利用霍尔效应测定空间的磁场分布
- 格式:doc
- 大小:264.00 KB
- 文档页数:5
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结霍尔效应是一种常用于测量磁场强度的物理现象。
通过研究霍尔效应,人们发展出了多种方法来测量磁场。
本文将对根据霍尔效应测磁场的几种方法进行归纳总结。
1. 霍尔元件法:霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时,磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小,可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
霍尔元件法:霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时,磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小,可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
2. 霍尔传感器法:与霍尔元件法相似,霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于,霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中,并测量其输出电压来确定磁场的强度。
霍尔传感器法:与霍尔元件法相似,霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于,霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中,并测量其输出电压来确定磁场的强度。
3. 霍尔探针法:霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中,并测量输出电压,可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
霍尔探针法:霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中,并测量输出电压,可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
4. 霍尔效应测试仪:霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
它通常具有较高的精度和稳定性。
通过将样品放置在霍尔效应测试仪中,仪器可以直接测量并显示磁场的强度值。
霍尔效应测试仪一般用于科研、工业生产等领域。
霍尔效应测试仪:霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
霍尔效应法测量空间的磁场实验者:*** 同组实验者:*** 指导教师:***(班级:*** 学号:*** 联系号:***)摘要:测量某霍尔片的性质时,为了消除副效应对实验结果的影响,通常采用“对称测量法”在现实生活中,如果直接测量某磁场的分布状况是很困难的,但利用霍尔效应电压与磁场的线性关系,通过测量元件两端的电压就可轻松得知空间某区域的磁场分布。
关键词:霍尔电流、霍尔电压、对称测量法、磁场分布。
一、引言霍尔效应是一种电磁效应是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加横向电场,这个现象就是霍尔效应。
用该效应制成的霍尔器件已广泛运用于工业等方面。
现就给定的霍尔器件试样的性质进行研究。
二 设计原理霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受到洛仑兹力作用而发生偏转。
在试样中通以电流时,由于正负电荷受力方向相反,则在两极可以积累偏转电荷,产生电压即形成电场。
又知电荷所受电场力与洛仑兹力方向相反,当两者动态平衡时有:B dI S d B I ne b E V HH H H H ===1所以又可得出 HH H H S dk S I d V B ∙==(1) 其中V H 为霍尔电压,B 为外磁场,d 为霍尔片厚度;S H为霍尔系数。
其物理意义是:在恒定霍尔电流情形下,V H 与B 是成正比的。
在实际应用中一般通过V H 来研究B 的分布或V H 来研究S H 即材料的特性。
在产生霍尔效应的同时,也伴随着各种副反应,以致实验测得的电压并不等于真实的霍尔电压V H 值。
其中包括不等电压V 0、温差电效应一起的附加电压V E 、热磁效应直接引起的附加电压V N 、热磁效应产生的温差引起的附加电压V RL 。
这可以通过I H 和B 幻想对称测量法予以消除。
不等电势效应引起的电势差V 0。
