下载文档原格式
二极管的结构特性 (1)二极管的工作原理 (2)二极管的分类.................................................................................3-4 二极管的主要技术参数指标..................................................................5. 二极管的主要作用 (6)怎样选择合适的二极管 (7)时间：2012-2-241 二极管的结构半导体二极管主要由一个PN结加上电极、引出断线和管壳构成的。
P型半导体引出的电极为二极管的正极，N型半导体引出的电极为负极。
二极管的基本特性与PN结的基本特性相同。
，图 1结构图（可双击该图用AUTOCAD软件观看）2 二极管的特性普通二极管最显著的特点是其单向导电性，根据此特性二极管常用于电子线路中，起到整流、图 2典型二极管的特性曲线及其分区3 工作原理二极管的基本原理是根据二极管的伏安特性，正向导通反向截止，可将双向变化的交流电转换成单向脉动的直流电，此转换过程称为整流；利用PN结反向击穿时，电流在较大的范围内变化而端电压基本不变的特性，制成特殊二极管，称为稳压二极管。
3.1 2中1区为正向死区。
PN结上加了正向偏压但仍无电流，该区宽度随材料而不同：硅管是0.5V,锗管是0.7V。
3.2 2中2区为正向导通区。
PN结上加了正向偏压后，正向电流呈指数规律明显上升。
3.3 2中3区为反向截止区。
PN结上加了较大的反向偏压后，在很大的电压范围内维持一个很小的固定的反向漏电流。
3.4 2中4区为反向击穿区。
PN结上加了较大的反向偏压后，在某个电压值上，PN结被击穿引起迅速上升的反向电流。
一般的整流、检波二极管一到此区就被加在其上的高压大电流烧毁。
但是，专门设计用来工作在此区的二极管，只要设法将热量及时导出，同时在电路中限制电流的最大值，它就可以正常工作，一般应用该区的二极管是专门生产的稳压二极管。
二极管的小知识什么是二极管?二极管的英文是diode。
二极管的正.负二个端子,(如图)正端A称为阳极,负端K 称为阴极。
电流只能从阳极向阴极方向移动。
一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；面二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的)，所有二极管就是半导体”。
其实二极管与半导体是完全不同的东西。
我们只能说二极管是由半导体组成的器件。
半导体无论那个方向都能流动电流。
1.半导体的种类？半导体可分为本征半导体.P型半导体.N型半导体。
本征半导体：硅和锗都是半导体，而纯硅和锗（11个9的纯度）晶体称本征半导体。
硅和锗为4价元素，其晶体结构稳定。
P型半导体：P型半导体是在4价的本征半导体中混入了3价原子，譬如极小量（一千万之一）的铟合成的晶体。
由于3价原子进入4价原子中，因此这晶体结构中就产生了少一电子的部分。
由于少一电子，所以带正电。
P型的“P”正是取“Positve（正）”一词的第一个字母。
N型半导体：若把5价的原子，譬如砷混入4价的本征半导体，将产生多余1个电子的状态结晶，显负电性。
这N是从“Negative（负）”中取的第一个字母。
3．二极管的电流为什么只是一个方向流动呢？如图一是未加电场（电压）的情况P型载流子和N型载流子随机地在晶体中。
若在图二中的N端施加正电压，在P端施加负电压，内部的载流子，电子被拉到正电压方，空核裤拉到负电压方，从而结合面上的载流子数量大大减少，电阻便增大了。
如图三加相反电压，此时内部载流子通过结合面，变得易于流动。
换言之电阻变小，电流正向流动。
请记住：二极管的正向导通是从P型指向N型，国际的标法是：三角形表示P 型，横线是N型。
二极管在0.6V以上的电压下电流可急剧移动，反向则无二极管的特性与应用几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
竭诚为您提供优质文档/双击可除光伏组件接线盒规范篇一：光伏接线盒认证技术规范(初稿)cgc北京鉴衡认证中心认证技术规范cgc/gF00x：20xx地面用光伏组件接线盒技术要求和试验方法technicalspecificationsandtestmethodsofjunctionboxe susedinterrestrialpVmodules(备案稿)200x-x-xx发布200x-x-xx实施北京鉴衡认证中心发布目次前言................................................. (iii)标题：地面用光伏组件接线盒技术要求和试验方法 (1)1范围................................................. .. (1)2规范性引用文件................................................. (1)3术语和定义................................................. . (2)4技术要求................................................. (5)4.1概述................................................. (5)4.2电击防护................................................. .. (5)4.3接口及连接方法................................................. .. (6)4.4连接器................................................. . (6)4.5线缆................................................. (6)4.6抗老化................................................. . (6)4.7基本结构................................................. .. (6)4.8ip-防护等级................................................. .. (7)4.9耐压强度................................................. .. (7)4.10环境温度范围................................................. (7)4.11防拉拽装置................................................. .. (7)4.12机械强度................................................. (7)4.13电气间隙及爬电距离................................................. .. (7)4.14绝缘................................................. . (8)4.15绝缘材料-零件................................................. . (8)4.16带电零件及防腐蚀................................................. . (9)4.17密封装置................................................. (9)4.18旁路二极管说明................................................. (9)4.19通过机械敲击拆卸的隔爆式电缆引入装置 (9)4.20配有防拉拽装置的接线盒................................................. . (9)5试验方法................................................. (9)5.1概述................................................. (9)5.2待检样品的准备工作................................................. (9)5.3试验的实施................................................. . (10)6检验规则................................................. (19)6.1检验分类................................................. (19)6.2出厂检验................................................. (21)6.3型式检验................................................. (21)7标志、包装、运输、贮存................................................. . (21)7.1标志................................................. .. (21)7.2包装................................................. . (21)7.3运输................................................. . (22)7.4贮存................................................. . (22)附录a线缆防拉拽装置扭曲试验的典型布置 (23)附录b（规范性）警示：“禁止带电插拔”............................................... .24附录c（规范性）试验样品数量................................................. (25)前言xxcgc/gF00x：20xx地面用光伏组件接线盒技术要求和试验方法1范围本技术规范规定了光伏组件用接线盒的产品术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。
