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第八章薄晶体的电子显微分析n8.1 薄晶体样品（薄膜）的制备n8.2 衍射衬度原理n8.3 衍射运动学简介n8.4 晶体缺陷分析图8-3 相干散射电子波在晶体内强度随深度变化的示意图a ）衍衬运动学b ）衍衬动力学电子束进入样品时随着深度增大，在不考虑吸收的条件下，透射束不断减弱，而衍射束不断加强随着电子束深入样品，透射束和衍射束之间的能量是交替变换的。
在(hkl )晶面为精确布拉格位向时电子波运动学理论有两个先决条件：（1）不考虑衍射束和入射束之间的相互作用，也就是说两者间没有能量的交换。
（2）不考虑电子束通过晶体样品时引起的多次反射和吸收。
一、基本假设1.双束近似假设电子束透过薄晶体试样成像时，除了透射束外只存在一束较强的衍射束，而其他衍射束却大大偏离布拉格条件，它们的强度均可视为零。
图8-4 柱体近似如果三个晶柱内晶体构造有差异，则三点的强度就不同。
事实上每个晶柱底部的衍射强度都可看作为一个像点，把这些像点连接成的图像，就能反映出晶体试样内各种缺陷的结构特点。
单个晶胞的散晶体厚度t＝Mc为了更符合实际情况，通常要选取任意方向且底面积比单胞底面大的晶柱作为成像单元，在计算这种晶柱底面的衍射波振幅时，应修正为：式中ξg 称为消光距离，它是因入射束和衍射束在晶体深度方向上由于动力学的作用，使入射束强度和衍射束强度间发生的周期性的转移。
sin g i st A s ππξπ=晶柱2222sin ()g st I s ππξπ=晶柱三、理想晶体衍衬运动学基本方程的应用1.等厚条纹若用I g 代表晶柱内任一位置t 上的衍射强度，则衍射强度公式改写为：从上式可知，晶柱的衍射强度取决于s 和t 两个变数。
固定s 值，就可以观察样品厚度t 改变时衍射束强度的变化情况。
2222sin ()g g st I s ππξπ=利用等厚消光条纹的根数以及所选用的反射对应的消光距离，可近似计算样品的厚度，例子：设为铝样品，当使用操作反射进行衍射衬度成像时，如上图所示，得到的等厚消光条纹有3根，估测样品厚度对应的消光距离为界面。
电子行业电子显微分析1. 引言电子显微技术是一种通过利用电子束替代光束对样品进行放大和观察的高分辨率显微技术。
在电子行业，电子显微分析技术被广泛应用于材料检测、元器件分析和故障诊断等领域。
本文将对电子行业中的电子显微分析技术进行详细介绍。
2. 电子显微镜电子显微分析的核心工具是电子显微镜（Electron Microscope，简称EM）。
电子显微镜利用电子束替代光束，利用电子的波粒二象性以及电子与样品之间的相互作用来观察和分析样品的微观结构和成分。
主要包括传统的透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称TEM）和扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，简称SEM）两种类型。
2.1 透射电子显微镜（TEM）透射电子显微镜能够提供非常高的分辨率，可以观察到纳米尺度的细节。
透射电子显微镜将电子束通过样品的薄片，然后通过透射的方式形成图像。
通过TEM可以观察到材料的微观晶格结构、晶体缺陷、原子排列等信息，对于研究材料的结构和性质非常有价值。
2.2 扫描电子显微镜（SEM）扫描电子显微镜则通过扫描电子束在样品表面形成图像。
SEM能够提供非常高的表面分辨率和三维观察能力，对于表面形貌的分析非常有用。
扫描电子显微镜可以用于观察材料的形貌、粒度分布、表面元素等信息。
3. 应用领域3.1 材料检测在电子行业中，材料的质量和性能对产品的稳定性和可靠性起着至关重要的作用。
电子显微分析技术可以对材料的微观结构和成分进行精确观察和分析。
通过TEM和SEM，可以观察和分析材料的晶体结构、晶界、位错等缺陷，从而评估材料的质量和性能。
3.2 元器件分析在电子行业中，各种元器件被广泛应用于电子产品中。
电子显微分析技术可以对元器件的结构和成分进行分析和观察。
通过观察材料的微观结构，可以判断元器件是否存在缺陷、磨损以及其他性能问题。
通过元器件的成分分析，可以确保元器件的质量和性能符合要求。
