下载文档原格式
半导体的本质和应用
半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它具有在特定条件下可以有选择
性地导电的特性。
半导体的本质在于其电子结构中存在一些未被填满的能级，使得在外加电场或热激发的作用下，电子可以很容易地在材料中移动。
半导体的基本特性
半导体材料中的导带和价带之间存在称为“禁带宽度”的能隙。
在原子折叠之后，半导体材料通过共价键连接，因此其电子虽然处于原子间，但在整个材料中可以自由移动。
当外界条件施加以后，这些电子会在导带和价带之间跃迁，从而实现电导。
半导体的应用
半导体材料在现代科技中有着广泛的应用。
其中最重要的当属半导体器件，如
二极管和晶体管。
这些器件可以用来控制电流的流动，从而实现逻辑电路、放大器和其他电子设备。
此外，半导体还广泛应用于光电子领域，如太阳能电池和发光二极管。
通过半
导体材料的光电转换性质，可以将光能转化为电能或者发光，实现各种照明和能源转换的功能。
总的来说，半导体作为一种特殊的材料，在现代社会的科技发展中起着至关重
要的作用。
其独特的导电性能和光电性能广泛应用于电子器件、光电子器件以及能源技术等领域，推动了科技的不断进步和创新。
半导体ar名词解释半导体（Semiconductor）是一种起关键作用的物质，常用于电子器件的制造过程中。
它具有介于导体和绝缘体之间的导电性能，可以根据外部电场和电流进行调控。
半导体材料由于其独特的电性能和可控性，被广泛应用于各种电子设备和技术中。
半导体的电子特性来源于其晶体结构。
在半导体内部，原子被安排成特定的晶格结构，其中原子之间形成了共价键。
共价键是由原子的价电子（最外层的电子）共享而形成的，它们对电流的流动具有阻碍作用。
然而，当半导体获得能量，如温度升高或受到外部电场的作用时，一部分共价键中的电子会被激发到导带上，形成自由电子。
此时，半导体就具有了导电性。
半导体的导电性质也可以通过杂质（施主和受主）来调控。
杂质是在半导体晶体中插入的少量杂原子。
施主杂质通常是具有比半导体原子价电子数更多的元素，如磷（P）或砷（As），它们会在半导体晶格中替代原子的位置。
由于这些施主杂原子可以提供更多的自由电子，所以它们被称为N型材料，即负性半导体。
相反，受主杂质通常是具有比半导体原子价电子数更少的元素，如硼（B）或铝（Al），它们会在半导体晶格中替代原子的位置。
这些受主杂原子可以吸引和俘获自由电子，因此被称为P型材料，即正性半导体。
半导体材料的独特性质使其成为现代电子器件的核心组成部分。
例如，大多数计算机芯片和集成电路板都是基于半导体材料制造的。
在这些设备中，半导体器件（如晶体管）被用于控制和放大电流，实现逻辑运算、存储和通信等功能。
半导体还用于制造太阳能电池、光电二极管、激光器、发光二极管和传感器等各种光电子器件。
此外，半导体在通信、汽车、医疗器械和航空航天等领域中也扮演着重要角色，促进了现代社会和科技的发展与进步。
在半导体技术的发展过程中，人们不断研究和探索着新的半导体材料和制造方法。
例如，砷化镓（GaAs）、氮化硅（Si3N4）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的应用正在逐渐增加。
同时，纳米技术和量子技术的发展也为半导体技术的进一步突破提供了新的可能性。
半导体技术名词解释题1、半导体：半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
2、本征半导体：本征半导体是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。
3、直接带隙半导体：直接带隙半导体是导带底和价带顶在k空间中处于同一位置的半导体。
4、间接带隙半导体：间接带隙半导体材料导带底和价带顶在k空间中处于不同位置。
5、极性半导体：在共价键化合物半导体中，含有离子键成分的半导体为极性半导体。
6、能带、允带、禁带：当N个原子相互靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带。
此时电子不再属于某个原子而是在晶体中做共有化运动，分裂的每个能带都称为允带，允带包含价带和导带两种。
允带间因为没有能级称为禁带。
7、半导体的导带：半导体的导带是由自由电子形成的能量空间。
即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
8、半导体的价带：价带是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。
9、禁带宽度：禁带宽度是指导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。
10、带隙：带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。
11、宽禁带半导体材料：一般把禁带宽度E g≥ 2.3 eV的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。
12、绝缘体的能带结构：绝缘体中导带和价带之间的禁带宽度比较大，价带电子难以激发并跃迁到导带上去，导带成为电子空带，而价带成为电子满带，电子在导带和价带中都不能迁移。
13、杂质能级：杂质能级是指半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏，从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态,称为杂质能级。
14、替位式杂质：杂质原子进入半导体硅以后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。
15、间隙式杂质：杂质原子进入半导体以后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
16、施主杂质比晶格主体原子多一个价电子的替位式杂质，它们在适当的温度下能够释放多余的价电子，从而在半导体中产生非本征自由电子并使自身电离。
半导体行业术语半导体行业术语是专门用于描述和解释半导体技术和相关概念的专业词汇。
