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单极型三极管的主要分类单极型三极管是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子技术领域。
根据其结构和工作原理的不同，单极型三极管可以分为多种不同的分类。
下面将对单极型三极管的主要分类进行介绍。
1. NPN型三极管：NPN型三极管是最常见的单极型三极管之一。
它由两个N型材料夹一个P型材料组成。
其中，P型材料被称为基极，两个N型材料分别被称为发射极和集电极。
NPN型三极管的发射极与基极之间的PN结被正向偏置，而基极与集电极之间的PN结被反向偏置。
当向发射极施加正电压时，三极管进入导通状态，电流从发射极流向基极，然后流向集电极。
NPN型三极管适用于放大和开关电路等应用场景。
2. PNP型三极管：PNP型三极管与NPN型三极管的结构类似，但材料的类型相反。
它由两个P型材料夹一个N型材料组成。
PNP型三极管的发射极与基极之间的PN结被正向偏置，而基极与集电极之间的PN结被反向偏置。
当向发射极施加负电压时，三极管进入导通状态，电流从基极流向发射极，然后流向集电极。
PNP型三极管在一些特定的电路设计中具有一定的优势。
3. 双极型三极管：双极型三极管是指同时具有NPN型和PNP型的结构的三极管。
它结合了NPN型和PNP型三极管的特点，可以用于更复杂的电路设计。
双极型三极管的发射极和基极之间同时存在PN结和NP结，能够实现更灵活的电流控制和信号放大。
总结起来，单极型三极管根据结构和工作原理的不同可以分类为NPN型三极管、PNP型三极管和双极型三极管。
它们在电子技术领域有着广泛的应用，对于电路设计和信号放大起着重要的作用。
在实际应用中，选择合适的单极型三极管类型，能够满足特定的需求，并有效地实现电子设备的功能。
![1[1].3双极型晶体管](https://img.taocdn.com/s1/m/3aecb31cfad6195f312ba61e.png)
三极管：(1).判断三极管基极由于基极与发射极，基极与集电极之间分别是两个PN结，它们之间反向电阻都很大。
正向电阻都很小，步骤：①b极判别：先将任一表笔接到某一个认定的管脚上，如果测量得的阻值若一大一小，则可知它不是基极。
都很大（或很小），再对换表笔，重复上述测量时，阻值恰与上述相反，都很小（或很大）。
则可断定所认定的管脚为基极。
若不符合上述结果，应另换一个认定管脚重新测量。
直至符合。
（2）PNP、NPN判别：测量时注意极性（管脚和表笔），当黑表笔接在基极，红表笔接在其它两极时，测得的电阻值都较小，则可判定该三极管为NPN型，反之，当红表笔接在基极，黑表笔接到其它两极时，测得的电阻值较小由可判定该三极管的PNP型。
（3）判断集电极和发射极：基本原理：把三极管接成基本单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数β的大小来判断集电极和发射极。
（4）好坏：如果三极管两个PN结正向电阻与反向电阻都很大（开路）或都很小（短路）则说明三极管已经损坏。
NPN型:将黑表笔接于一个待测的管脚，红表笔接另一个管脚，基极悬空，然后将黑表笔所接管脚与基极用手捏住（注意不能使其相碰，这时在黑表笔与基极间串入人体电阻），表针会有一个偏转角（α1）。
接着，更换黑红表笔，重复上述过程。
记录偏转角β变化，对于偏转角大者，则其黑表笔所接管脚便为集电极，红表笔所接管脚为发射极。
PNP型：与NPN型三极管判断c、e极原理一样，不同的是行后两次都用手捏住，经表笔与基极，观察表针偏转情况。
指针偏转角的大小一次红表笔所接管脚为集电极，黑表笔所接管脚为发射极。
可控硅管脚、好坏、触发能力判别：晶闸管有三个电极，即阳极、阴极和控制极。
用万用表测量极间电阻的方法可以判断其好坏，触发能力及管脚。
(1)好坏判别：①R×100档，测量晶闸管阳极与阴极间正反向电阻值，正常晶闸管正反向电阻值都应在几百千欧以上，若只有几欧或几十欧姆，则说明晶闸管已短路损坏。
双极型晶体管晶体管的极限参数双极型晶体管（Bipolar Transistor）由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。
起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。
双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。
在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。
当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。
双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。
同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。
双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。
晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.晶体管分类：NPN型管和PNP型管输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为：硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。
输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。
可表示为：双击型晶体管输出特性可分为三个区★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。
IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。
如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。
★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。
在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，U CE@0，IC=EC／RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。
