【CN109962012A】一种N型电池的共扩散工艺【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910222004.7(22)申请日 2019.03.22(71)申请人 北京石油化工学院地址 102600 北京市大兴区黄村清源北路19号(72)发明人 祖雷　崔秀国　连慧琴　李蕊　吴谓　(74)专利代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260代理人 郑立明　陈亮(51)Int.Cl.H01G 11/26(2013.01)H01G 11/24(2013.01)H01G 11/32(2013.01)H01G 11/30(2013.01)H01G 11/04(2013.01)H01G 11/84(2013.01)(54)发明名称一种超级电容器的制备方法(57)摘要本发明公开了一种超级电容器的制备方法，首先制备得到多孔氮掺杂石墨烯电极；再以所得到的多孔氮掺杂石墨烯电极作阴极，铂电极作阳极，黑磷量子点分散液作电解液组装电解池，反应完成后得到黑磷量子点/多孔氮掺杂石墨烯复合材料；以所得到的黑磷量子点/多孔氮掺杂石墨烯复合材料为电极，结合电解液组装成超级电容器。

该方法工艺步骤简单，通过具有良好赝电容性能的黑磷量子点/多孔氮掺杂石墨烯复合电极，使所制备的超级电容器具有优异的电化学性能。

权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 109950052 A 2019.06.28C N 109950052A权　利　要　求　书1/1页CN 109950052 A1.一种超级电容器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1、将水性胶黏剂溶于水中，配制成质量分数为7％的均匀溶液，然后将多孔氮掺杂石墨烯置于该溶液中形成混合溶液；步骤2、将所形成的混合溶液超声分散10-30min后涂覆于不锈钢基体上，真空干燥24-48h后得到多孔氮掺杂石墨烯电极；步骤3、再将1-100mg黑磷量子点分散到1-100ml的有机溶液中，超声分散1-6h后得到黑磷量子点分散液；步骤4、以所得到的多孔氮掺杂石墨烯电极作阴极，铂电极作阳极，所得到的黑磷量子点分散液作电解液组装电解池；步骤5、向组装成的电解池施加0.1-3V电压，并保持0.1-6h，完成后将多孔氮掺杂石墨烯电极进行真空干燥24-48h，得到黑磷量子点/多孔氮掺杂石墨烯复合材料；步骤6、再将活性电解质溶于水中，得到电解液，其中活性电解质的浓度为0.1-2mol/L，并向该电解液中加入酸性化合物，使电解液的pH值为0.001-7；步骤7、以所得到的黑磷量子点/多孔氮掺杂石墨烯复合材料为电极，结合所述电解液组装成超级电容器。

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910222978.5(22)申请日 2019.03.22(71)申请人 英利能源（中国）有限公司地址 071051 河北省保定市高新区朝阳北大街3399号(72)发明人 马红娜　李锋　史金超　张伟　李桐　张文辉　李拯宇　(74)专利代理机构 石家庄国为知识产权事务所13120代理人 秦敏华(51)Int.Cl.H01L 21/02(2006.01)H01L 21/223(2006.01)H01L 31/18(2006.01)(54)发明名称一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法(57)摘要本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。

所述硼扩散方法包括以下步骤：将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。

本发明提供的硼扩散方法，能有效去除硅片背表面的水印，提升电池的成品合格率和转换效率，转换率约提升0.1％，合格率约提升12％。

权利要求书1页 说明书4页CN 109920728 A 2019.06.21C N 109920728A权　利　要　求　书1/1页CN 109920728 A1.一种N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；(2)将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。

2.如权利要求1所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于：所述预氧化处理采用硝酸或臭氧进行氧化。

3.如权利要求2所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述预氧化处理的方法为：将硼扩散前硅片浸入到体积浓度为10％-50％的硝酸中，氧化处理20s-200s。

4.如权利要求2所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述预氧化处理的方法为：将硼扩散前硅片放置在臭氧环境中，氧化处理5-20s，臭氧气体流量为10-50L/min。