由于制造上的困难及材料的不均匀性,如图1,3、4两点实际上不可能在同一等势面上,只要有电流沿x 方向流过,即使没有磁场B ,3、4两点间也会出现电势差V 0。
实验3.7 霍尔效应法测量磁场随着电子技术的不断发展,霍尔器件越来越得到广泛的应用。
霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且,随着实验电子技术的进展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量电测、自动控制和信息处理等方面。
置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年在研究载流导体载磁场中受力性质时发现的一种电磁现象,后被称为霍尔效应。
【实验目的】1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.掌握测试霍尔元件的工作特性的方法。
3.学习用霍尔效应测量磁场的方法。
4.学习用“对称测量法”消除副效应的影响。
5.描绘霍尔元件试样的V H− I S和V H− I M曲线。
6.学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布,描绘B - X曲线。
【实验原理】1.霍尔效应法测量磁场原理霍尔效应从本质上讲是指运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起偏转的现象。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固定材料中时,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。
对于图3-20所示的半导体试样,若在X方向通以电流I S ,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A、A' 方向电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场—霍尔电场,电场的指向取决于试样的导电类型。
图3-20 霍尔效应法测量磁场原理显然,该电场阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受到的横向电场力eE H与洛伦兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有eE H (3-44)v eB其中H E 为霍尔电场,v 是载流子在电场方向上的平均漂移速度。
设试样的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则bd v ne I S = (3-45)由式(3-44)和式(3-45)可得dB I R d BI ne b E V S H S H H ===1(3-46) 即霍尔电压V H (A 、A ′电极之间的电压)与I S B 乘积成正比,与试样厚度d 成反比。
检测空间磁场实验报告实验目的本实验的目的是检测室内和室外的空间磁场,并了解磁场的特性。
实验仪器与材料- 磁力计- 电脑或移动设备- 实验室或室外环境实验原理磁力计是一种测量磁场强度的仪器,它利用霍尔效应来检测磁场的存在和强度。
霍尔效应是指当通过导体中有电流流动时,会产生横向于电流和磁场的电压差。
实验步骤1. 将磁力计打开,并保持垂直于地面的方向。
2. 将磁力计移动到实验室内的不同位置,记录每个位置的磁场强度。
3. 将磁力计移动到室外的不同位置,记录每个位置的磁场强度。
4. 将实验数据记录下来,包括位置和磁场强度。
5. 将数据输入电脑或移动设备进行处理和分析。
实验结果与分析根据实验数据,我们可以得到室内和室外的磁场分布情况。
在室内,由于有许多电器设备的存在,磁场强度往往比较大。
在室外,则受到地球磁场的干扰,磁场强度较为稳定。
通过对实验数据的分析,我们可以发现磁场强度在不同位置之间存在较大的差异。
这可能是由于不同位置的磁场源的不同或者干扰的影响。
同时,我们还可以计算出平均磁场强度和磁场的标准差,从而进一步了解磁场强度的分布情况。
实验结论通过本次实验,我们成功地检测了室内和室外的空间磁场,并了解了磁场的特性。
我们发现室内的磁场强度较大,可能受到电器设备的干扰;而室外的磁场强度较为稳定,可能受到地球磁场的影响。
然而,本实验还存在一些限制和改进的空间。
首先,我们只检测了少数位置的磁场强度,可能无法代表整个实验环境的情况。
其次,我们需要更精确的磁力计和更多的实验数据以提高实验的可靠性和准确性。