★放大区：发射结正偏，集电结反偏。
放大区的特点是：◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。
因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。
◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。
什么是单极型晶体管和双极型晶体管？
一、单极型晶体管
单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。
它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。
它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。
特点：
输入电阻高，可达107 ~ 1015Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 1015Ω。
噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。
分类：
根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。
二、双极型晶体管
双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。
它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。
特点：
三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
分类：
根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。
硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。
锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。
•••••国内命名方法：3DG1815-Y ••••••••••名）：2SC1815-Y •••••国际JEDEC标准欧美标准日本EIAJ标准ROHM标准PHILIPS标准TOSHIBA其它备注TO-92SOT-54SC-43TO-92引线式SC-72SPT引线式TO-126SOT-32引线式TO-202AA SOT-128B SC-53引线式TO-220FN SOT-186A SC-67(接近）TO-220FN2-10R1A引线式TO-220FP SOT-186 SC-67 TO-220FP2-10L1A引线式TO-220AB SOT-78SC-46引线式TO-251SC-64引线式TO-252SOT-428SC-63CPT3D-PAK片式3脚TO-236AB SOT-23SST3片式3脚TO-236SOT-346SC-59SMT3MPAK片式3脚TO-243SOT-89SC-62MPT3UPAK片式3脚SOT-143R SC-61B片式4脚SOT-223SC-73片式4脚SOT-323SC-70UMT3CMPAK片式3脚SOT-353SC-88A UMT5片式5脚SOT-363SC-88UMT6片式6脚SOT-416SC-75A EMT3SMPAK片式3脚SC-74A SMT5片式5脚SOT-457SC-74SMT6SSOT6片式6脚•••衬底制备（多晶硅溶解+掺杂拉单晶、磨、外延氧化基区光刻基区扩散发射区光刻发射区扩散引线孔光刻反刻铝淀积钝化膜刻蚀压焊孔减薄背面金••划片粘片压焊塑封冲筋上锡分离测试打印••••••VCEO（集电极—发射极击穿电压）基极开路，C、•VCBO（集电极—基极击穿电压）发射极开路，C、•VEBO（发射极—基极击穿电压）集电极开路，E、B••ICBO（集电极—基极截止电流）：当发射极开路时，在规定的集电极—基极电压下，流过集电极—基极结的反向电流。
•ICEO（集电极—发射极截止电流）：基极开路时，在规定的集电极—发射极电压下，流过集电极—•IEBO（发射极—基极截止电流）：当集电极开路时，在规定的发射极—基极电压下，流过发射极—基极结的反向电流。
双极型晶体管和单极型晶体管不同工作区域的特点在放大电路中，只有晶体管工作在放大区，场效应管工作在恒流区时，电路才能正常放大。
在数字电路中，晶体管和场效应管多工作在开关状态，即晶体管不是工作在饱和区就是工作在截止区，场效应管不是工作在可变电阻区就是工作在截止区。
一、晶体管的三个工作区对于小功率NPN型管，b-e间电压uBE＞Uon时才导通，若同时uCB≥0（即uCE≥uBE）则放大，因而工作在放大状态时三个极的电位关系为uC≥uB＞uE且uBE＞Uon......（1.2.4）换言之，uBE＜Uon管子截止，uBE＞Uon且uCE＜uBE管子饱和。
对PNP管，为便于记忆，只要改换电压极性或不等号方向即可。
二、场效应管的恒流区与晶体管相类似，为使场效应管工作在恒流区，不但要在栅源之间加合适的电压，而且还需在漏源之间加合适的电压。
概括如下（1）N沟道结型（或耗尽型）场效应管在UGS（off）＜uGS＜0且uGD＜UGS（off）（即uDS＞uGS-UGS（off））时工作在恒流区；uGS＜UGS（off）时截止（夹断）；UGS（off）＜uGS＜0且uGD＞UGS（off）时工作在可变电阻区。
P沟道结型（或耗尽型）场效应管在0＜uGS＜UGS（off）且uGD ＞UGS（off）（即uDS＜uGS-UGS（off））时工作在恒流区；uGS＞UGS（off）时截止（夹断）；0＜uGS＜UGS（off）且uGD＜UGS（off）时工作在可变电阻区。
若N沟道管uGS大于零、P沟道管uGS小于零，则失去gs间等效电阻很大的特点。
（2）N沟道增加型MOS管在uGS＞UGS（th）且uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th））时工作在恒流区；uGS＜UGS（th）时截止；uGS＞UGS（th）且uGD＜UGS（th）时工作在可变电阻区。
UGS（th）为开启电压。
单极型晶体管与双极型晶体管
单极型晶体管与双极型晶体管2011-10-3012:22一、单极型晶体管
单极型晶体管也称场效应管，简称FET(FieldEffectTransistor)。
它是一
种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。
它工