(10)申请公布号(43)申请公布日 (21)申请号 201510620799.9(22)申请日 2015.09.25H01L 31/18(2006.01)H01L 21/223(2006.01)(71)申请人中国电子科技集团公司第四十八研究所地址410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号(72)发明人汪已琳 刘良玉 杨晓生 曹骞(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所 43008代理人周长清 黄丽(54)发明名称N 型电池硼扩散工艺(57)摘要本发明公开了一种N 型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，抽气至管内呈负压状态；（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；（3）推阱：停止硼源和干氧的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。

本发明的N 型电池硼扩散工艺，能得到结深浅、方块电阻值为75Ω/□～85Ω/□和方阻均匀性较好的硼扩散pn 结。

(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书3页 附图1页CN 105304753 A 2016.02.03C N 105304753A1.一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，并抽气至管内呈负压状态；（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；（3）推阱：停止硼源和氧气的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。

2.根据权利要求1所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，抽气至管内压力为180mbar～220mbar。

3.根据权利要求2所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述步骤（2）中，所述硼扩散沉积温度设定值为840℃～860℃，沉积时间为5min～7min。

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010079282.4(22)申请日 2020.02.03(71)申请人 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司地址 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道吉康路1号(72)发明人 林佳继　祁文杰　张耀　刘群　张武　林依婷　(74)专利代理机构 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283代理人 董世博(51)Int.Cl.H01L 21/22(2006.01)H01L 21/225(2006.01)H01L 31/18(2006.01)(54)发明名称一种N型太阳能电池硼扩散方法(57)摘要本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法，包括将制绒的硅片装入石英舟中，推入扩散炉石英管中；同时通入BCl 3和O 2，进行第一次沉积；升温，继续通入BCl 3和O 2，进行第二次沉积；升温，抽真空至低压状态；通入1～10L氮气；通入1～20L氧气；降温、推舟、卸片。

本发明克服了高温硼掺杂中掺杂浓度难以控制以及边缘区域扩散方阻不均匀问题，显著降低太阳能电池表面少子复合速率并降低电池横向传输电阻，提升电池开路电压和填充因子。

权利要求书1页 说明书5页 附图2页CN 111341649 A 2020.06.26C N 111341649A1.一种N型太阳能电池硼扩散方法，其特征是，包括以下步骤：(1)将制绒的硅片装入石英舟中，扩散炉石英炉管采用低压扩散方式，将石英舟推入内部温度为800～850℃的扩散炉石英管中；(2)同时通入50～300sccm的BCl 3气体和100～1000sccm的O 2气体，进行第一次沉积；(3)升温至850～900℃，继续通入50～300sccm的BCl 3气体和100～1000sccm的O 2气体，进行第二次沉积；(4)升温至950～1050℃，通过真空泵进行抽真空，使扩散炉石英炉管氛围为100mbar以下低压状态；(5)温度稳定后，通入1～10L氮气，回压；(6)通入1～20L氧气；(7)降温出舟：温度降至700～800℃时，将石英舟从扩散炉石英炉管中取出；(8)卸片：将硅片从石英舟上取下。

专利名称：一种n型电池及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：符黎明,黄海冰
申请号：CN202010359582.8
申请日：20200430
公开号：CN111509057A
公开日：
20200807
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种n型电池，电池正面的发射结是由p型轻掺杂区和高度高于轻掺杂区的局部p型重掺杂区组成的选择性发射结，电池背面掺杂层以及电池钝化层和金属电极兼容其它n型电池的背面技术。

采用这种正面选择性发射结，能够有效降低n型电池正面的金属半导体欧姆接触电阻以及光生载流子在电池正面的复合损失，进而提升电池性能，并且可对选择性发射结重掺杂区和轻掺杂区的表面形貌单独控制，以便于对电池不同金属化方案的选择。