参考文献1. Bobrov, P. E., Stanchits, S. V., & Shevchenko, S. L. (2017). Magnetic field indicators of spacecraft and their application for detection of magnetic anomalies of space vehicles. *Russian Journal of Nondestructive Testing*, 53(3), 218-224.2. 蔡文光, 张立群, 彭红虎, 等. (2016). 天地量子纠缠与新物质研究[J]. 物理, 45, 1645-1649.致谢感谢指导老师的悉心指导和实验室成员的合作。
利用霍尔效应测量磁场的原理介绍在物理学中,霍尔效应是指当一个导体中有电流通过时,如果在该导体的垂直方向上施加一个磁场,就会在导体的一侧产生电势差。
这个现象被称为霍尔效应,是由美国科学家爱德华·霍尔于1879年首次发现并解释的。
利用霍尔效应可以测量磁场的强度,因此在科学研究和工程应用中具有重要意义。
原理霍尔效应的原理可以通过经典电动力学理论来解释。
当一个导体中有电流通过时,在这个电流中的移动载流子(例如电子)受到洛伦兹力的作用,导致它们在导体内部产生一个偏转。
这个偏转偏离了电子在没有磁场作用下自由传播的轨道,在导体的一侧积累了过多的载流子,另一侧则相对较少。
由于载流子的偏转,导体的一侧相对于另一侧产生了电势差。
这种电势差由霍尔电压表示,通常可以用电位器或霍尔电压传感器测量。
霍尔电压正比于电流的大小、磁场的强度以及导体上的几何参数,因此可以通过测量霍尔电压来确定磁场的强度。
测量步骤利用霍尔效应测量磁场的步骤如下:1.准备所需材料和设备:包括电源、霍尔电压传感器、导线和磁场源。
2.连接电源和霍尔电压传感器:将电源的正极与传感器的正极相连,负极与负极相连,确保电路连接无误。
3.将霍尔电压传感器固定在待测区域:将传感器放置在待测区域内,确保其垂直于导线和磁场源。
4.施加磁场:打开磁场源,使磁场通过传感器所在的区域。
5.测量霍尔电压:打开电源,通过传感器测量霍尔电压。
记录电流大小以及测量的霍尔电压值。
6.分析数据:利用霍尔效应的公式和实验数据计算磁场的强度。
将测量得到的霍尔电压与电流大小和导体的几何参数进行比较,得出磁场的强度。
应用领域霍尔效应广泛应用于科学研究和工程领域。
以下是一些常见的应用领域:1. 磁场测量霍尔效应可以用来测量磁场的强度和方向。
通过调整电流、磁场和导体的几何参数,可以精确地测量磁场的强度,从而帮助研究人员更好地了解和探索磁场的性质。
2. 电流测量由于霍尔效应与电流大小成正比,因此可以利用霍尔效应来测量电流的大小。
一、实验目的1. 了解磁场分布的基本原理和测量方法。
2. 掌握使用霍尔传感器进行磁场分布测量的操作步骤。
3. 分析不同形状和结构的磁场分布特点。
二、实验器材1. 霍尔传感器2. 圆线圈3. 亥姆霍兹线圈4. 电流表5. 直流电源6. 铁芯7. 导线8. 毕奥-萨伐尔定律计算软件9. 实验平台三、实验原理磁场分布测试是研究磁场在不同空间位置和方向上的分布情况。
通过测量磁场强度、方向和分布规律,可以了解磁场的特性,为实际应用提供理论依据。
1. 霍尔效应:当电流通过霍尔元件时,在垂直于电流和磁场方向的平面上会产生电压,电压大小与磁场强度成正比。
利用霍尔传感器可以测量磁场强度。
2. 毕奥-萨伐尔定律:描述了电流元在空间中产生的磁场,磁场强度与电流、距离和角度有关。
四、实验步骤1. 测试圆线圈磁场分布(1)将霍尔传感器放置在圆线圈轴线上的不同位置,记录磁场强度和方向。
(2)根据毕奥-萨伐尔定律计算圆线圈轴线上的磁场分布。
2. 测试亥姆霍兹线圈磁场分布(1)将霍尔传感器放置在亥姆霍兹线圈轴线上不同位置,记录磁场强度和方向。
(2)根据毕奥-萨伐尔定律计算亥姆霍兹线圈轴线上磁场分布。
3. 分析不同形状和结构的磁场分布特点(1)对比圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场分布,分析其优缺点。
(2)结合实验数据,探讨不同形状和结构的磁场分布规律。
五、实验结果与分析1. 圆线圈磁场分布:圆线圈轴线上的磁场分布呈对称分布,随着距离的增加,磁场强度逐渐减弱。
2. 亥姆霍兹线圈磁场分布:亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布较为均匀,磁场强度随距离的增加而逐渐减弱。
3. 分析与讨论(1)圆线圈磁场分布具有对称性,但磁场强度分布不均匀,适用于特定场合。
(2)亥姆霍兹线圈磁场分布均匀,适用于需要均匀磁场分布的场合。
(3)不同形状和结构的磁场分布特点与其设计目的和应用场景密切相关。
六、实验结论1. 通过实验,掌握了使用霍尔传感器进行磁场分布测量的操作步骤。
实验6.17 利用霍尔效应测磁场1. 实验目的(1) 了解用霍尔器件测磁场的原理;(2) 掌握用霍尔器件测量长直螺线管内部磁场的方法;(3) 掌握检测一对共轴线圈耦合程度的方法。