在描述半导体行业的相关术语时，需要确保清晰度和准确性。
以下是一些常见的半导体行业术语及其解释：1.半导体：半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导特性。
半导体材料通常可以控制电流的流动，是构成电子器件和集成电路的基本元件。
2.集成电路（IC）：集成电路是一种由多个电子元件（如晶体管、电容、电阻等）以及连接器件（如导线、金属线等）组成的电路系统。
集成电路可用于执行各种计算、存储和处理任务。
3.晶体管：晶体管是一种半导体器件，可以放大和控制电流。
晶体管由三层材料组成，其中包括一个控制区域、一个输入区域和一个输出区域。
晶体管被广泛用于电子设备和电路中。
4.功耗：功耗是指半导体器件在正常运行时消耗的电能。
功耗通常以瓦特（W）为单位进行衡量，是半导体行业中一个重要的考虑因素。
5.时钟频率：时钟频率是计量半导体器件工作速度的指标，通常以赫兹（Hz）为单位。
时钟频率越高，半导体器件的数据处理和运行速度越快。
6.互连：互连是指将不同的半导体器件或电子组件连接在一起的过程。
互连通常使用导线、金属线、连接器等来完成。
7.工艺技术：工艺技术是指用于制造半导体器件和集成电路的特定技术过程。
包括一系列的步骤，如沉积、蚀刻、掩膜制备等，用于制造和构建电子器件。
8.掩膜：掩膜是一种用于制造半导体器件的模板。
掩膜通常是由光刻工艺制备的，可以在半导体材料上形成特定的图案和结构，用于制造电子器件的特定组件。
9.封装：封装是将半导体芯片和连接线封装在外壳中的过程。
封装有助于保护芯片和电路，并提供适当的物理连接和支持。
10.微纳加工技术：微纳加工技术是一种用于制造微小尺度结构和器件的技术。
在半导体行业中，微纳加工技术被广泛应用于制造芯片和集成电路，以及其他微小尺度的器件。
以上是一些常见的半导体行业术语及其解释。
了解和熟悉这些术语对于了解半导体技术和行业发展趋势非常重要。
第三节半导体
半导体是当今电子行业最基础的材料之一，其作用和意义不容小觑。
在此我们将深入探讨半导体的相关知识。
一、什么是半导体？
半导体是指在室温下，其导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
有
时也被称为半导体晶体。
二、半导体的种类
从其晶体结构来看，半导体可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅、蓝宝石、碳化硅、氮化硅等。
三、半导体的应用
1、集成电路 - 由于半导体表现出了半导体-绝缘体-金属场效应，能
够强制控制流经半导体器件的电流强度和方向，因此可用于制作各种
逻辑、振荡器等集成电路。
2、光电器件 - 利用半导体光电特性制作出的器件，如太阳能电池、发光二极管、激光器等。
3、功率器件 - 利用半导体导电性能和电特性，制作出高变换效率、低损耗、高可靠性的功率电子元器件，如IGBT器件等。
4、传感器 - 利用半导体的光电、温度、湿度、压力等特性制作出的传感器器件。
四、半导体技术的发展趋势
1、晶体管微型化和集成化 - 在实际应用中，需要更高的速度、更小的面积和功耗，因此晶体管制作微型化和集成化是半导体技术的重要趋势。
2、功率器件的高效率和大功率 - 随着人们生活水平的提高，需要更高效、更可靠、更节能的电子设备，因此功率器件的高效率和大功率是半导体技术的趋势。
3、新型材料的开发 - 蓝宝石、碳化硅等新型材料在一定应用领域已得到广泛的应用，半导体技术发展也将趋于多样化。
总而言之，半导体技术因其广泛的应用领域和重要的作用被越来越广泛地关注着，也将成为电子行业长期的研究方向之一。
半导体器件名词解释汇总
半导体器件是一种基于半导体材料制造的电子元件，用于控制电流和电压。
以下是一些常见的半导体器件名词解释：
1. 二极管（Diode）：由P型半导体和N型半导体组成，用于
限制电流的流动方向。
2. 整流器（Rectifier）：将交流电转换为直流电的装置，常由
二极管组成。
3. 可变电阻（Varistor）：一种电阻值可变的器件，用于保护
其他元件免受电压过高的损坏。
4. 三极管（Transistor）：由三个区域组成的半导体器件，用
于放大和控制电流。
5. 场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）：一种三极管，其电流控制通过操控电场。
6. 绝缘栅双极型场效应晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT）：一种在功率控制电路中广泛应用的高压、大功率半导体器件。
7. 集成电路（Integrated Circuit，IC）：在一块半导体芯片上
集成了多个电子元件，如晶体管、电容和电阻。
8. 电容（Capacitor）：用于存储电荷的器件，由两个导体之间
的绝缘层组成。
9. 电阻（Resistor）：用于控制电流流过的器件，阻碍电流流动。
10. 电感（Inductor）：通过电磁感应产生电动势的元件，能够抵抗电流变化。
这些是一些常见的半导体器件名词解释，实际上还有许多其他类型的半导体器件。
半导体的定义和特性
半导体是一种电子导体，介于导体和绝缘体之间。
它具有导电性能介于金属和绝缘体之间，其特性使其在电子学领域中具有重要作用。
物理特性
半导体的导电性介于导体和绝缘体之间的主要原因是它的能带结构。
在半导体中，带隙是指电子在价带和导带之间跃迁所需要的最小能量。
当这个能隙很小时，半导体就会更容易地导电，因为较小的能量就足够让电子跃迁到导带中。
此外，半导体的导电性质还取决于掺杂。
掺杂是指在半导体中加入少量其他元素，通过掺杂可以改变半导体的导电性能。
掺杂分为N型和P型，N型半导体中掺入的杂质是能够提供额外自由电子的元素，而P型半导体中掺入的杂质则是能够提供额外空穴的元素。
应用领域
半导体在现代电子学中应用广泛。
例如，半导体器件如二极管、场效应晶体管和集成电路是电子设备的关键组成部分。
二极管可以实现电流的单向导通，场效应晶体管可以控制电流，而集成电路则将多个器件集成到一块芯片上，实现了更高的集成度和更大的功能。
此外，半导体在光电子学领域也有重要应用。