申请人：常州时创能源股份有限公司
地址：213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
国籍：CN
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专利名称：一种N型电池
专利类型：实用新型专利
发明人：安欣睿,陈瑶,邓伟伟申请号：CN201922484265.4申请日：20191230
公开号：CN211182222U
公开日：
20200804
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了一种N型电池，所述N型电池包括开设有通孔的N型基底、PN结、过孔正电极、量子隧穿层、P掺杂的多晶硅层和负电极，所述PN结由第一PN结和第二PN结构成，第一PN结为位于所述N型基底正面的PN结，第二PN结为位于通孔外周的PN结，所述过孔正电极穿透N 型电池，而且，过孔正电极位于N型电池正面的部分进入第一PN结，所述量子隧穿层和P掺杂的多晶硅层依次位于N型基底的背面，且与第二PN结通过N型基底隔绝。

本实用新型提供的N型电池将MWT结构与钝化接触电池相结合，通过将电池正面电极从孔洞引至背面，在提升电池电学性能的同时，利用其无主栅的特点，进一步降低正面遮光损失，提升电池转换效率。

申请人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
地址：314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路1288号嘉兴光伏科创园1号楼1505-8室国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：胡彬
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( 19 )中华人民 共和国国家知识产权局
( 12 )发明专利申请
(21)申请号 201910083561 .5
(22)申请日 2019 .01 .29
(71)申请人 浙江隆劲电池科技有限公司 地址 318000 浙江省台州市温岭市东部新 区中小企业孵化园基地A区9号楼标准 厂房一层
(72)发明人 王海斌
2
CN 109927220 A
说 明 书
1/4 页
一种连续制备及转移固态电解质膜的方法
技术领域 [0001] 本发明涉及一种连续制备电解质膜，以及实现电解质膜转移的方法，属于新能源 锂电池领域。
背景技术 [0002] 随着新能源汽车的快速发展，锂离子电池在新能源领域占据越来越重要的地位， 人 们对锂电 池的 各项性能 要求也越来越高。相比 传统使 用电 解液型的 锂离子电 池 ，全固 态 锂电 池由 于使 用固 态电 解 质取代了电 解液 和隔膜 ，电 池更薄且体积更小 ；并且适 用的 材料 体系也更加灵活，譬如可以使用金属锂作为负极，从而提升整个电池的能量密度；此外杜绝 了电解液泄露，提升了电池的安全性能。 [0003] 固态电解质膜的制备是全固态锂离子电池的关键技术之一。和液态电池不同 ，固 态电 池中的固 态电 解 质与电 极由 于是固-固接触 ，电 解 质对于电 极材料往往没有类似于液 体电解液那样的浸润性，以至其界面阻抗一般大一个数量级以上，不利于锂离子传输，从而 引起浓差极化，增加过电势，最终使电池无法大倍率充放电。针对电解质与电极之间界面阻 抗过高的问题，产业界往往通过烧结法(201280054038 .6)、浸渍法(201410019070 .1)和涂 覆法(201310674203 .4)来进行解决。其共同之处都是先制备极片，然后将配制好的电解质 浆料涂/挂在极片上 ，进而干燥得到附 着固 态电 解 质的 极片 ，再进行下一步组装。这些方法 要求电解质浆料具有一定的粘度，从而能使涂覆顺利进行。此外，在切片步骤，由于电解质 膜和电 极材料的 面积基本 相当 ，切片产生的 毛 刺容易在电 池组装时接触 另一电 极 ，从而造 成电 池内 部的 微短路 ，留下安全隐 患 ，且现有的 方法步骤繁琐 ，难以 实现机械化大规模生 产。

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910271349.1(22)申请日 2019.04.04(71)申请人 中南大学地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号(72)发明人 方梅　肖柱　李周　张桑箭　李浩　(74)专利代理机构 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001代理人 何方(51)Int.Cl.H01L 43/12(2006.01)H01L 43/08(2006.01)(54)发明名称一种垂直型-异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用(57)摘要本发明公开了一种垂直型-异域有机自旋电子器件的制备工艺和应用，属于自旋电子学领域，本发明结合了横向器件与纵向器件的优点，一方面通过横向注入自旋极化电流，自旋极化电流横向注入有机材料，避免垂直结构电学短路问题；另一方面纵向探测电子自旋，自旋扩散通道长度即为薄膜厚度，采用楔形有机薄膜，实现自旋扩散通道长度的纳米级连续可调，通过外加电场和磁场，多模式实现有机物中电子自旋的操控和利用。

