入最大电压HF 3.5V输入最大电压DC50VRF输出50ΩProbe 750的频率响应波形Probe 750的等效电路依据IEC 62132-4的IC电磁抗扰度测试系统传导抗扰度测量方法——直接射频功率注入法（DPI）IEC62132-4规定了采用直接射频功率注入（DPI）法测量IC的抗干扰性能，射频信号直接注入在芯片单只引脚或一组引脚上，耦合电容同时起到了隔直的作用，避免了直流电压直接加在功放的输出端。
测试框图如下：设备连接图如下：设备简介射频注入探头P500系列:射频信号经过射频功率放大器放大后，输入到射频注入探头Probe501、Probe 502或者Probe 503。
Probe 500在向IC注入射频信号的同时，还有一个RF电流和电压的输出信号。
内置的电压表和电流表，允许测量RF电流和RF电压以及相位差，从而计算电压U，电流I，功率P。
HF-注入探头:Probe 501Probe 502Probe 503电流表带放大器带放大器带放大器频率范围 2 MHz -3 GHz 2 MHz -3 GHz200 kHz –1.5GHz电流校正因子看图（2MHz-40MHz）0dBΩ（1V/A）40MHz－3GHz看图（2MHz-40MHz）0dBΩ（1V/A）40MHz－3GHz看图（200kHz-2MHz）0dBΩ－5 dBΩ2MHz－1.5GHz电流到电压延时135ps135ps240ps最大电流1A1A1A电压表无放大器带放大器无放大器频率范围16 kHz -3 GHz16 kHz -3 GHz16 kHz -3 GHz 转移因子Vout/Vin-40 dB0 dB-40 dB最大电压40V eff1V eff50V eff公共参数耦合电容3µF或6.8 nF3µF或6.8 nF3µF或6.8 nF 最大传输功率30瓦30瓦30瓦射频注入探头P500系列技术参数:Probe 501/502电流表频率特性Probe 503电流表频率特性Probe 500等效电路依据IEC 62132-2的IC电磁抗扰度测试系统辐射抗扰度测量方法——TEM小室法测试框图如下：设备连接图如下：设备简介H-场注入探头Probe1401:最高频率3GHz最大前向功率100WRF in线性阻抗50ΩRF in终端短路RF in连接N，50Ω分流电阻0.1Ω测量输出50Ω(SMB)电流校正因子-46dBΩ探头放在规定的位置（离IC3mm或10mm）E-场注入探头Probe1501:最高频率3GHz最大前向功率100W RF in线性阻抗50ΩRF in终端开路RF in连接N，50Ω分流电阻0.1Ω测量输出50Ω(SMB)电流校正因子-46dBΩ探头放在规定的位置（离IC 3mm或10mm）依据IEC 62215-3标准的集成电路随机脉冲注入法抗扰度测试系统测试连接框图：设备连接实物图：设备简介1、BPS201脉冲信号发生器主要技术指标：脉冲群信号重复频率：0.1 Hz -20 kHz脉冲群电压：取决于所连接的注入探头（最大500V）极性：正、负或者交替2、注入探头P200/P300系列探头Probe 201Probe 211Probe 301Probe 301脉冲电压±5 -40V±0.5V -5V±140V -500V±5V -140V脉冲频率0.1 Hz –20 kHz0.1 Hz –15 kHz0.1 Hz –20 kHz脉冲形状 1.5/5ns 1.5/5ns 1.5/20ns 1.5/20ns 耦合电容 1.2μF18pF内部电阻/电感约1Ω/2nH约100Ω/50nH典型应用连到低阻抗结构的IC引脚，包括Vdd, Vss,信号引脚连到高阻抗结构的IC引脚，包括信号引脚Probe 201, 211的典型波形Probe 201, 211的等效电路Probe 301, 311的典型波形Probe 301, 311的等效电路3、四通道示波适配器：OA 4005方便探头的连接，用于监视来自EUT的最多4个信号。
