晶闸管的主要参数

同学们！今天我们来学习晶闸管的主要参数和型号。

先来学习主要的电压参数。

额定电压U D，指加在管子上的最大允许电压,俗称耐压。

要求大于实际工作峰值电压的2—3倍。

通态平均电压U F，通过正向正弦半波额定电流时，管子两端的平均电压。

一般为0.6—1.2V。

反向击穿电压U BR，指到达反向击穿时所加反向电压。

反向重复峰值电压U RRM，指的是当控制极开路时，允许重复加在管子上的反向峰值电压。

其值为U RRM =U BR—100V 。

现在我们来看电流参数。

额定正向平均电流I F，指允许通过工频正弦半波的电流平均值。

一般取正常平均电流的 1.5—2倍。

维持电流，是维持晶闸管导通的最小阳极电流。

浪涌电流IFSM ，是指晶闸管能承受的最大过载电流的峰值。

控制极触发电压和电流U G、I G：指在室温下，阳极电压为直流6V 时，使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流。

一般U G为1~5V，I G 为几十到几百毫安。

最后，我们来看晶闸管的型号。

型号的第一个字母K外表这是一个晶闸管，第二个字母可能是P，K，S，其中P代表普通型，K代表快速型，S代表双向型，紧随其后的数字代表额定正向平均电流IF系列，从1—1000A内分14个规格。

接着是一个横岗，横岗后的第一个数字为额定电压等级，在1000V以下，级差为100V，在1000—3000V之间，级差为200V，单位用100V表示。

最后一个字母为通态平均电压组别，共分9级，用A—I表示。

例如，KP100-12G，表示IF=100A，UD=1200V，UF=1V的普通型晶闸管。

目前国际水平已达12KV每千安培，及5KV每千安培，其开关频率为400赫兹。

晶闸管电压、电流级别：额定通态电流〔I TAV〕通用系列为1、5、10、20、30、50、100、200、300、400、500、600、800、1000A 等14种规格。

通态平均电压〔U TAV〕等级一般用A ~ I字母表示：由0.4 ~ 1. 2V每0.1V 为一级。

晶闸管的主要参数一、额定电压（VDRM/VRRM）额定电压是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电压。

在电力控制中，晶闸管通常用于控制交流电压，因此额定电压是一个重要的参数。

当晶闸管的电压超过额定电压时，可能会发生击穿现象，导致器件损坏。

二、额定电流（IDRM/IRRM）额定电流是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电流。

晶闸管通常用于控制大电流，因此额定电流是一个关键参数。

当晶闸管的电流超过额定电流时，可能会导致器件过热甚至烧毁。

三、触发电流（IT）触发电流是指晶闸管正向电流达到一定数值时，晶闸管开始导通。

触发电流的大小决定了晶闸管的触发灵敏度和可靠性。

如果触发电流过高，会增加控制电路的复杂度和成本；如果触发电流过低，可能会导致误触发。

四、保持电流（IH）保持电流是指晶闸管在导通状态下需要供给的最小电流。

保持电流的大小决定了晶闸管的稳态工作能力。

过低的保持电流可能导致晶闸管无法稳定导通，而过高的保持电流会增加功耗和热损失。

五、封装类型晶闸管的封装类型决定了其外形和安装方式。

常见的封装类型有TO-220、TO-247等。

不同的封装类型适用于不同的应用场景，例如TO-220适用于小功率应用，而TO-247适用于大功率应用。

六、工作温度范围工作温度范围是指晶闸管能够正常工作的温度范围。

晶闸管在高温环境下工作时，可能会出现性能降低甚至失效的情况。

因此，工作温度范围是一个重要的参数。

七、开关速度开关速度是指晶闸管在从关断到导通或从导通到关断的切换速度。

开关速度的快慢影响着晶闸管的响应速度和效率。

较快的开关速度可以提高系统的响应速度，但也会增加开关损耗。

八、导通压降（VCE）导通压降是指晶闸管在导通状态下的正向电压降。

导通压降的大小直接影响着晶闸管的导通损耗和功率损耗。

较低的导通压降可以提高系统的效率。

九、关断电流（ICRM）关断电流是指晶闸管在关断状态下的漏电流。

关断电流的大小决定了晶闸管的关断能力和可靠性。

较小的关断电流可以减小系统的功耗。

晶闸管二极管主要参数及其含义IEC标准中用来表征晶闸管二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就晶闸管二极管的主要参数做一简单介绍1、正向平均电流IF(AV)(整流管)通态平均电流IT(AV)(晶闸管)是指在规定的散热器温度THS 或管壳温度 TC时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度Tjm仪元公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS 或管壳温度 TC值用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件2、正向方均根电流IFRMS(整流管)通态方均根电流ITRMS(晶闸管)是指在规定的散热器温度THS 或管壳温度 TC时,允许流过器件的最大有效电流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值3、浪涌电流IFSM (整流管)ITSM(晶闸管)表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示仪元公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下施加80% VRRM条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象4、断态不重复峰值电压VDSM反向不重复峰值电压VRSM指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件5、断态重复峰值电压VDRM反向重复峰值电压VRRM是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压6、断态重复峰值漏电流IDRM反向重复峰值漏电流IRRM为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM 和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出7、通态峰值电压VTM(晶闸管)正向峰值电压VFM(整流管)指器件通过规定正向峰值电流IFM (整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力点图进入相册点图进入相册点图进入相册点图进入相册点图进入相册。