例如，LED（发光二极管）利用半导体材料电子跃迁产生光，广泛应用于照明、显示和通信等领域。
结语
总的来说，半导体是一种在电子学领域中至关重要的材料，其特性使其成为现代电子设备的核心组件之一。
通过对半导体的深入研究和应用，我们可以不断推动电子技术的发展，实现更多创新和应用。
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
什么是半导体？
半导体是一种介于导体（如金属）和绝缘体（如塑料）之间的材料。
在半导体中，电子的导电能力介于导体和绝缘体之间，即在一定条件下，半导体可以导电，但在其他条件下则表现为绝缘。
这种特性使得半导体在电子器件中具有重要的应用价值。
半导体的导电性质可以通过外加电场、温度或光照等外部条件进行控制，这种控制能力是现代电子器件的基础。
半导体的导电性主要依赖于两种载流子：电子和空穴。
在纯净的半导体中，电子和空穴的数量相等，因此其导电性较弱。
但通过在半导体中引入杂质或施加外部电场，可以改变电子和空穴的浓度，从而调节半导体的导电性能。
半导体在电子技术中有广泛的应用，包括但不限于：
1. **集成电路（IC）**：半导体晶体管的集成电路是现代电子产品的核心，如微处理器、存储器等。
2. **光电子器件**：半导体的光电特性使其用于光电二极管、激光器、光伏电池等。
3. **传感器**：利用半导体的电阻、电容或光电效应制作的传感器，用于测量温度、压力、光照等物理量。
4. **太阳能电池**：利用半导体材料的光电转换效应制作的太阳能电池，将光能转化为电能。
5. **电子管件**：半导体二极管、三极管等在电路中用于整流、
放大、开关等功能。
6. **发光二极管（LED）**：通过半导体材料的电致发光特性制作的LED，用于照明、显示等。
7. **光伏电池**：半导体材料制成的光电池，可以将光能转化为电能，用于太阳能发电等。
总的来说，半导体是现代电子技术的基础，其特性和应用推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的发展和进步。
半导体物理学名词解释1.能带：在晶体中可以容纳电子的一系列能2.允带：分裂的每一个能带都称为允带。
3.直接带隙半导体：导带底和价带顶对应的电子波矢相同间接带隙半导体：导带底和价带顶对应的电子波矢不相同4、施主杂质：能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心的杂质，称为施主杂质。
施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。
5、受主杂质：能够能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质。
受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。
6、本征半导体：本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。
7、禁带宽度：导带底与价带顶之间的能量差。
8、禁带：（导带底与价带顶之间能带）9、价带：（0K 条件下被电子填充的能量最高的能带）10、导带：（0K 条件下未被电子填充的能量最低的能带）11、迁移率：表示单位场强下电子的平均漂移速度，单位cm^2/(V ·s)。
12、有效质量：的作用。
有效质量表达式为：，速度：13、电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位14、费米分布：大量电子在不同能量量子态上的统计分布。
费米分布函数为：15、漂移运动：载流子在电场作用下的运动。
扩散运动：载流子在浓度梯度下发生的定向运动。
16、本征载流子：就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的。
17、产生：电子和空穴被形成的过程222*dk Ed h m n =E E Fe Ef 011)(-+=直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
复合率：单位时间单位体积内复合的电子-空穴对数。
18、散射：载流子与其它粒子发生弹性或非弹性碰撞，碰撞后载流子的速度的大小和方向发生了改变。
1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA 比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
5 AIR SHOWER 空气洗尘室进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。
2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。
3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic 特性，即电压与电流成线性关系。
Alloy也可降低接触的阻值。
8 AL/SI 铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。
9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。
10 ALUMINUN 铝此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。
11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。
公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。
但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。
如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。
12 ANGSTRON 埃是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。