太阳能组件安装手册仅供专业人员使用2 |1.0 1.11.22.03.04.05.0 5.15.26.06.17.0 3 3 3 3 3 4 5 6 7 8 8 11 11CN-Rev IM/IEC-AM-CN/4.0 版权所有 © 2018年7月 阿特斯阳光电力集团|31.0概括本手册为CS系列太阳能标准组件的安装、维护和使用提供了重要的安全说明。
专业安装人员必须仔细阅读这些指南并且严格遵守这些说明。
如果不遵守这些安全指南，将可能导致人员伤亡或财产损失。
安装和操作太阳能组件需要专业的技能，只有专业人员才可以从事该项工作。
安装人员必须把上述事项告知终端客户（或者消费者）。
本说明书中的“组件”或“PV组件”指的是一个或多个CS系列太阳能组件。
本手册只适用于CS1V-MS、 CS1K-MS、CS3U-P、CS3U-MS、CS3K-P、CS3K-MS、CS6A-P、CS6A-M、CS6V-P、CS6V-M、CS6K-P、CS6K-M、CS6K-MS、CS6V-MS、CS6VL-MS、CS6A-MS、 CS6U-P、CS6U-M、CS3W-P和CS3L-P等。
请保留此说明书以供将来参考。
建议查看网页以便下载最新的安装手册。
1.1免责申明Canadian Solar Inc. (以下简称 阿特斯阳光电力) 保留在没有预先通知的情况下变更本安装手册的权利。
阿特斯阳光电力对本说明书所包含的任何明示或暗示的信息不做任何担保。
如果本手册的不同语言版本有描述不一致的情况，以英文版为准。
由于本手册会定时更新，请参考阿特斯阳光电力集团网站（ ）上的产品和文件资料。
1.2责任范围阿特斯阳光电力不为任何形式的伤害负责，包括但不限于组件操作、系统安装以及未按照本手册的指示产生的身体伤害、受伤和财产损失负责。
2.0安全预防措施警告：对组件进行安装、接线、操作或维护前， 应阅读并理解所有安全细则。
当该组件暴露在阳光或其他光源下时，会产生直流电(DC)。
光伏组件旁路二极管工作电压
光伏组件（太阳能电池板）中的旁路二极管主要用于减少阴影或污染造成的热斑效应。
当组件的一部分被遮挡时，未遮挡部分仍会产生电流，而被遮挡部分则无法有效发电，可能会因电流无法流通而产生过热，导致损坏。
旁路二极管的作用是在这种情况下提供一个低阻抗路径，使得电流可以绕过受阻的电池片，从而保护电池片不受过热的损害。
旁路二极管的工作电压是指二极管开始导通并允许电流流过的电压点。
这个电压通常高于太阳能电池的正常工作电压，但低于电池的短路电压。
在正常光照条件下，旁路二极管不会导通，因此对光伏组件的整体效率影响很小。
只有当电池片部分遮挡，产生的电压降超过了二极管的正向导通电压时，旁路二极管才会工作。
旁路二极管的正向导通电压一般在0.6V至0.7V之间，这是硅二极管的典型导通电压。
但是，为了确保光伏组件在不同工作条件下都能可靠地工作，制造商会选择具有适当额定电压的旁路二极管，以适应不同的环境和操作条件。
在选择和设计光伏组件时，旁路二极管的选择非常关键。
它们必须能够承受组件在最极端条件下产生的最大电
压，同时还要有足够的电流承载能力来处理可能流过的电流。
此外，为了提高系统的整体效率，旁路二极管的选择还要考虑到其正向压降，因为这会影响到光伏组件的输出功率。
总的来说，旁路二极管的工作电压是一个关键参数，它决定了二极管何时开始工作以及如何影响光伏组件的性能。
正确选择和配置旁路二极管对于确保光伏系统的可靠性和效率至关重要。
高中物理二极管基础知识
二极管是有源半导体器件，是由三层半导体结构组成的，它是电路中的重要部件，在半导
体电路设计中发挥着重要作用。
首先，二极管由N型半导体和P型半导体两层半导体物质组成，中间嵌入绝缘物质，形
成由N型半导体和P型半导体组成的多层结构。
其次，二极管有两种类型，分别是P-N结晶和P-N增强型二极管，P-N结晶型二极管是最简单的。
其工作效果为：当正向电压小于反向电压时二极管为关闭状态，反之大于时开启。
由此可见，二极管的工作原理很简单，它的作用是对电路输入电压的开启和关闭。
此外，二极管还具有反向阻抗性能。
当二极管处于开启状态时，反向电阻很大，这样即使
反向电流流入，也不会把正向电源电压拉低，因此二极管具有很好的反向阻抗性能。
再者，由于二极管的集成有限，其功能和能量损耗也很小，因此是用于移动电源供电非常
有用的装置。
总而言之，通过介绍可以认识到二极管几乎可以应用于所有的半导体电路中，其工作原理简单，反向阻抗性能好，功能及能量损耗也较小，应用面很广，可以很好地满足工程师们在日常工作中的需要。
二极管基础知识点大全电子元件家族当中，有一种只允许电流由单一方向流过，具有两个电极的元件，称为二极管，英文是“Diode”，是现代电子产业的基石。
1、真空电子二极管早期的二极管包含“猫须晶体”(Cat's Whisker Crystals)和真空管(ThermionicValves)。
1904年，英国物理学家弗莱明根据“爱迪生效应”发明了世界上第一只电子二极管——真空电子二极管。
它是依靠阴极热发射电子到阳极实现导通。
电源正负极接反则不能导电，它是一种能够单向传导电流的电子器件。
早期电子二极管存在体积大、需预热、功耗大、易破碎等问题，促使了晶体二极管的发明。
2、晶体二极管又称半导体二极管。
1947年，美国人发明。
在半导体二极管内部有一个PN结和两个引出端。
这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。
现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