2. 实验仪器HCC-1型霍尔效应测磁仪,HCC-1型交直流电源,长直螺线管和亥姆霍兹共轴线圈对。
3. 仪器简介HCC-1型霍尔效应测磁仪由下面五个分离部件组合而成:(1)霍尔测磁传感器霍尔测磁传感器又称为霍尔探杆。
探杆直径为6.0mm, 长度(含手柄)为520.0mm, 其前面400.0mm有毫米刻度, 可以方便地确定探杆前端(探头)在磁场中的位置。
探头内安装有HZ-2 型霍尔器件, 作为测磁传感器。
每个霍尔器件的灵敏度K H已标在霍尔探杆的手柄上。
(2)HCC-1 型霍尔效应测磁仪该仪器又称为霍尔电压测量仪。
它的前面板如图6.17-1所示。
将“调零与测量”开关拨至“× 1”档, 可以测量0 ~ 0.75mV的霍尔电压。
HCC-1型霍尔效应测磁仪还可以给霍尔器件提供0 ~ 20mA的控制电流。
图6.17-1 HCC-1型霍尔效应测磁仪的前面板图(3)HCC-1型交直流电源该电源可以提供交流4.0V、8.0V或直流0.0 ~ l0.0V、最大电流为2.0A的激磁电流。
它的前面板如图6.17-2所示。
(4)长直螺线管它是用线径Ф=1.0rnrn的漆包线在有效长度L =30.0cm的骨架上按n =36 ·匝cm-1 密度绕成直径为24.0mm的螺线管,两端口总长32.0cm。
(5)共轴线圈对它是装在一个带毫米刻度尺座架上的一对线圈, 其中一个线圈可以在座架上移动, 以改变两个线圈中心之间的距离。
线圈的线径Ф= 0.9mm, 每个线圈的匝数N =360匝, 直径D =13.6cm 。
4. 实验原理(1)用霍尔器件测磁场的原理如图6.17-3所示, 把一金属薄片放在磁场中, 磁感应强度B 垂直于薄片向上, 当在MN方向通入电流(称为控制电流)I 时, 在P 、Q 两侧面之间就会产生一定的电势差。
利用霍尔效应测磁场霍尔利用效应霍尔效应测量磁场
霍尔效应是指在一定条件下,在导体中沿流动方向施加交变电场时,会在导体内产生电压,这种电压称为霍尔电压。
霍尔效应可以用来测量磁场强度,也可以用于磁场方向的检测和测量。
霍尔效应的原理是:当一个导体带电子流时,由于磁场的作用,电子将发生偏转,使得带有电荷的侧面与另一侧相比有电荷分布的不均匀性。
这样,电流就会在电荷不平衡区域内施加一个电场,这个电场与磁场相垂直,因此就会产生一种称为霍尔电位差的电势差。
霍尔电势差具有如下的特点:
1. 与导体中的电流强度和方向、磁场的强度和方向有关。
2. 与导体的材质和尺寸有关。
3. 在一定温度下保持不变。
利用霍尔效应测磁场的方法一般是:在一个带有导电层的锡烯片上,布置一个恒定的电流,使电流垂直于锡烯片的面板。
当这个锡烯片处于磁场中时,由于磁场的作用,电子流将发生侧向偏转,形成了电荷不平衡的区域,从而会产生一个电压,这个电压就是霍尔电势差。
这个电压的大小正比于锡烯片的电流强度和磁场的强度,与电流方向和磁场方向成正比例和反比例关系。
因此,可以测量霍尔电势差,然后根据其大小来推导出磁场的强度和方向。
霍尔效应在电子技术中有广泛的应用,例如:在集成电路中,可以利用霍尔效应来检测物体的位置、速度和方向;在机器人技术中,也可以利用霍尔效应来测量机器人的位置和朝向等。
此外,霍尔效应还可以用于制备陀螺仪、磁场传感器、匀速电机等。
总之,霍尔效应是电子技术中一项重要的研究内容,具有广泛的应用价值。
霍尔元件测磁场实验报告
实验目的:
通过测量不同位置的霍尔元件输出电压,了解不同位置处磁场分布情况。
实验器材:
霍尔元件、外加磁场、数字万用表、直流电源、铁环。
实验原理:
霍尔元件是利用霍尔效应来测量磁场的一种器件。
霍尔效应是指在导体中,当有载流子运动沿着一方向移动时,垂直于流动方向的方向上产生一个电势差,这种现象即为霍尔效应。
当霍尔元件处于磁场中时,载流子将会受到磁场的力,并产生一个垂直于磁场和电流方向的电势差,通过测量霍尔元件的输出电压可以得到磁场的大小和方向。
实验步骤:
1. 在无外磁场作用下,测量霍尔元件输入电流和输出电压的关系。
2. 选择一个位置作为基准位置,在此位置处测量霍尔元件输出
电压,并记录。
3. 在基准位置外每隔一定距离设置一个测量点,分别测量霍尔
元件输出电压,并记录。
4. 引入磁场,记录不同位置处霍尔元件的输出电压。
5. 重复步骤3和4,直到所有位置均被测量。
实验数据:
1. 测量霍尔元件输入电流和输出电压关系:
2. 不同位置霍尔元件输出电压:
3. 在不同磁场下不同位置霍尔元件输出电压:
实验结论:
通过实验,我们发现,在磁场作用下,不同位置的霍尔元件输
出电压不同,且输出电压随位置移动呈现一定的规律。
在。
此外,我们还发现,在相同位置下,不同磁场下的霍尔元件输出电压也
不同,磁场大小和方向对霍尔元件的输出电压产生一定的影响。
通过对实验数据的分析,我们可以了解到不同位置的磁场分布情况,并进一步了解和应用霍尔元件测量磁场的方法。
利用霍尔效应测定空间磁场分布