晶闸管的主要参数为了正确选用晶闸管元件，必需要了解它的主要参数，一般在产品的名目上都给出了参数的平均值或极限值，产品合格证上标有元件的实测数据。

（1）断态重复峰值电压UDRM在掌握极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压称为断态重复峰值电压UDRM，其数值比正向转折电压小10%左右。

（2）反向重复峰值电压URRM在掌握极断路时，可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压称为反向重复峰值电压URRM，此电压数值规定比反向击穿电压小10%左右。

通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。

由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏，因而在选用元件的时候，额定电压一般应当为正常工作峰值电压的2～3倍作为平安系数。

（3）额定通态平均电流（额定正向平均电流）IT在环境温度不大于40oC和规定的冷却条件下，晶闸管元件在电阻性负载的单相工频半波电路中导通角不小于170°，即全导通的条件下，可以连续通过的电流（在一个周期内）的平均值，称为额定通态平均电流IT，简称额定电流。

即这里需要特殊说明的是，晶闸管允许流过的电流的大小主要取决于元件的结温，而在规定的环境温度和冷却条件下，结温的凹凸仅与发热有关，晶闸管管芯的发热又由流过其电流的有效值打算。

因此，在使用时应根据工作中晶闸管实际流过的电流的有效值与通态平均电流所对应的电流有效值相等的原则来选取晶闸管的额定电流。

（4）维持电流IH在规定的环境温度和掌握极断路的条件下，维持元件连续导通的最小电流称为维持电流IH 。

一般为几十毫安～一百多毫安，其数值与元件的温度成反比，在120℃时维持电流约为25℃时的一半。

当晶闸管的正向电流小于这个电流时，晶闸管将自动关断。

晶闸管的主要参数作者：jesse 文章来源：本站原创点击数：273 更新时间：2007-12-6 ★★★【字体：小大】晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压V DRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。

（一）正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。

（二）断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。

此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。

（三）通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。

（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。

（五）反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。

此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。

（六）正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。

（七）门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。

(八)门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。

kp100-3晶闸管参数KP100-3晶闸管是一种常用的电子元件，具有许多独特的特性和应用领域。

本文将从多个角度对KP100-3晶闸管进行介绍，以展示其鲜为人知的一面。

一、KP100-3晶闸管简介KP100-3晶闸管是一种高压、大电流的晶闸管，具有可靠性高、损耗小等特点。

它采用高纯度硅材料制造，具有良好的导电和绝缘性能，能够在高温、高压的环境下正常工作。

它广泛应用于电力、电子、通信、工业等领域，是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。

二、KP100-3晶闸管的特性1. 高压能力：KP100-3晶闸管能够承受较高的电压，可达数千伏特，适用于高压电力系统和电力传输领域。

2. 大电流能力：KP100-3晶闸管具有较大的电流承载能力，可达数千安培，适用于工业控制和电力驱动等高电流应用。

3. 快速开关速度：KP100-3晶闸管的开关速度非常快，能够迅速响应输入信号，实现高效的电力控制和调节。

4. 低功耗：KP100-3晶闸管在工作过程中能够有效降低能量损耗，提高能源利用效率，节约电力资源。

5. 可靠性高：KP100-3晶闸管采用先进的封装技术和工艺，具有良好的抗电磁干扰和抗击穿能力，能够在恶劣的环境下长时间稳定工作。

三、KP100-3晶闸管的应用领域1. 电力系统：KP100-3晶闸管广泛应用于电力输配电、电力变压器控制、电力电容补偿等领域，能够实现对电力系统的精密控制和调节。

2. 工业控制：KP100-3晶闸管在工业自动化控制系统中扮演着重要角色，能够实现对电机、变频器、变压器等设备的精确控制和调节。

3. 电子通信：KP100-3晶闸管可用于通信设备中的电源控制、电池充电、电路保护等方面，确保通信设备的稳定工作。

4. 汽车电子：KP100-3晶闸管在汽车电子系统中应用广泛，如发动机控制、电池管理、电机驱动等，提高了汽车的性能和安全性。

5. 其他领域：KP100-3晶闸管还可用于家电、医疗设备、航空航天等领域，满足不同领域对电力控制和调节的需求。

晶闸管的主要电参数晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。

可参见图5标识。

（一）晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。

（二）晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。

此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。

（三）晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。

（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。

（五）晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。

此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。

（六）晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K 之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。

（七）晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。

(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。

浅析晶闸管参数选择
1. 主要参数：
（1）额定电流（ID）：晶闸管的额定电流是指在正常工作条件下，晶闸管可以承受的最大电流。

在选择晶闸管时，应根据电路中的最大负载电流选择晶闸管的额定电流。

（2）导通压降（VTO）：晶闸管导通时的压降，通常指的是正向电压下的导通压降。

在选择晶闸管时，应根据电路要求和功率损耗来确定导通压降是否满足要求。

（3）关断电流（IH）：晶闸管的关断电流是指晶闸管在关断状态下通过的最小电流。

较小的关断电流可以减小晶闸管的功耗。

2. 参数选择方法：
（2）根据功率损耗确定导通压降：根据电路要求和功率损耗来确定晶闸管的导通压降。

一般来说，导通压降越小，功耗越小。

（4）根据电路控制信号确定触发电压：根据电路控制信号的要求来确定晶闸管的触发电压。

触发电压应满足电路控制信号的幅值和频率要求。

晶闸管参数的选择应综合考虑电路要求、功耗和可靠性等因素。

根据电路中的负载电流、功率损耗、关断电流和触发电压等要求，选择合适的晶闸管参数，以确保电路的性能
和稳定性。