晶体二极管的核心是PN结，关于PN结首先要了解三个概念。
本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅晶片或纯锗晶片。
P型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。
N型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。
由P型半导体和N型半导体相接触时，就产生一个独特的PN结界面，在界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。
当外加电压等于零时，由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的PN结。
以PN结为核心结构，加上引线或引脚形成单向导电的二极管。
当外加电压方向由P极指向N极时，导通。
3、晶体二极管分类晶体二极管可按材料不同和PN结结构不同，进行分类。
1）点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
使用日地光伏组件之前，请仔细阅读本手册请妥善保管好本手册，以便随时使用。
日地光伏组件安装手册宁波东旭太阳能电力有限公司使用指南■ 重要的安全提示·在使用日地光伏组件（以下简称为组件）之前，请仔细阅读和理解本手册。
本手册内容包含了组件在安装、使用和维护过程中重要的安全信息。
·为了避免安装人员受到各种潜在风险的伤害，如电击风险。
组件的安装、使用和维护应由合格的或专业的人员进行。
·在安装组件之前，安装人员应该熟悉光伏系统的机械和电气要求。
在安装的时候，安装人员应该遵守安全防范指南。
·在组件安装时，安装人员应遵守所在国家和地区的相关法律、法规的规定，必要时应先获得相关的许可证明。
·如果您有任何问题，请联系您的当地经销商或宁波东旭太阳能电力有限公司（以下简称东旭太阳能公司）。
也可以登陆东旭太阳能公司网站进行咨询：http:// 。
·请妥善保存本手册以便今后的使用。
■免责声明由于本手册的使用，光伏（PV）组件的安装、使用和维护等均不在东旭太阳能公司的控制范围内，东旭太阳能公司不对任何与这些安装、使用或维护引起的，或者与之相关所引起的损失、破坏或费用等承担法律责任。
由于使用PV产品可能导致的侵犯第三方专利或其它权利，不属于东旭太阳能公司的责任范围。
客户并不因使用东旭太阳能公司的产品获得任何专利或者专利权利的使用授权，无论明示的或隐含的。
本手册的信息基于东旭太阳能公司的知识和可靠经验；但是包括产品规格的这些信息和建议并不起到构成任何保证，不管是明确说明还是暗示的。
东旭太阳能公司保留修改手册、PV产品、规格或产品信息的权利，无需提前通知。
■ 警告1．不要私自拆解组件、移动任何铭牌或黏附在组件上的任何部件。
2. 不要在组件上表面刷油漆或其他粘合剂。
3. 不要用镜子或透镜聚焦阳光照射到组件上。
4. 不要将组件背面直接暴露在太阳光下。
5. 不要破坏组件背板材料。
一、热斑效应一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。
被遮蔽的太阳电池组件此时会发热，这就是热斑效应。
这种效应能严重的破坏太阳电池。
有光照的太阳电池所产生的部分能量，都可能被遮蔽的电池所消耗。
为了防止太阳电池由于热斑效应而遭受破坏，最好在太阳电池组件的正负极间并联一个旁路二极管，以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。
二、Bypass diode的作用：当电池片出现热斑效应不能发电时，起旁路作用，让其它电池片所产生的电流从二极管流出，使太阳能发电系统继续发电，不会因为某一片电池片出现问题而产生发电电路不通的情况。
二、Bypass diode 选择原则：１、耐压容量为最大反向工作电压的两倍；２、电流容量为最大反向工作电流的两倍；３、结温温度应高于实际结温温度；４、热阻小；５、压降小；三、实际结温温度测量方法：把组件放在75度烘箱中至热稳定，在二极管中通组件的实际短路电流，热稳定后（例如1h），测量二极管的表面温度，根据以下公式计算实际结温：Tj=Tcase + R*U*I其中R为热阻系数，由二极管厂家给出，Tcase是二极管表面温度（用热电偶测出），U是二极管两端压降（实测值），I为组件短路电流。
计算出的Tj不能超过二极管规格书上的结温范围。
四、旁路二极管对电路影响示意图：当电池片正常工作时，旁路二极管反向截止，对电路不产生任何作用；若与旁路二极管并联的电池片组存在一个非正常工作的电池片时，整个线路电流将由最小电流电池片决定，而电流大小由电池片遮蔽面积决定，若反偏压高于电池片最小电压时，旁路二极管导通，此时，非正常工作电池片被短路。
五、每个旁路二极管并联电池片数目的计算１、旁路二极管电流容量最小应为：Ｉ＝４．７３×２＝８.４６Ａ２、选用１０ＳＱ０３０型二极管最大返偏电压为：V RRM=30vＩＡＶ＝１０ＡＶＦ＝０.５５ＶＴＪ＝-５５－２００℃３、耐压容量为３０Ⅴ的旁路二极管最多可保护１２５×１２５电池片数目为：Ｎ＝３０/（２×０.５１３）≈２９.２４即最多可保护２９片１２５×１２５电池片；４、旁路二极管截止状态时存在反向电流，即暗电流，一般小于０.２微安；原则上每个电池片应并联一个旁路二极管，以便更好保护并减少在非正常状态下无效电池片数目，但因为旁路二极管价格成本的影响和暗电流损耗以及工作状态下压降的存在，对于硅电池，每十五个电池片可并联一个旁路二极管为最佳。