【摘要】: 本文利用霍尔效应在一定的励磁电流和霍尔电流下测得霍尔片在不同X 或Y 值时的霍尔电压,同时通过“对称测量法”消除霍尔电压中的各种副效应。
从而得到单边X(Y)方向的磁场分布。
关键词:励磁电流、霍尔电流、霍尔电压、对称测量法。
【引言】:
霍尔效应是一种磁电效应,是霍普经斯大学研究生霍尔于1879年发的。
这种现象的产生主要是由于通电半导体中的载流子在受到洛伦兹力的作用下,产生偏转形成横向电场即霍尔电场。
霍尔电场产生的电场力与洛伦兹力相反,它使得载流子继续堆积,直到霍尔电场力与洛伦兹力相等,这时片子两边形成一个稳定的电压(霍尔电压),由霍尔电压和磁场的线性关系可知,通过测量元件两端的电影可以得到空间磁场分布。
【实验原理】
一:从本质上来说霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受到洛仑兹力的作用而发生偏转。
当在半导体试样通以电流时,由于正负电荷手里方向相反,从而在垂直电流和磁场的方向产生横向电场,形成霍尔电压。
形成的电场如图所示。
从图中可以看出电荷所受的电场力和洛伦兹力方向相反,当两者处于动态平衡时:
1H H H H H I B
I B V E b S ne d d
==
= (1)
其中H V 为霍尔电压,B 为外磁场,d 为霍尔厚度,1
H S ne
=为霍尔系数。
由(1)知:在恒定霍尔电流H V 与B 是成正比的。
⇒ H H H V S I B =
或 H
H H
V B d V S =
(2) 二:在测量霍尔电时会伴随着各种副效应:
1):因为不等势电压0V 只与电流的方向有关,所以可以通过改变H I 的方向来予以消除。
X
Y
Z
2):温差电效应E V 引起的附加电压,因为H E V V >>所以可以省略。
3):热效应引起的附加电压N V 只与B的方向有关,所以可以通过改变B的方向来消除。
4):热磁效应引起的附加电压RL V 也只与B的方向有关,所以也可以通过改变B的方向来消除。
则设定H I 和B正方向,分别测量由下列四组不同方向H I 和B组合所确定的42V -。
ⅰ):当+H I ,+B时2、4间电压42V -:1V =H V +0V +N V +RL V +E V ⅱ):当+H I ,-B时2、4间电压42V -:2V =-H V +0V -N V -RL V -E V ⅲ):当-H I ,-B时2、4间电压42V -:3V =H V -0V -N V -RL V +E V ⅳ):当-H I ,+B时2、4间电压42V -: 4V =-H V -0V +N V +RL V -E V
⇒ 1234
4
H E V V V V V V -+-+=
(3)
由于E V 符号与H I 、B两者方向关系和H V 是相同的,故无法消除,但在电流H I 和磁场B都很小的情况下 H E V V >>,因此E V 可以略去不计,所以霍尔电压为:
1234
4
H V V V V V -+-=
(4)
通过上述方法尽管还不能消除所有的副效应但其引入的误差已不大,可以忽略不计。
【方案设计】: 一:HL-V I 型霍尔效应仪的详细参数 N型霍尔片的厚度d=0.10mm 线圈匝数N=1500 匝线径=0.67mm
3.4\H S mm mV mA KG =⋅⋅ 00.3V mV =155in R =Ω 166out R =Ω
二:实验步骤 (1)开机预热;
(2)将“H I 电流调节”和“M I 电流调节”旋钮均置零位,同时调节调零旋钮使霍尔电压输出为零;
(3)测定单边X 方向磁场分布:调节励磁电流M I =0.200A 霍尔电流H I =3.00mA 固定Y=20mm ,改变磁场和霍尔电流的方向,在不同X 值下分别记录不同方向下的霍尔电压; (4)保持励磁电流和霍尔电流不变,固定X=20mm,记录不同Y 值下的霍尔电压; (5)数据处理,调用Excel 作图,分别做出B~X 和 B~Y 曲线。
【实验数据处理】:
M I =0.200A H I =3.00mA
Y=20mm
则X 方向磁场分布B~X 曲线为:
其中横轴为X(mm) 纵轴为B (T )
M I =0.200A
H I =3.00mA
X=20mm
则Y方向的磁场B~Y分布为:
其中横轴为Y(mm) 纵轴为B(T)
【实验结果分析】:
(1):磁场反向或霍尔电流反向前后,对应的两组霍尔电压略有差别,这是因为有磁滞现象。
(2):从X方向磁场分布B~X曲线可以看出,单边X上磁场强度B的大小先随着X的增大基本不变,当X达到一定值时,随X的增大B迅速减少;从B~Y曲线可以看出,单边Y 上的磁场强度B先随Y的增大迅速增大,然后基本保持不变,当Y达到一定值后,随Y的的B 又迅速减少。
(3):从B~X曲线和B~Y曲线可以看出磁场在X和Y方向上都具有对称性。
【参考文献】:
1:马葭生,普通物理选题实验。
上海:华东师范出版社,1992 2:张三慧,大学物理学。
清华出版社,1999
3:程守洙,普通物理学。
北京:人民教育出版社,1982。