作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故称为单极型晶体管。
特点:
输入电阻高，可达107~1015Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET)可高达1015Ω。
噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，
体积小，成本低。
根据材料的不同可分为结型场效应管
JFET(JunctionFieldEffectTransistor)和绝缘栅型场效应管
IGFET(InsulatedGateFET)。
二、双极型晶体管
双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控
制输出电流，其本身具有电流放大作用。
它工作时有电子和空穴两种载流子参
与导电过程，故称为双极型三极管。
特点:
三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿
命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。
硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工
作和承受较大的功率损耗。
锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压
线路。
场效应管与双极型三极管的比较:
1、普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管;而在场效应管中只是多子参与导电，故又称为单极型三极管。
因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数很小。
在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用
场效应管。
2、三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。
因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低;场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的
输入电阻很高，可达109~1014Ω。
高输入电阻是场效应管的突出优点。
3、场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比三极管强。
但要注意，分立的场效应管，有时已经将衬底和源极在管
内短接，源极和漏极就不能互换使用了。
4、场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。
但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作，具有功耗低，热稳定性好，容易解决散热问题，工作电源电压范围宽等优点，且制作工艺简单，易于
集成化生产，因此在目前的大规模、超大规模集成电路中，MOS管占主要地位。
5、MOS管具有很低的级间反馈电容，一般为5-10pF，而三极管的集电结电容一般为20pF左右。
6、场效应管组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。
7、由于MOS观的栅源极之间的绝缘层很薄，极间电容很小，而栅源极之间电阻又很大，带电物体靠近栅极时，栅极上感应少量电荷产生很高的电压，就
很难放掉，以至于栅源极之间的绝缘层击穿，造成永久性损坏。
因此管子存放
时，应使栅极与源极短接，避免栅极悬空。
尤其是焊接MOS管时，电烙铁外壳要良好接地。
8、BJT是利用小电流的变化控制大电流的变化;JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大
小;MOSEFET是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
MOSFET用双极性三极管的代替方法:
一般说来，双极性三极管不能直接代替MOSFET，这是因为它们的控制特性不一样，MOSFET是电压控制的器件，而双极性三极管是电流控制的器件。
MOSFET的控制电路是电压型的，双极性三极管不能直接代换MOSFET的，原驱动MOSFET的电路由于驱动电流太小，不足于驱动双极性三极。
要想用原电路驱动双极性三极管，必须要在双极性三极管之前加装电流放大装置。
基于这个思想，在双极性三极管之前加装电流放大器，把电压驱动改为了电流驱动，即可代换成功。
MOS器件保护措施:
1、MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。
2、取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。
3、焊接用的电烙铁必须良好接地。
4、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。
5、MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
6、电路板在装机之前,要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上去。
7、MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下,最好接入保护二极管。
在检修
电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
场效应管的作用:
1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的分类:
结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名;绝缘栅型场效应管(JGFET，也
叫金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。
所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而"增强"了该区域的载流子,形成导电沟道。
耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而"耗尽"了载流子,使管子
转向截止。