组件旁路⼆极管详解组件旁路⼆极管详解⼀般⽤在单晶硅和多晶硅光伏(PV)⾯板的旁路⼆极管中，在出现低分流和⾼分流阻抗时，保护过热点的光伏电池(参考图1)。
图1A，电池板中的低分流阻抗单元图1B，电池板中的⾼分流阻抗单元在旁路应⽤中，肖特基势垒整流器可发挥低正向电压降的优势，⽽且⽐普通P-N结整流器的功率耗散更⼩。
然⽽，这种器件也具有低反向电压击穿的缺点，很容易因ESD(静电放电)的电过应⼒(EOS)和感应的⾼电压⽽损坏。
图1显⽰的是，⼀个肖特基整流器在250V电压下施加⾼电压8/20 µs脉冲后失效的测试结果。
图1，肖特基整流器在250V电压和⼀个8/20 µs脉冲(2-Ω线阻)情况下失效。
ESD——静电放电光伏电池光伏电池是太阳能光伏电池的简称，⽤于把太阳的光能直接转化为电能。
⽬前地⾯光伏系统⼤量使⽤的是以硅为基底的硅太阳能电池，可分为单晶硅、多晶硅、⾮晶硅太阳能电池。
在能量转换效率和使⽤寿命等综合性能⽅⾯，单晶硅和多晶硅电池优于⾮晶硅电池。
多晶硅⽐单晶硅转换效率低，但价格更便宜。
按照应⽤需求，太阳能电池经过⼀定的组合，达到⼀定的额定输出功率和输出的电压的⼀组光伏电池，叫光伏组件。
根据光伏电站⼤⼩和规模，由光伏组件可组成各种⼤⼩不同的阵列。
本公司光伏组件，采⽤⾼效率单晶硅或多晶硅光伏电池、⾼透光率钢化玻璃、Tedlar、抗腐蚀铝合多边框等材料，使⽤先进的真空层压⼯艺及脉冲焊接⼯艺制造。
即使在最严酷的环境中也能保证长的使⽤寿命。
组件的安装架设⼗分⽅便。
组件的北⾯安装有⼀个防⽔接线盒，通过它可以⼗分⽅便地与外电路连接。
对每⼀块太阳电池组件，都保证20年以上的使⽤寿命。
是⽤层压膜与玻璃或透明的⼆氧化硅板压到⼀起，或是⽤环氧树脂材料粘在⼀起。
玻璃、化学材料平板和层压薄膜都很容易产⽣ESD，ESD的强度取决于表⾯直径。
ESD可能损坏肖特基整流器的芯⽚端，主要是通过过热失效的⽅式(图2A和2B)。
光阻主要可分为正光阻及负光阻二种,正光阻就是被光照射的部份可以被显影液去除掉,而未曝光的光阻则不会被显影液去除(左边)。
而负光阻则相反,被光照射的部份不会被显影液去除,而其余不被光所照射的区域将会被显影液所去除(右边)。
.tw/m_facture/Nanotech/Web/ch2.htm肖特基二极管在太阳能电路中有防反向充点作用，可是怎么接线？如题，最好画出接线图，还有，我的太阳能电池板是10W单晶硅的，电瓶是12AH的。
二极管正极接光伏板，负极接电池，防止晚上光伏不能正常发电时，电池把光伏板当负载，影响光伏板的寿命热斑效应时的电池与旁路二极管工作原理问题在太阳能组件上,一块组件根据需要会并联若干个二极管,为方便理解我假设一个电池片并联一只二极管，由电池片被遮挡等原因，会出现热斑效应,此时该块电池片会被与之并联的二极管旁路掉,二极管正向导通,另外几个电池片仍能够正常工作.现在我有以下问题请教各位前辈:1、假设被旁路掉的电池片（下称坏片）被完全遮挡，意思就是这个电池片起不到任何发电的作用，这个电池片就相当于一个PN结静态状态，此时P极多空穴，N极多电子，PN结簿层有一个内在自建电场，P侧带负电，N侧带正电，对外保持电中性，当该坏片接入电池组时，其它电池正常发电，由于与之相邻的电池片在工作故产生电压，此时加在这个坏片上的两端的电压有势差，即P极电压高于N极电压（关键地方，不知道对不对？），此时坏片才有可能作为耗电部件存在，有P向N的正向电流导通，耗电发热，直到烧掉该电池，甚至整个串联电路停止供电，进而影响光伏供电系统。
基于此假设，旁路二极管才起到旁路的作用，由于旁路二极管反向电阻无穷大，阻止电流通过二极管与坏片组成的内部电路（除漏电流外，无反向电流通过坏片），又由于二极管的正向导电性能，使坏片相邻的两片电池通过二极管正向导通，仍形成完整电池供电电路。
上述理解是否正确，我主要疑点是坏片的正极电压高于负极这个假设是不是成立，以及在这种势差下，由于并联了一个反向电阻无穷大的二极管，就能截断反向电流通过坏片的的假设是否正确？2、请高手解释一下，N个电池片串联时，电压等于每个电池片的两端电压之和，假设低电位端电势为零，那就是一个一个的电池片电压向高处爬升，如果用PN电池片的原理来解释，该怎么解释啊。
为什么在太阳能电池组件输出端的两极并联一个旁路二极管怎么理解：“为防止太阳能电池在强光下由于遮挡造成其中一些因为得不到光照而成为负载产生严重发热受损,最好在太阳能电池组件输出端的两极并联一个旁路二极管。
”我是个新手，不太了解这个，希望大家帮忙，谢谢！问题补充：谢谢回答。
不过还有疑问。
能不能更详细的解释一下每个太阳能单元输出的电压？以及并联的二极管是如何解决不能发电的部分发热的问题的？答：在电池因为遮挡而得不到阳光或者部分照不到的情况下，这块电池产生的电流会变小，因为电池板内的电池的连接方式是串联，所以他们的电流是必须相同的，所以因为这个bad cell，导致了整个板输出的电流变小了，输出功率也变小了。
但是其他电池产生的功率是不减少的，输出少了，只能“内部消化”了，消化的地方就是哪个bad cell,而产生hot spot.旁路二极管就是为了在有bad cell的情况下，短路这个bad cell,而不影响其他的电池的输出。