本发明垂直型-异域有机自旋电子器件，可用于操控自旋扩散长度在纳米量级的材料中的电子自旋，在同一器件中多模式实现电子自旋的操控，能够实现有机自旋阀的磁阻效应、non -local磁阻效应、自旋Hanle效应。

权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 109962159 A 2019.07.02C N 109962159A权　利　要　求　书1/1页CN 109962159 A1.一种垂直型-异域有机自旋电子器件的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长单晶La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜，并光学刻蚀成LSMO条形电极；(2)在LSMO条形电极附近光学套刻Au条形电极，所述Au条形电极与LSMO条形电极平行排列于衬底上；(3)采用超高真空热蒸发工艺，利用物理掩模沿LSMO条形电极方向生长厚度呈梯度变化的楔形有机薄膜；(4)采用超高真空热蒸发工艺，利用物理掩模在楔形有机薄膜上方，沿垂直于LSMO条形电极方向生长Co条形电极，并在Co条形电极表面生长保护层，得到所述垂直型-异域有机自旋电子器件。

[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101635319A [43]公开日2010年1月27日[21]申请号200910062233.3[22]申请日2009.05.26[21]申请号200910062233.3[71]申请人珈伟太阳能(武汉)有限公司地址430206湖北省武汉市东湖高新开发区流芳东一产业园一号路3号[72]发明人丁孔奇 [74]专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司代理人黄行军[51]Int.CI.H01L 31/18 (2006.01)权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页[54]发明名称一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法[57]摘要一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：1)N型硅片化学处理，正面制绒；2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层；4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；5)去除氮化硅隔离膜；6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；7)制作背面铝扩散P层及正负电极。

本发明利用常规P型太阳能电池设备制作N型太阳能电池的过程中涉及到磷、铝两次扩散掺杂，在磷扩散前在背面镀一层氮化硅膜阻止磷原子扩散到硅，然后在去磷硅玻璃的时候同时去掉氮化硅隔离膜，使得本发明无需对常规P型太阳能的产线进行改造就可以生产N型电池，解决了生产N型电池与P型电池共线生产的关键问题。

200910062233.3权 利 要 求 书第1/1页1.一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：1)N型硅片化学处理，正面制绒；2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层；4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；5)去除氮化硅隔离膜；6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；7)制作背面铝扩散P层及正负电极。

2.根据权利要求书1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序2)中，所述氮化硅隔离膜的厚度为10-100nm。

专利名称：一种n型双面电池的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：左严严,包健,廖晖,白明华,徐冠群,张昕宇,金浩申请号：CN201910590053.6
申请日：20190702
公开号：CN110299432A
公开日：
20191001
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种n型双面电池的制备方法，在刻蚀n型衬底背面的p型扩散层，以暴露n型衬底的背面之后，会在n型衬底的背面重新进行制绒，以在n型衬底的背面形成第二绒面。

由于第二绒面的制备是在刻蚀n型衬底背面之后进行，从而可以保证该第二绒面的完整性，使得第二绒面对光具有较低的反射率，从而使得n型双面电池背面可以吸收更多的光线，进而使得n型双面电池背面具有较高的转换效率。

申请人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
地址：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：王云晓
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专利名称：一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法专利类型：发明专利
发明人：杨智,王栩生,章灵军
申请号：CN201110103902.4
申请日：20110425
公开号：CN102191562A
公开日：
20110921
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法，包括如下步骤：将制绒清洗后的N型硅片在氮气气氛中进行热处理，接着升温并通硼源进行扩散；扩散完成后降温并通氮气完成扩散过程。

本发明的扩散方法可以显著提升N型硅片表面硼浓度，避免了后续金属化烧结的困难，有利于提升整个N型晶体硅太阳电池的电性能。

申请人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯(中国)投资有限公司
地址：215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
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