此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。
13 APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。
14 AS75 砷自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。
半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解得到。
砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入。
15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。
2. 电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。
3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
16 ASSEMBLY 晶粒封装以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。
封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架，即Lead frame）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。
以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
17 BACK GRINDING 晶背研磨利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。
一般6吋芯片之厚度约20mil～30 mil 左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。
18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，软烤，预烤烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。
软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。
预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻。
19 BF2 二氟化硼·一种供做离子植入用之离子。
·BF2 ＋是由BF3 ＋气体晶灯丝加热分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。
经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。
·是一种P-type 离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入。
20 BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。
一般Boat有两种材质，一是石英、另一是铁氟龙。
石英Boat用在温度较高（大于300℃）的场合。
而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。
21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。
6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。
HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。
利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。
HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。
22 BONDING PAD 焊垫焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层。
在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作―焊线‖，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（Bonding Diagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。
由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。
焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。
焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到―开窗线‖。
而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。
23 BORON 硼自然元素之一。
由五个质子及六个中子所组成。
所以原子量是11。
另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。
自然界中这两种同位素之比例是4：1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B 11＋），用来作场区、井区、VT及S/D植入。
24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metal line溅镀上去后，造成断线。
25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定义反向P＋ - N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压，在P＋ - N或 N ＋-P之接回组件中崩溃电压，随着N（或者P）之浓度之增加而减小。