但是每个电池都加一个二极管，这个成本不是一般的高，所以一般是18个电池一个二极管太阳能电池的暗伏安特性和一般二极管的伏安特性的异同在一定的光照下,太阳电池产生一定的电流ISC ,其中一部分是流过P - N 结的暗电流,另一部分是供给负载的电流。
故可把光照P - N 结看作是一个恒流源与理想二极管的并联组合,恒流源的电流就是最大的光生电流ISC ,流过理想二极管的电流即暗电流ID , IL 为流过负载电阻R的电流。
太阳能电池组件中的防反充电二极管的最大反向电压大约应设定在多大,可以用肖特基二极管吗?因为SBD的反向电压较低那要看太阳能电池本身的输出电压有多高了，二极管的耐压一定要比被充电的电池电压高，否则电池就会击穿它了。
注意电池电压不要按标称电压计算，而是要按最高电压计算，电池充满时的电压约为标称的1.2倍。
为了防止意外，应留出余量，一般取最大值的1.414倍。
什么是太阳能电池暗特性太阳能电池基本特性研究苗建勋，李水泉，石发旺，曹万民，武金楼（洛阳工学院，洛阳，471039）摘要随着太阳能电池使用日益广泛，对太阳能电池特性的研究也越来越引起人们的重视。
二极管基础知识点总结初中一、二极管的结构二极管由P型半导体和N型半导体材料组成。
P型半导体具有正电荷载流子（空穴），N型半导体具有负电荷载流子（电子）。
当P型半导体和N型半导体通过PN结垂直的连接在一起，就形成了二极管结构。
二、二极管的工作原理1. PN结的形成当P型半导体和N型半导体连接在一起形成PN结时，P型半导体中的少数载流子（空穴）会向N型半导体扩散，N型半导体中的少数载流子（电子）也会向P型半导体扩散，形成空间电荷区。
2. 二极管导通状态当二极管的P端加正电压，N端加负电压时（正电压），电场的作用下，空间电荷区变窄，少数载流子得以跨越空间电荷区，PN结上游电压升高，二极管PN结变窄，载流子数量增多，导通电阻减小，从而使电流得以流通，此时二极管处于导通状态。
3. 二极管截止状态当二极管的P端加负电压，N端加正电压时（反电压），电场的作用下，空间电荷区变宽，形成了势垒，少数载流子不能越过势垒，从而不能进行导通，此时二极管处于截止状态。
三、二极管的特性1. 导通特性二极管具有导通方向和截止方向，正向电压下导通，反向电压下截止。
2. 截止电压二极管的截止电压是指当二极管处于截止状态时，需要加上的反向电压。
不同类型的二极管截止电压会有所差异。
3. 峰值逆压二极管在反向电压作用下，会导致PN结击穿，产生较大的反向电流。
此时二极管的反向电压达到最大值，称为峰值逆压。
4. 正向压降二极管在导通状态下，会有一个固定的正向压降，称为二极管的正向压降。
四、二极管的应用1. 整流二极管可以将交流电信号转换为直流电信号，实现整流功能。
在电源供电、电子设备中或者无线电调制解调中都有广泛应用。
2. 限流二极管可以通过控制导通和截止，实现对电流的限制和控制。
3. 信号检测二极管能够对高频信号进行检测，其正向压降和反向电压特性可满足快速开关要求。
4. 发光二极管发光二极管是利用P型半导体和N型半导体的复合辐射发出光的特性制成的，可以作为光源使用。
光伏旁路二极管概述光伏旁路二极管（Photovoltaic Bypass Diode）是太阳能光伏发电系统中的重要组件之一。
它的作用是保护光伏电池板不受阴影、灰尘或其他故障元件的影响，确保整个系统的稳定运行。
本文将详细介绍光伏旁路二极管的原理、结构、工作原理以及在光伏发电系统中的应用。
原理光伏旁路二极管基于PN结原理工作，由p型和n型半导体材料组成。
当太阳能电池板受到阴影覆盖或部分面积损坏时，该区域产生的电流会减少，导致整个电池板输出功率下降。
此时，旁路二极管会起到一个“旁路”的作用，使绕过损坏区域的其余部分仍能正常工作。
结构典型的光伏旁路二极管由三个主要部分组成：p型半导体、n型半导体和金属接触层。
•p型半导体：富含正电荷载流子（空穴）。
•n型半导体：富含负电荷载流子（电子）。
•金属接触层：用于连接外部电路。
这三个部分的结合形成PN结。
当光伏电池板正常工作时，PN结处于正向偏置状态，光伏电池板的输出功率通过旁路二极管流入外部电路。
当存在阴影或损坏区域时，PN结会自动变为反向偏置状态，使损坏区域的电流绕过旁路二极管，从而保护整个系统。
工作原理光伏旁路二极管的工作原理可以通过以下步骤来说明：1.光照条件下：太阳光照射到光伏电池板上，激发p型半导体中的空穴和n型半导体中的电子。
2.正向偏置状态：在正常工作情况下，PN结处于正向偏置状态。
此时，空穴从p型半导体流入n型半导体，而电子则从n型半导体流入p型半导体。
这样就形成了一个闭合回路，使得光伏电池板产生输出功率。
3.反向偏置状态：当遇到阴影或损坏区域时，PN结会自动变为反向偏置状态。
此时，空穴从n型半导体流入p型半导体，而电子则从p型半导体流入n型半导体。
这样就形成了一个开路状态，使损坏区域的电流绕过旁路二极管，保护整个系统。
应用光伏旁路二极管在光伏发电系统中起到了重要的保护作用。
以下是一些典型的应用场景：1.阴影遮挡：当太阳能电池板的一部分被树木、建筑物或其他障碍物遮挡时，旁路二极管可以确保其余部分仍能正常工作，提高系统的整体效率。
旁路二极管知识：半导体介绍：一、半导体介绍几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，应用也非常广泛。
下面首先对半导体做个介绍：1本征半导体纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。
常用的半导体材素是元素周期表中的4价元素，如：硅（si）、锗（Ge）。
其原子结构中最外层轨道上有4个电子；纯净的晶体中相邻的两个原子的一对最外层电子（价电子）结合成为共有电子，组成共价键；原子可以形成稳定的8原子壳层，如下图所示。
共价键中的价电子在热运动中能获得能量形成自由电子和空穴（价电子摆脱共价键束缚后成为自由电子，此时在共价键中留有了空位，称为空穴，空穴带正电）。
本征半导体中存在的两种载流子即自由电子和空穴，由于其两者是成对产生，所以在本征半导体中两者浓度是相同的，因此本征半导体本身称电中性。
本征半导体材料中载流子的浓度除了和其本身的性能有关外，还和温度有关，随着温度的升高称指数规律上升，硅材料的温度每升高8摄氏度，本征载流子的浓度增加一倍，锗材料的温度每升高12摄氏度，载流子的浓度增加一倍。
另外，半导体载流子的浓度与光照有关。
2P型半导体如果在纯净的硅晶体中掺入3价杂质，如硼（或鋁、镓或铟等），这些3价杂质原子的最外层只有3个价电子，当它与相邻的硅原子形成共价键时，还缺少1个价电子，因而其它共价键电子只要少量能量摆脱原子核束缚，即可填充之，而在其本身位置形成空穴，在一个共价键上要出现一个空穴，此种半导体主要靠空穴导电；此种半导体称之为P型半导体。
P型半导体材料中，空穴数目很多,称为多数载流子，而电子数目很少,称为少数载流子。
P型半导体只有一种多子――空穴，对外呈电中性，导电特性与掺杂的杂质浓度有关。
P型半导体如下图所示：3N型半导体如果在纯净的硅晶体中掺入少量的5价杂质磷（或砷，锑等），由于磷原子具有5个价电子，所以1个磷原子同相邻的4个硅原子结成共价键时，还多余1个价电子，这个价电子很容易挣脱磷原子核的吸引束缚而变成自由电子，此种半导体主要靠自由电子导电；此种半导体称之为N型半导体。
N型半导体材料中，空穴数目很少,称为少数载流子，而电子数目很多,称为多数载流子。
N型半导体只有一种多子――自由电子，对外呈电中性，导电特性与掺杂的杂质浓度有关。
P型半导体如下图所示：：结介绍：二、PN结介绍1PN结若将P型半导体和N型半导体两者紧密结合，联成一体时，由于交界面两边，电子和空穴的浓度不相等，因此会产生多数载流子的扩散运动。
扩散的结果是在交界面形成空间电荷区，即为PN结，电荷聚积形成内建电场E ，电场方向: N －> P ，此电场作用下，少数载流子将做漂移运动，方向与扩散方向相反，阻止扩散运动。
扩散得越多，电场越强，漂移运动越强，对扩散的阻力越大。
平衡时，扩散和漂移运动作用相等，界面通过的载流子数为0，PN结无电流通过，此时，PN结形成一个阻挡层，电子学上称为耗尽层。
如下图所示：2PN 结的单向导电特性电源的正极接到P区，负极接到N区，则PN结出于正向偏置状态。
此时的外加电场与其内部自建电场的方向相反，消弱了其内建电场，从而使得阻挡层变窄，扩散作用将大于漂移作用，此时多数载流子将向对方区域扩散而形成正向电流，电流方向为正极P区流向负极N区。
PN结出于导通状态，呈现出正向导通电阻很小。
两端的压降越大，其流过PN结的电流越大，如下图所示。
U－I D呈线的函数关系：I D= I S e U/UTI D : 流过PN 结的电流；U : PN结两端电压；U T = kT/ q 称为电压当量，其中k 为玻尔兹曼常数，1.381×10^(-23)J/K ，T为绝对温度，q为电子的电量；I S:反向饱和电流。
当P区接到电源负极，N区接到电源正极时，PN结处于反向偏置。
外加的电场与PN结内建的电场的方向一致，增加了阻挡层的宽度，此时漂移作用大于扩散作用，少子在电场的作用下做漂移运动，形成漂移电流，漂移电流的方向与正向压降方向相反，故称为反向电流，反向电流是由少数载流子形成的，故电流很小，外加反向电压不需很大，少数载流子将会全部做漂移运动形成漂移电流，反向电压即使再增加，少数载流子数目也不会增加，故形成反向饱和电流：I D = - I S 如下图所示：综述，PN结加正向偏置电压，处于导通状态，加反向电压处于截至状态，PN 结具有单向导电性。
3PN结V-I特性综合PN 结介绍的1、2 所述，PN结V－I特性曲线：I D = I S(e U/UT -1)(U T= kT/ q ，k 玻尔兹曼常数1.381×10^(-23)J/K T 绝对温度q 电子电量）：二极管介绍：三、二极管介绍二极管实际就是一个PN结，由于考虑到引线电阻和半导体的体电阻以及漏电流等因素的影响，使得二极管的特型与PN 结的特性稍有不同。
1二极管分类按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
按照其不同用途可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
A、点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。
由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。
B、面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
C、平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，常被用来制作肖特级二极管，多用于开关、脉冲及高频电路中。
-------肖特基二极管简介肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如下图所示。
肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题。
它的反向耐压值较低，一般不超过100V。
因此适宜在低压、大电流情况下工作。
利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
所以，太阳能组件上的旁路二极管选用肖特基二极管。
2二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。
在电路中，电流从二极管的正极流入，负极流出。
A、正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”Vth，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。
导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
B、反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。
二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
综述，二极管加正向偏置电压，处于导通状态，加反向电压处于截至状态，二极管具有单向导电性（可参照PN 街单项导电性）。
3二极管的主要特性参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。
不同类型的二极管有不同的特性参数。
A、额定正向工作电流I F是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。
所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。
B、最高反向工作电压U R加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。
为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。
C、反向电流I R反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。
反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。
温度持续升高，反向电流将集聚增大，因此，温度升高不仅可以引起二极管失去单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。
硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
D、最高工作频率fm取决于二极管的结电容大小，结电容越大，允许的最高工作频率越低。
E、直流电阻Rd加载到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比。
F、交流电阻rd在二极管工作点附近电压的微变值与相应的电流微变值之比。
G 、正向压降Vf二极管导通时，正极到负极的电压降。
H 、温度特性温度对二极管的性能参数的影响。
I 、ESD 特性关于静电释放及静电击穿防护的性能。
4、测试二极管的好坏辨别最简单的方法可以使用万用表定性测试二极管的好坏。
测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1K 档位（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。
A 、正向特性测试把万用表的红表笔（表正极）搭触二极管的正极，黑表笔（表负极）搭触二极管的负极。
若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。
若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。
短路和断路的管子都不能使用。
B 、反向特性测试把万用表的黑表笔搭触二极管的正极，红表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。
鉴于二极管测试的准确性，对接线盒内的旁路二极管测试选用专业的测试设备。
以保证质量，现在测试二极管的主要参数有：Vf 、Ir 、Vb 等。
四、太阳能电池介绍太阳能电池介绍：：A 、光生伏打效应太阳电池在光照下，能量大于半导体禁带宽度的光子，使得半导体中原子的价电子受到激发，在p 区、空间电荷区和n 区都会产生光生电子-空穴对，也称光生载流子。
这样形成的电子-空穴对由于热运动，向各个方向迁移。
光生电子-空穴对在空间电荷区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被推进n 区，光生空穴被推进p 区。
在空间电荷区边界处总的载流子浓度近似为0。
在n 区，光生电子-空穴产生后，光生空穴便向 p-n 结边界扩散，一旦到达 p-n 结边界，便立即受到内建电场的作用，在电场力作用下作漂移运动，越过空间电荷区进入p 区，而光生电子（多数载流子）则被留在n 区。
